JP2006065986A - 磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリ書き込み方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気抵抗メモリの消費電量を低減すること。
【解決手段】メモリセルアレイ110にデータを書き込む場合に、比較回路150が、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとI/Oバッファ140に格納されている書き込みデータとをビットごとに比較して一致判定信号を生成し、電流制御部160が、書き込み電流を制御する電流制御信号を比較回路150により生成された一致判定信号に基づいて生成し、メモリセルアレイ110が、電流制御部160により生成された電流制御信号に基づいて書き込み電流を制御する。
【選択図】 図2
【解決手段】メモリセルアレイ110にデータを書き込む場合に、比較回路150が、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとI/Oバッファ140に格納されている書き込みデータとをビットごとに比較して一致判定信号を生成し、電流制御部160が、書き込み電流を制御する電流制御信号を比較回路150により生成された一致判定信号に基づいて生成し、メモリセルアレイ110が、電流制御部160により生成された電流制御信号に基づいて書き込み電流を制御する。
【選択図】 図2
Description
この発明は、消費電力を低減することができる磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリ書き込み方法に関するものである。
近年、高速性、不揮発性などメモリとして必要な条件を備えた磁気抵抗メモリ(MRAM:Magnetic Random Access Memory)が次世代のメモリとして注目されている。図5は、MRAMの基本原理を示す図である。同図に示すように、MRAMのメモリセルは、二つの強磁性層501および503とそれらの間の非磁性層502から構成される。
強磁性層501は、外部電流により磁化方向を変えることができる変動強磁性層であり、強磁性層503は、磁化方向が固定されている固定強磁性層である。ここで、強磁性層501と強磁性層503の磁化方向が同じ場合には、両層間の磁気抵抗は低く、磁化方向が異なる場合には、両層間の磁気抵抗が高くなる。
MRAMのメモリセルは、このような強磁性層501の磁化方向による強磁性層501と503との間の磁気抵抗の高低を用いて、情報を記憶することができる。例えば、低磁気抵抗の場合を’0’とし、高磁気抵抗の場合を’1’として1ビットの情報を記憶することができる。
また、MRAMへの情報の書き込みは、対象メモリセルに対し電流を流し、変動強磁性層の磁化方向を所定の方向に変化させることによって行うことができる。なお、MRAMについては、例えば、非特許文献1に記載されている。
「MRAM」、[平成16年7月29日検索]、インターネット<URL:http://www.nanoelectronics.jp/kaitai/mram/>
しかしながら、MRAMには、データを書き込む際に常に対象メモリセルに対して書き込み電流を流す必要があり、データを書き込む際の消費電力が大きいという問題がある。したがって、MRAMを広く普及させるためには、この消費電力の問題を解決することが重要となっている。
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、消費電力を低減することができる磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリ書き込み方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項1の発明に係る磁気抵抗メモリは、データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定手段と、前記一致判定手段により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み手段と、を備えたことを特徴とする。
この請求項1の発明によれば、データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データとそのアドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定し、値が一致するビットに対しては書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止するよう構成したので、書き込み時の不要な動作をなくすことができる。
また、請求項2の発明に係る磁気抵抗メモリは、請求項1の発明において、前記書き込み手段は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする。
この請求項2の発明によれば、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止するよう構成したので、書き込み時の消費電流を小さくすることができる。
また、請求項3の発明に係る磁気抵抗メモリは、請求項2の発明において、前記書き込み手段は、前記一致判定手段により値が一致するビットに対してはメモリセルの書き込み電流を停止する電流制御信号を生成する電流制御信号生成手段と、前記電流制御信号生成手段により生成された電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御する電流制御手段と、を備えたことを特徴とする。
この請求項3の発明によれば、値が一致するビットに対してはメモリセルの書き込み電流を停止する電流制御信号を生成し、生成した電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御するよう構成したので、値が一致するビットに対する書き込み電流を確実に停止することができる。
また、請求項4の発明に係る磁気抵抗メモリ書き込み方法は、データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定工程と、前記一致判定工程により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み工程と、を含んだことを特徴とする。
この請求項4の発明によれば、データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データとそのアドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定し、値が一致するビットに対しては書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止するよう構成したので、書き込み時の不要な動作をなくすことができる。
また、請求項5の発明に係る磁気抵抗メモリ書き込み方法は、請求項4の発明において、前記書き込み工程は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする。
この請求項5の発明によれば、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止するよう構成したので、書き込み時の消費電流を小さくすることができる。
