JP2006032461A - 静電吸着装置および電子源製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電子源形成用の、大型のガラス基板を単体で吸着可能な大型の構成でありながら、電子源形成における高温プロセス時においてもガラス基板の均熱性を確保することのできる静電吸着装置を提供する。
【解決手段】静電吸着装置は、基材と、基材上に溶射法により設けられたセラミック製の絶縁層と、絶縁層上に設けられた電極層と、電極層を被覆するように設けられ、ガラス基板が載置されるセラミック製の誘電体層４とを有している。誘電体層４は、頂上面７が、ガラス基板を載置した時にガラス基板に接触する接触面となる凸部８が所定のパターンで配置されたエンボス形状部を有している。
【選択図】図４

Description

本発明は、電子源の製造に用いられる装置、特にその静電吸着装置に関する。

近年、大型かつ薄型の画像表示装置の供給が進んできている。このような画像表示装置に用いる電子源を製造するに当たっては、電子源が形成される大型のガラス基板を被加工物とした加工処理を行う必要がある。通常、被加工物に加工処理を行う際には、それを吸着保持する必要があり、大型のガラス基板を吸着保持するために、吸着装置にも大型化が求められている。

しかし、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮなどのセラミックス製の従来の静電吸着装置の場合、製造装置などの問題から、大型の吸着装置を製造するのは困難であった。そのため、１つのガラス基板を保持するのに、複数の静電吸着装置を使用する手法が採られる場合があったが、この場合、電子源の製造プロセスに悪影響を及ぼすという問題があった。

これに対して、特許文献１に開示されているように、アルミニウムなどからなる基材上に、絶縁層、電極層、および誘電体層などを溶射や蒸着により形成する方法を用いることにより、大型の静電吸着装置を得ることが可能である。
特開昭５９−１５２６３６号公報

近年、画像表示装置に用いられる電子源の製造においては、その製造プロセスの多様化に伴い、過酷なプロセス条件が必要とされるようになってきており、特に高温条件下での処理が必要な場合もでてきている。そのため、電子源の製造プロセスにおける高温条件下での処理時に、被加工物であるガラス基板に熱による悪影響が生じないようにするなどの目的で、ガラス基板の均熱性を保つことが非常に重要な課題になりつつある。これに対して、特許文献１に記載されたような従来の静電吸着装置を電子源の製造に用いた場合、高温プロセス時にガラス基板の均熱性を確保するのは困難である。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、大型化してきている電子源形成用のガラス基板を単体の吸着装置で吸着可能であり、かつ、電子源製造における高温プロセス時においてもガラス基板の均熱性を確保することのできる静電吸着装置、およびそれを備える電子源製造装置を提供することを目的とするものである。

上述の目的を達成するため、本発明の静電吸着装置は、電子源形成用のガラス基板が載置され、ガラス基板を吸着保持する静電吸着装置において、基材と、基材上に溶射法により設けられたセラミック製の絶縁層と、絶縁層上に設けられた電極層と、電極層を被覆するように設けられ、ガラス基板が載置されるセラミック製の誘電体層とを有し、頂上面が、ガラス基板を載置した時にガラス基板に接触する接触面となる凸部が所定のパターンで配置されたエンボス形状部が誘電体層に形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、静電吸着装置を、電子源形成用の、大型のガラス基板を単体で保持可能な大型の構成とすることができ、なおかつ、静電吸着装置の、ガラス基板との接触面を制限し、電子源の製造工程におけるガラス基板の均熱性を向上させることができる。

本発明によれば、電子源形成用の、大型のガラス基板を単体で保持可能な大型の構成を有し、かつ、電子源の製造工程におけるガラス基板の均熱性を向上させることができる静電吸着装置を提供することができる。それによって、電子源における電子放出素子の特性の再現性、複数の電子放出素子を形成する際の、各電子放出素子間における電子放出素子の均一性に優れた電子源の製造を可能とすることができる。

