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  1. 1つまたはそれ以上のシリコーンオイル残留物を含む高分子基材の表面の改変方法であって、
    i)シリコーンオイル残留物の少なくとも一部を抽出する工程と、
    ii)前記基材に、火炎処理、コロナ処理、プラズマ処理、液体化学薬品による処理、付着処理およびそれらの組み合わせのうちから選択されるの表面処理を行う工程とを含む、方法。
  2. 抽出工程i)の間に、約3000までの分子量を有するシリコーンオイル残留物の少なくとも一部が抽出される請求項1に記載の方法。
  3. 抽出工程i)の間に、1気圧(atm)、100℃において1マイクロバール(μbar以上の蒸気圧を有するシリコーンオイル残留物の少なくとも一部が抽出される請求項1および2のいずれか1項に記載の方法。
  4. 工程i)の間に除去されるシリコーンオイル残留物の量は、少なくとも基材の0.1重量%である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 工程i)は、真空処理、熱処理、並びに気体および超臨界状態のいずれかの状態にある溶媒を用いた抽出のうちの少なくともいずれかを含む、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 工程i)は、基材の真空処理を含み、前記真空処理は、10ミリバール(mbar)以下の一定圧力に達するまで真空反応器中で実施される請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 工程i)は、基材の熱処理を含み、前記熱処理は、100℃を超える温度において、少なくとも0.3時間にわたって実施される請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。
  8. 工程(i)は、界面活性剤を含有する水、マイクロエマルション、及び有機溶媒のうち
    から選ばれる溶媒を用いた残留物の抽出を含む請求項1乃至7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 工程(i)は、1つ以上のガスを用いた残留物の抽出を含み、該1つ以上のガスは、CO 、およびCO と、パラフィンおよび酸素化物のうちから選ばれる1つ以上のガスとの混合物のうちから選ばれ、「ガス」という用語は、抽出の間の状態を示す請求項1乃至8のいずれか1項に記載の方法。
  10. 工程(i)は、抽出工程の少なくとも一部の間に、超臨界状態にある1つまたはそれ以上の超臨界溶媒を用いて残留物を抽出することを含み、前記超臨界溶媒は、C 〜C 12 炭化水素のうちから選択される1つまたはそれ以上の化合物を含む、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の方法。
  11. 基材表面は、処理工程ii)に先だって中間プライマー付着工程に供され、前記中間処理工程は、材料の付着を含み、前記付着は、付着材料が基材の表面上に析出することを含む、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法。
  12. 基材表面は、基材から残留物を抽出するのと同時または抽出に続いて、中間プライマー付着工程に供される請求項11に記載の方法。
  13. 中間プライマー付着工程は、分散または溶解された付着材料を保持する溶媒を用いることによって実施される、請求項11および12のいずれか1項に記載の方法。
  14. 中間プライマー付着工程は、高いガス圧力下で、分散または溶解された付着材料の調製および塗布を行い、圧力を徐々に低下させることにより、基材の表面上および基材内に材料の析出をもたらし、該析出は、溶媒を徐々に蒸発させて前記付着材料の付着を生じることによってもたらされる、請求項11乃至13のいずれか1項に記載の方法。
  15. 工程(ii)において基材は、火炎処理、コロナ処理、プラズマ(CVD/PVD)処理のうちから選択される処理の1つまたはそれ以上を用いて、およびシラン処理など液相での化学物質を用いることによって、およびエポキシ樹脂などの溶剤系プライマーを伴う処理を用いることによって、処理される請求項1乃至13のいずれか1項に記載の方法。
