JP2006067764A - チャージポンプ回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】電荷転送用MOSトランジスタの寄生ダイオードのリークパスを遮断し、消費電力の増加を防止すると共に、回路が制御不能に陥るのを防止する。
【解決手段】第1の電荷転送用MOSトランジスタM1及び第2の電荷転送MOSトランジスタM2はNチャネル型であり、互いに直列に接続されている。第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のソースには接地電位VSSが供給され、第2の電荷転送MOSトランジスタM2のドレインである出力端子Poutから出力電位が得られる。第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のバックゲートG1は、第1のスイッチング回路SW1によって、第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM1,M2の接続点の電位Xと入力電位である接地電位VSSとのいずれか一方の電位に設定されるように構成されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、集積回路の電源回路等に用いられるチャージポンプ回路に関する。
チャージポンプ回路は、電荷転送用MOSトランジスタ、コンデンサ、クロックドライバー等から構成され、入力電位を正の高電位又は負の電位に変換して出力する回路であり、集積回路の電源回路等として広く用いられている。
特開2003−33006号公報
しかしながら、電荷転送用MOSトランジスタのバックゲートは固定されていたために、その用途によって出力電位が正電位にも負電位にも変動する場合には、電荷転送MOSトランジスタに付随する寄生ダイオードに不要な順方向電流が流れてしまい、消費電力が増大したり、チャージポンプ回路が用いられた回路が制御不能になるという問題があった。
そこで、本発明のチャージポンプ回路は、入力電位が印加された第1の電荷転送用MOSトランジスタと、前記第1の電荷転送用MOSトランジスタに直列接続された第2の電荷転送用MOSトランジスタと、前記第1及び第2の電荷転送用デバイスに容量結合されたコンデンサと、前記コンデンサにクロックを供給するクロックドライバーと、前記第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタの導通を制御する制御回路と、前記第1の電荷転送用MOSトランジスタのバックゲートを前記第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタの接続点の電位と前記入力電位とのいずれか一方の電位に固定するように切り換えるスイッチング回路と、を備え、前記第2の電荷転送用MOSトランジスタから出力電位を得ることを特徴とするものである。
本発明によれば、電荷転送用MOSトランジスタのバックゲートは固定されていたために、その用途によって出力電位が正電位にも負電位にも変動する場合であっても、バックゲートの電位切り換えにより、寄生ダイオードのリークパスを遮断し、消費電力の増加を防止すると共に、回路が制御不能に陥るのを防止することができる。
次に、本発明の第1の実施形態に係るチャージポンプ回路について図面を参照しながら説明する。図1は白色発光ダイオードの駆動回路を示す回路図であり、この駆動回路の電源回路としてチャージポンプ回路が用いられている。図1において、10は液晶パネルのバックライト用として用いられる白色発光ダイオード(以下、白色LEDと称する)であり、そのアノード(陽極)には電源電位VDDが供給されている。11は、この白色LED10に駆動電流を供給するための駆動MOSトランジスタであり、白色LED10のカソード(陰極)にそのドレインが接続されている。白色LED10は3.2V〜3.8Vという順方向しきい値電圧を有しているため、この程度の電圧を白色LED10のアノード・カソード間に印加する必要がある。
一方、白色LED10の駆動回路の電源電位VDDの規格としては、例えば、2.7V〜5.5Vという広い電圧範囲が要求されている。そこで、この駆動回路では、電源電位VDDが低い時にはチャージポンプ回路30を動作させて負の電位を発生させ、駆動用MOSトランジスタ11のソース電位を下げることで、アノード・カソード間に印加する所定の電圧を確保している。また、電源電位VDDが高いときにはチャージポンプ回路30の動作を停止させることにより、駆動用MOSトランジスタ11のソース電位を上げて駆動用MOSトランジスタ11のソースドレイン間に一定電圧が加わるようにし、白色LED10に定電流を供給するようにしている。そのための具体的な回路構成については後述する。