本発明の電子源製造装置の一実施形態について以下に述べる。

図１、図２は、本実施形態の電子源製造装置を示しており、図１は断面図、図２は、図１における電子源形成用のガラス基板付近の部分を示す斜視図である。

図１に示すように、この製造装置は、支持体１１に保持された静電吸着装置４１を有している。静電吸着装置４１は、その上に置かれた被加工処理物である、電子源形成用のガラス基板１０を吸着して保持する働きをする。支持体１１内には、必要に応じて、静電吸着装置４１を介してガラス基板１０を加熱するためのヒーター２０が設けられている。

ガラス基板１０には、図２に示すように、互いに平行に延びる複数のＸ方向配線３７と、Ｘ方向配線３７に直交する方向に、互いに平行に延びる複数のＹ方向配線３８が形成されている。Ｘ方向配線３７とＹ方向配線３８の各交差部には、電子放出素子に加工される導電体３６が配置されている。各Ｘ方向配線３７と各Ｙ方向配線３８には、導電体３６に電気的処理を施すための電源および電流制御系を有する駆動ドライバー３２が、ＴＡＢ配線やプローブなどの配線３１を介して接続されている。

静電吸着装置４１上に保持されたガラス基板１０上には、一面に開口が形成され、この開口の縁部分でガラス基板１０と当接する真空容器１２が配置されている。真空容器１２は、ガラスやステンレス製の容器であり、容器からの放出ガスの少ない材料からなるものが好ましく、また、容器内の圧力を、少なくとも、１．３３×１０^-1Ｐａ（１×１０^-3Ｔｏｒｒ）から大気圧の範囲で変化させても耐えられる構造を有している。後述するように、本実施形態の製造装置では、真空容器１２は、導電体３６を所定のガス雰囲気に曝した状態で加工処理を行うのに用いられている。そのために、真空容器１２は、ガラス基板１０の、導電体３６が形成された領域を覆うことができる大きさになっており、取り出し配線３０が形成された領域でガラス基板１０に当接している。このように、本実施形態では、真空容器１２を、導電体３６の形成部のみを覆う構成とすることによって、全体を覆う構成とするのに比べて装置を小型化することが可能となっている。また、ガラス基板１０の取り出し配線３０が真空容器１２外まで延びているため、駆動ドライバー３２との電気電気的接続を容易に行うことが可能になっている。

真空容器１２とガラス基板１０の当接部には、真空容器１２内の気密性を向上させるためにシール部材１８が配置されている。シール部材１８としては、Ｏリングやゴム性シートなどが用いられる。

真空容器１２は排気口１６を有しており、排気口１６には、バルブ２５ｆが設けられた配管を介して真空ポンプ２６が接続されている。本実施形態において、真空ポンプ２６としては、ドライポンプ、ダイヤフラムポンプ、スクロールポンプなどの低真空用ポンプを用いることができ、オイルフリーポンプであるのが好ましい。排気口１６付近には、真空計２７が取り付けられている。

また、真空容器１２は、加工処理に用いる気体の導入口１５を有しており、導入口１５には、還元性を有する水素ガス、または有機物質ガス用のボンベ２１とキャリアガス用のボンベ２２が配管２８を介して接続されている。配管２８は、ボンベ２１，２２からそれぞれ延び、途中で合流した後、導入口１５に繋がっており、水素ガスまたは有機物質ガスとキャリアガスの混合ガスが真空容器１２内に導入される。各ボンベ２１，２２の出口、合流部の手前、および、合流後、導入口１５に繋がる前の位置には、バルブ２５ａ〜２５ｅがそれぞれ設けられている。各ボンベ２１，２２の出口には、マスフローコントローラおよび電磁弁などから構成されるガス流量制御装置２４ａ，２４ｂが設けられており、これらによって、真空容器１２内に導入される水素ガスまたは有機ガスとキャリアガスの各流量、および両者の混合比を制御することができる。また、各ボンベ２１，２２の出口には、シリカゲル、モレキュラーシーブ、水酸化マグネシウムなどの吸湿材を用いた水分除去フィルター２３ａ，２３ｂを設けて、導入ガス中の水分を除去するのが好ましい。また、図示していないが、配管２８の周囲には、ガス温度を調節するためのヒーターを必要に応じて設けることができる。

