JP2006080485A - 基板処理システム、基板処理方法、密閉容器保管装置、プログラム、及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 クリーンルームの清浄度を所定レベルまで高めることなく塵芥が基板に付着するのを防止できると共に、作業者の負担を増やすことなく基板処理のスループットを向上することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】 プラズマ処理システム１は、プラズマ処理装置２、ＳＭＩＦ４及び予備ローダ５を備え、該予備ローダ５は、未処理のポッド３を載置して保管する台状の未処理ポッドポート２８と、処理済みのポッド３を載置して保管する棚状の処理済みポッドポート２９と、未処理のポッド３を未処理ポッドポート２８からＳＭＩＦ４のポッド載置部２４へ移送し、処理済みのポッド３をポッド載置部２４から処理済みポッドポート２９へ移送するポッドアーム３１とを有する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基板処理システム、基板処理方法、密閉容器保管装置、プログラム、及び記憶媒体に関し、特に、所定の枚数の基板を格納する密閉容器を用いる基板処理システム、基板処理方法、密閉容器保管装置、プログラム、及び記憶媒体に関する。

成膜処理、エッチング処理等のプラズマ処理が施される半導体ウエハ等の基板の搬送は、基板への塵芥の付着を防止するため、清浄な雰囲気中で行う必要がある。したがって、従来の基板処理システムは、空気清浄機等によって全体が清浄な雰囲気に維持される室内、例えば、クリーンルームに配置されていた。

ところが、近年、半導体ウエハの回路の微細化が飛躍的に進んだため、クリーンルームの清浄度の要求レベルが急激に高まり、例えば、除去すべき塵芥の大きさは０．１μｍ程度にまで微小化しているが、従来のクリーンルームでは空気清浄機の能力の限界及びコストの観点から、上記要求レベルまで清浄度を高めることが困難であった。

そこで、基板を搬送するときは、所定の枚数、例えば、２５枚の基板を格納して周辺雰囲気から隔離するポッド（pod）を用い、基板へプラズマ処理を施すときは、プラズマ処理装置内への塵芥の進入を防止しつつ、ポッドから基板を取り出してプラズマ処理装置内へ搬入する基板処理システムが用いられている。この基板処理システムは、クリーンルームの清浄度を上記要求レベルまで高めることなく、０．１μｍ程度の塵芥が基板に付着するのを防止できる。

上述した基板処理システムではポッドから基板を取り出す装置として、ＳＭＩＦ（Standard of Mechanical Interface）が用いられる。図９（Ａ）において、ＳＭＩＦ７０は、プラズマ処理装置（図示せず）が有するカセットチャンバ（以下「Ｃ／Ｃ」という。）７１の前面に配置され、該Ｃ／Ｃ７１に連通する箱状の密閉室であるエンクロージャ７２と、該エンクロージャ７２の前面に配置されるポッド載置部７３と、エンクロージャ７２内の雰囲気を清浄に保つファンフィルタユニット（図示せず）とを備える（例えば、非特許文献１参照。）。

ポッド載置部７３は、図中上方にスライドする逆升状のスライドカバー７４と、ポッド７５が載置されるポッド台７６とを有し、エンクロージャ７２は、後述の基板カセット７７をポッド載置部７３及びＣ／Ｃ７１の間で搬送する搬送アーム７８を有する。

ＳＭＩＦ７０では、図９（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、ポッド７５から基板を取り出す際、スライドカバー７４が上方にスライドしてポッド７５からポッドカバー７９を持ち上げて、ポッド７５から基板カセット７７を分離させる。このとき、基板カセット７７が留め置かれる、スライドカバー７４とポッド台７６で形成される空間は、エンクロージャ７２の前面に配置されたスライドドア（図示せず）を介してエンクロージャ７２内部と連通し、ファンフィルタユニットによって清浄化される。その後、搬送アーム７８がポッド台７６上の基板カセット７７をＣ／Ｃ７１内へ搬入する。また、プラズマ処理済みの基板が格納される基板カセット７７は上述した手順と逆の手順でポッド７５に格納され、該ポッド７５はポッド台７６に載置される。
"ＣＸ−ＰＡＬ４７号"、[online]、ソニー株式会社、[平成１６年７月２２日検索]、インターネット＜URL：http://www.sony.co.jp/Products/SC-HP/cx_pal/vol47/pdf/cxeye.pdf ＞

しかしながら、上述した基板処理システムでは、作業者がポッド台７６に載置されたプラズマ処理済みの基板が格納されるポッド（以下「処理済みのポッド」という。）７５を未処理の基板が格納されるポッド（以下「未処理のポッド」という。）７５と手作業によって交換する必要がある。

特に、基板処理のスループットを向上させるためには、処理済みのポッド７５と未処理のポッド７５とを素早く交換する必要があるために、基板処理システムが基板にプラズマ処理を施している間、作業者は未処理のポッド７５を抱えてＳＭＩＦ７０の側に待機する必要があるが、近年、基板のサイズが大きくなり、１つのポッド７５の重量が増加したため、作業者の負担が増えるという問題があった。

一方で、作業者の負担を増やさないために、作業者がＳＭＩＦ７０の側に待機しない場合、処理済みのポッド７５がポッド台７６に載置された後、作業者が複数の未処理のポッド７５が格納されているストッカ（図示せず）から１の未処理のポッド７５を運び出し、該ポッド７５を処理済みのポッド７５と交換するため、基板処理のスループットが著しく低下するという問題がある。

本発明の目的は、クリーンルームの清浄度を所定レベルまで高めることなく塵芥が基板に付着するのを防止できると共に、作業者の負担を増やすことなく基板処理のスループットを向上することができる基板処理システム、基板処理方法、密閉容器保管装置、プログラム、及び記憶媒体を提供することにある。

上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理システムは、清浄化された雰囲気中において基板にプラズマ処理を施す基板処理装置と、該基板処理装置に接続される内部が清浄化された雰囲気である密閉室、前記基板が格納される密閉容器が載置される載置台、前記密閉容器からの前記基板の取り出し及び前記密閉容器への前記基板の格納を行う基板取り出し格納手段、及び前記基板を前記密閉室を経由して前記載置台及び前記基板処理装置の間において搬送する基板搬送手段を有する基板搬出入装置とを備える基板処理システムにおいて、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第１の密閉容器保管手段と、前記プラズマ処理が施された前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第２の密閉容器保管手段と、前記密閉容器を、前記第１の密閉容器保管手段及び前記載置台の間、並びに前記載置台及び前記第２の密閉容器保管手段の間において移送する密閉容器移送手段とを有する密閉容器保管装置を備えることを特徴とする。

請求項２記載の基板処理システムは、請求項１記載の基板処理システムにおいて、前記基板処理装置に接続され、前記プラズマ処理の処理内容を設定する処理内容設定装置と、前記基板処理装置に接続され、前記処理内容設定装置において設定された処理内容に基づいて前記基板処理装置の動作を制御し、且つ前記基板処理装置を介した通信によって前記基板搬出入装置及び前記密閉容器保管装置の動作を制御する制御装置とを備えることを特徴とする。

