JP2012203286A - 液晶基板保持盤およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】母材11表面に低反射率の材料からなる溶射皮膜12を形成したこと。前記溶射皮膜12の表面に透明または半透明の基板Wを保持可能な支持部13を形成した液晶基板保持盤であること。前記溶射皮膜12をアルミナとチタニアを含有する複合材料(Al2O3−α%TiO2)で形成したこと。前記溶射皮膜12表面の全反射率を、光の波長360〜740nmの範囲に亘って9%以下に形成したこと。
【選択図】図4
Description
前記液晶ディスプレイを製造する露光工程では、波長365nm(i線)、405nm(h線)、436nm(g線)の光線が使用され、このような装置に使用する構成部材は光の反射を嫌うため、低反射率の材料が必要とされていた。
例えば、液晶ディスプレイの場合、基板が透明ガラス材料のため、露光時に基板を透過した光が基板保持盤の表面で反射し、再びガラス基板の特定箇所に入射して、レジストの不要な箇所が露光される二重露光等の弊害が発生するという問題があった。
更に、アルマイト施工したアルミニウム製基板保持盤は、ガラス基板との接触によって徐々に磨耗し、下地のアルミニウムが露出した場合、反射防止特性がないため、使用に不安があるという問題があった。
例えば、露光装置用の基板保持盤の基体を黒色系セラミックスバルクで形成し、液晶基板保持盤が大型化しても、加工時の材質の変形を防ぎ高精度に加工が可能であり、しかも液晶基板を透過する照射光の反射を有効に防止し、反射率を低下させるようにしている。
また、黒色研磨加工面の光を照射したときの反射率を、光の波長域220〜350nmで10.3〜15.0%、400〜550nmで11.9〜16.5%、600〜800nmで13.8〜21.7%にしたものがある(例えば、特許文献3および4参照)。
しかも、前記黒色系セラミックスは、マンガンやチタン、鉄等の金属元素を含有したアルミナから形成したアルミナ系セラミックスで比重が高いため、液晶基板サイズが大型化し基板ステージも大型化する近時の液晶露光装置では、装置の重量増を招き、ステージの機能低下や故障を生じ易いという問題があった。
更に、黒色系セラミックスの焼成は、鉄等の不純物を意図的に添加するため、焼成炉が汚染され、純度を要する別素材の焼成炉として併用できず、黒色系セラミックスの専用炉となって設備費の高騰を助長し、生産性が低下する等の問題があった。
このような要請に応ずるものとして、例えば液晶基板保持盤の表面の正反射を低く抑えるために、前記文献2および4のようにサンドブラスト処理や機械研削によって前記保持盤の表面を粗面化していた。
例えば、基板保持盤側表面の光の波長250〜550nmにおける全反射率を、13%以下にしたものがある(例えば、特許文献3および5参照)。
しかし、前記全反射率は概して高く、広域な光の波長域に亘って一様かつ良好な露光を得られないという問題があった。
しかし、この吸着構造は溶射材料が不明であり、また基板チャックや基板ステージの反射率低減についての言及がなく、具体的な吸着構造を得られないという問題があった。
請求項3の発明は、前記溶射皮膜の表面および内部を含む表層部に透明な被覆層を形成し、溶射皮膜形成工程で発生したポアやマイクロクラックを閉塞し、該ポアやマイクロクラックによる内部反射を防止して、溶射皮膜表面の低反射率を実現するとともに、溶射皮膜の表層部を緻密化し、該表層部に形成する支持部を容易かつ正確に形成し、その強度を強化するようにしている。
請求項7の発明は、前記支持部を形成後、前記溶射皮膜の表面を2次封孔処理し、前記支持部の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成し、前記表層部に形成した被覆層と相俟って、溶射皮膜の表面の安定した低反射率を得られるようにしている。
請求項8の発明は、前記溶射皮膜の形成後、前記表層部の1次封孔処理前に、前記溶射皮膜表面をドライアイスブラスト洗浄し、溶射皮膜形成時における未溶融粒子を吹き飛ばし、溶射皮膜中の内部反射形成部を除去し、溶射皮膜表面の安定した低反射率を実現するようにしている。
請求項10の発明は、前記ドライアイスブラスト洗浄後、前記溶射皮膜表面を2次封孔処理し、該2次封孔処理によって前記溶射皮膜の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成し、前工程に形成されたマイクロクラックやポアを閉塞し、前記溶射皮膜の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成し、前記支持部表面を平滑化して、溶射皮膜の表層部に形成した被覆層と相俟って、溶射皮膜表面の低反射率を増進するようにしている。
請求項2の発明は、前記アルミナとチタニアを含有する複合材料(Al2O3−α%TiO2)のうち、チタニア成分の含有量を重量百分率で10〜100wt%としたから、光の波長360〜740nmの範囲に亘り、9%以下の安定した低反射率を実現することができる。