真空容器１２内には、ガラス基板１０との間に拡散板１９を設けるのが好ましい。拡散板１９は、ガラス基板１０の処理面全体に亘る領域に分散して形成された複数の開口部３３を有しており、導入口１５から導入された混合ガスを、ガラス基板１０の処理面全体に均一に分散させる働きをする。それによって、ガラス基板１０に形成される電子放出素子の均一性を向上させることができる。また、このように混合ガスの、ガラス基板１０上での均一性を確保するために、排気口１６の、真空容器１２内への接続部は、図示するように、真空容器１２の中心に対して対称に設けるのが好ましい。

この製造装置によって、導電体３６を電子放出素子とする処理を実行することができる。この処理では、水素ガスまたは有機物質ガスが、ガス流量制御装置２４ａ，２４ｂによってキャリアガスと所定の割合で混合されて真空容器１２内に導入される。真空容器１２に導入された混合ガスは、排気口１６を通じて、真空ポンプ２６によって一定の排気速度で排気され、それによって、真空容器１２内の混合ガスの圧力が一定に保持される。そして、このようにして準備された水素ガスまたは有機物質ガス雰囲気下で、駆動ドライバー３２によって導電体３６に通電処理を施す。このようにして、水素ガス雰囲気下での通電処理によって導電体３６に亀裂などの高抵抗部が形成され、または、有機物質ガス雰囲気下での通電処理によって、亀裂などの高抵抗部が形成された導電体３６が活性化されて電子放出部が形成される。このような処理の際、ヒーター２０によってガラス基板１０を所定の温度に加熱することができ、その際、導入する混合ガスも、ガラス基板１０の温度と同等に調節するのが好ましい。

次に、静電吸着装置４１の構成を、図３，４を用いて説明する。図３は断面図、図４は、表面の微細構造を模式的に示す斜視図である。なお、図４に示す表面の凹凸は、以下に説明するように微細なものであるが、図１〜３には、分かりやすくするために、この凹凸を拡大して示している。

図３に示すように、静電吸着装置４１は、基材１と、この基材１の上面に溶射により形成された絶縁層２と、この絶縁層２上に溶射により形成された電極層３と、この電極層３を被覆するように絶縁層２上に溶射により形成された誘電体層４とを有している。このような構成によって、ディスプレー作製用の大型のガラス基板１０であっても、それを単体で吸着保持することが可能な大型の静電吸着装置４１を構成することができる。このように、ガラス基板１０を単体で保持可能な構成とすることは、電子源の製造工程におけるガラス基板１０の均熱性を確保する上でも有効である。

また、静電吸着装置４１には、所定の位置に、基材１を貫通して電極層３に接続された給電ピン５が設けられている。給電ピン５と基材１の間には、両者の絶縁のための絶縁管６が設けられており、これら給電ピン５と絶縁管６によって給電端子が形成されている。この給電ピン５を介して電極層３に電荷を供給することによって、ガラス基板１０との間に、それを保持するための静電力が発生する。

ガラス基板１０の載置部９となる、静電吸着装置４１の表面、すなわち誘電体層４の表面には、載置部９の全域に亘ってエンボス形状部が形成されている。このエンボス形状部とは、図４に示すように、頂上面７が平坦な凸部８が所定のパターンで配置され、かつ各凸部８の高さが揃えられた浮き彫り状の形状にされた部分を意味している。凸部８の高さは１０μm〜１００μm程度である。このようなエンボス形状部を有する載置部９上にガラス基板１０が載置されるので、凸部８の平坦な頂上面７がガラス基板１０と接触する接触面となる。

そして、このエンボス形状部は、載置部９の全面積に対して、頂上面７の総面積が占める面積の割合が２０〜８０％になる構成を有している。すなわち、本発明者らの検討によれば、ガラス基板１０の均熱性を確保するためには、ガラス基板１０の底面に対して、ガラス基板１０と誘電体層４の接触面の占める面積の比率は小さい方がよいが、接触面の占める面積の比率が２０％未満の場合、ガラス基板１０の平面度が得られにくくなる。また、接触面の占める面積の比率が８０％を超えるとガラス基板１０の均熱性を十分に確保するのが困難になる。そこで、接触面の占める面積の比率が２０〜８０％となるようにすれば、大型のガラス基板１０を吸着保持して平坦に保ちつつ、高温プロセス時においてもガラス基板１０の均熱性を確保することができる。

