CN106811721B - 一种电脑纳米防水膜的制备方法 - Google Patents

一种电脑纳米防水膜的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电脑设备防水镀膜技术领域，具体涉及一种电脑纳米防水膜的制备方法，包括以下步骤：1）对待镀膜电脑面板进行镀膜前清洗，然后烘干；2）将待镀膜电脑面板放入真空镀膜室，加热并抽真空；3）将镀膜原材料放入蒸发室，继续抽真空，镀膜原材料加热升华，所述镀膜原材料为聚对二甲苯类型粉体，包括有N粉、C粉和D粉，所述N粉、C粉和D粉的重量比为1.5‑2：3‑4：1‑2；4）连通蒸发室与裂解室，镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体；5）活性单体进入真空镀膜室，最后沉积在电脑待镀膜表面，得到防水膜层，得到的防水膜层其具有防水效果好、镀膜成本低、透气性好的特点。

Description

一种电脑纳米防水膜的制备方法
技术领域
本发明涉及电脑设备防水镀膜技术领域，具体涉及一种电脑纳米防水膜的制备方法。
背景技术
电脑也叫计算机，是一种用于高速计算的电子计算机器，可以进行数值计算，又可以进行逻辑计算，还具有存储记忆功能。是能够按照程序运行，自动、高速处理海量数据的现代化智能电子设备，其现在已经成为整个社会运行的重要工具。
电脑设备包括有电源、主板、CPU、内存条等等硬件，对于电脑运行都具有重要的作用。而这些电子产品都不能与水接触，不然容易造成短路或者腐蚀损坏。尤其是目前的电脑已经发展为笔记本、IPAD、掌上电脑等体积更加小的新型产品，其能够被人们随身携带，也能随时使用，无论是就餐还是任何情况下，人们在需要的时候都能够随时使用。因此也增加了电脑设备进水的可能性，对于电脑设备的防水性能要求越来越高。
现有的电脑设备防水有以下三种：
一是密封胶，它利用的主要原料是橡胶，它有一定的力学性能，能起到防溅水的效果，但是橡胶压缩变形，且不透气、耐温、耐腐。目前改善的方法是加入填充剂、补强剂，降低含胶率，减少胶料的弹性变形。但是透气、耐酸碱等还没得到理想解决。
二是塑料密封圈，主要原料是聚乙烯、聚四氟乙烯，它具有更致密的结构及结构强度，壁厚可以控制比较薄。但是塑料密封圈透气效果不好，电脑工作会长期发热，发热性能要求很高，因此应用受阻。
三是防水透气膜，它的主要原料是憎水性材料膨体聚四氟乙烯EPTFE，具有承压、透气和无损传声为一体的高性能防水材料，但是EPTFE材料昂贵，且氟元素是有毒性的，导致市场无法推广。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种电脑纳米防水膜的制备方法，其得到的纳米防水膜具有防水效果好、镀膜成本低、透气性好的特点，纳米防水膜无毒性，有利于市场推广应用。
本发明的目的通过下述技术方案实现：
一种电脑纳米防水膜的制备方法，包括以下步骤：
1）对待镀膜电脑面板进行镀膜前清洗，然后烘干。
2）将待镀膜电脑面板放入真空镀膜室，加热并抽真空。
3）将镀膜原材料放入蒸发室，继续抽真空，镀膜原材料加热升华，所述镀膜原材料为聚对二甲苯类型粉体，包括有N粉、C粉和D粉，所述N粉、C粉和D粉的重量比为1.5-2：3-4：1-2。
4）连通蒸发室与裂解室，镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体。
5）活性单体进入真空镀膜室，最后沉积在电脑待镀膜表面，得到防水膜层。
本发明采用的是化学气相沉积法，单体沉积在基体表面吸附、沉积、聚合、最后形成纯净、厚度均匀并能保持物体外形的防水膜，因此最好确保基体表面的洁净度，减低灰尘、油污等杂质的影响，提高防水膜的效果。
清洗之后的电脑设备需要烘干，除去残余水分，提高防水膜的致密效果。
