JP2006083467A - 陽極酸化皮膜および陽極酸化処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 アルミニウムまたはアルミニウム合金12の表面に形成した陽極酸化皮膜11であって、該陽極酸化皮膜11のセル14がアルミニウムまたはアルミニウム合金12の表面に対してランダムな方向に成長し、配向性を持たない陽極酸化皮膜。
【選択図】 図1
Description
また、耐磨耗性向上を目的とした陽極酸化処理を行う場合、皮膜硬さを硬くする必要がある。皮膜を硬くする方法として、例えば非特許文献1には、陽極酸化処理を低温(0℃程度)で行う硬質皮膜法が紹介されている。しかし、この方法では、皮膜成長が進まない、大掛かりな冷却設備が必要となるなどの問題があった。
このようなセルを有する皮膜により腐食の原因となる水などが母材に到達する時間を遅らせることができ、セルの孔を介しての母材に対する腐食を防ぐ効果を高めることが可能となる。
ここで、「不純物及び/または添加物」とは、不純物または添加物、あるいはそれらの両方を意味する。
不純物及び/または添加物により陽極酸化皮膜の成長が阻害されることなく、不純物及び/または添加物の析出が多いアルミニウムまたはアルミニウム合金母材表面の不純物及び/または添加物上部にもアルマイト皮膜を形成させることが可能となり、アルミニウムまたはアルミニウム合金母材の表面にほぼ均等に陽極酸化皮膜を形成させることができる。
本発明は、一局面によれば、アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に形成した陽極酸化皮膜であって、該陽極酸化皮膜の前記セルが球又は楕円形状を形造り、そのセルが寄り集まってぶどうの房状に形成した構造であることが好ましい。
このようなセルを有する皮膜により、セルの壁に対するセルが内包する孔の体積の割合が低くなり、硬質皮膜法のような0℃程度までの冷却を行わなくても、10℃(5〜15℃)の陽極酸化処理でも硬さを確保することが可能となる。
このとき、上記皮膜の特性により、陽極酸化皮膜から析出シリコンが脱落することを防止し、アルミニウムまたはアルミニウム合金母材に含まれる析出シリコンが陽極酸化皮膜中にしっかりと包括されている。そして、シリコンの性質により耐衝撃性の高い陽極酸化皮膜を得ることが可能になる。
かかる方法によれば、耐食性および耐衝撃性に優れた陽極酸化皮膜を容易に得ることができる。
かかる方法によれば、耐食性および耐衝撃性に優れた陽極酸化皮膜を容易に得ることができる。
かかる周波数で処理することにより、より短い処理時間で、より膜厚のばらつきの少ない陽極酸化皮膜を形成することができる。
図1に、本発明の一実施形態に係る陽極酸化皮膜の断面を模式的に表す。図示する陽極酸化皮膜11には複数のセル14が形成されている。そして、各セル14は、アルミニウムまたはアルミニウム合金母材12の表面に対してランダムな方向に成長しており、配向性を持たない。アルミニウムまたはアルミニウム合金母材12とその表面に形成された陽極酸化皮膜11とは、アルミニウムまたはアルミニウム合金部材10を構成する。
また、図2(B)に、本実施形態に係る陽極酸化皮膜の破断面におけるセルの外観の写真を示す。また、図16(B)に、従来技術である直流電解法により得られた陽極酸化皮膜の表面の写真を示す。本実施形態による陽極酸化皮膜は、セルがセル径の2倍に満たない高さで球又は楕円形状をほぼ連続的に形造り、そのセルが寄り集まってぶどうの房状に形成した構造である。したがって、セルの壁に対するセルが内包する孔の体積の割合が低くなる。これに対し、図16(B)に示す従来の陽極酸化皮膜では、セルが連続した筒状に形成され、セルの壁に対するセルが内包する孔の体積の割合が高くなる。なお、図1では、過度に複雑になるのを避けるため、セルが球又は楕円形状をしている点を省略して記載している。
また、セルの壁に対するセルが内包する孔の体積の割合を低くすることができるため、硬質皮膜法のような0℃程度までの冷却を行わなくても、10℃(5〜15℃)の陽極酸化処理でも硬さを確保することが可能となる。
次に、本発明に係る陽極酸化皮膜を、その陽極酸化処理方法により説明する。
本発明の一実施形態による陽極酸化処理方法は、処理浴中に浸漬したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる処理部品に、プラス電圧を印加する工程と、電荷を除去する工程とを繰り返すことによる。