したがって、このような本実施形態の電子源製造装置によれば、電子放出特性の再現性に優れた電子源を製造可能である。また、複数の電子放出素子を備える電子源を製造する場合、これら複数の電子放出素子について電子放出特性の均一性に優れた電子源を製造することができる。

なお、エンボス形状部として、図４には、円柱状の凸部８を正方格子上に規則的に配置した構成を示しているが、エンボス形状部はこのようなパターンに限られることはない。例えば、エンボス形状部は、角柱状の凸部からなるものであってもよいし、載置部９を横切って延びる長尺な平面形状の凸部を平行に並べた構成であってもよい。また、凸部の側面は、図４に示す例のように、載置部９の表面に垂直に延びている必要はなく、傾斜していても構わない。また、凸部は、連続的な平面パターンを有していてもよいが、ガラス基板１０の均熱性を確保する上では、図４に示す例のように、複数の部分からなる不連続な平面パターンとするのが好ましい。また、ガラス基板１０を平坦な状態で支持するため、凸部は、載置部９全体に渡ってほぼ均一に配置されているのが好ましい。また、凸部の接触面の面方向の大きさについては、例えば、図４の例のように円形の接触面が別個に形成される構成であれば、各円の径がφ１．５μｍ〜φ１０μｍ程度、長尺形状であれば、幅が１．５ｍｍ〜１０ｍｍ程度であるのが好ましい。

また、従来、溶射法により基材上に表層構造を形成した構成の静電吸着装置では、基材にはアルミニウムなどが用いられており、高温雰囲気下で使用した場合、基材と該基材上に溶射により形成された層とが、熱膨張差のために剥離しがちであるという課題があった。そこで、本実施形態においては、基材１の、２０〜２００℃における平均の熱膨張係数と、その上部に設けられる絶縁層２、誘電体層４といった各層の２０〜２００℃における平均の熱膨張係数との差を、２×１０^-6／℃以下とすることが好ましい。こうすることで、高温（〜３５０℃）で使用する場合であっても、各層間で熱膨張差のために剥離が発生するのを低減することができる。

さらに、本実施形態では、給電端子の２０〜２００℃における平均の熱膨張係数と、基材の２０〜２００℃における平均の熱膨張係数との差を２×１０^-6／℃以下とすることが好ましい。こうすることで、高温（〜３５０℃）で使用した際に、給電端子を構成する材質と基材との熱膨張差のために、給電ピン５が電極層３や誘電体層４を突き上げるなどしてクラックなどの悪影響が生じるのを抑制することが可能となる。

また、本実施形態では、静電吸着装置４１の誘電体層４とガラス基板１０との接触面の表面粗さＲａを０．８μｍ以下とすることが好ましく、それによって、高い静電吸着力を得ることができる。表面粗さＲａが大きく、特に１．０μｍを超えると静電吸着力の低下が見られ、接触面の表面粗さは、少なくとも１．０μｍ以下とするのが好ましい。

次に、本実施形態の静電吸着装置の製造方法を説明する。

まず基材１となる材料を用意する。基材１上にセラミック製の絶縁層２とセラミック製の誘電体層４を溶射法などにより形成するため、基材１の材料は、これらのセラミック層との熱膨張差を考慮して選定するのが好ましい。このような基材１の材料としては、インバーやコバルト合金などの低熱膨張合金、あるいは金属−セラミックス複合材料（ＭＭＣ）などを、基材１上に設ける各層の熱膨張係数を考慮して適宜選択するのが好ましい。

