JP2006084488A - 光導波路基板、および光電気混載基板 - Google Patents
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Abstract
【構成】コア部とハロゲン元素を含む第1樹脂からなるクラッド部とを備えた光導波路の少なくとも1面の表層に、第1樹脂と同種の樹脂を含み、かつハロゲン元素を含まない樹脂層を形成した光導波路基板であり、これらの光導波路基板が電気配線層と電気絶縁層とを有する電気配線基板に貼り合せられており、電気配線基板と光導波路基板の間にハロゲンを含まない前記樹脂層が介在している光電気混載基板である。
【選択図】 なし
Description
ここで光導波路の形態は限定されないが、フィルム状あるいはシート状であることが好ましい。
次に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
図1と図2に、本発明の光導波路基板の実施形態を示す。
図1は、クラッド部2にコア部1が埋め込まれており、クラッド部2の表面に樹脂層3を備えた光導波路基板の断面である。ここではコア部は並列に3本設けている。樹脂層は図1(a)のように片面だけに設ける場合もあるし、図1(b)のように両面に設ける場合もある。
エポキシ樹脂の具体的なものとしては、2,2−ビス(4’−オキシフェニル)プロパン(ビスフェノールA)、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン(ビスフェノールB)、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン(ビスフェノールAD)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン(ビスフェノールF)、1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン等のポリフェノ−ル化合物のグリシジルエーテル系エポキシ樹脂;上記のようなポリフェノ−ル化合物のグリシジルエーテル系エポキシ樹脂の臭素化物に相当する臭素化エポキシ樹脂;上記のようなポリフェノ−ル化合物の芳香核の水素化物のグリシジルエーテル系エポキシ樹脂;カテコール、レゾルシン、ヒドロキノン、フロログリシン等の多価フェノール類のグリシジルエーテル系エポキシ樹脂;上記のような多価フェノール類のグリシジルエーテル系エポキシ樹脂の臭素化物に相当する臭素化エポキシ樹脂;ノボラック型エポキシ樹脂;ノボラック型エポキシ樹脂の臭素化物に相当する臭素化エポキシ樹脂;ビニルシクロヘキセンジオキシド、リモネンジオキシド、ジシクロペンタジエンジオキシド等の脂環族系エポキシ樹脂;フタル酸、シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸等のポリカルボン酸のエステル縮合物のポリグリシジルエステル系エポキシ樹脂;テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジルパラアミノフェノール、テトラグリシジル−m−キシリレンジアミン等からなるポリグリシジルアミン系エポキシ樹脂;メチルエピクロ型エポキシ樹脂などがあげられる。
熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合系としては、熱硬化性エポキシ樹脂と熱可塑性ポリイミド樹脂とを混合したものが好ましく、その樹脂群について下記に例をあげる。
混合する熱硬化性エポキシ樹脂の例として、分子内に少なくとも2個のエポキシ基を含むものであれば特に限定されないが、例えばフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂として、ビスフェノールA、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、ビスフェノールFもしくはハロゲン化ビスフェノールAとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエン変成フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビフェニル型エポキシ樹脂等が挙げられる。
図5は3枚の電気配線基板20と2枚の光導波路基板21が互い違いに貼り合せられた積層体の縦断面を示している。各光導波路基板はコア部1がクラッド部2に埋め込まれており、光導波路基板の両面に予め設けられていた樹脂層3を介して電気配線基板20と貼り合せられている。電気配線基板は電気絶縁層5とパターニングされた電気配線層4が積層されている。2層にまたがる電気配線層同士の必要な箇所にはビアホール6が形成されて導通がとられている。電気配線基板には半田バンプ10を介して面発光レーザなどの面発光光源あるいはフォトダイオードなどの受光素子および動作させるドライバ用LSIとその他制御用のLSIが実装されたパッケージ9が実装されている。最表層にある電気配線層には、配線の保護のためソルダーレジスト13乃至はカバーレイフィルムが形成されている。