まず、処理浴中に浸漬したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる処理部品に、プラス電圧を印加する工程では、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる処理部品1に陰極電送線5に取り付けて、電解浴2に浸漬し、アルミニウム部品1にプラス印加して電解処理を行う。
図7(B)に、図7(A)の具体的な電源回路構成を示す。かかる電源6eは、陽極酸化用直流電源67、電荷放電用直流電源68、切替器(インバーター)69の3点から構成され、切替器69により、プラス印加と電荷の除去との切替えが可能となる。図7(A)の電源6cは電源6e、陽極酸化用直流電源63は陽極酸化用直流電源67、電荷放電用直流電源64は電荷放電用直流電源68に、切替器65は切替器69にそれぞれ対応する。81、82、84、85は高速半導体スイッチを示し、IGBT、パワーMOS・FET等のパワー・デバイスで構成する。
陽極酸化時にはスイッチ81をONし、陽極酸化用直流電源67、コンデンサ83の電荷により陽極酸化を行う。次にスイッチ82をONし電流を回生させつつ、スイッチ81をOFFし、電荷放電用直流電源68への切替え準備を行う。これは、陽極酸化用直流電源67、電荷放電用直流電源68とショートさせないように切替えのタイムラグをつける意味もある。電荷放電時にはスイッチ84をONし、電荷放電用直流電源68、コンデンサ86の電荷により、皮膜に溜まった電荷の放電を行う。次にスイッチ85をONし電流を回生させつつ、スイッチ84をOFFし、陽極酸化用直流電源67への切替え準備を行う。これを繰り返すことで陽極酸化処理を行う。これにより図7(C)に示す電圧及び電流の波形を得ることができる。
かかる電解装置は、図7(A)を具体化したものであり、図6に対し、構成要素を大幅に削減することができ、装置の製作コストを下げることができるといった利点と、図7(A)における、大容量のコンデンサ83、86と、回生用回路を成すスイッチ82、85でμsオーダーの瞬時切替えを可能とし、過電流による衝撃を緩和できるといった利点がある。
次に、図9を参照して、膜厚が均一でセルの配向性の無い陽極酸化皮膜が形成されるメカニズム説明する。図9(A)は、陽極酸化皮膜が形成されていない処理部品1が、電解浴中の処理液18に浸漬されている状態を示す。処理部品1は、母材であるアルミニウム12aとその中に含有される不純物及び/または添加物13から構成されている。
処理部品1にプラス印加し、電解処理を行うと、アルミニウム部品が溶解し、溶解したアルミニウムが処理液中の酸素と結合して、図9(B)に示すように、アルミニウム12aの表面に微小な酸化皮膜11aができる。この酸化皮膜11aは絶縁体である。そして、酸化皮膜11aの生成と同時に、皮膜11aと母材12aとの境界に電荷が溜まる。導電体であるアルミニウム母材12aと絶縁体である酸化皮膜11aとの境界は電荷を蓄える性質があるためである。このように、皮膜11aと母材12aとの境界に電荷が溜まることで電解によるアルミニウムの溶解、酸化が継続され易くなり、最初に陽極酸化皮膜が形成しやすい箇所では皮膜の膜厚がどんどん厚くなる。一方、不純物及び/または添加物などを含み、陽極酸化皮膜が形成されにくい箇所では、電解によるアルミニウムの溶解の機会を失い、陽極酸化皮膜の成長は遅く、膜厚が薄くなる。従って、この段階では、場所により陽極酸化皮膜のばらつきが生じている。
一旦、プラス印加をやめ、極の短絡、もしくはマイナス電圧を印加すると、皮膜11aと母材12aとの境界に溜まった電荷が除去される。
再び、I.と同様に短時間のプラス印加を行う。この時、I.で厚く生成した部分の陽極酸化皮膜11aは絶縁体となっており、且つ、II.で電荷を取り除いたため、電解が進みにくい状態となっている。一方、陽極酸化皮膜が薄い部分では電荷が速やかに溜まり、厚い部分より電解し易い状態となり、陽極酸化皮膜の形成が進む。従って、図9(C)に示すように、I.で生じた陽極酸化皮膜11aの表面の凹凸を埋めるように、新たな陽極酸化皮膜11bが形成される。尚、このように、一旦、プラス印加をやめ、極の短絡等を行った後に再度のプラス印加をする時に、セルの成長方向が変化したり、枝分かれしたりするという現象が起こる。
暫くプラス印加をすると、また皮膜11aと母材12aとの境界に電荷が溜まり、陽極酸化皮膜のばらつきが生じる。II.と同様に一旦、プラス印加をやめ、溜まった電荷を除去し、III.と同様に再度プラス印加を行う。以下、II.とIII.とを繰り返し、図9(D)に示すように、皮膜11cを形成させ、所望の皮膜厚さに到達するまで、処理を続ける。
