JP2006016666A - 真空処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 受渡ホルダ60によって、基板2が成膜処理室側に受け渡され、スパッタリングによる成膜処理が施された後、再びロードロック室30側に戻される。支持部材51を上昇させることにより、受渡ホルダ60上の基板2を、支持部材51と搬送ホルダ42との間に挟持し、機械的チャック42aによって基板2の中心孔を係止する。光学式透過率センサの発光部71から出射したレーザ光を、窓部42b,51a,1bを介して受光部72が受光することによって、基板2上の膜の透過率が検出され、その結果に応じて、不良品として廃棄されるか、その後のディスク製造工程に進むかが判定される。
【選択図】 図1
Description
。
以上のような請求項2の発明では、基板を間にして、発光部と受光部を対向する位置に設ければよいので、高い配置精度を必要としなくとも、正確な検出が可能となる。
以上のような請求項3の発明では、基板に対する成膜結果に応じて、成膜条件を変更し最適化することにより、不良品の発生率を低減できる。
〔実施形態の構成〕
まず、実施形態の構成を説明する。本実施形態は、基本的には、上述の従来技術で示した真空処理装置と同様の構成を有している。但し、図1〜4に示すように、ロードロック室30を構成する部材が、従来技術と異なる特徴を有している。すなわち、基板2を搬送するための搬送装置40には、駆動装置41によって昇降可能な搬送ホルダ42が設けられている。搬送ホルダ42は、その中心に、基板2の中心孔に係脱する機械的チャック42aが設けられている。この機械的チャック42aは、弾性部材によって、基板2の中心孔を係止する方向に付勢されている。
以上のような本実施形態の作用は、以下の通りである。まず、図1に示すように、真空処理装置内への基板2の導入時には、支持部材51が受渡ホルダ60に接する位置まで上昇しており、Oリング50によって密閉されているので、真空である成膜処理室への空気の侵入が防止されている。成膜対象となる基板2は、真空処理装置の外部において、搬送ホルダ42の機械的チャック42aによって係止され、支持部材51の上部に搬送される。そして、図2に示すように、駆動装置41によって搬送ホルダ42を下降させると、装置本体1との間がOリング50によって密閉される。この時、機械的チャック42aは、支持部材51によって、弾性部材の付勢力に抗する方向に相対的に付勢され、基板2の中心孔を解放する。
以上のような本実施形態によれば、成膜後の基板2の膜を、真空のロードロック室30中にある状態で、光学式透過率センサ70によって即座に検査するので、成膜不良を早期に検出することができ、完成後のディスクを廃棄する場合に比べて、コスト節約や製造効率の向上につながる。そして、大気中のゴミ等の付着による影響もない。
本発明は上記のような実施形態に限定されるものではない。すなわち、検出手段の種類、配置位置、数等は、上記の実施形態には限定されない。例えば、窓部の一方に配設した反射型の光学式センサによって、透過率を検出してもよい。また、小型のセンサをロードロック室内若しくは成膜処理室とロードロック室との間に配設してもよい。さらに、本発明の対象となる基板及びこれによって製造されるディスクは、その大きさ、形状、材質、記録層の数等は自由であり、検査対象となる膜は、反射膜であっても、半透明膜であってもよい。
1a…排気口
2…基板
3…スパッタ室
4,30…ロードロック室
6,51…支持部材
7…外周マスク
8…上蓋
9…内周マスク
10…ターゲット
12…リフト
13…支持部材
14a,14b…ホルダ
20,21,40…搬送装置
41…駆動装置
42…搬送ホルダ
42a…機械的チャック
42b,51a,1b…窓部
50…Oリング
60…受渡ホルダ
70…光学式透過率センサ
71…発光部
72…受光部
80…制御装置
81…検出パラメータ入力部
82…条件設定部
83…条件判定部
84…制御パラメータ出力部
90…測定装置
Claims (3)
- 真空とすることが可能な真空室に、基板への成膜を行なう成膜処理室と、前記成膜処理室への基板の出し入れを行なうロードロック室とが設けられ、
前記ロードロック室内に、成膜後の基板を保持する保持手段が配設され、
前記ロードロック室外に、前記保持手段に保持された基板の膜に対して、その光の透過率を検出する光学式透過率センサが配設され、
前記ロードロック室には、前記光学式透過率センサからの光を透過する部材から成る窓部が設けられていることを特徴とする真空処理装置。 - 前記窓部は、前記保持手段に保持された基板を挟んで対向する位置に設けられ、
前記光学式透過率センサは、前記窓部近傍であって、前記ロードロック室を挟んで対向する位置にそれぞれ配設された発光部と受光部とを有していることを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。 - 前記検出手段からの検出値に基づいて、成膜条件を制御する制御装置を備えたことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006016666A true JP2006016666A (ja) | 2006-01-19 |
JP4757456B2 JP4757456B2 (ja) | 2011-08-24 |
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