請求項1および4の発明によれば、書き込み時の不要な動作をなくすので、消費電力を低減することができるという効果を奏する。
また、請求項2および5の発明によれば、書き込み時の消費電流を小さくするので、消費電力を低減することができるという効果を奏する。
また、請求項3の発明によれば、値が一致するビットに対する書き込み電流を確実に停止するので、書き込み時の消費電流を確実に小さくすることができるという効果を奏する。
以下に添付図面を参照して、この発明に係る磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリ書き込み方法の好適な実施例を詳細に説明する。
まず、本実施例に係るMRAMの書き込み手法について説明する。図1は、本実施例に係るMRAMの書き込み手法を説明するための説明図である。同図に示すように、このMRAMでは、データを書き込む際に、従来のように対象メモリセルに対して常に書き込み電流を流すのではなく、書き込みデータとメモリセルに記憶されているデータを比較し、データが同じメモリセルに対しては書き込み電流を流さない。
例えば、図1において、黒丸が’1’を示し、白丸が’0’を示すとすると、MRAMに記憶された3ビットのデータは’101’であり、書き込みデータは’000’であるので、従来は、三つのメモリセルに対して全て書き込み電流を流していたが、本実施例に係るMRAMでは、2ビット目のメモリセルに対しては、記憶したデータと書き込むデータが同じであるので、書き込み電流を停止する。
このように、本実施例に係るMRAMでは、データを書き込む際に、メモリセルが記憶するデータと書き込むデータとを比較し、両者が一致する場合には、そのメモリセルに対する書き込み電流を停止することによって、書き込み時の消費電量を低減することができる。
次に、本実施例に係るMRAMの構成について説明する。図2は、本実施例に係るMRAMの構成を示す機能ブロック図である。同図に示すように、このMRAMは、メモリセルアレイ110と、アドレスデコーダ120と、制御回路130と、I/Oバッファ140と、比較回路150と、電流制御部160とを有する。
メモリセルアレイ110は、MRAMのメモリセルであるMRAMセルの3次元配列と、各MRAMセルからのデータの読み出しおよび各MRAMセルへのデータの書き込みなどの制御を行う部分とから構成される。このメモリセルアレイ110の容量は256Kワードであり、1ワードは16ビットである。
図3は、MRAMセルを示す図である。同図において、ビットラインは、データの書き込みに用いられ、センスラインは、データの読み出しに用いられる。また、ワードラインは、16個のMRAMセルで構成され、ワードラインの16個のMRAMセルに対して1ワードのデータの読み出しおよび書き込みが行われる。
アドレスデコーダ120は、アドレス信号を受け取り、受け取ったアドレスに対応するワードラインを指定する処理部である。メモリセルアレイ110は、アドレスデコーダ120で指定されたワードラインの16個のMRAMセルに対してデータの読み出しや書き込みを行う。
制御回路130は、メモリセルアレイ110へのデータの書き込みやメモリセルアレイ110からのデータの読み出しなどを指示する制御信号を受け取り、メモリセルアレイ110に対して制御信号に対応する動作指示を行う制御部である。
I/Oバッファ140は、メモリセルアレイ110から読み出したデータ、あるいは、メモリセルアレイ110に書き込むデータを格納する16ビットのバッファである。
比較回路150は、メモリセルアレイ110にデータを書き込む場合に、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとI/Oバッファ140に格納されている書き込みデータとをビットごとに比較し、各ビットが一致するか否かの一致判定信号を生成する処理部である。
例えば、この比較回路150は、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとI/Oバッファ140に格納されている書き込みデータとの排他的論理演算を行うことによって、一致判定信号を生成することができる。
電流制御部160は、比較回路150が生成した一致判定信号に基づいて、MRAMセルへのデータの書き込み電流を制御する電流制御信号をメモリセルアレイ110に出力する処理部である。
すなわち、この電流制御部160は、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとI/Oバッファ140に格納されている書き込みデータの各ビットのうち値が一致しているビットに対応する書き込み電流を停止するよう制御する電流制御信号を生成する。
このように、メモリセルアレイ110にデータを書き込む場合に、比較回路150が、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとI/Oバッファに格納されている書き込みデータとをビットごとに比較し、各ビットが一致するか否かの一致判定信号を生成し、電流制御部160が、一致判定信号に基づいて書き込み電流を制御する電流制御信号を生成することによって、値が一致するMRAMセルへの書き込み電流を停止することができる。
なお、ここでは、電流制御部160は、MRAMセルごとに書き込み電流を停止するか否かを示す16ビットのデータを電流制御信号として生成するが、16ビットのデータを分割して、複数の電流制御信号としてシリアルにメモリセルアレイ110に出力することもできる。
メモリアレイ110は、アドレスデコーダ120により指定されたワードラインに対するデータ書き込み指示を制御回路130から受け取った場合に、電流制御部160から入力した電流制御信号に基づいて、書き込み電流の制御を行う。
すなわち、メモリアレイ110は、I/Oバッファ140に格納されたデータを書き込む場合に、MRAMセルに記憶している値と書き込む値が同じ場合には、書き込み電流を停止する。
次に、本実施例に係るMRAMによる書き込み処理の処理手順について説明する。図4は、本実施例に係るMRAMによる書き込み処理の処理手順を示すフローチャートである。
同図に示すように、このMRAMは、比較回路150がデータが書き込まれるメモリセルの状態を検出してI/Oバッファ140の書き込みデータとビットごとに比較する(ステップS101)。
そして、比較回路150の比較結果に基づいて、電流制御部160が、データが一致しないビットに対しては(ステップS102、No)、データ書き込みを指示する電流制御信号を生成し(ステップS103)、データが一致するビットに対しては(ステップS102、Yes)、書き込み電流停止を指示する電流制御信号を生成する(ステップS104)。
そして、メモリセルアレイ110が、電流制御部160により生成された電流制御信号に基づいて書き込み電流を制御し、I/Oバッファ140に格納されたデータの書き込みを行う(ステップS105)。
このように、比較回路150がデータが書き込まれるメモリセルの状態を検出してI/Oバッファ140の書き込みデータとビットごとに比較し、電流制御部160が、データが一致するビットに対しては、書き込み電流停止を指示する電流制御信号を生成することによって、データの書き込み前後で値が変わらないMRAMセルの書き込み電流を停止することができる。