本発明の陽極酸化処理方法により、陽極酸化皮膜を形成した。処理対象として、AC8Aからなるピストンを用い、10%vol硫酸、10℃の処理浴を用いた。処理電圧は45Vp-p、1回のプラス電圧印加時間は50μsとし、電荷の除去は、マイナス電圧2Vを、1回のマイナス電圧印加時間が50μsとなるように印加した。また、これらのプラス、マイナスの印加の繰り返しを4分間実施し、陽極酸化皮膜の膜厚が15〜20μmになるまで処理をした。
本発明の陽極酸化処理方法により、シリコンを含有するアルミニウム合金に陽極酸化皮膜を形成した。処理対象として、シリコンの含有量が異なるアルミニウム合金、AC4A(Si:4.0〜6.0質量%)、AC8A(Si:11.0〜13.0質量%)、ADC12(Si:9.6〜12.0質量%)を用いた。処理浴は、10%vol硫酸、10℃とし、処理電圧は35Vp-pとした。1回のプラス電圧印加時間は、25μsから500μsのあいだで変化させ、電荷の除去は、2Vのマイナス電圧を、プラス電圧印加時間と同じ時間印加することにより行った。
従来の直流電解法による陽極酸化処理を行った後に封孔処理を施したものと、本発明の陽極酸化処理のみで封孔処理を行っていないものについて腐食促進試験を行った。
2 電解浴
3、3a 陽極電送線
4、4a 対の陰極板
5、5a 陰極電送線
6、6a、6b、6c、6d、6e 電源
61 交流電源
62 直流電源
63 陽極酸化用直流電源
64 電荷放電用直流電源
65 切替器
66 直流電源
67 陽極酸化用直流電源
68 電荷放電用直流電源
69 切替器(インバータースイッチング制御)
7 切替装置
81、82、84、85 スイッチ
83、86 コンデンサ
10、10a アルミニウム合金部材
11、11a、11b、11c 本発明の陽極酸化皮膜
12 アルミニウムまたはアルミニウム合金母材
13 シリコン
14 セル
16 脱落
17 皮膜の成長が阻害された部分
18 処理液
20 従来のアルミニウム合金部材
21 従来の陽極酸化皮膜
Claims (12)
- アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に形成した陽極酸化皮膜であって、該陽極酸化皮膜のセルがアルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に対してランダムな方向に成長し、配向性を持たない陽極酸化皮膜。
- 前記アルミニウムまたはアルミニウム合金に不純物及び/または添加物が含有され、前記陽極酸化皮膜において、前記セルが、ランダムな方向に微細に枝分かれした状態で、不純物及び/または添加物の周囲を包囲している請求項1に記載の陽極酸化皮膜。
- 前記アルミニウムまたはアルミニウム合金に不純物及び/または添加物が含有され、前記陽極酸化皮膜において、前記セルが球又は楕円形状を形造り、そのセルが寄り集まってぶどうの房状に形成した構造である請求項1に記載の陽極酸化皮膜。
- 前記添加物が、シリコンである請求項2または3に記載の陽極酸化皮膜。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の陽極酸化皮膜を、アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に形成してなるアルミニウムまたはアルミニウム合金部材。
- 処理浴中に浸漬したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる処理部品に電圧を印加することによるアルミニウムまたはアルミニウム合金の陽極酸化処理方法であって、
処理部品に、プラス電圧を印加する工程と、
電荷を除去する工程と
を繰り返し、
1回のプラス電圧印加の通電時間が25μs〜100μsである陽極酸化処理方法。 - 前記プラス電圧印加の通電時間が、25μs〜50μsである請求項6に記載の方法。
- 前記プラス電圧印加の通電時間が、30μs〜35μsである請求項7に記載の方法。
- 処理浴中に浸漬したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる処理部品に電圧を印加することによるアルミニウムまたはアルミニウム合金の陽極酸化処理方法であって、
交流成分を有する電源を用い、5kHz〜20kHzの周波数で処理する陽極酸化処理方法。 - 前記周波数が10kHz〜20kHzである請求項9に記載の方法。
- 前記周波数が14kHz〜16kHzである請求項10に記載の方法。
- 請求項5〜10に記載のいずれかの陽極酸化処理方法により形成された陽極酸化皮膜を有するアルミニウムまたはアルミニウム合金部材。
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