請求項4の発明は、前記被覆層の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成したから、前記溶射皮膜の表層部に形成した被覆層と相俟って、溶射皮膜表面の低反射率を増進することができる。
請求項7の発明は、前記支持部を形成後、前記溶射皮膜の表面を2次封孔処理し、前記支持部の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成するから、前記表層部に形成した被覆層と相俟って、溶射皮膜の表面の安定した低反射率を増進することができる。
請求項8の発明は、前記溶射皮膜の形成後、前記表層部の1次封孔処理前に、前記溶射皮膜表面をドライアイスブラスト洗浄するから、溶射皮膜形成時における未溶融粒子を吹き飛ばし、溶射皮膜内の内部反射形成部を除去し、溶射皮膜表面の安定した低反射率を実現することができる。
請求項10の発明は、前記ドライアイスブラスト洗浄後、前記溶射皮膜表面を2次封孔処理し、該2次封孔処理によって前記溶射皮膜の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成するから、前工程に形成されたマイクロクラックやポアを閉塞し、前記溶射皮膜の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成し、前記支持部表面を平滑化して、溶射皮膜の表層部に形成した被覆層と相俟って、溶射皮膜表面の低反射率を増進することができる。
前記照明光学系3は、前記入射した光線を反射ミラー8を介して、フォトマスクM上に集光する種々のレンズを含む光学素子を有している。
前記基板ステージ6上には、Y軸方向へ移動可能な移動鏡9が設けられ、該移動鏡9に位置計測装置であるレーザー干渉計10からレーザー光が照射され、その反射光と入射光の干渉に基いて、移動鏡9とレーザー干渉計10との距離を検出可能にされ、その検出結果を基に基板ステージ6の位置や基板Wの位置を検出かつ演算可能にしている。
すなわち、前記露光装置1は基板ステージ6の位置を検出しつつ、基板ステージ6の露光領域にフォトマスクMのパターンを逐次転写可能にしている。
この場合、前記液晶基板保持盤11の軽量化を主たる目的とする場合は、前記保持盤11の母材11aとして、アルミニウム板の他に、例えば石英ガラス板を用いることも可能である。
前記凹凸部13,14を形成後、前記凸部13上に基板Wを支持し、該基板Wと凹14との間に真空ポンプ(図示略)を接続し、それらの間を吸引することによって、基板Wを凸部13上に吸着保持するようにしている。
図中、24は液晶基板保持盤11に複数形成された貫通孔で、前記真空ポンプに連通している。
したがって、365nm〜430nmの露光波長では、必ずしも黒色系の材料である必要がないことが分かる。
前記セラミックス溶射は、例えば一般的なプラズマ溶射法を用いて行ない、該プラズマ溶射法は、プラズマ状態になった超高温のガスを熱源として溶射材料を溶融し、プラズマジェットとともに前記母材11aに噴射して、該母材11aの表面にセラミックス皮膜12を形成する。
この場合、純アルミナ溶射皮膜(α=0)は、外観が象牙色若しくは白色であるが、チタニアを添加することによって黒色化が増加し耐摩耗性の保護膜になるが、微量のチタニアを添加するだけでは、全反射率が安定的に9%以下にならない。
前記ドライアイスブラスト洗浄は、清浄なチャンバ(図示略)にセラミックス溶射後の前記母材11aを収容し、ブラスト装置(図示略)を介し、−70℃以下の高純度のドライアイス粒子であるドライアイスペレット17を、圧縮された清浄空気または窒素と一緒にセラミックス皮膜12に吹き付けて行なう。
実施形態ではドライアイスの噴射圧力を0.2〜0.5MPaに設定し、約800μmの膜厚のセラミックス皮膜12を形成している。
そこで、前記ドライアイスブラスト洗浄後、前記ポア18やマイクロクラック19を埋め、セラミックス皮膜12を被覆するために、1次封孔処理を行なう。
前述のコート剤は、溶射皮膜内部への高浸透性と塗布ムラ低減から、粘度10mPa・s未満の低粘性とし、更に前記コート剤から形成される被覆膜20は、近紫外線および可視光線に長時間曝されても、劣化しないものが好ましい。
実施形態ではセラミックス皮膜12の全域に前記封孔剤を含浸して、被覆膜20を形成している。
このようにすることによって、ポア18やマイクロクラック19による内部反射を阻止し、全反射率を下げることが可能になる。この状況は図4(d)のようである。
この場合、セラミックス皮膜12は1次封孔処理されているため、機械加工における切削油、研削液等の加工液や研削粉の浸透を防止し得る。
すなわち、ドライアイスペレット17を凹凸部13,14に吹き付け、残留する研削粉21等を吹き飛ばす。この状況は図4(f)のようである。
特に、砥粒の突き刺さりの除去には、ドライアイスブラストによる後洗浄が有効であり、このドライアイスブラスト後洗浄を前述の前洗浄と同様の要領で行なう。
前記2次封孔処理は、前述の1次封孔処理と同様の要領で低粘性の透明コート剤を塗布し、前記コート剤による超薄膜の透明な被覆膜22を形成する。
