JP2005523557A - 連鎖式メモリー構造における冗長 - Google Patents
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Abstract
Description
強誘電性金属酸化物セラミック材料(ジルコン酸チタン酸鉛(lead zirconate titanate; PZT)など)は、強誘電性半導体メモリー装置に使用するために研究されているものである。例えばストロンチウムビスマスタンタル(strontium bismuth tantalum; SBT)のような他の強誘電物質も、同様に使用可能である。強誘電物質は、情報を記憶する強誘電性コンデンサを形成するために、2つの電極間に配される。強誘電性コンデンサは、強誘電物質に特有のヒステリシス分極によって、情報を記憶する。メモリーセルに記憶される論理値は、強誘電性コンデンサの分極方向によって決まる。コンデンサの分極方向を変えるには、その電極全体に、動作過電圧(強制的電圧)を上回る電圧を印加する必要がある。コンデンサの分極は、印加電圧の極性に依存している。強誘電性コンデンサの利点は、電力を切った後も分極状態を保持する点であり、すなわち、不揮発性メモリーセルとなる点である。
『Takashima et al「High Density Chain ferroelectric random access Memory (chain FRAM; 高密度連鎖式強誘電ランダムアクセスメモリー)」;IEEE Jrnl. of Solid State Circuits, Vol. 33, pp.787-792 May 1998』
に記載されている(なお、本願では、この文献の内容を全般的に引用している)。なお、メモリーセルへのアクセスを容易にするため、図示しないセンスアンプ(sense amplifier)がビット線と連結されている。
本発明は、連鎖式メモリー構造における、改善された冗長機構に関するものである。一実施形態では、メモリー鎖に、x個の第1メモリーセルと、m個の第2メモリーセルとが含まれている。ただし、xは2以上である。また、mは1以上である。第1メモリセルは、情報を記憶するために使用され、第2メモリセルは、欠陥のある第1メモリセルを修復するために使用される。通常のメモリーセルを有するメモリー鎖の一部として冗長セルを集積することで、メモリー鎖における欠陥セルを修復する際、従来のメモリー鎖構造において必要な「欠陥セルの位置するメモリーブロック全体の置き換え」は、不要となる。
図1は、従来の連鎖式構造に配置されているメモリーセル列を示す図である。図2は、本発明の一実施形態にかかるメモリーセル列を示す図である。
図2は、本発明の一実施形態に基づいて、冗長を有するICの部分201を示す。列をなす(represents a column)一対のビット線(BLおよび/BL)が示されている。メモリーブロックまたはメモリーアレイを形成するため、ワード線によって、複数の列が相互接続されている。センスアンプ295が、ビット線の一方の端部と連結されている。ビット線は、メモリー鎖(210aまたは210b)をそれぞれ備えている。鎖の各メモリーセル240は、コンデンサ244と並列接続されているトランジスタ242を備えている。また、鎖の各メモリーセル240は、直列接続されている。メモリー鎖は、x個のセル226を備えている。ただし、xは整数である。実用的な理由から、xは、少なくとも2である。この図の実施例では、鎖に8個のメモリーセルが備えられているが、異なるサイズとしてもよい。メモリー鎖は、2y個のメモリーセルを備えていることが好ましい。ただし、yは1以上である。セルトランジスタのゲートは、ワード線と連結されたりワード線として機能したりする、ゲート導体となる。メモリーセルは、ワード線WL0−WLx―1によってアドレス(address)される。
Claims (20)
- 記憶メモリーセルとして機能するx個(xは2以上)の第1メモリーセルと、
冗長メモリーセルとして機能するm個(mは1以上)の第2メモリーセルとを備え、
この第2メモリーセルが、欠陥のある第1メモリーセルを修復するために使用され、
第1および第2メモリーセルが鎖状に連結されている、集積回路。 - 上記メモリーセルが強誘電性メモリーセルである、請求項1に記載の集積回路。
- xが2tであり、tが1以上である、請求項2に記載の集積回路。
- xが2tであり、tが1以上である、請求項1に記載の集積回路。
- 上記鎖の第1端部がビット線と連結されており、第2端部がプレート線と連結されている、請求項1に記載の集積回路。
- 上記鎖の第1端部が、選択トランジスタを介してビット線と接続されている、請求項5に記載の集積回路。
- 第2選択トランジスタを介して第2ビット線と連結されている第1端部と、第2プレート線と連結されている第2端部とを有する第2メモリー鎖と、
第1および第2選択トランジスタを制御する第1および第2制御信号とを含み、
上記第2メモリー鎖が、x個の第1メモリーセルと、m個の第2メモリーセルとを備えており、
上記ビット線および第2ビット線が、ビット線対を形成している、請求項6に記載の集積回路。 - メモリーブロックを形成するための、複数のビット線対を備えている、請求項7に記載の集積回路。
- 第3選択トランジスタを介してビット線と連結されている第1端部と、プレート線と連結されている第2端部とを有する第3メモリー鎖と、
第4選択トランジスタを介して第2ビット線と連結されている第1端部と、第2プレート線と連結されている第2端部とを有する第4メモリー鎖とをさらに備え、
上記第3および第4メモリー鎖が、それぞれ、y個(yは1以上)のメモリーセルと、n個(nは1以上)の第2メモリーセルとを備えている、請求項7に記載の集積回路。 - メモリーブロックを形成するための、複数のビット線対を備えている、請求項9に記載の集積回路。
- 上記第3および第4選択トランジスタを制御するための第3および第4制御信号を含んでいる、請求項9に記載の集積回路。
- メモリーブロックを形成するための、複数のビット線対を備えている、請求項11に記載の集積回路。
- n=mであり、y=xである、請求項9に記載の集積回路。
- 上記第3および第4選択トランジスタを制御するための第3および第4制御信号を含んでいる、請求項13に記載の集積回路。
- メモリーブロックを形成するための、複数のビット線対を備えている、請求項14に記載の集積回路。
- 第2ビット線と連結されている第1端部と、第2プレート線と連結されている第2端部とを有する第2メモリー鎖を備え、
上記第2メモリー鎖が、x個の第1メモリーセルと、m個の第2メモリーセルとを備えており、
上記ビット線および第2ビット線が、ビット線対を形成している、請求項5に記載の集積回路。 - メモリーブロックを形成するための、複数のビット線対を備えている、請求項16に記載の集積回路。
- ビット線と連結されている第1端部と、プレート線と連結されている第2端部とを有する第3メモリー鎖と、
第2ビット線と連結されている第1端部と、第2プレート線と連結されている第2端部とを有する第4メモリー鎖とを備え、
第3および第4メモリー鎖が、それぞれ、y個(yは1以上)の第1メモリーセルと、n個(nは1以上)の第2メモリーセルとを備えている、請求項16に記載の集積回路。 - m=nであり、y=xである、請求項18に記載の集積回路。
- メモリーブロックを形成するための、複数のビット線対を備えている、請求項19に記載の集積回路。
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Cited By (2)
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