JP2006080463A - セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 最外層に保護層を形成する場合であっても、バインダー等を十分に除去できる積層セラミック電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のセラミック電子部品（コンデンサ）の製造方法は、セラミック材料及び第１のバインダー化合物を含むセラミック材料層、並びに、このセラミック材料層を挟むように配置された電極ペースト層を有する内層部と、この内層部を挟むように配置されており、セラミック材料及び第２のバインダー化合物を含む外層部とを備える積層体を形成する工程と、積層体を加熱して、積層体から第１及び第２のバインダー化合物を除去する工程と、この積層体を焼成する工程とを有している。この際、上記第２のバインダーとしては、第１のバインダー化合物よりも分解温度が低いものを用いる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、セラミック電子部品の製造方法、特に、積層セラミックコンデンサを好適に製造する方法に関する。

積層セラミックコンデンサ等の積層型のセラミック電子部品としては、セラミック層と内部電極層とが交互に積層された構造を有するものが一般的である。このようなセラミック電子部品は、例えば、セラミック材料、溶剤、バインダー等を含む材料をシート状に成形したグリーンシートと、電極ペースト層とを交互に積層し、得られた積層体から溶剤やバインダーを除去（脱バインダー）して、焼成した後、外部電極等を形成する方法によって製造されている。

脱バインダーは、積層体を加熱することによってバインダー等を分解してガスを発生させ、生じたガスを積層体の外部に放出することによって行われる。しかし、従来のセラミック電子部品の製造方法においては、発生したガスを積層体外部に排出するのが困難であったため、積層体中にバインダー等が残り易い傾向にあった。そして、積層体中に残存したバインダー等は、焼成時の高温によって急激にガスを生じて外部に抜けようとするため、セラミック層と内部電極との間のデラミネーションや、セラミック層のクラック等を発生させる原因となっていた。このようなデラミネーションやクラック等が生じると、例えば、積層セラミックコンデンサがショートしたり、耐電圧が低下したりする等の不都合が生じ易くなる。

上述した不都合を解消するために、例えば、特許文献１には、電極ペースト層及びグリーンシートのうち、厚みの薄い側の層に、より高い分解温度を有するバインダーを含有させる方法が記載されている。かかる方法によれば、厚みの厚い側の層に含まれるバインダーの方が除去され易いため、分解ガスは、主として厚みの厚い側の層を通って排出されるようになる。その結果、積層体内部に過度の応力が発生することが少なくなり、上述したデラミネーション等が生じ難くなる。
特開平９−１２０９３１号公報

ところで、積層型のセラミック電子部品を製造する際には、セラミック層や内部電極を焼成時や素子使用時の破損から保護するため、グリーンシートや電極ペースト層を含む内層部の外側に、グリーンシートを更に複数層積層した外層部を設け、これにより保護層を形成することが多い。しかしながら、このように保護層を形成する場合、上述した従来技術による方法では、脱バインダー時に、バインダー等から発生したガスの排出が保護層によって阻害されてしまうため、十分に脱バインダーを行うのが困難な傾向にあった。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、最外層に保護層を形成する場合であっても、バインダー等を十分に除去できる積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明のセラミック電子部品の製造方法は、セラミック材料及び第１のバインダー化合物を含むセラミック材料層、並びに、このセラミック材料層を挟むように配置された電極ペースト層を有する内層部と、この内層部を挟むように配置されており、セラミック材料及び第１のバインダー化合物よりも分解温度が低い第２のバインダー化合物を含む外層部とを備える積層体を形成する工程と、積層体を加熱して、当該積層体から第１及び第２のバインダー化合物を除去する工程と、第１及び第２のバインダー化合物が除去された積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする。なお、第１及び第２のバインダー化合物は、これらを分解してガスを発生させることによって、セラミック材料層や外層部から除去される。