請求項３記載の基板処理システムは、請求項１又は２記載の基板処理システムにおいて、前記密閉容器保管装置及び前記基板搬出入装置、並びに該基板搬出入装置及び前記基板処理装置は互いに通信可能に接続され、前記密閉容器保管装置が、前記密閉容器が前記第１の密閉容器保管手段から前記載置台に移送されたことを、前記基板搬出入装置を介して前記基板処理装置に通知すると、前記制御装置は、前記基板処理装置に前記処置内容設定装置において他の前記密閉容器に格納される基板に施される前記プラズマ処理の処理内容を設定可能にさせることを特徴とする。

請求項４記載の基板処理方法は、載置台に載置される、基板を格納する密閉容器からの前記基板の取り出し及び前記密閉容器への前記基板の格納を行う基板取り出し格納ステップと、前記基板を内部が清浄化された雰囲気である密閉室を経由して基板処理装置へ搬出入する基板搬出入ステップと、前記基板処理装置に搬入された基板に清浄化された雰囲気中においてプラズマ処理を施す基板処理ステップとを有する基板処理方法であって、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第１の密閉容器保管ステップと、前記プラズマ処理が施された前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台から除去し且つ保管する第２の密閉容器保管ステップと、前記保管される、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送ステップとを有することを特徴とする。

請求項５記載の密閉容器保管装置は、清浄化された雰囲気中において基板にプラズマ処理を施す基板処理装置と、該基板処理装置に接続される内部が清浄化された雰囲気である密閉室、前記基板が格納される密閉容器が載置される載置台、前記密閉容器からの前記基板の取り出し及び前記密閉容器への前記基板の格納を行う基板取り出し格納手段、及び前記基板を前記密閉室を経由して前記載置台及び前記基板処理装置の間において搬送する基板搬送手段を有する基板搬出入装置とを備える基板処理システムにおいて、前記基板搬出入装置に接続される密閉容器保管装置であって、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第１の密閉容器保管手段と、前記プラズマ処理が施された前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第２の密閉容器保管手段と、前記密閉容器を、前記第１の密閉容器保管手段及び前記載置台の間、並びに前記載置台及び前記第２の密閉容器保管手段の間において移送する密閉容器移送手段とを備えることを特徴とする。

請求項６記載のプログラムは、載置台に載置される、基板を格納する密閉容器からの前記基板の取り出し及び前記密閉容器への前記基板の格納を行う基板取り出し格納モジュールと、前記基板を内部が清浄化された雰囲気である密閉室を経由して基板処理装置へ搬出入する基板搬出入モジュールと、前記基板処理装置に搬入された基板に清浄化された雰囲気中においてプラズマ処理を施す基板処理モジュールとを有する、基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第１の密閉容器保管モジュールと、前記プラズマ処理が施された前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台から除去し且つ保管する第２の密閉容器保管モジュールと、前記保管される、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送モジュールとを有することを特徴とする。

請求項７記載の記憶媒体は、載置台に載置される、基板を格納する密閉容器からの前記基板の取り出し及び前記密閉容器への前記基板の格納を行う基板取り出し格納モジュールと、前記基板を内部が清浄化された雰囲気である密閉室を経由して基板処理装置へ搬出入する基板搬出入モジュールと、前記基板処理装置に搬入された基板に清浄化された雰囲気中においてプラズマ処理を施す基板処理モジュールとを有する、基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムが、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第１の密閉容器保管モジュールと、前記プラズマ処理が施された前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台から除去し且つ保管する第２の密閉容器保管モジュールと、前記保管される、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送モジュールとを有することを特徴とする。

請求項１記載の基板処理システムによれば、基板は密閉容器に格納され、該基板が基板搬出入装置の載置台に載置された密閉容器から取り出された後は、清浄化された雰囲気中において搬送され、プラズマ処理が施され、さらに、該基板処理システムは、プラズマ処理が施されていない基板を格納する密閉容器を保管する第１の密閉容器保管手段と、プラズマ処理が施された基板を格納する密閉容器を保管する第２の密閉容器保管手段と、密閉容器を、第１の密閉容器保管手段及び載置台の間、並びに載置台及び第２の密閉容器保管手段の間において移送する密閉容器移送手段とを有する密閉容器保管装置を備えるので、基板搬出入装置の載置台に載置されている密閉容器に格納されていた基板にプラズマ処理が施されている間、作業者はプラズマ処理が施されていない基板を格納する密閉容器を第１の密閉容器保管手段に保管させることができ、プラズマ処理が施された基板が密閉容器に格納され、該密閉容器が載置台に載置されると、該密閉容器は載置台から除去されて第２の密閉容器保管手段に保管され、作業者は、該第２の密閉容器保管手段に保管された密閉容器を回収することができる。したがって、基板処理システムが配置されるクリーンルームの清浄度を所定レベルまで高めることなく塵芥が基板に付着するのを防止できると共に、作業者の負担を増やすことなく基板処理のスループットを向上することができる。

請求項２の基板処理システムによれば、制御装置が、設定された処理内容に基づいて基板処理装置の動作を制御し、且つ基板処理装置を介した通信によって基板搬出入装置及び密閉容器保管装置の動作を制御するので、通信手段や他の制御装置を設けることなく、基板処理システム全体の動作の制御を行うことができる。

請求項３記載の基板処理システムによれば、密閉容器保管装置及び基板搬出入装置、並びに該基板搬出入装置及び基板処理装置は互いに通信可能に接続され、密閉容器保管装置が、密閉容器が第１の密閉容器保管手段から載置台に移送されたことを、基板搬出入装置を介して基板処理装置に通知すると、制御装置は、基板処理装置に、処置内容設定装置において他の密閉容器に格納される基板に施されるプラズマ処理の処理内容を設定可能にさせるので、基板にプラズマ処理が施されている間において、該基板が格納されていた密閉容器とは他の密閉容器に格納される基板に施されるプラズマ処理の処理内容を設定することができる。

請求項４記載の基板処理方法、請求項６記載のプログラム、及び請求項７記載の記憶媒体によれば、基板は密閉容器に格納され、該基板が基板搬出入装置の載置台に載置された密閉容器から取り出された後は、清浄化された雰囲気中において搬送され、プラズマ処理が施され、さらに、プラズマ処理が施されていない基板を格納する密閉容器が保管され、プラズマ処理が施された基板を格納する密閉容器が載置台から除去され且つ保管され、保管されているプラズマ処理が施されていない基板を格納する密閉容器が載置台に移送されるので、基板搬出入装置の載置台に載置されている密閉容器に格納されていた基板にプラズマ処理が施されている間、作業者は、プラズマ処理が施されていない基板を格納する密閉容器を保管させることができ、プラズマ処理が施された基板が密閉容器に格納され、該密閉容器が載置台に載置されると、該密閉容器は載置台から除去されて保管され、作業者は、該保管された密閉容器を回収することができる。したがって、基板処理システムが配置されるクリーンルームの清浄度を所定レベルまで高めることなく塵芥が基板に付着するのを防止できると共に、作業者の負担を増やすことなく基板処理のスループットを向上することができる。