チャージポンプ回路30は、第1の電荷転送用MOSトランジスタM1、第2の電荷転送MOSトランジスタM2、コンデンサC1,C2、スイッチング用のMOSトランジスタM3,M4,M5、クロックCLKを駆動するクロックドライバーCD(Pチャネル型MOSトランジスタM6及びNチャネル型MOSトランジスタM7から成る)、第1の電荷転送用MOSトランジスタM1及び第2の電荷転送MOSトランジスタM2の導通を制御する制御回路31から構成されている。
第1の電荷転送用MOSトランジスタM1及び第2の電荷転送MOSトランジスタM2はNチャネル型であり、互いに直列に接続されている。第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のソースには接地電位VSSが供給され、第2の電荷転送MOSトランジスタM2のドレインである出力端子Poutから出力電位Voutが得られる。第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のバックゲートG1(サブストレート)は、第1のスイッチング回路SW1によって、第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM1,M2の接続点の電位Xと入力電位である接地電位VSSとのいずれか一方の電位に設定されるように構成されている。
図2はこの第1の電荷転送用MOSトランジスタM1の断面構造を示している。P型半導体基板100の表面にN型ウエル領域101が形成され、さらにその中にP型ウエル領域102が形成され、このPウエル領域102の中に第1の電荷転送用MOSトランジスタM1が形成されている。Pウエル領域102は第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のバックゲートを構成している。D1は、ドレインDとPウエル領域102とで形成される寄生ダイオード、D2は、ソースSとPウエル領域102とで形成される寄生ダイオードである。
制御回路31にはクロックCLK、白色LED10と駆動用MOSトランジスタ11の接続点(ドレインD)の電位VD、高抵抗素子12とダイオード13の接続点の電位である基準電位VREFが供給されている。制御回路31は、チャージポンプ回路30の動作中にはクロックCLKに基づいて第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM1,M2を交互にオンオフさせるようにそれらのゲート電位を制御する。
また制御回路31は、チャージポンプ回路30の動作停止中には、第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM1,M2を両方オンさせるとともに、第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のオン抵抗を、前記電位VDが前記基準電位VREFと等しくなるように制御する。この制御は制御回路31の中のオペアンプ(不図示)によって行われる。
即ち、ダイオード13の順方向しきい値電圧をVFとすると、駆動用MOSトランジスタ11のソースドレイン間電圧VDは、VFに等しくなるように制御される。これにより、駆動用MOSトランジスタ11に定電流を流すことが可能になる。
次に、上述した白色発光ダイオードの駆動回路の詳細な動作を説明する。まず、電源電位VDDが所定値より低いときは、チャージポンプ回路30を動作させ、出力端子Poutから出力電位Voutとして−0.5VDDという負の電位を出力させる。これにより、白色LED10と駆動用MOSトランジスタ10の間に1.5VDDという電圧が加わるので、白色LED10を駆動することができる。
このとき、第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のバックゲートG1は、第1のスイッチング回路SW1により、第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM1,M2の接続点の電位Xに設定される。(図1中の実線による結線)これにより、第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のバックゲートバイアス効果が抑止されるとともに、寄生ダイオードD2が働くことで電流の逆流が防止されている。
このときのチャージポンプ回路の動作の詳細は以下の通りである。まず、クロックCLKがロウレベルの時の動作について説明する。このとき、クロックドライバーCDのM6はオンし、M7はオフするので、反転クロック*CLKはハイレベル(VDDレベル)となる。また、M1,M4をオンし、M2,M3,M5をオフする。