ここで、「分解温度」とは、バインダー化合物（第１又は第２のバインダー化合物）が、加熱により気化又は分解等の所定の反応を生じてガス化される温度をいい、本明細書においては、分解前のバインダー化合物を、５０℃／時間の条件で昇温して、分解前の質量から５０％の質量減少が見られたときの温度であると定義する。

上記本発明のセラミック電子部品の製造方法においては、第２のバインダー化合物が、第１のバインダー化合物よりも低い分解温度を有している。このため、積層体を加熱して第１及び第２のバインダー化合物を除去する際には、外層部に含まれる第２のバインダー化合物が、内層部に含まれる第１のバインダー化合物よりも除去され易い。

通常、バインダー及びセラミック材料を含む層からバインダーを除去すると、このバインダーが存在していた領域に微小な空孔が形成される。そして、本発明のセラミック電子部品の製造方法においては、上述の如く、第２のバインダーの方が第１のバインダーよりも除去され易いため、積層体を加熱した場合には、まず、第２のバインダーが除去され、外層部に微細な空孔が多数形成されることとなる。それから、内層部に含まれる第１のバインダーから生じたガスが、この外層部の空孔を通って積層体の外部に容易に排出される。こうして、本発明のセラミック電子部品の製造方法においては、第１及び第２のバインダーの両方が積層体から容易に除去され得る。ただし、作用はこれに限定されない。

このように、本発明のセラミック電子部品の製造方法においては、最外層に保護層を形成する場合であっても、第１及び第２のバインダー化合物の両方が積層体から容易に除去され得るため、積層体内部にバインダーが残存することが極めて少なくなる。その結果、従来、バインダーの残存に起因して生じていた、保護層と内層部との間、又は、セラミック層と内部電極との間のデラミネーション、或いは、積層体内部のクラック等を大幅に低減することが可能となる。

ここで、上記分解温度の差をより顕著に生じさせるためには、第１及び第２のバインダー化合物として、それぞれ異なる化合物を用いることが好ましい。具体的には、第１のバインダー化合物としてブチラール樹脂を含有しており、且つ、第２のバインダー化合物としてアクリル樹脂を含有していると好ましい。

また、第１のバインダー化合物及び第２のバインダー化合物が、上述した分解温度の条件を満たすためには、例えば、第２のバインダー化合物が、第１のバインダー化合物よりも小さい分子量を有していると好ましい。さらに、第１及び第２のバインダー化合物が高分子化合物である場合には、第２のバインダー化合物が、第１のバインダー化合物よりも小さい重合度を有していても、上述した分解温度の条件を良好に満たすことができる。

本発明の積層セラミック電子部品の製造方法によれば、最外層に保護層を形成する場合であっても、脱バインダーを良好に実施することができ、従来の製造方法で生じ易かった、保護層と内層部との間又はセラミック層と内部電極との間のデラミネーション、或いは、積層体内部のクラック等を大幅に低減することが可能となる。

以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、実施形態の製造方法により得られた積層セラミックコンデンサ（セラミック電子部品）の断面構造を模式的に示す図である。コンデンサ１０は、コンデンサ素体１１と、その両端面に設けられた一対の外部電極１８とを備えている。コンデンサ素体１１は、内部電極１２とコンデンサ層１４とが交互に積層された積層構造を有している。また、コンデンサ素体１１は、この積層構造を、積層方向において両側から挟むように設けられた一対の保護層１６を有している。

さらに、コンデンサ素体１１において、内部電極１２は、外部電極１８が設けられた両端面に交互に露出するように積層されている。コンデンサ１０においては、この内部電極１２の露出部分が外部電極１８と接触しており、これにより内部電極１２と外部電極１８との接続が図られている。

内部電極１２は、積層セラミックコンデンサの内部電極として通常用いられる電極材料からなるものであれば特に制限なく適用できる。この電極材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉやこれらの合金等が挙げられる。なかでも、Ｎｉ合金が好ましく、Ｎｉ合金としては、９５質量％以上のＮｉを含有しており、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ等の少なくとも一種を更に含む合金が挙げられる。

