JP2006080506A5 - - Google Patents

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  1. 原料供給源を加熱して昇華させた有機半導体および第1のガスを処理器内に導入し、前記処理器内において、被処理物に前記有機半導体を堆積させた後、前記処理器から前記被処理物を取り出
    前記処理器内が前記有機半導体の昇華温度よりも高い温度となるように前記処理器を加熱すると共に、第2のガスを前記処理器内に導入することによって、前記処理器内に残存する前記有機半導体を排出することを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
  2. 請求項1において、
    前記排出された有機半導体を冷却して凝集し、回収することを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記処理器において、前記被処理物は前記原料供給源の上方、かつ、前記被処理物の成膜面の法線方向と重力方向とが平行になるように設けられていることを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
  4. 請求項1または請求項2において、
    前記処理器において、前記被処理物は前記原料供給源の上方、かつ、前記被処理物の成膜面と重力方向とが平行になるように設けられていることを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
    前記原料供給源と前記被処理物との間にシャッターが設けられ、
    前記シャッターを開けることによって、前記被処理物に前記有機半導体を堆積させることを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB0706653D0 (en) * 2007-04-04 2007-05-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistors

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0210721A (ja) * 1988-06-28 1990-01-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
US5320680A (en) * 1991-04-25 1994-06-14 Silicon Valley Group, Inc. Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow
JP4071315B2 (ja) * 1996-12-18 2008-04-02 株式会社山形信越石英 ウエーハ熱処理装置
US6337102B1 (en) * 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
JP4232307B2 (ja) * 1999-03-23 2009-03-04 東京エレクトロン株式会社 バッチ式熱処理装置の運用方法
JP4785269B2 (ja) * 2000-05-02 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法及び成膜装置のクリーニング方法
JP2002246324A (ja) * 2001-02-20 2002-08-30 Toshiba Ceramics Co Ltd 縦型熱処理炉用石英炉芯管
JP2002329676A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd アンチモン拡散方法
JP4509439B2 (ja) * 2001-09-06 2010-07-21 株式会社日立国際電気 基板処理装置および基板処理方法
JP4294305B2 (ja) * 2001-12-12 2009-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置および成膜方法
JP2004002401A (ja) * 2002-04-26 2004-01-08 Nippon Shokubai Co Ltd チオールカルボン酸エステルおよびその安定化方法
JP2004022401A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Sony Corp 有機膜形成装置および有機膜形成方法
JP2004055401A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Sony Corp 有機膜形成装置

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