上述してきたように、本実施例では、メモリセルアレイ110にデータを書き込む場合に、比較回路150が、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとI/Oバッファ140に格納されている書き込みデータとをビットごとに比較して一致判定信号を生成し、電流制御部160が、書き込み電流を制御する電流制御信号を比較回路150により生成された一致判定信号に基づいて生成し、メモリセルアレイ110が、電流制御部160により生成された電流制御信号に基づいて書き込み電流を制御することとしたので、記憶したデータと書き込みデータが一致するMRAMセルの書き込み電流を停止し、消費電力を低減することができる。
なお、本実施例では、メモリセルアレイのワード長が16ビットであり、メモリセルアレイの容量が256Kワードの場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、メモリセルアレイのワード長や容量が異なる場合にも同様に適用することができる。
(付記1)データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定手段と、
前記一致判定手段により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み手段と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗メモリ。
前記一致判定手段により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み手段と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗メモリ。
(付記2)前記書き込み手段は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする付記1に記載の磁気抵抗メモリ。
(付記3)前記書き込み手段は、前記一致判定手段により値が一致するビットに対してはメモリセルの書き込み電流を停止する電流制御信号を生成する電流制御信号生成手段と、
前記電流制御信号生成手段により生成された電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御する電流制御手段と、
を備えたことを特徴とする付記2に記載の磁気抵抗メモリ。
前記電流制御信号生成手段により生成された電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御する電流制御手段と、
を備えたことを特徴とする付記2に記載の磁気抵抗メモリ。
(付記4)前記電流制御信号生成手段は、書き込みデータと同一のビット幅の電流制御信号を生成することを特徴とする付記3に記載の磁気抵抗メモリ。
(付記5)前記一致判定手段は、現在データと書き込みデータとの排他的論理和演算により各ビットの値が一致するか否かを判定することを特徴とする付記1〜4のいずれか一つに記載の磁気抵抗メモリ。
(付記6)データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定工程と、
前記一致判定工程により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み工程と、
を含んだことを特徴とする磁気抵抗メモリ書き込み方法。
前記一致判定工程により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み工程と、
を含んだことを特徴とする磁気抵抗メモリ書き込み方法。
(付記7)前記書き込み工程は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする付記6に記載の磁気抵抗メモリ書き込み方法。
(付記8)前記書き込み工程は、前記一致判定工程により値が一致するビットに対してはメモリセルの書き込み電流を停止する電流制御信号を生成する電流制御信号生成工程と、
前記電流制御信号生成工程により生成された電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御する電流制御工程と、
を含んだことを特徴とする付記7に記載の磁気抵抗メモリ書き込み方法。
前記電流制御信号生成工程により生成された電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御する電流制御工程と、
を含んだことを特徴とする付記7に記載の磁気抵抗メモリ書き込み方法。
(付記9)前記電流制御信号生成工程は、書き込みデータと同一のビット幅の電流制御信号を生成することを特徴とする付記8に記載の磁気抵抗メモリ書き込み方法。
(付記10)前記一致判定工程は、現在データと書き込みデータとの排他的論理和演算により各ビットの値が一致するか否かを判定することを特徴とする付記6〜9のいずれか一つに記載の磁気抵抗メモリ書き込み方法。
以上のように、本発明に係る磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリ書き込み方法は、情報処理装置の記憶装置として有用である。
110 メモリセルアレイ
120 アドレスデコーダ
130 制御回路
140 I/Oバッファ
150 比較回路
160 電流制御部
501 強磁性層(変動強磁性層)
502 非磁性層
503 強磁性層(固定強磁性層)
120 アドレスデコーダ
130 制御回路
140 I/Oバッファ
150 比較回路
160 電流制御部
501 強磁性層(変動強磁性層)
502 非磁性層
503 強磁性層(固定強磁性層)
Claims (5)
- データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定手段と、
前記一致判定手段により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み手段と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗メモリ。 - 前記書き込み手段は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗メモリ。
- 前記書き込み手段は、前記一致判定手段により値が一致するビットに対してはメモリセルの書き込み電流を停止する電流制御信号を生成する電流制御信号生成手段と、
前記電流制御信号生成手段により生成された電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御する電流制御手段と、
を備えたことを特徴とする請求項2に記載の磁気抵抗メモリ。 - データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定工程と、
前記一致判定工程により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み工程と、
を含んだことを特徴とする磁気抵抗メモリ書き込み方法。 - 前記書き込み工程は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする請求項4に記載の磁気抵抗メモリ書き込み方法。
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- 2005-02-02 KR KR1020050009513A patent/KR20060019494A/ko not_active Application Discontinuation
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