請求項５記載の密閉容器保管装置によれば、基板は密閉容器に格納され、該基板が基板搬出入装置の載置台に載置された密閉容器から取り出された後は、清浄化された雰囲気中において搬送され、プラズマ処理が施され、さらに、該密閉容器保管装置は、プラズマ処理が施されていない基板を格納する密閉容器を保管する第１の密閉容器保管手段と、プラズマ処理が施された基板を格納する密閉容器を保管する第２の密閉容器保管手段と、密閉容器を、第１の密閉容器保管手段及び載置台の間、並びに載置台及び第２の密閉容器保管手段の間において移送する密閉容器移送手段とを備えるので、基板搬出入装置の載置台に載置されている密閉容器に格納されていた基板にプラズマ処理が施されている間、作業者はプラズマ処理が施されていない基板を格納する密閉容器を第１の密閉容器保管手段に保管させることができ、プラズマ処理が施された基板が密閉容器に格納され、該密閉容器が載置台に載置されると、該密閉容器は載置台から除去されて第２の密閉容器保管手段に保管され、作業者は、該第２の密閉容器保管手段に保管された密閉容器を回収することができる。したがって、基板処理システムが配置されるクリーンルームの清浄度を所定レベルまで高めることなく塵芥が基板に付着するのを防止できると共に、作業者の負担を増やすことなく基板処理のスループットを向上することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。

まず、本発明の実施の形態に係る基板処理システム及び密閉容器保管装置について説明する。

図１は、本実施の形態に係る基板処理システムとしてのプラズマ処理システムの概略構成を示す図である。

図１において、プラズマ処理システム１は、基板としての半導体ウエハＷにプラズマ処理、例えばエッチング処理を施すプラズマ処理装置（基板処理装置）２と、該プラズマ処理装置２に隣接して配置され、後述のポッド３からエッチング処理が施されていない半導体ウエハ（以下「未処理の半導体ウエハ」という。）Ｗを取り出し、又はポッド３にエッチング処理が施された半導体ウエハ（以下「処理済みの半導体ウエハ」という。）Ｗを格納するＳＭＩＦ（基板搬出入装置）４と、該ＳＭＩＦ４に隣接して配置され、ＳＭＩＦ４へ未処理の半導体ウエハＷを格納するポッド（密閉容器）（以下、「未処理のポッド」という）３を供給し、且つＳＭＩＦ４から処理済みの半導体ウエハＷを格納するポッド（以下、「処理済みのポッド」という）３を回収する予備ローダ（密閉容器保管装置）５とを備える。ポッド３は、略箱状の密閉容器であり、逆升状のポッドカバーと底面が分離可能に構成され、所定の枚数、例えば、２５枚の半導体ウエハＷを収容するウエハカセット７を格納する。これにより、ポッド３は半導体ウエハＷを周辺雰囲気から隔離する。また、ポッド３がポッドカバーと底面とに分離したとき、ウエハカセット７は底面に載置される。

プラズマ処理装置２は、半導体ウエハＷにエッチング処理を施す処理室としてのプロセスチャンバ（以下「Ｐ／Ｃ」という。）６と、ＳＭＩＦ４から後述のウエハカセット７を受け取るカセットチャンバ（以下「Ｃ／Ｃ」という。）８と、半導体ウエハＷを搬送する搬送アーム９を有するトランスファチャンバ（以下「Ｔ／Ｃ」という。）１０とを備える。このプラズマ処理装置２では、Ｐ／Ｃ６、Ｃ／Ｃ８及びＴ／Ｃ１０の内部の雰囲気は全て清浄化されている。なお、図１には示されないが、プラズマ処理装置２は、４つのＰ／Ｃ６と、１つのＴ／Ｃ１０と、２つのＣ／Ｃ８とからなる。

Ｐ／Ｃ６は、例えば、アルミニウム等の導電性材料により円筒状に形成された処理室１１と、該処理室１１の下部に接続された排気管１４と、処理室１１内の底面に配置され、半導体ウエハＷを載置する下部電極としてのサセプタ１２と、該サセプタ１２に接続される高周波電源１５と、サセプタ１２に対向して配置され、扁平な中空円盤状に形成された上部電極としてのシャワーヘッド１３と、シャワーヘッド１３に接続され、処理室１１の上面中央を貫通しエッチングガス供給源１６に連通する供給管１７と、処理室１１の周囲全周に亘って周方向等間隔に配置される、永久磁石により形成された複数の円筒型磁石（図示せず）とを備える。

処理室１１は気密構造に構成され、排気管１４を介して図示しない真空ポンプにより真空引きされて、例えば、１．３３Ｐａ（１０^−２Ｔｏｒｒ）以下の真空雰囲気を形成する。

サセプタ１２は、上面に取り付けられた静電チャック（図示せず）等のクーロン力により半導体ウエハＷを吸着保持する。また、サセプタ１２の半導体ウエハＷが吸着保持される面の周りには、後述するプラズマを半導体ウエハＷに向けて収束するフォーカスリング１８が配置される。このサセプタ１２には、プラズマ処理中において、高周波電源１５から１３.５６ＭＨzの高周波電圧が印加される。

シャワーヘッド１３は接地されており、プラズマ処理中においてグランド電位を維持する。また、供給管１７から供給されたエッチングガスを処理室１１内全体へ均等に噴出する。

Ｐ／Ｃ６において、半導体ウエハＷにエッチング処理を施すときは、処理室１１内のサセプタ１２に半導体ウエハＷを載置し、処理室１１内を真空引きし、静電チャックのクーロン力により半導体ウエハＷをサセプタ１２上に吸着保持する。次いで、供給管１７からのエッチングガスをシャワーヘッド１３を介して処理室１１内へ供給し、エッチングガスのガス圧を例えば、１．３３Ｐａ（１０^−２Ｔｏｒｒ）以下の真空度に設定する。

その後、高周波電源１５からサセプタ１２に１３.５６ＭＨzの高周波電圧を印加し、エッチングガスを介してサセプタ１２とシャワーヘッド１３間でグロー放電を行い、エッチングガスからプラズマを発生させる。この時、プラズマ中の電子は反応性イオン、ラジカル（活性種）と比較して遥かに軽いため、サセプタ１２へ優先的に流入し、これにより、サセプタ１２が負に自己バイアスされて、サセプタ１２の自己バイアス電位とプラズマ電位間で電位差が生じ、該電位差によりプラズマとサセプタ１２間に上下方向の電界が形成される。

さらに、全円筒型磁石によって処理室１１内に、水平磁場を印加し、該印加された水平磁場が上述した上下方向に形成された電界に直交して直交電磁界を形成し、直交電磁界の作用によりプラズマ中の電子がサセプタ１２の近傍でサイクロイド運動をし、プラズマ中の反応性イオン等の活性種を更に活性化して高密度化されたマグネトロンによるプラズマの発生を実現する。そして、発生したプラズマは半導体ウエハＷの表面をエッチングする。