本发明所使用的镀膜设备包括有依次连接的蒸发室、裂解室和真空镀膜室，还包括有裂解阀、加热管、冷泵和抽真空装置，抽真空装置包括有维持泵和罗茨泵。
其中，所述步骤1）中的清洗使用清洗剂由无水乙醇和NY-120号汽油按照体积比8:3混合组成。
一般电脑待镀膜面板上都会残留有灰尘或油渍等细微的颗粒杂质，这些杂质会影响防水膜的防水性能和持久性，因此需要利用清洗剂进行清洗，本发明采用体积比为8:3的无水乙醇和NY-120号汽油混合作为清洗剂，对电脑待镀膜面板进行擦拭清洗处理，能有效去除油渍和灰尘杂质，该清洗剂的挥发性好，无残留，对电脑待镀面板的元器件不会产生损伤。
其中，所述步骤1）中的烘干温度为35-40℃，烘干时间为20-25min。
烘干温度过高，会破坏电脑设备内的某些不耐温的元器件，温度过低，则烘干不彻底，烘干速度慢。烘干时间过低会提高镀膜成本，烘干时间过短，则烘干不彻底，清洗剂容易残留，本发明的烘干温度和烘干时间能够有效提高烘干速度，提高烘干的效果，无残留杂质。
其中，所述镀膜原材料中的N粉、C粉和D粉的重量比为1.5：3：2。
聚对二甲苯（Poly-p-xylene），商品名帕里纶（Parylene），是通过化学气相沉积法制备的具有聚二甲撑苯撑结构的聚合物薄膜的统称，它有极其优良的电性能、耐热性、耐候性和化学稳定性，主要有 Parylene N（聚对二甲苯）、Parylene C（聚一氯对二甲苯）和Parylene D（聚二氯对二甲苯）三种，本发明简称N粉、C粉和D粉，本发明采用的镀膜原料粉体的颗粒粒径为50-80nm，得到的防水膜致密性好。
N粉（聚对二甲苯）的渗透能力强，能有效的在各种隙缝或针孔表面形成薄膜，介电常数低，摩擦系数极低，润滑效果优异。
C粉（聚一氯对二甲苯）具有优良的介电性能和物理机械性能，具有极低的水分子和腐蚀性气体的穿透率，沉积速率比N粉快，相应的渗透能力低于N粉。
D粉（聚二氯对二甲苯）在更高温度下具有更好的物力及电性能，同时具有更好的热稳定性，其沉积与聚合速度非常快。
本发明镀膜的工作原理是在真空环境下固体对二甲苯环二体加热升华为气态环二体，气态环二体高温下裂解为活动单体，活性单体进入真空镀膜室中，在基体表面吸附、沉积、聚合，形成纯净、厚度均匀并能保持物体外形的保护膜。可以应用于任何形状的表面涂装，包括尖锐的棱角、隙缝内部与极细微的真空中，在产品的任何部位均可以沉积出膜厚均匀、且不产生死角的致密性薄膜。
本发明采用N粉、C粉和D粉的混合比例为（重量比）1.5：3：2复配的方式对电脑镀防水膜，膜的致密性好，防水效果好，透气性好，热稳定性能强，防水等级可达到国际最高标准：IPX8。
其中，所述步骤3）中的升华温度为125℃-130℃，蒸发室压力为25-30Pa。
镀膜的核心反应是固态的对甲苯环二体加热升华成气态的对甲苯环二体，再发生裂解，2个亚甲基-亚甲基键断裂，生成带自由基的活泼单体，单体首尾相连，相互耦合，形成带有自由基的中间体，中间体再聚合长大，形成高聚物分子。升华的温度越高，镀膜原料气化越快，真空镀膜室内单体分子浓度越高，沉积聚合越快，但升华温度越高，活性单体分子动能越高，相对于较低动能的分子，这些高能量分子有很大比例扩散至冷阱中，而不沉积在温度较高的基体上，造成原料利用率低。如果升华的速率过高，超过裂解速度，部分环二体气态分子来不及裂解就进入沉降室，直接沉积在基体表面，容易形成聚合度较低、性能差的多孔状聚合物。
单体分子的沉积速率会随着压力的增加而提高，但压力过高，则沉积过快，分子成长不够快，会出现雾状薄膜，致密性不足，因此蒸发的温度和压力需要有个很好的平衡，才能得到致密性好，原料使用率高的防水膜。
其中，所述步骤4）中的裂解温度为655-660℃，裂解压力为9-11Pa。
如前面所述，如果裂解的速率跟不上升华的速率，则得到的防水膜致密性差，防水效果不好，本发明的裂解温度和压力与上述的蒸发温度和压力相互配合，相互影响，得到本发明的电脑防水膜的防水效果优异，并且原料的利用率高。