次に、基材１に、その上部に形成される電極層３への給電を目的とした給電端子を接着する。給電端子としては、基材１と、さらに好ましくはその上部に形成される各層とも熱膨張係数が近くなるように、給電ピン５として低熱膨張合金、ＭＭＣなどを用い、これに酸化アルミニウムなどを溶射して絶縁管６を形成したものや、給電ピン５をマシナブルセラミックスなどからなる絶縁管６に接着した構造のものなどを用いることが好ましい。この場合、給電ピン５および絶縁管６の、すなわち給電端子の２０〜２００℃の平均熱膨張係数と、基材１の２０〜２００℃の平均熱膨張係数との差を２×１０^-6／℃以下とすることが望ましい。こうすることで、高温時に給電ピンの構成部材の突き上げなどによって、基材１上の各層にクラックなどが発生するのを抑制することが可能となる。

次に、基材１表面を酸化アルミニウム、炭化ケイ素などのブラスト材料を用いて均一に粗面化すると共に、洗浄する。その後、基材１とその表面上に形成する各層の密着性を向上させるために、アンダーコートとして、ニッケル、アルミニウム、クロム、コバルト、モリブデンなどの金属の層、または夫々がこれらの金属からなる複数の層を溶射法によって形成する。その後、このアンダーコート層上にプラズマ溶射法などにより、酸化アルミニウムなどのセラミックスからなる絶縁層２を形成する。この際、アンダーコート層の形成は、必要に応じて適宜行えばよく、必ずしも必要なものではない。

次に、この絶縁層２へ封孔処理を施す。この封孔処理は、後工程での封孔処理と併せて行うことによって、絶縁層２への封孔処理剤の含浸を完全なものにするためのものである。この段階での封孔処理は、必要に応じて適宜行えばよく、必ずしも必要なものではない。

次に、絶縁層２上にプラズマ溶射法などによって電極層３を形成する。電極層３の材料には、ニッケル、タングステン、アルミニウムなどを好ましく使用できる。電極層３の厚さは３０〜１００μｍ程度とするのが好ましい。電極層３の厚さを３０μｍ以上とすることによって、均一性に優れた電極層３を形成することが可能となり、それによって、吸着力にムラが生じるのを抑えることができる。電極層３の厚さを１００μｍ以下とすることによって、電極層３と絶縁層２との間の段差を大きくなり過ぎないようにして、これら両層上に形成する誘電体層４の耐電圧特性を向上させることができる。

その後、電極層３と絶縁層２上に、プラズマ溶射法などによって酸化アルミニウム−５重量％酸化チタンなどのセラミックスからなる誘電体層４をさらに形成する。これによって、静電吸着装置４１の主要構成部材の形成が完了する。

なお、上記の絶縁層２および誘電体層４の厚さは、１００〜５００μｍ程度が好ましい。これら両層の厚さを１００μｍ以上とすることによって、耐電圧を高くし絶縁破壊が起こるのを抑えることができ、５００μｍ以下とすることによって、電極層３および基材１との熱膨張差の影響を軽減して、熱衝撃による亀裂や破損を抑え、また、吸着力が低下するのも抑えることができる。

また、絶縁層２を形成するセラミックスの種類としては、酸化アルミニウムが最も一般的であるが、これに限定されるものではなく、基材１との熱膨張差などを考慮して、適切な種類のセラミックスを適宜選定することができる。また、誘電体層４を形成するセラミックスの種類としては、酸化アルミニウム−酸化チタン系のものが最も一般的であるが、これに限定されるものではなく、例えば、誘電率など、必要な特性に応じてセラミックスの種類を適宜選定することができる。

次に、溶射法によって形成された各層中のポアを埋める封孔処理を行う。封孔処理剤としては、シリカゾル、アルミナゾル、マグネシアゾルなどのコロイダル状のスラリー、あるいは、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂などの金属アルコキシド系ポリマー、およびこれらのポリマーとマラミン、アクリル、フェノール、フッ素、シリコン、アクリル樹脂などの各種樹脂を含有するものを使用することができる。

次に、研削加工、ラップ処理を行い、誘電体層４表面を、表面粗さＲａが１．０μｍ以下となるように加工する。その後、ブラスト処理を行い、載置部９に上記のエンボス形状部を形成する。その後、先程と同様の封孔処理を行う。