よって、前記被覆膜22は前記支持部13の表面または凹面の機械加工による微小な凹部を閉塞し、平滑面に形成している。この状況は図4(h),(i)のようである。
そこで、可及的に高い前記α値のアルミナーチタニアを選択することで、つまり黒色系セラミックス皮膜とすることによって、黒色化が増加し全反射率を低減して耐摩耗性の保護膜を形成した。
このようにして測定した全反射率測定結果は図6のようである。また、図7および図8は、前記全反射率測定結果を基にグラフ化したものである。
また、図9は前記全反射率測定結果のうち、近時の液晶露光装置で多用されている露光光源の波長に近い波長400nmを基準に、その前後の360、400、430nmの全反射率を抽出して示している。
そこで、前記想定した全反射率を基に図8および図9を観察すると、α=2.5の複合材(通称:グレーアルミナ)のサンプル2は、各波長の全反射率が10%前後になって、安定した低反射率を得られず、所期の目的を達成できないことが確認された。
したがって、α=13〜100では、波長360〜430nmに対する全反射率が6.19〜7.41%で、全反射率が9%以下になり、所期の目的を達成することが確認された。
また、支持部13の内外に透明な被覆層22,20を形成し、これらで支持された基板Wに入射した照射光が透過し、低反射率に形成された液晶基板保持盤11の表面で、反射・吸収・透過が起きる。
こうして、前記反射光が低減し、基板Wの特定箇所に再入射し、レジストの不要な箇所を露光する二重露光等の弊害の発生を阻止する。
そして、これらサンプルの未封孔品(封孔処理なし)と封孔品(封孔処理あり)の表面について、波長360nmの光に対する全反射率を前記分光測色計で計測し、封孔処理の有無による効果を実験した。図11は、その測定結果を示している。
また、封孔処理したサンプルの測定結果を見ると、α=13,40,100(%)の複合材は、波長360nmに対する全反射率が9%以下になっており、前記所期の目的を達成できることが確認され、前述の効果確認と相俟って、α=10以上であれば、発明者が想定した9%以下の全反射率を得られることが確認された。
12 溶射皮膜
13 支持部
20,22 被覆層
11a 液晶基板保持盤の母材
W 基板(液晶基板)
Claims (10)
- 母材表面に低反射率の材料からなる溶射皮膜を形成し、該溶射皮膜の表面に透明または半透明の基板を保持可能な支持部を形成した液晶基板保持盤において、前記溶射皮膜をアルミナとチタニアを含有する複合材料(Al2O3−α%TiO2)で形成し、前記溶射皮膜表面の全反射率を、光の波長360〜740nmの範囲に亘って9%以下に形成したことを特徴とする液晶基板保持盤。
- 前記アルミナとチタニアを含有する複合材料(Al2O3−α%TiO2)のうち、チタニア成分の含有量を重量百分率で10〜100wt%とした請求項1記載の液晶基板保持盤
- 前記溶射皮膜の表面および内部を含む表層部に透明な被覆層を形成した請求項1記載の液晶基板保持盤。
- 前記被覆層の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成した請求項3記載の液晶基板保持盤。
- 母材表面に低反射率の材料からなる溶射皮膜を形成後、該溶射皮膜の表面に透明または半透明の基板を保持可能な支持部を形成する液晶基板保持盤の製造方法において、前記溶射皮膜をアルミナとチタニアを含有する複合材料(Al2O3−α%TiO2)で形成し、前記溶射皮膜の形成後、該溶射皮膜の表面および内部を含む表層部を1次封孔処理し、該1次封孔処理によって前記表層部に被覆層を形成後、前記支持部を形成することを特徴とする液晶基板保持盤の製造方法。
- 前記アルミナとチタニアを含有する複合材料(Al2O3−α%TiO2)のうち、チタニア成分の含有量を重量百分率で10〜100wt%とする請求項5記載の液晶基板保持盤の製造方法。
- 前記支持部を形成後、前記溶射皮膜の表面を2次封孔処理し、前記支持部の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成する請求項5記載の液晶基板保持盤の製造方法。
- 前記溶射皮膜の形成後、前記表層部の1次封孔処理前に、前記溶射皮膜表面をドライアイスブラスト洗浄する請求項5記載の液晶基板保持盤の製造方法。
- 前記支持部を形成後、前記2次封孔処理前に、前記溶射皮膜表面をドライアイスブラスト洗浄する請求項7記載の液晶基板保持盤の製造方法。
- 前記ドライアイスブラスト洗浄後、前記溶射皮膜表面を2次封孔処理し、該2次封孔処理によって前記溶射皮膜の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成する請求項9記載の液晶基板保持盤の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014034161A1 (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-06 | 株式会社ニコン | 基板支持装置、及び露光装置 |