其中，所述步骤5）中的镀膜的基体温度为28℃-32℃，镀膜压力为6-6.5Pa。
通过研究发现，防水膜的生长速率随着基体温度的降低而快速升高，压力对薄膜的生长速度也有较大的影响，因此本发明的电脑表面温度选择在28℃-32℃，镀膜压力为6-6.5Pa，更加有利于防水膜的沉积形成，降低原料的使用量，降低镀膜成本。
其中，所述防水膜层的厚度为8-10μm。防水膜过薄，则防水的效果不佳，但防水膜过厚，则不但浪费原料，并且会造成膜的表面粗糙度增加，反而会降低防水膜的防水性能。
其中，所述步骤2）中当蒸发室的温度达到120℃打开冷泵。冷泵指的是低温泵，它是通过冷凝表面气体来抽气的，是一种真空获得设备，是为了获得干净的真空环境，本发明采用冷泵的效果好，真空环境得到有效地调控，提高镀膜的效率和效果。
其中，所述步骤3）中放镀膜原材料前冷泵的温度需达到-30℃以下。通过控制冷泵的温度能有效控制放镀膜原材料时的真空度环境，该方法对整体工艺的控制效果好。
本发明的有益效果在于：本发明利用纳米级别的镀膜原材料对电脑进行镀膜处理，得到的防水膜具有以下优点：
1、真空气密性好，涂膜完全包覆，没有死角；
2、电脑防水效果好，可达到国际最高标准：IPX8；
3、耐老化、耐酸碱、无毒、绝缘、低摩擦系数；
4、适合各类内部结构复杂的电脑产品，室温下镀膜，对基材无损伤；
5、利用固体高分子镀膜，无有机废气排放，绿色环保。
6、原料利用率高，镀膜成本低，推广应用容易。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。
实施例1
一种电脑纳米防水膜的制备方法，包括以下步骤：
1）对待镀膜电脑面板进行镀膜前清洗，然后烘干；清洗使用清洗剂由无水乙醇和NY-120号汽油按照体积比8:3混合组成；烘干温度为35℃，烘干时间为20min。
2）将待镀膜电脑面板放入真空镀膜室，加热并抽真空；当蒸发室的温度达到120℃打开冷泵。
3）将镀膜原材料放入蒸发室，继续抽真空，放镀膜原材料前冷泵的温度需达到-30℃以下。镀膜原材料加热升华，所述镀膜原材料为聚对二甲苯类型粉体，包括有N粉、C粉和D粉，所述N粉、C粉和D粉的重量比为1.5：3：1；升华温度为125℃，蒸发室压力为25Pa。
4）连通蒸发室与裂解室，镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体；裂解温度为655℃，裂解压力为9Pa。
5）活性单体进入真空镀膜室，镀膜的基体温度为28℃，镀膜压力为6Pa，最后沉积在电脑待镀膜表面，得到防水膜层；所述防水膜层的厚度为8μm。
实施例2
一种电脑纳米防水膜的制备方法，包括以下步骤：
1）对待镀膜电脑面板进行镀膜前清洗，然后烘干；清洗使用清洗剂由无水乙醇和NY-120号汽油按照体积比8:3混合组成；烘干温度为40℃，烘干时间为25min。
2）将待镀膜电脑面板放入真空镀膜室，加热并抽真空；当蒸发室的温度达到120℃打开冷泵。
3）将镀膜原材料放入蒸发室，继续抽真空，放镀膜原材料前冷泵的温度需达到-30℃以下。镀膜原材料加热升华，所述镀膜原材料为聚对二甲苯类型粉体，包括有N粉、C粉和D粉，所述镀膜原材料中的N粉、C粉和D粉的重量比为1.5：3：2；升华温度为130℃，蒸发室压力为30Pa。
4）连通蒸发室与裂解室，镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体；裂解温度为660℃，裂解压力为1Pa。
5）活性单体进入真空镀膜室，镀膜的基体温度为32℃，镀膜压力为6.5Pa，最后沉积在电脑待镀膜表面，得到防水膜层；所述防水膜层的厚度为10μm。
实施例3
一种电脑纳米防水膜的制备方法，包括以下步骤：
1）对待镀膜电脑面板进行镀膜前清洗，然后烘干；清洗使用清洗剂由无水乙醇和NY-120号汽油按照体积比8:3混合组成；烘干温度为37℃，烘干时间为22min。