コンデンサ層１４の構成材料としては、公知の高誘電率セラミック材料が適用できる。例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系材料、鉛複合ペロブスカイト化合物系材料、チタン酸ストロンチウム系（ＳｒＴｉＯ_３）系材料等が例示でき、これらのセラミック材料のほか、焼結助剤等の他の成分を更に含有していてもよい。

保護層１６は、コンデンサ１４に用いたのと同様の高誘電率セラミック材料から構成されている。ここで、コンデンサ層１４及び保護層１６は、それぞれ異なるセラミック材料から構成されていてもよく、同じセラミック材料から構成されていてもよいが、後述する焼成時において、収縮率の差に起因するデラミネーション等の発生を極力抑制するため、これらは同じ材料から構成されていることが好ましい。

外部電極１８としては、ＣｕやＣｕ合金、ＮｉやＮｉ合金、ＡｇやＡｇ合金（例えばＡｇ−Ｐｄ合金）、ＳｎやＳｎ合金等からなるものが挙げられる。なお、コンデンサ１０の製造コストを低減する観点からは、比較的安価なＣｕやＮｉ、或いはこれらの合金を用いることが好ましい。また、外部電極１８は、これらの金属からなる層上に、例えば、ＮｉめっきやＳｎめっき等が更に施された構造を有していてもよい。

次に、上述した構成を有するコンデンサ１０の製造方法の好適な実施形態について、図２及び図３を参照して説明する。

図２は、グリーンチップを形成する工程を説明するための図である。コンデンサ１０の製造においては、まず、図２に示すように、セラミック材料層１４１上に複数の電極ペースト層１２１が並列されたグリーンシート２１０を複数重ねるとともに、その最外層の両側に、保護層１６を形成するための外層部１６１を配置し、これらを積層方向に加熱圧着することにより、グリーンチップ２２０を得る。

グリーンシート２１０は、コンデンサ層１４を形成するためのセラミック材料層１４１の上に、内部電極１２を形成するための電極ペースト層１２１が複数設けられた構造を有している。また、セラミック材料層１４１上の電極ペースト層１２１が形成されていない領域には、その間隔を埋めるようにセラミック材料層１４２が形成されている。図示されないが、グリーンシート２１０において、電極ペースト層１２１は、幅方向（図２中の左右方向）のみならず、長さ方向（図２中の奥行き方向）にも複数並列されている。なお、電極ペースト層１２１は通常極めて薄く、上記セラミック材料層１４２を形成しなくてもコンデンサ１０の特性等に対する影響は極めて少ないことから、コンデンサ１０においては、セラミック材料層１４２が、必ずしも形成されなくてもよい。

セラミック材料層１４１は、コンデンサ層１４を形成するためのセラミック材料、バインダー化合物（以下、「第１のバインダー」という）、可塑剤、有機溶剤等を含むセラミックペースト（以下、「第１のセラミックペースト」という）により形成されたものである。また、電極ペースト層１２１は、内部電極１２を構成する電極材料、バインダー化合物、可塑剤、有機溶剤等を含む電極ペーストにより形成されたものである。さらに、電極ペースト層１２１間に形成されたセラミック材料層１４２は、第１のセラミックペーストと同様に、セラミック材料、バインダー化合物、可塑剤、有機溶剤等を含むセラミックペーストにより形成されている。

上述したセラミックペーストや電極ペースト中のバインダー化合物としては、アクリル樹脂、ブチラール樹脂、セルロースエチルエーテル等の高分子化合物が挙げられる。また、可塑剤としては、フタル酸ブチルベンジル（ＢＢＰ）、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）等が挙げられる。さらに、有機溶剤としては、トルエン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アルコール系溶媒等が挙げられる。