Ｃ／Ｃ８は、ＳＭＩＦ４における後述のウエハカセット搬送アーム２７によって搬送されたウエハカセット７を受け取る受け取り台１９を有する。また、Ｃ／Ｃ８は、ＳＭＩＦ４における後述のエンクロージャ２３と連通し、さらに、ゲートバルブ２０を介してＴ／Ｃ１０に接続される。ゲートバルブ２０はスライドバルブであり、ゲートバルブ２０が開いたときは、Ｃ／Ｃ８とＴ／Ｃ１０が連通し、ゲートバルブ２０が閉じたときは、Ｃ／Ｃ８とＴ／Ｃ１０との連通が遮断される。

Ｔ／Ｃ１０は、搬送アーム９と、Ｔ／Ｃ１０内を減圧する排気管２１とを有する。搬送アーム９は、スカラ型のアームであり、複数の腕部材と半導体ウエハＷを担持するピックとを有し、未処理の半導体ウエハＷを受け取り台１９に載置されたウエハカセット７から取り出してサセプタ１２に搬送し、また、処理済みの半導体ウエハＷをサセプタ１２から回収してウエハカセット７に格納する。排気管２１は、搬送アーム９が半導体ウエハＷをＴ／Ｃ１０及びＰ／Ｃ６の間において搬出入するときは、Ｔ／Ｃ１０内を処理室１１内と同等のレベルまで減圧し、搬送アーム９が半導体ウエハＷをＴ／Ｃ１０及びＣ／Ｃ８の間において搬出入するときは、Ｔ／Ｃ１０内をほぼ大気圧に維持する。

また、Ｔ／Ｃ１０は、ゲートバルブ２２を介してＰ／Ｃ６に接続される。ゲートバルブ２２はスライドバルブであり、ゲートバルブ２２が開いたときは、Ｔ／Ｃ１０とＰ／Ｃ６の処理室１１が連通し、ゲートバルブ２２が閉じたときは、Ｔ／Ｃ１０と処理室１１との連通が遮断される。

ＳＭＩＦ４は、Ｃ／Ｃ８に連通する箱状の密閉室であるエンクロージャ（密閉室）２３と、該エンクロージャ２３の前面に配置されるポッド載置部（基板取り出し格納手段）２４と、エンクロージャ２３内の雰囲気を清浄に保つファンフィルタユニット（図示せず）とを備える。

ポッド載置部２４は、図中上方にスライドする逆升状のスライドカバー２５と、ポッド３が載置されるポッド台（載置台）２６とを有し、エンクロージャ２３は、ウエハカセット７を搬送するウエハカセット搬送アーム（基板搬送手段）２７を有する。該ウエハカセット搬送アーム２７は、門型のアームであり、下部にウエハカセット７を載置する載置部を有する。また、ウエハカセット搬送アーム２７は上部に設けられた支点を中心に振り子運動が可能であり、且つ支点は図中上下方向に関し、エンクロージャ２３に対して移動自在であるため、ウエハカセット７を、エンクロージャ２３を経由してポッド載置部２４及びＣ／Ｃ８の間で円滑に搬送する。

ＳＭＩＦ４では、ポッド３から半導体ウエハＷを取り出すときには、スライドカバー２５が上方にスライドしてポッド３からポッドカバーを持ち上げて、ポッド３からウエハカセット７を分離させる。このとき、ウエハカセット７は、ポッド３の底面と共にポッド台２６上に留め置かれる。また、ポッド３へ半導体ウエハＷを格納するときには、分離したポッドカバーを載置するスライドカバー２５が下方にスライドして、ポッド台２６に載置されたウエハカセット７及び底面にポッドカバーを被せる。

なお、プラズマ処理システム１は、２つのＳＭＩＦ４を有し、該２つのＳＭＩＦ４はそれぞれ２つのＣ／Ｃ８に対応して配置される。

予備ローダ５は、未処理のポッド３を載置して保管する台状の未処理ポッドポート（第１の密閉容器保管手段）２８と、処理済みのポッド３を載置して保管する棚状の処理済みポッドポート（第２の密閉容器保管手段）２９と、予備ローダ５の側面に立設され且つＳＭＩＦ４におけるポッド載置部２４の上部空間にまで延設される板状のポッド移送基部３０とを備える。

ポッド移送基部３０は、ポッド３を保持するポッドアーム（密閉容器移送手段）３１と、該ポッドアーム３１を未処理ポッドポート２８、処理済みポッドポート２９又はポッド載置部２４に載置されたポッド３まで導くガイド溝３１Ａとを有し、ポッドアーム３１は、ガイド溝３１Ａに沿って未処理のポッド３を未処理ポッドポート２８からポッド台２６へ移送し、また、処理済みのポッド３をポッド台２６から処理済みポッドポート２９へ移送する。

未処理ポッドポート２８及び処理済みポッドポート２９は、作業者が作業を行う作業環境、例えばクリーンルーム内の雰囲気に暴露されているため、作業者は、所望のタイミングで、未処理のポッド３をストッカから持ち出して未処理ポッドポート２８に保管させることができ、また、処理済みポッドポート２９に保管されている処理済みのポッド３を回収することができる。

なお、プラズマ処理システム１は、２つの予備ローダ５を有し、該２つの予備ローダ５はそれぞれ２つのＳＭＩＦ４に対応して配置される。

また、プラズマ処理システム１は、プラズマ処理装置２、ＳＭＩＦ４、及び予備ローダ５の動作を制御する図４で後述するシステムコントローラを備える。

次に、本実施の形態に係る基板処理方法としてのプラズマ処理方法について説明する。

図２は、本実施の形態に係る基板処理方法としてのプラズマ処理方法を説明する図であり、図２（Ａ）〜（Ｆ）はプラズマ処理方法における各動作を説明する図である。

まず、作業者が未処理のポッド３を未処理ポッドポート２８に載置し（図２（Ａ）参照）、ポッドアーム３１が載置されたポッド３をポッド台２６へ移送して載置する（密閉容器移送ステップ）（図２（Ｂ）参照）。その後、作業者は所望のタイミングで他の未処理のポッド３を未処理ポッドポート２８に載置する（図２（Ｃ）参照）。該載置された他の未処理のポッド３は、ポッド台２６に載置されたポッド３が除去されるまで、未処理ポッドポート２８において保管される（第１の密閉容器保管ステップ）。

次いで、ポッド載置部２４は、スライドカバー２５を上方にスライドさせて未処理のポッド３をポッドカバーと底面とに分離する（基板取り出し格納ステップ）（図２（Ｄ）参照）。このとき、スライドカバー２５とポッド台２６とで形成される空間はファンフィルタユニットによって清浄化されるので、底面及びウエハカセット７は清浄化された雰囲気中において、ポッド台２６に載置される。

次いで、ウエハカセット搬送アーム２７がウエハカセット７をＣ／Ｃ８における受け取り台１９へ搬送し（基板搬出入ステップ）（図２（Ｄ），（Ｅ）参照）、搬送アーム９がウエハカセット７から未処理の半導体ウエハＷを枚葉毎に取り出してＰ／Ｃ６の処理室１１へ搬入し、Ｐ／Ｃ６は搬入された半導体ウエハＷにエッチング処理を施す（基板処理ステップ）。半導体ウエハＷにエッチング処置が施されると、搬送アーム９が処理室１１から半導体ウエハＷを回収してウエハカセット７に格納する。以上の搬送アーム９による半導体ウエハＷの搬出入と、Ｐ／Ｃ６によるエッチング処理とはウエハカセット７に収容された半導体ウエハＷの枚数分だけ繰り返される。

