JP2005531421A - 犠牲層をエッチングするための導電性エッチストップ - Google Patents
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Abstract
Description
微小電子機械システム(MEMS)は一般に、電気信号を用いて付勢され得る微小機械構造体を含む。MEMSデバイスの例は、カリフォルニア州サニーベイルのSilicon Light Machines,Inc.から入手可能なGrating Light ValveTM(GLV)デバイスである。GLVタイプのデバイスは、以下の特許文献で説明されている。即ち、それらの特許文献は、Bloom他に対する米国特許第5,311,360号、Bloom他に対する米国特許第5,841,579号、及びBornstein他に対する米国特許第5,661,592号であり、参照により本明細書にそっくりそのまま組み込まれる。
一実施形態において、マイクロデバイスは、金属電極の上に犠牲層を堆積し、犠牲層の上に可動構造体を形成し、次いで希ガスのフッ化物でもって犠牲層をエッチングすることにより形成される。金属電極は、犠牲層のエッチングにおいてエッチストップとしても働く金属材料からなるので、電荷は、認められるほどに金属電極に蓄積しない。これは、可動構造体の駆動特性の安定化に役立つ。一実施形態において、可動構造体は、光変調器のリボンである。
本発明の開示において、本発明の実施形態の完全な理解を提供するために、プロセスのパラメータ、材料、プロセス工程、及び構造の例のような多くの特定の細部が提供される。しかしながら、当業者には理解されるように、本発明は、1つ又は複数の特定の細部を有さずに実施され得る。また、よく知られた細部は、本発明の態様を不明瞭にしないように図示または説明されない。
Claims (20)
- マイクロデバイスを形成する方法であって、その方法が、
第1の金属電極の上に犠牲層を堆積し、
前記犠牲層の上に可動構造体を形成し、及び
前記第1の金属電極と前記可動構造体との間にエアーギャップを形成するように、前記可動構造体と前記第1の金属電極との間の前記犠牲層を希ガスのフッ化物でエッチングすることを含む、方法。 - 前記第1の金属電極が窒化チタンからなる、請求項1の方法。
- 前記犠牲層が約500℃より高い温度で堆積される、請求項1の方法。
- 前記犠牲層がアモルファスシリコンからなる、請求項1の方法。
- 希ガスのフッ化物が二フッ化キセノンからなる、請求項1の方法。
- 前記犠牲層の上に可動構造体を形成することが、
前記犠牲層の上にリボン材料を堆積し、及び
前記リボン材料の上に金属を堆積することを含む、請求項1の方法。 - 前記リボン材料が窒化ケイ素からなる、請求項6の方法。
- 前記金属がアルミニウムからなる、請求項6の方法。
- 前記第1の金属電極が、少なくとも約900℃まで安定している材料からなる、請求項1の方法。
- 基板の上にチタンを堆積し、アンモニアを含む環境に前記チタンをさらすことにより、前記第1の金属電極を形成することを更に含む、請求項1の方法。
- マイクロデバイス構造体であって、
第1の金属電極の上のシリコン層であって、前記第1の金属電極が、前記シリコン層の後続の等方性エッチングにおいてエッチストップとして働く、シリコン層と、及び
前記シリコン層の上の弾性構造体とを含む、マイクロデバイス構造体。 - 前記弾性構造体が、光変調器のリボンの要素である、請求項11のマイクロデバイス構造体。
- 前記第1の金属電極が窒化チタンからなる、請求項11のマイクロデバイス構造体。
- 前記弾性構造体の上に第2の金属電極を更に含む、請求項11のマイクロデバイス構造体。
- 前記弾性構造体が窒化ケイ素からなる、請求項11のマイクロデバイス構造体。
- 前記第2の金属電極がアルミニウムからなる、請求項14のマイクロデバイス構造体。
- 前記第1の金属電極の下に酸化物層を更に含む、請求項14のマイクロデバイス構造体。
- マイクロデバイスを形成する方法であって、その方法が、
第1の金属電極の上に犠牲層を堆積するステップと、及び
前記第1の金属電極と可動構造体との間にエアーギャップを形成するように、希ガスのフッ化物で前記犠牲層を等方性エッチングするステップとを含む、方法。 - 前記犠牲層を堆積するステップが、前記第1の金属電極の上にアモルファスシリコン層を堆積することを含む、請求項18の方法。
- 前記可動構造体が、
前記犠牲層の上の弾性構造体と、及び
前記弾性構造体の上にある第2の金属電極とを含む、請求項18の方法。
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