以上のような方法で静電吸着装置４１を作製すれば、高温（〜３５０℃）で使用が可能であり、耐電圧特性が極めて優れ、被吸着物であるガラス基板１０の均熱性を確保する性能にも優れ、さらには、熱膨張差により基材１上に設けられた各層に剥離が生じるのも抑えることができる静電吸着装置４１が得られる。

以下、静電吸着装置の、本発明に対応した実施例と比較例とを挙げて本発明をさらに詳細に説明する。

（実施例）
（１）基材の作製
強化材として＃１８０（平均粒径６６μｍ）の市販のＳｉＣ粉末７０重量部と＃５００（平均粒径２５μｍ）の市販のＳｉＣ粉末３０重量部を用い、それにバインダーとしてコロイダルシリカ液を、そのシリカ固形分が２重量部となる量だけ添加し、それに消泡剤としてフォーマスタＶＬ（サンノプコ社製）を０．２重量部、イオン交換水を２４重量部加え、ポットミルで１２時間混合した。こうして得られたスラリーをサイズ１００８×６８０ｍｍ、厚さ４０ｍｍの成形体が得られるメッシュ付金型に流し込んでフィルタープレスし、それを脱型した後、１０００℃で焼成してプリフォームを形成した。

得られたプリフォームとＡｌ−１２Ｓｉ−３Ｍｇ−２Ｃｕ−３Ｔｉ組成のアルミニウム合金とを組み合わせ、その合金をプリフォーム中に窒素気流中で８２５℃の温度で６０時間非加圧浸透させた後、冷却してＳｉＣ粉末の含有率が７０体積％の金属−セラミックス複合材料を作製した（サイズ：１００８×６８０×４０ｍｍｔ）。この金属−セラミックス複合材料を基材１として使用した。

（２）給電端子の接着
この基材に、後工程で基材１上に形成される電極層３に給電を行うための給電端子を接着する。この給電端子としては、基材１に用いた金属−セラミックス複合材料との熱膨張差を考慮して、ニレジストＤ−５（低熱膨張合金）などからなる給電ピン５とマシナブルセラミックス（ホトベールＬ）製の絶縁管６を使用した。

（３）絶縁層の形成
基材１表面を、絶縁層２との密着力を向上させるために、表面粗さが、Ｒｍａｘで見て５μｍ以上になるまでブラスト処理した後、その上面に、絶縁層２として、プラズマ溶射によって酸化アルミニウム層を４００μｍの厚さに形成した。

（４）絶縁層封孔処理
次に、基材１上に形成された絶縁層２に対して、大気中でＳｉＯ₂系の金属アルコキシドを用いて封孔処理を施した。

（５）電極層、誘電体層の形成
次に、電極層３として、Ｎｉを５０μｍの厚さにプラズマ溶射した後、この上面に、誘電体層４として、プラズマ溶射により酸化アルミニウム−５重量％酸化チタン層を５００μｍの厚さに形成した。

（６）封孔処理と研削、ラップ、ブラスト処理
次に、（４）と同様の方法でＳｉＯ₂系の金属アルコキシドを用いて封孔処理を行った後、平面研削盤を用いてトップ層を厚みが３７０μｍになるまで研削加工し、その後ラップ処理を行い、トップ層を厚みが３５０μｍでかつ表面粗さＲａが０．５μｍとなるように加工した。その後、この静電吸着装置４１の表面をブラスト加工して、被吸着物であるガラス基板１０との接触面積が載置部９の全面積の７０％となるエンボス形状部を形成した。このエンボス形状部は、５０μm程の高さで、直径４.７ｍｍの円形状の接触面を上面として有する凸部が、正方格子上に並んだ、図４に示すような構成のものとした。

（７）封孔処理
その後、（４）と同様の方法でＳｉＯ₂系の金属アルコキシドを用いて封孔処理を行い、実施例の静電吸着装置４１を完成させた。

（比較例１）
基材としてアルミニウム（５０５２）を用いた他は、実施例と同様の方法で静電吸着装置を作製した。

（比較例２）
給電ピンの材質をアルミニウム（５０５２）とした他は、実施例と同様の方法で静電吸着装置を作製した。

（比較例３）
エンボス形状部を、載置部における、ガラス基板１０と接触する接触面が占める面積の割合が９０％となるような構成とした他は、実施例と同様の方法で静電吸着装置を作製した。