受け取り台１９に載置されたウエハカセット７に収容された半導体ウエハＷの全てにエッチング処理が施されると、ウエハカセット搬送アーム２７が、ウエハカセット７をポッド台２６へ搬送して載置する（基板搬出入ステップ）（図２（Ｅ），（Ｄ）参照）。そして、分離したポッドカバーを載置するスライドカバー２５が下方にスライドして、ポッド台２６に載置されたウエハカセット７及び底面にポッドカバーを被せる（基板取り出し格納ステップ）（図２（Ｃ）参照）。これにより、ウエハカセット７はポッド３に密閉される。

次いで、ポッドアーム３１がポッド台２６から処理済みのポッド３を除去し、処理済みポッドポート２９に移送して載置する（密閉容器移送ステップ）（図２（Ｆ）参照）。該載置された処理済みのポッド３は、作業者が回収するまで、処理済みポッドポート２９において保管される（第２の密閉容器保管ステップ）。そして、作業者は所望のタイミングで保管された処理済みのポッド３を回収する。

次いで、ポッドアーム３１が未処理ポッドポート２８において保管されている他の未処理のポッド３をポッド台２６へ移送して載置する（図２（Ａ），（Ｂ）参照）。その後、作業者は所望のタイミングでさらに他の未処理のポッド３を未処理ポッドポート２８に載置する（図２（Ｃ）参照）。

そして、以上の処理をロット終了まで繰り返す。

本実施の形態に係る基板処理システム、密閉容器保管装置及び基板処理方法によれば、半導体ウエハＷはポッド３に格納され、該半導体ウエハＷがＳＭＩＦ４のポッド台２６に載置されたポッド３から取り出された後は、清浄化された雰囲気中において搬送され、且つプラズマ処理が施され、さらに、作業者が所望のタイミングで未処理ポッドポート２８に載置した未処理のポッド３が未処理ポッドポート２８において保管され、処理済みのポッド３がポッド台２６から除去されて処理済みポッドポート２９において保管され、その後、未処理ポッドポート２８において保管されている未処理のポッド３がポッド台２６に移送されるので、ＳＭＩＦ４のポッド台２６に載置されているポッド３に格納されていた半導体ウエハＷにプラズマ処理が施されている間、作業者は、未処理のポッド３を未処理ポッドポート２８において保管させることができ、また、作業者は所望のタイミングで処理済みポッドポート２９において保管されている処理済みのポッド３を回収することができる。したがって、プラズマ処理システムが配置される作業環境、例えば、クリーンルームの清浄度を所定レベルまで高めることなく塵芥が半導体ウエハＷに付着するのを防止できると共に、作業者の負担を増やすことなくプラズマ処理のスループットを向上することができる。

次に、上述したプラズマ処理システム１における各装置間の通信系について説明する。

図３は、図１のプラズマ処理システムにおける装置間の通信系を示す図である。

図３において、プラズマ処理システム１では、予備ローダ５及びＳＭＩＦ４、並びにＳＭＩＦ４及びプラズマ処理装置２が互いに通信ケーブル等を介して通信可能に接続され、さらに、プラズマ処理装置２には、ホストコンピュータ（制御装置）３２及びレシピ設定装置（処理内容設定装置）３３がそれぞれ通信ケーブル等を介して通信可能に接続される。

レシピ設定装置３３は、図５に示すような、レシピ入力ＧＵＩ（Graphical User Interface）３４を表示する表示パネル（図示せず）を有する。該レシピ入力ＧＵＩ３４は、現在の処理ロットにおけるエッチング処理のレシピを入力可能な処理ロット入力部３５と、以降の処理ロットにおけるエッチング処理のレシピを入力可能な予約ロット入力部３６とを有し、作業者はレシピ入力ＧＵＩ３４においてＰ／Ｃ６に実行させるエッチング処理のレシピを設定する。

ホストコンピュータ３２は、レシピ設定装置３３においてレシピ入力ＧＵＩ３４を通じて設定されたレシピに基づいてプラズマ処理装置２の動作を制御する。また、プラズマ処理装置２を介した通信によってＳＭＩＦ４及び予備ローダ５の動作も制御する。

プラズマ処理システム１では、ホストコンピュータ３２が、プラズマ処理装置２の動作を制御し、且つプラズマ処理装置２を介した通信によってＳＭＩＦ４及び予備ローダ５の動作を制御するので、他の通信手段、例えば、ホストコンピュータ３２とＳＭＩＦ４、若しくは予備ローダ５を直接的に通信可能に接続する通信ケーブル等を敷設する必要が無く、また、プラズマ処理システム１を設置・改修し、又はメンテナンスする際に、他のコンピュータ、例えば、プラズマ処理システム１が設置される工場全体を統括するコンピュータ（後述する図４のＰＣ８８）の設定を変更する必要がないので、プラズマ処理システム１の設置・改修コストを削減することができ、プラズマ処理システム１のメンテナンスも容易に行うことができる。

次に、上述したプラズマ処理システム１における各装置間の通信系についてより具体的に説明する。

図４は、プラズマ処理システム１におけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。

図４において、システムコントローラは、ＥＣ（Equipment Controller）８９と、複数、例えば、３つのＭＣ（Module Controller）９０，９１，９２と、ＥＣ８９及び各ＭＣを接続するスイッチングハブ９３とを備える。該システムコントローラはＥＣ８９からＬＡＮ（Local Area Network）１０１を介して、プラズマ処理システム１が設置されている工場全体の製造工程を管理するＭＥＳ（Manufacturing Execution System）としてのＰＣ８８に接続されている。ＭＥＳは、システムコントローラと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム（図示しない）にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。

ＥＣ８９は、各ＭＣを統括してプラズマ処理システム１全体の動作を制御する統括制御部である。また、ＥＣ８９は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＨＤＤ等を有し、レシピ設定装置３３においてユーザ等によって指定されたウエハＷの処理方法のメニュー、すなわち、レシピに対応するプログラムに応じてＣＰＵが各ＭＣに制御信号を送信することにより、プラズマ処理装置２、ＳＭＩＦ４、及び予備ローラ５の動作を制御する。

スイッチングハブ９３は、ＥＣ８９からの制御信号に応じてＥＣ８９の接続先としてのＭＣを切り替える。

ＭＣ９０，９１，９２は、プラズマ処理装置２のＰ／Ｃ６、Ｃ／Ｃ８、及びＴ／Ｃ１０、並びにＳＭＩＦ４、及び予備ローダ５の動作を制御する制御部である。各ＭＣも、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＨＤＤ等を有し、後述するエンドデバイスへ制御信号を送信する。なお、図１のプラズマ処理システム１が有するシステムコントローラは、複数のＰ／Ｃ６、Ｃ／Ｃ８、及びＳＭＩＦ４、並びにＴ／Ｃ１０を制御するために、Ｐ／Ｃ６、Ｃ／Ｃ８、ＳＭＩＦ４、及びＴ／Ｃ１０の数に対応した数のＭＣを有するが、図４では３つのＭＣが示されている。また、予備ローダ５は、ＨＵＢ（図示しない）を介してＳＭＩＦ４に接続されており、ＳＭＩＦ４を制御するＭＣによって制御される。