  16. 工程(ii)における表面処理は、基材の表面上への材料の付着を含む請求項1乃至15のいずれか1項に記載の方法。
  17. 処理工程ii)において、または追加の処理工程において、基材に対して、1つ以上の塗料層、導電性ポリマー層、および生化学的目的のためのコーティングのうちから選ばれるコーティングプロセスを行う請求項1乃至16のいずれか1項に記載の方法。
  18. 基材は、添加剤を有するか、または有さないシリコーンゴム(プレス成形および射出成形および押出されたRTV、HTV)から選ばれる材料を含む請求項1乃至17のいずれか1項に記載の方法。
  19. 工程i)は、熱抽出処理を含み、前記熱抽出処理は、100℃を超える温度において、少なくとも0.3時間にわたって実施され、プラズマ処理の形態である表面処理が、熱抽出処理の終了後、24時間以内に実施される、請求項1に記載の方法。
  20. 工程i)は、熱抽出処理を含み、前記熱抽出処理は、100℃を超える温度において、少なくとも0.3時間にわたって実施され、前記表面処理はプラズマ処理であり、工程i
    )と工程ii)との間、処理された基材は除湿下で保存される、請求項1に記載の方法。
  21. 請求項1乃至20のいずれか1項に記載の、1つまたはそれ以上のシリコーンオイル残留物を含む高分子基材の表面改変方法であって、
    0)射出成形、押出またはプレスによって基材を成形する工程と、
    i)シリコーンオイル残留物の少なくとも一部を抽出する工程と、
    ii)基材に対して表面処理を行う工程とを含み、
    成形された基材からのシリコーンオイル残留物の除去と、表面処理とが、組み合わされた1つのプロセスにおいて実施される方法。
  22. 抽出された基材は、表面処理に先立って、液体残留物を除去するために真空または熱に供され、真空プロセスは約100〜1マイクロバール(μbar)の圧力で行われ、熱処理は110〜200℃の間で0.3〜2時間行われる請求項1乃至21のいずれか1項に記載の方法。
  23. シリコーン材料を成形してスイッチキャップを形成する工程と、
    シリコーンオイル残留物の少なくとも一部を抽出する工程と、
    前記表面をコロナまたはプラズマによって処理する工程と、
    処理された表面を塗料で被覆する工程とを有する請求項1乃至22のいずれか1項に記載の方法。
  24. 射出成形を用いて、シリコーン材料を成形してスイッチキャップを形成する工程と、
    シリコーンオイル残留物の少なくとも一部を真空処理において抽出する工程と、
    前記表面をプラズマによって処理する工程とを有する請求項20乃至22のいずれか1項に記載の方法。
  25. 射出成形を用いて、LSRシリコーン材料を成形してスイッチキャップを形成する工程と、
    シリコーンオイル残留物の少なくとも一部を真空処理において抽出する工程と、
    前記表面をプラズマによって処理する工程とを有し、
    前記抽出工程が、10マイクロバール(μbar)以下の一定圧力に達するまで真空反応器内で処理することを含み、前記表面処理工程は同一の前記反応器内で実施される請求項24に記載の方法。
  26. 射出成形を用いて、シリコーン材料を成形してスイッチキャップを形成する工程と、
    少なくとも基材の0.1重量%のシリコーンオイル残留物を熱処理において抽出する工程と、
    前記表面をプラズマによって処理する工程とを有する請求項21乃至23のいずれか1項に記載の方法。
  27. 射出成形を用いて、シリコーン材料を成形してスイッチキャップを形成する工程と、
    少なくとも基材の0.5重量%のシリコーンオイル残留物を熱処理において抽出する工程と、
    前記表面をプラズマによって処理する工程とを有する請求項21乃至23のいずれか1項に記載の方法。
  28. 射出成形を用いて、シリコーン材料を成形してスイッチキャップを形成する工程と、
    少なくとも基材の1.0重量%のシリコーンオイル残留物を熱処理において抽出する工程と、