2）将待镀膜电脑面板放入真空镀膜室，加热并抽真空；当蒸发室的温度达到120℃打开冷泵。
3）将镀膜原材料放入蒸发室，继续抽真空，放镀膜原材料前冷泵的温度需达到-30℃以下。镀膜原材料加热升华，所述镀膜原材料为聚对二甲苯类型粉体，包括有N粉、C粉和D粉，所述N粉、C粉和D粉的重量比为2：3： 2；升华温度为127℃，蒸发室压力为28Pa。
4）连通蒸发室与裂解室，镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体；裂解温度为667℃，裂解压力为10Pa。
5）活性单体进入真空镀膜室，镀膜的基体温度为30℃，镀膜压力为6.2Pa，最后沉积在电脑待镀膜表面，得到防水膜层；所述防水膜层的厚度为9μm。
实施例4
一种电脑纳米防水膜的制备方法，包括以下步骤：
1）对待镀膜电脑面板进行镀膜前清洗，然后烘干；清洗使用清洗剂由无水乙醇和NY-120号汽油按照体积比8:3混合组成；烘干温度为38℃，烘干时间为24min。
2）将待镀膜电脑面板放入真空镀膜室，加热并抽真空；当蒸发室的温度达到120℃打开冷泵。
3）将镀膜原材料放入蒸发室，继续抽真空，放镀膜原材料前冷泵的温度需达到-30℃以下。镀膜原材料加热升华，所述镀膜原材料为聚对二甲苯类型粉体，包括有N粉、C粉和D粉，所述N粉、C粉和D粉的重量比为1.5： 4：1；升华温度为128℃，蒸发室压力为28Pa。
4）连通蒸发室与裂解室，镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体；裂解温度为658℃，裂解压力为10Pa。
5）活性单体进入真空镀膜室，镀膜的基体温度为31℃，镀膜压力为6.4Pa，最后沉积在电脑待镀膜表面，得到防水膜层；所述防水膜层的厚度为9μm。
实施例5
一种电脑纳米防水膜的制备方法，包括以下步骤：
1）对待镀膜电脑面板进行镀膜前清洗，然后烘干；清洗使用清洗剂由无水乙醇和NY-120号汽油按照体积比8:3混合组成；烘干温度为35℃，烘干时间为25min。
2）将待镀膜电脑面板放入真空镀膜室，加热并抽真空；当蒸发室的温度达到120℃打开冷泵。
3）将镀膜原材料放入蒸发室，继续抽真空，放镀膜原材料前冷泵的温度需达到-30℃以下。镀膜原材料加热升华，所述镀膜原材料为聚对二甲苯类型粉体，包括有N粉、C粉和D粉，所述N粉、C粉和D粉的重量比为2：3：1；升华温度为125℃，蒸发室压力为30Pa。
4）连通蒸发室与裂解室，镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体；裂解温度为655℃，裂解压力为11Pa。
5）活性单体进入真空镀膜室，镀膜的基体温度为28℃，镀膜压力为6.5Pa，最后沉积在电脑待镀膜表面，得到防水膜层；所述防水膜层的厚度为8μm。
实施例6
一种电脑纳米防水膜的制备方法，包括以下步骤：
1）对待镀膜电脑面板进行镀膜前清洗，然后烘干；清洗使用清洗剂由无水乙醇和NY-120号汽油按照体积比8:3混合组成；烘干温度为40℃，烘干时间为20min。
2）将待镀膜电脑面板放入真空镀膜室，加热并抽真空；当蒸发室的温度达到120℃打开冷泵。
3）将镀膜原材料放入蒸发室，继续抽真空，放镀膜原材料前冷泵的温度需达到-30℃以下。镀膜原材料加热升华，所述镀膜原材料为聚对二甲苯类型粉体，包括有N粉、C粉和D粉，所述N粉、C粉和D粉的重量比为1.8：3.5：1.5；升华温度为130℃，蒸发室压力为25Pa。
4）连通蒸发室与裂解室，镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体；裂解温度为655℃，裂解压力为11Pa。
5）活性单体进入真空镀膜室，镀膜的基体温度为28℃，镀膜压力为6.5Pa，最后沉积在电脑待镀膜表面，得到防水膜层；所述防水膜层的厚度为8μm。