すると、クロックドライバーCDのM6、コンデンサC1、M4、コンデンサC2、M1、接地電圧VSSを通る経路で、コンデンサC1,C2が直列接続されて充電される。これにより、コンデンサC1の第1の端子は電源電位VDDに充電され、その第2の端子の電位V1は+0.5VDDに充電され、コンデンサC2の第1の端子の電位V3も+0.5VDDに充電される。
次に、クロックCLKがハイレベルの時の動作について説明する。このとき、クロックドライバーCDのM7がオンし、M6がオフするため、反転クロック*CLKはロウレベルとなる。(VSSレベル)また、M1,M4をオフし、M2,M3,M5をオンする。すると、2つの経路から出力端子に−0.5VDDが供給される。1つの経路は、接地電位VSSから、M3、コンデンサC2、M2を通して、コンデンサC2の電荷が放電され、出力端子Poutに−0.5VDDが供給される。
これは、コンデンサC2の第1の端子の電位V3はクロックCLKがロウレベルのときに+0.5VDDに充電されているため、M3がオンすることにより、電位V3が+0.5VDDから接地電位VSSに変化することに伴って、コンデンサC2の容量結合により、コンデンサC2の第2の端子の電位Xは接地電位VSS(0V)から−0.5VDDに降圧されるためである。
もう1つの経路は、接地電位VSSから、クロックドライバーCDのNチャネル型MOSトランジスタM7、第1のコンデンサC1、M5を通して、第1のコンデンサC1の電荷が放電され、出力端子Poutに−0.5VDDが供給される。これは、クロックCLKがロウレベルのときに、第1のコンデンサC1の第2の端子の電圧V1は+0.5VDDに充電されるが、クロックCLKがハイレベルに変化すると、M7がオンすることにより、コンデンサC1の第1の端子の電位が電源電位VDDから接地電位VSSに変化することに伴い、コンデンサC1の容量結合により、コンデンサC1の第2の端子の電位V1は+0.5VDDから−0.5VDDに降圧されるためである。このクロックCLKがロウレベルの時の動作と、ハイレベル時の動作を交互に繰り返すことにより、出力電位Voutとして、電源電位VDDを−0.5倍した−0.5VDDが得られる。
次に、電源電位VDDが所定値より高いときにはチャージポンプ回路30の動作を停止させる。即ち、クロックCLKを停止するか、回路への入力を遮断する。そして、前述したように、第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM1,M2を両方オンさせるとともに、第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のオン抵抗を、前記電位VDが前記基準電位VREFと等しくなるように制御する。
これにより、駆動用MOSトランジスタ11に定電流を流す。この動作により、出力端子Poutの出力電位VoutはM1,M2のオン抵抗により、接地電位VSSより高くなる。即ち、出力端子Poutの出力電位Voutは正になるため、このままでは、第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM1,M2の寄生ダイオードD2,D3に不要な順方向電流が流れてしまい、出力端子Poutの出力電位Voutが制御不能となる。
そこで、第1のスイッチング回路SW1により、第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のバックゲートG1を接地電位VSSに接続するように切り換える。(図1中の破線による結線)こうすることで、寄生ダイオードD1が逆バイアスされ、出力端子Poutから接地電位VSSへのダイオード電流を遮断することができる。
上述したように本実施形態のチャージポンプ回路30によれば、バックゲートG1の切り換えにより、その出力端子Poutの出力電位Voutが正電位、負電位になるような動作条件下において、ダイオードリークパスを無くし、白色LED10の駆動回路を適切に制御することが可能になる。ダイオードリークパスを無くす代替手法としては、第1及び第2の電荷転送MOSトランジスタM1,M2に対して、もう1つの直列接続MOSトランジスタを追加することも考えられる。
しかしながら、その分、電荷転送パスのMOSトランジスタのオン抵抗が増大してしまい大出力電流が得られなくなる。そのオン抵抗の増大を抑えるには、電荷転送のために元々大きく設計されたトランジスタサイズを更に大きくしなければならずレイアウトパターン面積の増大を招いてしまう。本実施形態のチャージポンプ回路30によれば、1つの電荷転送用MOSトランジスタのバックゲートG1の切り換えだけで対応しており、第1のスイッチング回路SW1を構成するトランジスタサイズは小さくて良いことから、レイアウトパターン面積の増大を抑えることができる。