（比較例４）
静電吸着装置の表面粗さＲａを１．５μｍとした他は、実施例と同様の方法で静電吸着装置を作製した（表面の加工は、研削加工）。

(比較例５)
エンボス形状部を、載置部における、ガラス基板１０と接触する接触面が占める面積の割合が１０％となるような構成とした他は、実施例と同様の方法で静電吸着装置を作製した。

（評価）
評価は、耐電圧性と、載置したガラス基板１０の均熱性、吸着力について行った。結果を表１に示す。

耐電圧性については、実施例と比較例１〜５で作製した各静電吸着装置について、室温と３５０℃との間で温度を変化させる温度サイクル試験を行い、試験前後に耐電圧試験を行うことによって評価した。耐電圧試験は、静電吸着装置表面にガラス基板１０を設置し、３０００Ｖの電圧を印加して行った。表１において、○は耐電圧試験を行っても変化のなかったことを示しており、×は耐電圧試験を行った結果、絶縁破壊が発生したことを示している。

また、静電吸着装置に吸着させた状態のガラス基板１０の均熱性、および静電吸着装置の吸着力の評価は、上記の温度サイクル試験を行った後に以下のように行った。

均熱性の評価は、静電吸着装置上面にガラス基板１０を設置し、静電吸着装置下部をヒーターで加熱し、この際のガラス基板１０の温度分布をサーモグラフィーで観察することによって行った。表１では、１００℃設定での加熱時の温度分布が１０℃以内を○、１０℃を超えるものを×としている。

吸着力の評価は、静電吸着装置を真空チャンバー試験装置中に設置し、真空下で静電吸着装置を引っ張る方法によって行った。表１では、印加電圧：１０００Ｖにおける吸着力が１０００ｇ／ｃｍ²以上のものを○、それ以下のものを×としている。

本発明の一実施形態の、電子源の製造装置を示す模式的断面図である。 図１の製造装置におけるガラス基板付近の部分の斜視図である。 図２の静電吸着装置の模式的断面図である。 図３の静電吸着装置の載置部の微細形状を示す斜視図である。

符号の説明

１ 基材
２ 絶縁層
３ 電極層
４ 誘電体層
８ 凸部
１０ ガラス基板
４１ 静電吸着装置

Claims (6)

1. 電子源形成用のガラス基板が載置され、該ガラス基板を吸着保持する静電吸着装置において、
   基材と、該基材上に溶射法により設けられたセラミック製の絶縁層と、該絶縁層上に設けられた電極層と、該電極層を被覆するように設けられ、前記ガラス基板が載置されるセラミック製の誘電体層とを有し、
   前記誘電体層は、頂上面が、前記ガラス基板を載置した時に該ガラス基板に接触する接触面となる凸部が所定のパターンで配置されたエンボス形状部を有していることを特徴とする静電吸着装置。
2. 前記エンボス形状部は、前記ガラス基板の載置部の全面積に対して、前記凸部の頂上面の総面積が占める割合が２０〜８０％の範囲内となるパターンを有している、請求項１に記載の静電吸着装置。
3. 前記基材の２０〜２００℃における平均の熱膨張係数と、前記絶縁層と前記誘電体層の、２０〜２００℃における平均の熱膨張係数との差が２×１０^-6／℃以下である、請求項１または２に記載の静電吸着装置。
4. 前記電極層への給電用の給電端子をさらに有し、該給電端子の２０〜２００℃における平均の熱膨張係数と、前記基材の２０〜２００℃における平均の熱膨張係数との差が２×１０^-6／℃以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載の静電吸着装置。
5. 前記誘電体層の、前記ガラス基板との接触面の表面粗さＲａが１．０μｍ以下である、請求項１から４のいずれかに記載の静電吸着装置。
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載の静電吸着装置と、該静電吸着装置上に載置された前記ガラス基板を加熱するヒーターとを有する電子源製造装置。

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