    前記表面をプラズマによって処理する工程とを有する請求項21乃至23のいずれか1
    項に記載の方法。
  29. 射出成形を用いて、シリコーン材料を成形してスイッチキャップを形成する工程と、
    少なくとも基材の2.0重量%のシリコーンオイル残留物を熱処理において抽出する工程と、
    前記表面をプラズマによって処理する工程とを有する請求項21乃至23のいずれか1項に記載の方法。
  30. 前記表面処理工程は前記抽出工程の終了後24時間以内に実施される請求項23乃至29のいずれか1項に記載の方法。
  31. 前記抽出工程は水の形態にある液体残留物の除去を含む請求項23乃至26のいずれか1項に記載の方法。
  32. 前記表面処理工程は基材表面上へ材料を付着させることを含む22乃至31のいずれか1項に記載の方法。
  33. 1つまたはそれ以上のシリコーンオイル残留物を含む高分子基材に物質を組み込む方法であって、
    i)シリコーンオイル残留物の少なくとも一部を抽出する工程と、
    ii)前記基材に付着処理を行う工程とを含む方法。
  34. 付着工程は、付着材料を基材の上および中に析出させることを含む請求項33に記載の方法。
  35. 基材は、基材から残留物を抽出するのと同時に、あるいは抽出後に、付着工程に供される請求項34に記載の方法。
  36. 付着工程は、分散または溶解された付着材料を保持する溶媒を用いて実施され、前記分散または溶解された付着材料を保持する溶媒は、表面に塗布されて、溶媒を徐々に蒸発させることで、基材の表面および基材内へ前記付着材料の付着をもたらす、請求項33乃至35のいずれか1項に記載の方法。
  37. 付着工程は、高いガス圧力下で、圧力を徐々に低下させることにより、基材の表面上および基材内に材料の析出をもたらし、該析出は、溶媒を徐々に蒸発させて前記付着材料の付着を生じることによってもたらされる請求項33乃至36のいずれか1項に記載の方法。
  38. 工程(i)は、CO 、およびCO と、パラフィンおよび酸素化物から選ばれる1つ以上のガスとの混合物のうちから選ばれる1つ以上のガスを用いた残留物の抽出を含み、「ガス」という用語は、抽出の間の状態を示す請求項33乃至37のいずれか1項に記載の方法。
  39. 工程(i)は、抽出工程の少なくとも一部の間に、超臨界状態にある1つまたはそれ以上の超臨界溶媒を用いて残留物を抽出することを含み、前記超臨界溶媒は、C 〜C 12 炭化水素から選択される1つまたはそれ以上の化合物を含む、請求項33乃至38のいずれか1項に記載の方法。
  40. 分子量が約70〜約3000の範囲を有する低分子量化合物からなる1つ以上の液体残留物を含む加硫ゴム材料に、物質を組み込む方法であって、
    i)液体残留物の少なくとも一部を抽出する工程と、
    ii)前記加硫ゴム材料に対して付着処理を行う工程とを含む、方法。
  41. 付着工程は、高いガス圧力下で行われ、圧力を徐々に低下させることにより、基材の表面上および基材内に材料の析出をもたらす、請求項40に記載の方法。
  42. 工程(i)は、CO 、およびCO と、パラフィンおよび酸素化物から選ばれる1つ以上のガスとの混合物のうちから選ばれる1つ以上のガスを用いた残留物の抽出を含み、「ガス」という用語は、抽出の間の状態を示す請求項40乃至41のいずれか1項に記載の方法。
  43. 工程(i)は、抽出工程の少なくとも一部の間に、超臨界状態にある1つまたはそれ以上の超臨界溶媒を用いて残留物を抽出することを含み、前記超臨界溶媒は、C 〜C 12 炭化水素から選択される1つまたはそれ以上の化合物を含む、請求項40乃至42のいずれか1項に記載の方法。
  44. 請求項1乃至43のいずれか1項の方法を用いて得られるゴム製品。
  45. 前記製品がシリコーンゴムスイッチキャップである、請求項44に記載のゴム製品。
  46. 処理された表面が塗料で被覆されており、前記表面に対する塗料の接着性が、シリコーンオイル残留物の抽出を行わなかった場合に得られる接着性よりも高い、請求項45に記載のゴム製品。
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