JP2006028610A - 錫めっき皮膜の製造方法及び錫めっき皮膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】銅又は銅合金基材に形成された錫めっき皮膜の一部を剥離する剥離工程と、前記錫めっき皮膜が剥離された前記銅又は銅合金基材に変色防止処理を行う変色防止処理工程と、前記変色防止処理がされた前記銅又は銅合金基材の前記錫めっき皮膜に熱エネルギーを与える熱処理工程と、を備える。
【選択図】図1
Description
ウイスカの発生を防止することができ、ウイスカ発生防止と銅又は銅合金基材の変色防止を両立できる。
(実験例1)
本発明を、PPF(PrePlated Frame:前めっき)方式に用いられる電子部品用リードフレームを例に説明する。
イリジウム、タンタル、ロジウム、ルテニウムの金属又はその酸化物のうち一つ以上を含む不溶性電極により任意に選択できる。本実施例ではチタンの基材に酸化イリジウムと酸化タンタルの混合物を被覆した不溶性電極を使用した。通常の錫板などを用いた溶解性電極を使用すると、電極交換が頻繁となり、その都度生産ラインを停止する必要があるため、量産性が極端に低下し好ましくない。もちろん、高速めっき方法を用いない場合は、可溶性陽極を用いることもできる。
熱処理工程の熱処理条件が、210℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を15秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例1と同様にして、実験例2の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、220℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を15秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例1と同様にして、実験例3の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、200℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を30秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例1と同様にして、実験例4の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、210℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を30秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例1と同様にして、実験例5の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、220℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を30秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例1と同様にして、実験例6の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、200℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を60秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例1と同様にして、実験例7の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、210℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を60秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例1と同様にして、実験例8の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、220℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を60秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例1と同様にして、実験例9の試験体を得た。
リードフレーム1に熱処理工程を実施しない以外は、実験例1と同様にして、比較例1の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、220℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を30秒間投入した後取り出したこと、カルボン酸化合物とヒダントインとキシロースとを含む剥離液を用いて錫めっき皮膜を電気的に剥離しないこと以外は、実験例1と同様にして、比較例2の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、220℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を30秒間投入した後取り出したこと、有機皮膜による変色防止処理を行わないこと以外は、実験例1と同様にして、比較例3の試験体を得た。
以上のようにして得られた実験例1〜9、比較例1〜3の試験体を、30℃50%RHの恒温恒湿槽内に保存し、1000時間、2000時間を経過した時にその都度取り出して、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いてウイスカの発生状況を観察した。ウイスカ長さは長いものから20本を選びその平均値を用いた。
めっき液としてSn−5300(ディップソール製)を用い、金属錫として75g/L、酸を250mL/L、添加剤としてSn−5300Sを40mL/Lの濃度で調製し、浴温25℃、流速5L/minの条件で錫めっき皮膜を形成したこと以外は、実験例1と同様にして、実験例10の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、210℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を15秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例10と同様にして、実験例11の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、220℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を15秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例11と同様にして、実験例12の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、200℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を30秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例10と同様にして、実験例13の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、210℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を30秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例10と同様にして、実験例14の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、220℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を30秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例10と同様にして、実験例15の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、200℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を60秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例10と同様にして、実験例16の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、210℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を60秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例10と同様にして、実験例17の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、220℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を60秒間投入した後、取り出したこと以外は、実験例10と同様にして、実験例18の試
験体を得た。
リードフレーム1に熱処理工程を実施しない以外は、実験例10と同様にして、比較例4の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、220℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を30秒間投入した後取り出したこと、カルボン酸化合物とヒダントインとキシロースとを含む剥離液を用いて錫めっき皮膜を電気的に剥離しないこと以外は、実験例10と同様にして、比較例5の試験体を得た。
熱処理工程の熱処理条件が、220℃で恒温状態にある恒温槽内にリードフレーム1を30秒間投入した後取り出したこと、有機皮膜による変色防止処理を行わないこと以外は、実験例10と同様にして、比較例6の試験体を得た。
以上のようにして得られた実験例10〜18、比較例4〜6の試験体を、30℃で50%RHの恒温恒湿槽内に保存し、1000時間、2000時間を経過した時にその都度取り出して、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いてウイスカの発生状況を観察した。ウイスカ長さは長いものから20本を選びその平均値を用いた。
の変色を防止できる熱処理条件の範囲が広く生産の安定性を高めることができる。
2 チップ搭載部
3 インナーリード部
4 アウターリード部
5 タイバー部
6 銀又は銀合金めっき皮膜
7 錫めっき皮膜
Claims (5)
- 錫めっき皮膜を形成した銅又は銅合金基材に、基材1g当たり59〜65Jの熱エネルギーを与えることを特徴とする錫めっき皮膜の製造方法。
- 銅又は銅合金基材に形成された錫めっき皮膜の一部を剥離する剥離工程と、前記錫めっき皮膜が剥離された前記銅又は銅合金基材に変色防止処理を行う変色防止処理工程と、前記変色防止処理がされた前記銅又は銅合金基材の前記錫めっき皮膜に熱エネルギーを与える熱処理工程と、を備えていることを特徴とする錫めっき皮膜の製造方法。
- 前記剥離工程において、(a)カルボン酸化合物と、(b)ヒダントイン、ペントースの内の1種以上と、を含有する剥離液を用い、前記錫めっき皮膜を剥離することを特徴とする請求項2に記載の錫めっき皮膜の製造方法。
- 前記カルボン酸化合物が、ピロリジン−2−カルボン酸、イミノ二酢酸、グリシンの1種以上であることを特徴とする請求項3に記載の錫めっき皮膜の製造方法。
- 請求項1乃至4の内いずれか1の錫めっき皮膜の製造方法で製造されたことを特徴とする錫めっき皮膜。
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