次に、第1のスイッチング回路SW1の具体的な回路構成について図3を参照しながら説明する。図3は、図1の要部を抜き出した回路図であり、寄生ダイオードD1,D2,D3は図示されていない。第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のバックゲートG1と第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM1,M2の接続点(電位X)との間に2つのスイッチ用Nチャネル型MOSトランジスタMNA,MNBが直列に接続され、また第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のバックゲートG1と接地電位VSSとの間に2つのスイッチ用Nチャネル型MOSトランジスタMNC,MNDが直列に接続されている。MNA、MNB、MNC、MNDのゲート電位をそれぞれNA,NB,NC,NDとする。
チャージポンプ回路30が動作して出力端子Poutから出力電位Voutとして負の電位(−0.5VDD)を出力する場合には、NA,NBにそれぞれ電源電位VDDを印加して、MNA、MNBをオンさせる。また、NCには電位X、NDには接地電位VSSを印加して、MNC、MNDをオフさせる。これにより、第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のバックゲートG1は電位Xに設定される。
一方、チャージポンプ回路30が動作を停止して出力端子Poutから出力電位Voutとして正の電位を出力する場合には、NC、NDに電源電位VDDを印加してMNC、MNDをオンさせる。また、NAには電位X、NBには接地電位VSSを印加してMNA、MNBをオフさせる。これにより第1の電荷転送用MOSトランジスタM1のバックゲートG1は接地電位VSSに設定される。これにより、チャージポンプ回路30の動作中、動作停止中の両方において出力端子Poutから接地電位VSSにダイオード電流が流れ込まないようにできる。
次に、本発明の第2の実施形態に係るチャージポンプ回路について図4を参照しながら説明する。このチャージポンプ回路30には、第1の実施形態の回路に加えて、出力端子Poutと接地電位VSSの間にNチャネル型のプルダウン用MOSトランジスタM8が接続されている。前述のようにチャージポンプ回路の動作を停止させるときには、第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM1,M2を両方オンさせるが、出力電位Voutと接地電位VSS間のインピーダンスを十分下げることができず、白色LED10に所定の定電流を供給できなくなる場合がある。
そこで、チャージポンプ回路の動作を停止させるときには、プルダウン用MOSトランジスタM8をオンさせることで出力電位Voutと接地電位VSS間のインピーダンスを下げるようにしている。プルダウン用MOSトランジスタM8はチャージポンプ回路の動作中はオフに設定される。また、プルダウン用MOSトランジスタM8のオン・オフは制御回路31によって制御される。
また、第1の電荷転送用MOSトランジスタM1と同様に、プルダウン用MOSトランジスタM8に付随する寄生ダイオードに不要な順方向電流が流れないように、チャージポンプ回路30が動作を停止しているときは、プルダウン用MOSトランジスタM8のバックゲートG2を接地電位VSSに接続し、チャージポンプ回路30が動作しているときはバックゲートG2を出力電位Voutに接続するように切り換える第2のスイッチング回路SW2を設けた。
次に、第2のスイッチング回路SW2の具体的な回路構成について図4を参照しながら説明する。プルダウン用MOSトランジスタM8のバックゲートG2と出力端子Poutの間に2つのスイッチ用Nチャネル型MOSトランジスタMN1A,MN1Bが直列に接続され、またプルダウン用MOSトランジスタM8のバックゲートG2と接地電位VSSとの間に2つのスイッチ用Nチャネル型MOSトランジスタMN1C,MN1Dが直列に接続されている。MN1A、MN1B、MN1C、MN1Dのゲート電位をそれぞれN1A,N1B,N1C,N1Dとする。
チャージポンプ回路30が動作して出力端子Poutから出力電位Voutとして負の電位(−0.5VDD)を出力する場合には、N1A,N1Bにそれぞれ電源電位VDDを印加して、MN1A、MN1Bをオンさせる。また、N1Cには出力電位Vout、N1Dには接地電位VSSを印加して、MN1C、MN1Dをオフさせる。これにより、プルダウン用MOSトランジスタM8のバックゲートG2は出力電位Voutに設定される。