ここで、グリーンシート２１０は、例えば、次に示す方法により製造することができる。すなわち、まず、樹脂フィルム等からなる所定の支持体上に、ドクターブレード法等の公知の方法により第１のセラミックペーストを塗布して乾燥し、セラミック材料層１４１を形成する。続いて、この上に、スクリーン印刷等の公知の方法により電極ペーストを印刷し、乾燥して、所望の数の電極ペースト層１２１を形成する。さらに、この複数の電極ペースト層１２１の間を埋めるように、セラミック材料層１４２形成用のセラミックペーストをスクリーン印刷等の方法により印刷して、セラミック材料層１４２を形成する。そして、セラミック材料層１４１から支持体を剥離して、上述した構成を有するグリーンシート２１０を得る。なお、セラミック材料層１４１形成用のセラミックペースト（第１のセラミックペースト）と、セラミック材料層１４２形成用のセラミックペーストとは、同じ組成を有するものであってもよく、異なる組成を有するものであってもよい。

グリーンチップ２２０の形成において、グリーンシート２１０は、セラミック材料層１４１と内部電極層１２１とが、積層方向において交互に配置されるように積層する。また、図２に示すように、各グリーンシート２１０は、隣接するもの同士が交互にΔＸだけオフセットするように位置決めされている。これにより、隣接するグリーンシート２１０における電極ペースト層１２１同士は、その幅方向が積層方向からみて互いに一致しないようになっている。なお、図示しないが、各グリーンシート２１０は、図２中の奥行き方向において、いずれも同じ位置となるように配置されている。

グリーンチップ２２０において最外層に配置された外層部１６１は、複数（図中は２層）のセラミックシート１４３から構成されるものである。セラミックシート１４３は、保護層１６を構成するセラミック材料、バインダー化合物（以下、「第２のバインダー」という）、可塑剤、有機溶剤等を含むセラミックペースト（以下、「第２のセラミックペースト」という）により形成されている。このセラミックシート１４３は、例えば、所定の支持体上に第２のセラミックペーストを印刷して乾燥させた後、支持体を剥離することによって形成することができる。

なお、第２のセラミックペーストに含まれるセラミック材料、第２のバインダー、可塑剤及び有機溶媒としては、それぞれ第１のセラミックペーストと同様のものが適用できるが、これらのセラミックペーストに含まれる第１及び第２のバインダーは、後の脱バインダー工程において良好に除去を可能とするため、それぞれの分解温度が後述するような特定の関係を満たしている。

コンデンサ１０の製造においては、上述した方法により得られたグリーンチップ２２０を、所定のサイズに切断することによって、図３に示す構造の積層体１８０を得る。図３は、グリーンチップ切断後に得られた積層体の断面構造を示す図である。図示されるように、積層体１８０は、電極ペースト層１２１とセラミック材料層１４１とが交互に積層された内層部１６０と、この内層部１６０を挟むように配置されており、セラミックシート１４３が複数積層されてなる外層部１６１とを有している。この積層体１８０は、焼成によってコンデンサ素体１１となる。

グリーンチップ２２０の切断は、積層体１８０において、各電極ペースト層１２１の幅方向の端部が交互に異なる切断面に露出するように行うことが好ましい。これにより、焼成後のコンデンサ素体１１における内部電極１２が、交互に異なる端面に露出するようになる。グリーンチップ２２０を切断する位置としては、例えば、図２中のＣ１〜Ｃ１０で表される線に沿う位置が挙げられる。

このようにして積層体１８０を得た後、この積層体１８０から、電極ペースト層１２１、セラミック材料層１４２及びセラミック材料層１４３に含まれる各バインダー化合物や有機溶剤等を除去する（かかる工程を以下、「脱バインダー工程」という）。脱バインダー工程においては、積層体１８０を加熱することにより、第１及び第２のバインダーや有機溶剤等を気化又は分解等してガス化させる。そして、これらのガスを積層体１８０の外部に排出することによって、各バインダーや有機溶剤等の除去を行う。