JP2015050402A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社ディスコ | 洗浄手段を備えた切削装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087642A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Taiheiyo Cement Corp | ピン型チャックおよびその製造方法 |
JP2004241668A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
JP2004349557A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Canon Inc | ディスプレー用大型ガラス基板吸着装置 |
JP2005191500A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Creative Technology:Kk | 双極型静電チャックの再生方法 |
JP2006032461A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Canon Inc | 静電吸着装置および電子源製造装置 |
-
2011
- 2011-03-28 JP JP2011069399A patent/JP5858631B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087642A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Taiheiyo Cement Corp | ピン型チャックおよびその製造方法 |
JP2004241668A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
JP2004349557A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Canon Inc | ディスプレー用大型ガラス基板吸着装置 |
JP2005191500A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Creative Technology:Kk | 双極型静電チャックの再生方法 |
JP2006032461A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Canon Inc | 静電吸着装置および電子源製造装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014034161A1 (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-06 | 株式会社ニコン | 基板支持装置、及び露光装置 |
JP2017083855A (ja) * | 2012-08-28 | 2017-05-18 | 株式会社ニコン | 基板支持装置、及びパターン形成装置 |
KR101812857B1 (ko) | 2012-08-28 | 2017-12-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 지지 장치, 및 노광 장치 |
JP2018013805A (ja) * | 2012-08-28 | 2018-01-25 | 株式会社ニコン | パターン形成装置 |
KR20180035950A (ko) * | 2012-08-28 | 2018-04-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 장치 |
KR101907365B1 (ko) | 2012-08-28 | 2018-10-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 장치 |
JP2018189989A (ja) * | 2012-08-28 | 2018-11-29 | 株式会社ニコン | パターン形成装置 |
TWI658535B (zh) * | 2012-08-28 | 2019-05-01 | 日商尼康股份有限公司 | Pattern forming device |
TWI729366B (zh) * | 2012-08-28 | 2021-06-01 | 日商尼康股份有限公司 | 圖案形成裝置 |
JP2015050402A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社ディスコ | 洗浄手段を備えた切削装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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