一方、チャージポンプ回路30が動作を停止して出力端子Poutから出力電位Voutとして正の電位を出力する場合には、N1C、N1Dに電源電位VDDを印加してMN1C、MN1Dをオンさせる。また、N1Aには出力電位Vout、N1Bには接地電位VSSを印加してMN1A、MN1Bをオフさせる。これによりプルダウン用MOSトランジスタM8のバックゲートG2は接地電位VSSに設定される。これにより、チャージポンプ回路30の動作中、動作停止中の両方において出力端子Poutから接地電位VSSに寄生ダイオードによる順方向電流が流れ込まないようにできる。なお、本発明の第2のスイッチング回路SW2は、MN1BとMN1Cの2つのNチャネル型トランジスタで構成するものでも良い。
次に、本発明の第3の実施形態に係るチャージポンプ回路について図5を参照しながら説明する。このチャージポンプ回路は正の昇圧電位を出力端子Poutから出力する回路である。Pチャネル型の第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM11,M12が直列に接続されている。第1の電荷転送用MOSトランジスタのソースには電源電位VDDが供給されている。また、第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM11,M12の接続点にコンデンサCの第1の端子が接続され、コンデンサCの第2の端子にはCMOSインバータから成るクロックドライバーCDの出力が印加されている。MRは出力端子Poutと接地電位VSSとの間に接続されたNチャネル型のリセット用MOSトランジスタである。
クロックドライバーCDの入力にはクロックCLKが印加されている。また、第1の電荷転送用MOSトランジスタM11のバックゲートG3は、スイッチング回路SW3により、チャージポンプ回路の動作中には第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM11,M12の接続点の電位Yに設定され、チャージポンプ回路の動作停止中には電源電位VDDに設定されるように構成されている。
スイッチング回路SW3の具体的な回路構成は以下の通りである。第1の電荷転送用MOSトランジスタM11のバックゲートG3と第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタM11,M12の接続点(その電位を電位Yとする)との間に2つのスイッチ用Pチャネル型MOSトランジスタMPA,MPBが直列に接続され、また第1の電荷転送用MOSトランジスタM11のバックゲートG3と電源電位VDDとの間に2つのスイッチ用Pチャネル型MOSトランジスタMPC,MPDが直列に接続されている。MPA、MPB、MPC、MPDのゲート電位をそれぞれPA,PB,PC,PDとする。
このチャージポンプ回路が動作して出力端子Poutから出力電位Voutとして正の電位(例えば2VDD)を出力する場合には、PA,PBにそれぞれ接地電位VSSを印加して、MPA、MPBをオンさせる。また、PCには電位Y、PDには電源電位VDDを印加して、MPC、MPDをオフさせる。これにより、第1の電荷転送用MOSトランジスタM11のバックゲートG3は電位Yに設定される。リセット用MOSトランジスタMRは、ゲート信号Rがロウレベルに設定されることによりオフに設定される。
一方、このチャージポンプ回路が動作を停止する場合には、リセット用MOSトランジスタRをオンに設定する。そして、PC、PDに接地電位VSSを印加してMPC、MPDをオンさせる。また、PAには電位Y、PBには電源電位VDDを印加してMPA、MPBをオフさせる。これにより第1の電荷転送用MOSトランジスタM11のバックゲートG3は電源電位VDDに設定される。
これにより、チャージポンプ回路の動作中には図6(a)に示す寄生ダイオードが形成されるので、出力端子Poutから電源電位VDDにダイオード電流が流れ込まないようにできる。また動作停止中においては、図6(b)に示す寄生ダイオードが形成されるので、出力端子Poutは接地電位VSSにリセットされると共に、電源電位VDDから出力端子Pout(接地電位VSS)にダイオード電流が流れ込まないようにできる。これによりチャージポンプ回路の動作停止時の消費電力が低減される。
このチャージポンプ回路のダイオードリークパスを無くす代替手法としては、図7に示すように、第1及び第2の電荷転送MOSトランジスタM11,M12に対して、もう1つの直列接続MOSトランジスタ13を追加することも考えられる。しかしながら、その分、電荷転送パスのMOSトランジスタのオン抵抗が増大してしまい大出力電流が得られなくなる。
そのオン抵抗の増大を抑えるには、電荷転送のために元々大きく設計されたトランジスタサイズを更に大きくしなければならずレイアウトパターン面積の増大を招いてしまう。本実施形態のチャージポンプ回路によれば、1つの電荷転送用MOSトランジスタのバックゲートG3の切り換えだけで対応しており、スイッチング回路SW3を構成するトランジスタサイズは小さくて良いことから、レイアウトパターン面積の増大を抑えることができる。