上述したように、第１及び第２のバインダーとしては、脱バインダー工程における良好な除去を可能とするため、その分解温度が以下に示すような関係を満たす組合せのものを用いる。すなわち、第１及び第２のバインダーは、それぞれが異なる分解温度を有しており、これらの分解温度が、下記式（１）；
（第１のバインダーの分解温度）＞（第２のバインダーの分解温度） …（１）
で表される条件を満たしている。ここで、脱バインダー工程を好適に行う観点からは、第２のバインダーは、第１のバインダーと比較して、その分解温度が５０℃低いと好ましく、７０℃低いとより好ましく、１２０℃低いと更に好ましい。

第１及び第２のバインダーの組み合わせとしては、まず、それぞれ異なる種類の化合物の組み合わせが挙げられる。具体的には、第２のバインダーとして、第１のバインダーよりも低い分解温度を有する種類の化合物を用いる。この場合、第１又は第２のバインダーとして使用可能な化合物としては、例えば、分解温度が３７０℃程度であるブチラール樹脂、分解温度がそれぞれ２５０〜３２０℃程度であるアクリル樹脂、分解温度がそれぞれ４１０〜４１５℃程度であるエチルセルロース樹脂等が挙げられる。これら各種の樹脂を、上述した条件を満たすように適宜組み合わせて用いることができる。

なかでも、第１のバインダーとしてブチラール樹脂を用い、第２のバインダーとしてアクリル樹脂を用いる組み合わせが好ましい。このような組み合わせによれば、比較的大きな分解温度の差が得られ易くなる傾向にあるほか、多様なセラミック材料と好適に組み合わせて用いることができるようになる。

また、第１及び第２のバインダーとしては、同一種類の化合物（例えば、アクリル樹脂同士）を組み合わせて用いることもできる。この場合、第１及び第２のバインダーとしては、それぞれが異なる分解温度を有する組み合わせを適宜選択する。例えば、一般に、分子量の大きい化合物ほど分解温度が高い傾向にあることから、第２のバインダーとして、第１のバインダーよりも小さな分子量を有するものを用いることにより、上述した分解温度の条件を満たすことができる。

また、一般に、高分子化合物は、重合度の大きいものほど分解温度が高い傾向にあることから、第１及び第２のバインダーが高分子化合物である場合には、両者の組み合わせとしては、第２のバインダーとして、第１のバインダーよりも重合度の小さい化合物を用いるような組み合わせとすることもできる。

またさらに、第１及び第２のバインダーが同一種類の化合物である場合には、それぞれが有している官能基の種類や量によっても分解温度が変わる傾向にある。例えば、ブチラール樹脂は、そのブチラール化度が大きいものほど高い分解温度を有する傾向が大きい。よって、第１及び第２のバインダーとしてブチラール樹脂を用いる場合には、第２のバインダーとして、第１のバインダーよりもブチラール化度が小さいものを用いることにより、上述した分解温度の条件を満たすことができる。

この脱バインダー工程は、例えば、積層体１８０の加熱温度を、第１のバインダーが除去され得る温度に設定することによって実施することができる。こうすれば、第２のバインダーは第１のバインダーよりも低い分解温度を有していることから、第１及び第２のバインダーの両方を除去することができる。この際、第２のバインダーの方が、第１のバインダーよりも分解温度が低いことから、第１のバインダーよりも容易に除去される傾向にある。また、積層体１８０の加熱温度は、必ずしもこのように一定の温度に設定する必要はなく、例えば、積層体１８０を、まず、第２のバインダーのみが除去され得る温度に加熱した後、第１のバインダーが除去され得る温度まで更に加熱するといった２段階の温度設定を採用してもよい。こうすれば、１段階目の加熱により第２のバインダーが優先的に除去されるため、２段階目の加熱時における第１のバインダーの除去が一層容易となる。なお、積層体１８０の加熱は、このような２段階に限られず、例えば、徐々に昇温するようにして行ってもよい。