ここで樹脂層3が形成された光導波路基板と電気配線部との間に形成される接着層8の形成方法には、間接貼り合せ方法と直接貼り合せ方法がある。間接貼り合せ方法とは、一旦、光導波路基板乃至は電気配線部に接着層を形成し、その後ラミネート乃至はプレスにより貼り合せる方法である。この場合の接着層形成方法には、光導波路基板乃至は電気配線部へスピンコート法等の塗工及び乾燥により直接形成する方法や、ポリエステルフィルム等の支持体に接着樹脂を塗工し乾燥した後、光導波路基板乃至は電気配線部へラミネート法やプレス法により間接形成する方法がある。
これら貼り合せ方法で用いられる接着層となる樹脂は、塗工時に、予め各々の工法で成形されるに必要な粘弾性特性を持つように溶媒に溶解した液状態、乃至はその樹脂の硬化前や前駆体の状態で溶媒に溶解しさせた液状態で用いられる。
A-1ポリイミド系光導波路(実施例1〜10)の作成方法。光導波路の材料として、光透過性の高い樹脂フッ素化ポリイミドを用いた。まず、5インチシリコンウェハ上に2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物(6FDA)と2,2−ビス(トリフルオロメチル)−4, 4' −ジアミノビフェニル(TFDB)から形成されるポリイミドを上下のクラッド層として、6FDAと4, 4' −オキシジアニリン(ODA)と6FDA/TFDBから形成される共重合ポリイミド(6FDA/TFDB組成=60%)をコア層として、公知のフォトリソグラフィとドライエッチング技術により光導波路フィルムを形成した。その後、この光導波路が形成されたシリコンウェハを5wt%のフッ酸水溶液中に浸漬させ、シリコンウェハから光導波路を剥し、フィルム光導波路部を作製した。フィルム導波路の厚みは80μmとした。
B-1 エポキシ系の接着剤(三井化学株式会社製AH−357)を、ペットフィルム(東洋紡績株式会社製M5001)に、アプリケータで塗工し100℃〜150℃で乾燥する。次に、乾燥した樹脂フィルムを用いて、光導波路基板に100℃でラミネートし、光導波路基板と電気配線部との間の樹脂層を光導波路基板の両面に形成した。これにより得られたエポキシ樹脂層の厚みは、25μmとした。
C-1 エポキシ系接着剤層を形成した先の光導波路基板と、予め回路形成されたポリイミド系フレキシブルプリント配線板(三井化学株式会社製NEX−231R(25H))を、プレスにより貼り合せた。このときのプレス条件は、プレス温度が140℃から250℃、プレス圧力が1MPaから10MPa、時間が15分から3時間であった。
光導波路基板の両側にフレキシブルプリント配線板を貼り合せ作製した光電気混載基板の性能比較方法について、下記に記す。
・ 光伝送損失:カットバック法により波長850nmでの光伝送損失を測定した。
・ 線膨張係数:プリント配線板の銅箔を形成していない絶縁層をダミーの電気配線基板として、これを光導波路基板の両側に貼り合せたサンプルを、TMAで測定した(昇温速度5℃/分、荷重49mN)。
・ 内層ピール強度:JIS C 5016-1994に準じた銅箔ピール試験と同様に、光導波路基板間乃至は電気配線部と光導波路基板間の引き剥がし試験を実施した。
・ 半田耐熱性:JIS C 5016-1994に準ずる。
・ 埋め込み状態の観察:200〜500倍の顕微鏡で、サンプルの断面観察を実施した。
上記の電気配線基板,光導波炉基板,樹脂層を各種組み合わせた各実施例とその結果を表1と表2にまとめる。本発明によると、内層ピール強度や半田耐熱性で見られる、光導波路基板間乃至は電気配線部と光導波路基板間の密着性が向上していることがわかる。また半田耐熱性を詳細に調べるために、280℃10秒、300℃10秒のテストをしたところ、実施例1から実施例5までのサンプルは膨れがないことが分かった。
APB:アミノフェノキシベンゼン
DMAC:ジメチルアセトアミド
半田耐熱性:両面銅箔有りサンプル 合格:膨れなし 不合格:膨れ有り
埋め込み状態の観察(外観検査 ) ○:気泡無し ×:気泡有り
表中の空欄は該当無し
4 銅配線、 5 電気絶縁層、 6 層間ビアホール
7 層間ビアホール乃至はスルーホール、 8 接着層
9 パッケージ、 10 半田バンプ、 11 光ピン
12 スルーホール乃至は層間ビアホール、 13 ソルダーレジスト
15 スルーホール、 20 電気配線基板、 21 光導波路基板
Claims (5)
- コア部とハロゲン元素を含む第1樹脂からなるクラッド部とを備えた光導波路の少なくとも1面の表層に、第1樹脂と同種の樹脂を含み、かつハロゲン元素を含まない樹脂層を形成した光導波路基板。
- ハロゲンを含まない前記樹脂が、エラストマーを含有する樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを混合した樹脂のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の光導波路基板。
- ハロゲンを含まない前記樹脂が、熱可塑性ポリイミドであることを特徴とする請求項2に記載の光導波路基板。
- 前記ハロゲンを含む樹脂がフッ素化された樹脂であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の光導波路基板。
- 電気配線層と電気絶縁層とを有する電気配線基板と請求項1から請求項4のいずれかの光導波路基板が貼り合せられており、電気配線基板と光導波路基板の間にハロゲンを含まない前記樹脂層が介在していることを特徴とする光電気混載基板。
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