各ＭＣは、ＤＩＳＴ（Distribution）ボード９６によってＧＨＯＳＴネットワーク９５を介して各Ｉ／Ｏ（入出力）モジュール９７，９８，９９にそれぞれ接続される。ＧＨＯＳＴネットワーク９５は、ＭＣが有するＭＣボードに搭載されたＧＨＯＳＴ（General High-Speed Optimum Scalable Transceiver）と称されるＬＳＩによって実現されるネットワークである。ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、最大で３１個のＩ／Ｏモジュールを接続可能であり、ＧＨＯＳＴネットワーク９５では、ＭＣがマスタに該当し、Ｉ／Ｏモジュールがスレーブに該当する。

Ｉ／Ｏモジュール９７は、１つのＰ／Ｃ６における各構成要素（以下、「エンドデバイス」という。）に接続された複数のＩ／Ｏ部１００からなり、各エンドデバイスへの制御信号及び各エンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。Ｉ／Ｏモジュール９７においてＩ／Ｏ部１００に接続されるエンドデバイスには、例えば、Ｐ／Ｃ６におけるエッチングガス供給源１６の各構成要素等が該当する。

なお、Ｉ／Ｏモジュール９８，９９は、Ｉ／Ｏモジュール９７と同様の構成を有し、Ｃ／Ｃ８やＴ／Ｃ１０、ＳＭＩＦ４に対応するＭＣ９１，９２及びＩ／Ｏモジュール９８，９９の夫々の接続関係も、上述したＭＣ９０及びＩ／Ｏモジュール９７の接続関係と同様の構成であるため、これらの説明を省略する。

また、各ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、Ｉ／Ｏ部１００におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力を制御するＩ／Ｏボード（図示しない）も接続される。

プラズマ処理システム１において、上述のプラズマ処理を実行する際には、該処理に対応するプログラムに応じてＥＣ８９のＣＰＵが、スイッチングハブ９３、ＭＣ９０（ＭＣ９１，９２）、ＧＨＯＳＴネットワーク９５及びＩ／Ｏモジュール９７（Ｉ／Ｏモジュール９８，９９）におけるＩ／Ｏ部１００を介して、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することにより、プラズマ処理を実行する。

具体的には、ＣＰＵが、Ｐ／Ｃ６、Ｃ／Ｃ８、Ｔ／Ｃ１０、及びＳＭＩＦ４の各エンドデバイスに制御信号を送信することにより、上述のようにプラズマ処理システム１を制御する。

図４のシステムコントローラでは、複数のエンドデバイスがＥＣ８９に直接接続されることなく、該複数のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００がモジュール化されてＩ／Ｏモジュールを構成し、該Ｉ／ＯモジュールがＭＣ及びスイッチングハブ９３を介してＥＣ８９に接続されるため、通信系統を簡素化することができる。

また、ＥＣ８９のＣＰＵが送信する制御信号には、所望のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００のアドレス、及び当該Ｉ／Ｏ部１００を含むＩ／Ｏモジュールのアドレスが含まれているため、スイッチングハブ９３は制御信号におけるＩ／Ｏモジュールのアドレスを参照し、ＭＣのＧＨＯＳＴが制御信号におけるＩ／Ｏ部１００のアドレスを参照することによって、スイッチングハブ９３やＭＣがＣＰＵに制御信号の送信先の問い合わせを行う必要を無くすことができ、これにより、制御信号の円滑な伝達を実現することができる。

次に、上述したプラズマ処理システム１における動作及び通信シーケンスについて説明する。

図６は、図１のプラズマ処理システムにおける動作及び通信シーケンスを示す図である。

図６において、作業者がプラズマ処理システム１を起動すると、プラズマ処理装置２がホストコンピュータ３２に１ロット目のエッチング処理のレシピ（以下「１ロット目のレシピ」という）を問い合わせ（１）、ホストコンピュータ３２はレシピ設定装置３３における処理ロット入力部３５において設定されたレシピをプラズマ処理装置２に返信する（２）。

そして、作業者が１ロット目の未処理のポッド３を未処理ポッドポート２８に載置し（３）、ポッドアーム３１が載置されたポッド３をポッド台２６に移送すると、予備ローダ５はＳＭＩＦ４にポッド３の移送（ロード）が完了した旨を連絡し（４）、該連絡を受けたＳＭＩＦ４はプラズマ処理装置２にポッド３がポッド台２６に載置済みである旨を連絡する（５）。ここで、（５）以降の通信において、１ロット目のレシピのキャンセルが可能であると、（２）の通信において既にプラズマ処理装置２には１ロット目のレシピが送信されているため、レシピ入力ＧＵＩ３４の処理ロット入力部３５から１ロット目のレシピが消去されても、プラズマ処理装置２に１ロット目のレシピが残留したままになり、プラズマ処理装置２がコンフリクトを起こす可能性がある。そこで、プラズマ処理システム１では、（５）以降の通信において、ホストコンピュータ３２が、プラズマ処理装置２を介してレシピ設定装置３３において１ロット目のレシピのキャンセルが不可能となるように制御する。具体的には、処理ロット入力部３５において新たなレシピの入力及び設定されたレシピの消去を不可能にする。

次いで、未処理ポッドポート２８から１ロット目のポッド３が移送されると、作業者は、２ロット目の未処理のポッド３を未処理ポッドポート２８に載置する（６）。載置された２ロット目のポッド３は、後述する１ロット目の処理済みのポッド３のポッド台２６からの除去（アンロード）が完了した旨のＳＭＩＦ４から予備ローダ５への連絡（２１）が行われるまで、未処理ポッドポート２８において保管される。

次いで、ホストコンピュータ３２が、プラズマ処理装置２にレシピ設定装置３３において２ロット目のエッチング処理のレシピ（以下「２ロット目のレシピ」という）の入力を可能にさせる予約（キューイング）開始の旨を連絡し（７）、該連絡を受けたプラズマ処理装置２は、レシピ入力ＧＵＩ３４における予約ロット入力部３６において２ロット目のレシピの入力を可能にする。

そして、プラズマ処理装置２は、ＳＭＩＦ４に、ポッド台２６に対するポッド３のロック（固定）を要求し（８）、さらに、ウエハカセット７のＣ／Ｃ８へのロードを要求する（９）。これらの要求を受けたＳＭＩＦ４は、ポッド３からウエハカセット７を取り出し、該ウエハカセット７をＣ／Ｃ８へロードする。そして、ウエハカセット７のＣ／Ｃ８へのロードが完了すると、その旨をプラズマ処理装置２へ連絡する（１０）。該連絡を受けたプラズマ処理装置２は、１ロット目のエッチング処理を開始し、その旨をホストコンピュータ３２に報告する（１１）。