コンデンサ１０の製造方法においては、このように脱バインダー工程を実施した後に、積層体１８０を焼成してコンデンサ素体１１を得る。焼成は、例えば、Ｎ_２やＨ_２等の不活性ガス雰囲気下、１２００〜１４００℃程度に加熱することにより実施することができる。そして、必要に応じて、更に１０００度前後の熱処理を行った後、コンデンサ素体１１における内部電極１２が露出した両端面に、外部電極１８用の電極材料、バインダー化合物、可塑剤、有機溶剤等を含む外部電極ペーストを塗布し、これを焼き付けることによって外部電極１８を形成する。これにより、上述した構造のコンデンサ１０が得られる。

上記形態のコンデンサ１０の製造方法によれば、以下に示すような作用、効果が得られる。すなわち、積層体１８０においては、外層部１６１に含まれる第２のバインダーが、セラミック材料層１４１に含まれる第１のバインダーよりも分解温度が低い。このため、脱バインダー工程において、第２のバインダーのほうが、第１のバインダーよりも除去され易い傾向にある。よって、積層体１８０を加熱して脱バインダーを行う際には、第１のバインダーの分解ガスが生じるよりも早く第２のバインダーが除去されて、外層部１６１に微小な空孔が多数形成された状態となる。その結果、内層部１６０（セラミック材料層１４１，１４２）に含まれる第１のバインダーは、この空孔を通って容易に積層体の外部に放出される。

このように、脱バインダー工程においては、積層体１８０が外層部１６１を有しているにもかかわらず、第１及び第２のバインダーを容易に除去することができる。このため、脱バインダー工程後の積層体１８０は、その内部のバインダー残存量が少なく、積層体１８０を焼成してコンデンサ素体１１を形成する際にも、残存したバインダーによる急激なガスの発生が極めて少ない。よって、実施形態のコンデンサの製造方法よれば、従来の保護層を形成するコンデンサの製造方法に比して、内部電極１２とコンデンサ層１４とのデラミネーションや、コンデンサ素体１１内部のクラック等の発生を大幅に低減することができる。こうして得られたコンデンサ１０は、コンデンサ素体１１内部の欠陥が少ないため、ショートや耐電圧不良といった不都合を極めて生じ難いものとなる。

なお、本実施形態では、本発明を積層型のコンデンサの製造方法に適用した例を示しているが、これに限るものではない。本発明は、例えば、積層型コンデンサ以外の、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗等のセラミック電子部品の製造方法にも適用可能である

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［コンデンサの製造］

（実施例１〜３、比較例１〜３）
まず、チタン酸バリウム、バインダー化合物（第１のバインダー）、可塑剤及び有機溶剤を含むセラミックペーストを、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布して、セラミック材料層を形成した後、この上に、Ｎｉを含む電極ペーストを印刷して複数の電極ペースト層を形成した。その後、電極ペースト間に、上記セラミックペーストを更に印刷した後、ＰＥＴフィルムを剥離して、グリーンシートを得た。

また、チタン酸バリウム、バインダー化合物（第２のバインダー）、可塑剤及び有機溶剤を含むセラミックペーストを、ＰＥＴフィルム上に塗布し、乾燥した後、ＰＥＴフィルムを剥離して、セラミックシートを形成した。

次いで、上記グリーンシートを２５０層積層すると共に、その最外層に上記セラミックシートを、焼成後の厚さが１５０μｍとなるように積層し、これらを加熱、圧着してグリーンチップを得た。その後、このグリーンチップを切断することにより、電極ペースト層及びセラミック材料層が交互に積層された内層部と、この内層部を挟むように形成されたセラミックシートからなる外層部とを備える積層体を得た。

この積層体を、以下に示す条件にしたがって、脱バインダー、焼成、及び熱処理を施した。すなわち、まず、室温（２０℃）にある積層体を、Ｎ_２及びＨ_２ガス中、５０℃／時間の条件で４００℃まで昇温させて脱バインダーを行った。続いて、Ｎ_２及びＨ_２ガス中、１２５０℃で２時間加熱して焼成を行った。その後、Ｎ_２ガス中、１０５０℃で２時間加熱する再酸化処理を行った。そして、焼成後の積層体を冷却してコンデンサ素体を得た。