本発明の第1の実施形態に係るチャージポンプ回路の回路図である。 本発明の第1の実施形態に係るチャージポンプ回路の第1の電荷転送MOSトランジスタを示す断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るチャージポンプ回路のスイッチング回路の具体的な回路図である。 本発明の第2の実施形態に係るチャージポンプ回路の回路図である。 本発明の第3の実施形態に係るチャージポンプ回路の回路図である。 本発明の第3の実施形態に係るチャージポンプ回路の寄生ダイオードを示す図である。 参考例に係るチャージポンプ回路の回路図である。
符号の説明
10 白色LED 11 駆動用MOSトランジスタ 12 高抵抗素子
13 ダイオード 30 チャージポンプ回路 31 制御回路
CD クロックドライバー SW1 第1のスイッチング回路
SW2 第2のスイッチング回路

Claims (8)

  1. 入力電位が印加された第1の電荷転送用MOSトランジスタと、
    前記第1の電荷転送用MOSトランジスタに直列接続された第2の電荷転送用MOSトランジスタと、
    前記第1及び第2の電荷転送用デバイスに容量結合されたコンデンサと、
    前記コンデンサにクロックを供給するクロックドライバーと、
    前記第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタの導通を制御する制御回路と、
    前記第1の電荷転送用MOSトランジスタのバックゲートを前記第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタの接続点の電位と前記入力電位とのいずれか一方の電位に設定するように切り換える第1のスイッチング回路と、を備え、前記第2の電荷転送用MOSトランジスタから出力電位を得ることを特徴とするチャージポンプ回路。
  2. 前記第1のスイッチング回路は、チャージポンプ回路の動作中には前記第1の電荷転送用MOSトランジスタのバックゲートを前記第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタの接続点の電位に設定し、チャージポンプ回路の動作停止中には前記第1の電荷転送用MOSトランジスタのバックゲートを前記入力電位に設定することを特徴とする請求項1に記載のチャージポンプ回路。
  3. 前記出力電位と接地電位の間に接続されたプルダウン用MOSトランジスタと、チャージポンプ回路の動作中には前記プルダウン用MOSトランジスタのバックゲートを前記出力電位に設定し、チャージポンプ回路の動作停止中には前記プルダウン用MOSトランジスタのバックゲートを接地電位に設定する第2のスイッチング回路を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のチャージポンプ回路。
  4. 前記第1のスイッチング回路は、前記第1の電荷転送用MOSトランジスタのバックゲートと前記第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタの接続点との間に接続された第1のスイッチと、前記第1の電荷転送用MOSトランジスタのバックゲートと前記入力電位の間に接続された第2のスイッチから成ることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のチャージポンプ回路。
  5. 前記第1のスイッチは、直列接続された第1及び第2の制御用MOSトランジスタから成ることを特徴とする請求項4に記載のチャージポンプ回路。
  6. 前記第1のスイッチをオンさせるときは前記第1及び第2のMOSトランジスタのゲートに第1の電位を印加し、前記第1のスイッチをオフさせるときは前記第1の制御用MOSトランジスタのゲートに前記第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタの接続点の電位を印加すると共に前記第2の制御用MOSトランジスタのゲートに前記入力電位を印加することを特徴とする請求項5に記載のチャージポンプ回路。
  7. 前記第2のスイッチは、直列接続された第3及び第4の制御用MOSトランジスタから成ることを特徴とする請求項4に記載のチャージポンプ回路。
  8. 前記第2のスイッチをオンさせるときは前記第3及び第4の制御用
    MOSトランジスタのゲートに第1の電位を印加し、前記第2のスイッチをオフさせるときは前記第3の制御用MOSトランジスタのゲートに前記第1及び第2の電荷転送用MOSトランジスタの接続点の電位を印加すると共に前記第4の制御用MOSトランジスタのゲートに前記入力電位を印加することを特徴とする請求項7に記載のチャージポンプ回路。
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