次いで、プラズマ処理装置２がホストコンピュータ３２に２ロット目のレシピを問い合わせ（１２）、ホストコンピュータ３２は予約ロット入力部３６において設定されたレシピをプラズマ処理装置２に返信し（１３）、さらに、レシピ設定装置３３において２ロット目のエッチング処理のレシピの入力を可能にさせるキューイング開始の旨を再度連絡する（１４）。

その後、プラズマ処理装置２は、１ロット目のエッチング処理が終了すると、その旨をホストコンピュータ３２に報告し（１５）、さらに、ＳＭＩＦ４にＣ／Ｃ８内のウエハカセット７のアンロードを要求し（１６）、該要求を受けたＳＭＩＦ４は、ウエハカセット７をＣ／Ｃ８からポッド台２６へアンロードを開始し、まず、その旨をプラズマ処理装置２に連絡し（１７）、さらに、当該アンロードが完了し、ポッド３のポッド台２６からのアンロックが完了すると、その旨をプラズマ処理装置２に連絡する（１８，１９）。

次いで、予備ローダ５がＳＭＩＦ４にポッド台２６に載置された１ロット目の処理済みのポッド３の処理済みポッドポート２９へのアンロード（移送）を要求し（２０）、ポッドアーム３１が当該アンロードを完了すると、ＳＭＩＦ４がその旨を予備ローダ５及びプラズマ処理装置２にそれぞれ連絡する（２１，２２）。そして、作業者は処理済みポッドポート２９に載置されて保管されている１ロット目の処理済みのポッド３を回収する（２３）。

その後、ポッドアーム３１が未処理ポッドポート２８に保管されている２ロット目の未処理のポッド３をポッド台２６に移送すると、予備ローダ５はＳＭＩＦ４にポッド３の移送（ロード）が完了した旨を連絡し（２４）、該連絡を受けたＳＭＩＦ４はプラズマ処理装置２にポッド３がポッド台２６に載置済みである旨を連絡する（２５）。ここで、（２５）以降の通信において、ホストコンピュータ３２が、プラズマ処理装置２を介してレシピ設定装置３３において２ロット目のレシピのキャンセルが不可能となるように制御する。

次いで、未処理ポッドポート２８から２ロット目のポッド３が移送されると、作業者は、３ロット目の未処理のポッド３を未処理ポッドポート２８に載置する（２６）。載置された３ロット目のポッド３は、後述する２ロット目の処理済みのポッド３のポッド台２６からのアンロードが完了した旨のＳＭＩＦ４から予備ローダ５への連絡（３８）が行われるまで、未処理ポッドポート２８において保管される。

次いで、ホストコンピュータ３２が、プラズマ処理装置２にレシピ設定装置３３において３ロット目のエッチング処理のレシピの入力を可能にさせるキューイング開始の旨を連絡し（２７）、該連絡を受けたプラズマ処理装置２は、レシピ入力ＧＵＩ３４における予約ロット入力部３６において３ロット目のエッチング処理のレシピの入力を可能にする。

そして、プラズマ処理装置２は、ＳＭＩＦ４に、ポッド台２６に対するポッド３のロックを要求し（２８）、さらに、ウエハカセット７のＣ／Ｃ８へのロードを要求する（２９）。これらの要求を受けたＳＭＩＦ４は、ポッド３からウエハカセット７を取り出し、該ウエハカセット７をＣ／Ｃ８へロードする。そして、ウエハカセット７のＣ／Ｃ８へのロードが完了すると、その旨をプラズマ処理装置２へ連絡する（３０）。該連絡を受けたプラズマ処理装置２は、２ロット目のエッチング処理を開始し、その旨をホストコンピュータ３２に報告する（３１）。

その後、プラズマ処理装置２は、２ロット目のエッチング処理が終了すると、その旨をホストコンピュータ３２に報告し（３２）、さらに、ＳＭＩＦ４にＣ／Ｃ８内のウエハカセット７のアンロードを要求し（３３）、該要求を受けたＳＭＩＦ４は、ウエハカセット７のＣ／Ｃ８からポッド台２６へアンロードを開始し、まず、その旨をプラズマ処理装置２に連絡し（３４）、さらに、当該アンロードが完了し、ポッド３のポッド台２６からのアンロックが完了すると、その旨をプラズマ処理装置２に連絡する（３５，３６）。

次いで、予備ローダ５がＳＭＩＦ４にポッド台２６に載置された２ロット目の処理済みのポッド３の処理済みポッドポート２９へのアンロードを要求し（３７）、ポッドアーム３１が当該アンロードを完了すると、ＳＭＩＦ４がその旨を予備ローダ５及びプラズマ処理装置２にそれぞれ連絡する（３８，３９）。そして、作業者は処理済みポッドポート２９に載置されて保管されている２ロット目の処理済みのポッド３を回収する（４０）。

そして、３ロット目以降は、上述した動作及び通信を繰り返す。

上述した図６の動作及び通信シーケンスによれば、予備ローダ５が、ポッド３が未処理ポッドポート２８からポッド台２６に移送されたことを、ＳＭＩＦ４を介してプラズマ処理装置２に連絡する（４，５，２４，２５）と、ホストコンピュータ３２は、プラズマ処理装置２に、レシピ設定装置３３における予約ロット入力部３６において次ロットのエッチング処理におけるレシピ（以下「次ロットのレシピ」という。）の入力を可能にするので、これにより、作業者は所望のタイミングで次ロットのレシピを設定することができる。

上述した実施の形態では、予備ローダ５が備える未処理ポッドポート２８と処理済みポッドポート２９の数はそれぞれ１つであったが、未処理ポッドポートと処理済みポッドポートの数はこれに限られず、例えば、図７に示すように、予備ローダ５０が２つの処理済みポッドポート５１と、１つの未処理ポッドポート２８とを備えていてもよく、これにより、作業者による処理済みのポッド３の回収のタイミングの自由度を増すことができる。また、予備ローダが複数の未処理ポッドポートを備えていてもよく、これにより、作業者による未処理のポッド３の載置のタイミングの自由度を増すことができる。

また、上述した実施の形態では、プラズマ処理システム１は、プラズマ処理装置２、ＳＭＩＦ４、予備ローダ５、ホストコンピュータ３２及びレシピ設定装置３３で構成されたが、プラズマ処理システムを構成する装置はこれに限られず、図８に示すように、プラズマ処理システムは、さらに、ポッド３を搬送する自律制御型の搬送ロボットであるＡＧＶ（Automated Guided Vehicle）６０を備えていてもよく、これにより、作業者の負担をより軽減することができる。また、このプラズマ処理システムにおいて、ＡＧＶ６０はホストコンピュータ３２によって動作が制御されるが、ＡＧＶ６０は、光通信を介して予備ローダ５と通信可能に接続されるため、予備ローダ５、ＳＭＩＦ４及びプラズマ処理装置２を介してホストコンピュータ３２と通信可能であり、ホストコンピュータ３２との通信のために、新たな通信手段、例えば、通信ケーブル等を敷設する必要がない。

上述した実施の形態では、半導体ウエハＷにエッチング処理を施したが、半導体ウエハＷに施すプラズマ処理はこれに限られず、例えば、メタルＣＶＤ処理等の成膜処理であってもよい。

