JP2006080506A5 - - Google Patents
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- 原料供給源を加熱して昇華させた有機半導体および第１のガスを処理器内に導入し、前記処理器内において、被処理物に前記有機半導体を堆積させた後、前記処理器から前記被処理物を取り出し、
前記処理器内が前記有機半導体の昇華温度よりも高い温度となるように前記処理器を加熱すると共に、第２のガスを前記処理器内に導入することによって、前記処理器内に残存する前記有機半導体を排出することを特徴とする有機半導体膜の製造方法。 - 請求項１において、
前記排出された有機半導体を冷却して凝集し、回収することを特徴とする有機半導体膜の製造方法。 - 請求項１または請求項２において、
前記処理器内において、前記被処理物は前記原料供給源の上方、かつ、前記被処理物の成膜面の法線方向と重力方向とが平行になるように設けられていることを特徴とする有機半導体膜の製造方法。 - 請求項１または請求項２において、
前記処理器内において、前記被処理物は前記原料供給源の上方、かつ、前記被処理物の成膜面と重力方向とが平行になるように設けられていることを特徴とする有機半導体膜の製造方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記原料供給源と前記被処理物との間にシャッターが設けられ、
前記シャッターを開けることによって、前記被処理物に前記有機半導体を堆積させることを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
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