得られたコンデンサ素体の両端面に、Ｃｕを含む外部電極ペーストを焼き付けた後、Ｎｉめっき処理、Ｓｎめっき処理を順次施して外部電極を形成し、実施例１〜３及び比較例１〜３の積層型セラミックコンデンサを得た。各コンデンサは、長さ×幅×高さが、それぞれ３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍであるサイズとした。なお、実施例１〜３及び比較例１〜３の各コンデンサは、それぞれ用いる第１及び第２のバインダーを代えて製造を行ったものであり、各実施例又は比較例における第１及び第２のバインダーは、表１に示す組み合わせにしたがって用いた。
［特性評価］

（デラミネーション又はクラック発生率の評価）
各実施例及び比較例に対応するコンデンサをそれぞれ１０００個作成し、これらの内部電極とコンデンサ層との間又は内層部と外層部との間のデラミネーション、或いは、内部電極又はコンデンサ層にクラックが発生しているか否かを顕微鏡により観察した。各実施例及び比較例に対応する１０００個のコンデンサのうち、デラミネーション又はクラックが発生していたものの数を数え、１０００個中のデラミネーション又はクラック発生率（％）を算出した。得られた結果を表１に示す。

（ショート又は耐電圧不良発生率の評価）
各実施例及び比較例に対応するコンデンサをそれぞれ１００００個作成し、これらを用いて、ショート又は耐電圧不良が生じるか否かを測定した。具体的には、各コンデンサに対し２Ｖの直流を印加した場合に、抵抗値が５×１０^３Ω以下であったものをショート不良であると判定し、また、５０Ｖの交流を印加した場合に、抵抗値が５×１０^５Ω以下であったものを耐電圧不良であると判定した。各実施例及び比較例に対応する１００００個のコンデンサのうち、ショート又は耐電圧不良が生じていたものの数を数え、１００００個中のショート又は耐電圧不良の発生率（％）を算出した。得られた結果を表１に示す。

表１より、第２のバインダーとして、第１のバインダーよりも低い分解温度を有する化合物を用いた実施例１〜３のコンデンサは、比較例１〜３のコンデンサに比して、デラミネーションやクラックの発生が大幅に少なく、また、ショートや耐電圧不良も極めて生じ難いことが確認された。

実施形態の製造方法により得られた積層セラミックコンデンサの断面構造を模式的に示す図である。 グリーンチップを形成する工程を説明するための図である。 グリーンチップ切断後に得られた積層体の断面構造を示す図である。

符号の説明

１０…コンデンサ、１１…コンデンサ素体、１２…内部電極、１４…コンデンサ層、１６…外層部、１８…外部電極、１２１…電極ペースト層、１４２，１４２…セラミック材料層、１４３…セラミックシート、１６０…内層部、１６１…外層部、１８０…積層体、２１０…グリーンシート、２２０…グリーンチップ。

Claims (4)

1. セラミック材料及び第１のバインダー化合物を含むセラミック材料層、並びに、該セラミック材料層を挟むように配置された電極ペースト層を有する内層部と、該内層部を挟むように配置されており、セラミック材料及び前記第１のバインダー化合物よりも分解温度が低い第２のバインダー化合物を含む外層部と、を備える積層体を形成する工程と、
   前記積層体を加熱して、当該積層体から前記第１及び第２のバインダー化合物を除去する工程と、
   前記第１及び第２のバインダー化合物が除去された前記積層体を焼成する工程と、
   を有することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
2. 前記第１のバインダー化合物としてブチラール樹脂を含有しており、且つ、前記第２のバインダー化合物としてアクリル樹脂を含有していることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品の製造方法。
3. 前記第２のバインダー化合物として、前記第１のバインダー化合物よりも小さい分子量を有するものを用いることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品の製造方法。
4. 前記第１及び第２のバインダー化合物は高分子化合物であり、且つ、前記第２のバインダー化合物として、前記第１のバインダー化合物よりも小さい重合度を有するものを用いることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品の製造方法。
   

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