また、上述した実施の形態では、被処理基板が半導体ウエハであったが、被処理基板はこれに限られず、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等のガラス基板であってもよい。

また、本発明の目的は、上述した本実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、コンピュータ、例えば、ＥＣ８９に供給し、コンピュータのＣＰＵが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。

この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した本実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。

また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＮＶ−ＲＡＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ）、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のＲＯＭ等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコンピュータに供給されてもよい。

また、ＣＰＵが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記本実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、ＣＰＵ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。

更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。

上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。

本発明の実施の形態に係る基板処理システムとしてのプラズマ処理システムの概略構成を示す図である。 本実施の形態に係る基板処理方法としてのプラズマ処理方法を説明する図であり、図２（Ａ）〜（Ｆ）はプラズマ処理方法における各動作を説明する図である。 図１のプラズマ処理システムにおける装置間の通信系を示す図である。 図１のプラズマ処理システムにおけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。 図３におけるレシピ設定装置が有するレシピ入力ＧＵＩを示す図である。 図１のプラズマ処理システムにおける動作及び通信シーケンスを示す図である。 図１のプラズマ処理システムの変形例の概略構成を示す図である。 図３の装置間の通信系の変形例を示す図である。 従来の基板処理システムで用いられるＳＭＩＦの概略構成を示す図であり、図９（Ａ）はポッドがＳＭＩＦに載置されたときの図であり、図９（Ｂ）はポッドから基板カセットが分離したときの図であり、図９（Ｃ）は基板カセットがカセットチャンバに搬送されたときの図である。

符号の説明

１ プラズマ処理システム
２ プラズマ処理装置
３ ポッド
４ ＳＭＩＦ
５ 予備ローダ
６ プロセスチャンバ
７ ウエハカセット
８ カセットチャンバ
９ 搬送アーム
１０ トランスファチャンバ
２３ エンクロージャ
２４ ポッド載置部
２５ スライドカバー
２６ ポッド台
２７ ウエハカセット搬送アーム
２８ 未処理ポッドポート
２９，５１ 処理済みポッドポート
３０ ポッド移送基部
３１ ポッドアーム
３２ ホストコンピュータ
３３ レシピ設定装置
３４ レシピ入力ＧＵＩ
３５ 処理ロット入力部
３６ 予約ロット入力部
６０ ＡＧＶ

Claims (7)

1. 清浄化された雰囲気中において基板にプラズマ処理を施す基板処理装置と、
   該基板処理装置に接続される内部が清浄化された雰囲気である密閉室、前記基板が格納される密閉容器が載置される載置台、前記密閉容器からの前記基板の取り出し及び前記密閉容器への前記基板の格納を行う基板取り出し格納手段、及び前記基板を前記密閉室を経由して前記載置台及び前記基板処理装置の間において搬送する基板搬送手段を有する基板搬出入装置とを備える基板処理システムにおいて、
   前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第１の密閉容器保管手段と、
   前記プラズマ処理が施された前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第２の密閉容器保管手段と、
   前記密閉容器を、前記第１の密閉容器保管手段及び前記載置台の間、並びに前記載置台及び前記第２の密閉容器保管手段の間において移送する密閉容器移送手段とを有する密閉容器保管装置を備えることを特徴とする基板処理システム。
2. 前記基板処理装置に接続され、前記プラズマ処理の処理内容を設定する処理内容設定装置と、
   前記基板処理装置に接続され、前記処理内容設定装置において設定された処理内容に基づいて前記基板処理装置の動作を制御し、且つ前記基板処理装置を介した通信によって前記基板搬出入装置及び前記密閉容器保管装置の動作を制御する制御装置とを備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
3. 前記密閉容器保管装置及び前記基板搬出入装置、並びに該基板搬出入装置及び前記基板処理装置は互いに通信可能に接続され、
   前記密閉容器保管装置が、前記密閉容器が前記第１の密閉容器保管手段から前記載置台に移送されたことを、前記基板搬出入装置を介して前記基板処理装置に通知すると、前記制御装置は、前記基板処理装置に前記処置内容設定装置において他の前記密閉容器に格納される基板に施される前記プラズマ処理の処理内容を設定可能にさせることを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理システム。
4. 載置台に載置される、基板を格納する密閉容器からの前記基板の取り出し及び前記密閉容器への前記基板の格納を行う基板取り出し格納ステップと、
   前記基板を内部が清浄化された雰囲気である密閉室を経由して基板処理装置へ搬出入する基板搬出入ステップと、
   前記基板処理装置に搬入された基板に清浄化された雰囲気中においてプラズマ処理を施す基板処理ステップとを有する基板処理方法であって、
   前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第１の密閉容器保管ステップと、
   前記プラズマ処理が施された前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台から除去し且つ保管する第２の密閉容器保管ステップと、
   前記保管される、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送ステップとを有することを特徴とする基板処理方法。
5. 清浄化された雰囲気中において基板にプラズマ処理を施す基板処理装置と、該基板処理装置に接続される内部が清浄化された雰囲気である密閉室、前記基板が格納される密閉容器が載置される載置台、前記密閉容器からの前記基板の取り出し及び前記密閉容器への前記基板の格納を行う基板取り出し格納手段、及び前記基板を前記密閉室を経由して前記載置台及び前記基板処理装置の間において搬送する基板搬送手段を有する基板搬出入装置とを備える基板処理システムにおいて、前記基板搬出入装置に接続される密閉容器保管装置であって、
   前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第１の密閉容器保管手段と、
   前記プラズマ処理が施された前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第２の密閉容器保管手段と、
   前記密閉容器を、前記第１の密閉容器保管手段及び前記載置台の間、並びに前記載置台及び前記第２の密閉容器保管手段の間において移送する密閉容器移送手段とを備えることを特徴とする密閉容器保管装置。
6. 載置台に載置される、基板を格納する密閉容器からの前記基板の取り出し及び前記密閉容器への前記基板の格納を行う基板取り出し格納モジュールと、
   前記基板を内部が清浄化された雰囲気である密閉室を経由して基板処理装置へ搬出入する基板搬出入モジュールと、
   前記基板処理装置に搬入された基板に清浄化された雰囲気中においてプラズマ処理を施す基板処理モジュールとを有する、基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
   前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第１の密閉容器保管モジュールと、
   前記プラズマ処理が施された前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台から除去し且つ保管する第２の密閉容器保管モジュールと、
   前記保管される、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送モジュールとを有することを特徴とするプログラム。
7. 載置台に載置される、基板を格納する密閉容器からの前記基板の取り出し及び前記密閉容器への前記基板の格納を行う基板取り出し格納モジュールと、
   前記基板を内部が清浄化された雰囲気である密閉室を経由して基板処理装置へ搬出入する基板搬出入モジュールと、
   前記基板処理装置に搬入された基板に清浄化された雰囲気中においてプラズマ処理を施す基板処理モジュールとを有する、基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムが、
   前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を保管する第１の密閉容器保管モジュールと、
   前記プラズマ処理が施された前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台から除去し且つ保管する第２の密閉容器保管モジュールと、
   前記保管される、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。

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