JP2006073749A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、シャロートレンチアイソレーションによる素子間分離を行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、半導体基板1の一部分を除去して素子間分離用のトレンチ4を形成する工程と、このトレンチ4の内部に、酸化雰囲気中で熱処理することにより酸化して膨張し得るとともに絶縁性をもつようになる物質からなるアイソレーション層6を堆積させる工程と、このアイソレーション層6が形成された半導体基板1を酸化雰囲気中で熱処理する工程と、を含むものである。
【選択図】 図1
Description
2 パッド層
2a シリコン酸化膜
2b シリコン窒化膜
4 トレンチ
6 アイソレーション層
7 ボイド
8 酸化ライナー層
Claims (4)
- シャロートレンチアイソレーションによる素子間分離を行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の一部分を除去して素子間分離用のトレンチを形成する工程と、
該トレンチの内部に、酸化雰囲気中で熱処理することにより酸化して膨張し得るとともに絶縁性をもつようになる物質からなるアイソレーション層を堆積させる工程と、
このアイソレーション層が形成された半導体基板を酸化雰囲気中で熱処理する工程と、を含む、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記アイソレーション層は、ポリシリコン又はアモルファスシリコンからなる、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アイソレーション層は、ボロン、リン及びフッ素のうち少なくとも一種類を含有するポリシリコン又はアモルファスシリコンからなる、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化雰囲気中での熱処理において、圧力を大気圧以上とし、かつ、熱処理温度を400℃〜800℃とする、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012516578A (ja) * | 2009-01-28 | 2012-07-19 | マイクロリンク デバイセズ, インク. | 酸化窓層を備えた高効率のiii−v族化合物半導体の太陽電池装置 |
CN103928512B (zh) * | 2013-01-14 | 2016-09-21 | 北大方正集团有限公司 | 一种硅基片及横向扩散金属氧化物半导体 |
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2004
- 2004-09-01 JP JP2004254605A patent/JP2006073749A/ja active Pending
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