将实施例1-6所制得的防水膜进行以下性能测试：
1、防水测试，采用PX 防水等级标准测试。
2、热稳定性测试 将电脑镀膜产品置于加热装置下加温至120℃持续的时间，观察防水膜层是否会气泡。
3、中性酸雾测试 将电脑镀膜产品置于特定的试验箱内，将含有(5士0．5)%氯化钠、pH值为6.5～7.2的盐水通过喷雾装置进行喷雾，让盐雾沉降到电脑镀膜产品上，其表面发生腐蚀所经历的时间。试验箱的温度要求在(35±2)℃，湿度大于95%，降雾量为1～2mL/(h·cm2)，喷嘴压力为78.5～137.3kPa(0.8～1.4kgf/cm2)。
4、硫化钾腐蚀试验 将电脑镀膜产品浸泡于质量浓度为5%的硫化钾溶液中，观察防水膜表面被腐蚀时所经历的时间。
5、硫化钠腐蚀试验 将电脑镀膜产品浸泡于质量浓度为5%的硫化钾溶液中，观察防水膜表面被腐蚀时所经历的时间。
表1 实施例1-6所得到的电脑纳米防水膜的性能测试结果表
测试项目 实施例1 实施例2 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 实施例6
防水测试（IPX防水等级标准） 8 8 8 8 8 8 8
热稳定性测试（h） ＞100 ＞100 ＞100 ＞100 ＞100 ＞100 ＞100
中性酸雾测试（h） 40 38 42 40 43 40 40
硫化钾腐蚀试验（min） 34 35 37 42 43 40 39
硫化钠腐蚀试验（min） 80 86 78 85 86 85 84
从上述的性能测试中可以看出，本发明所得到的电脑纳米防水膜的防水性能好，热稳定性好，耐腐蚀效果好，综合性能优异。
上述实施例为本发明较佳的实现方案，除此之外，本发明还可以其它方式实现，在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种电脑纳米防水膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)对待镀膜电脑面板进行镀膜前清洗，然后烘干；
2)将待镀膜电脑面板放入真空镀膜室，加热并抽真空；
3)将镀膜原材料放入蒸发室，继续抽真空，镀膜原材料加热升华，所述镀膜原材料为聚对二甲苯类型粉体，聚对二甲苯类型粉体包括有N粉、C粉和D粉，所述N粉、C粉和D粉的重量比为1.5-2：3-4：1-2；
4)连通蒸发室与裂解室，镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体；
5)活性单体进入真空镀膜室，最后沉积在电脑待镀膜表面，得到防水膜层；
所述镀膜原材料的颗粒粒径为50-80nm；
所述步骤1)中的清洗使用清洗剂由无水乙醇和NY-120号汽油按照体积比8:3混合组成；
所述步骤5)中的镀膜的电脑面板温度为28℃-32℃，镀膜压力为6-6.5Pa；
所述步骤3)中放镀膜原材料前，抽真空用的冷泵的温度需达到-30℃以下。
2.根据权利要求1所述的一种电脑纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中的烘干温度为35-40℃，烘干时间为20-25min。
3.根据权利要求1所述的一种电脑纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述镀膜原材料中的N粉、C粉和D粉的重量比为1.5：3：2。
4.根据权利要求1所述的一种电脑纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中的升华温度为125℃-130℃，蒸发室压力为25-30Pa。
5.根据权利要求1所述的一种电脑纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述步骤4)中的裂解温度为655-660℃，裂解压力为9-11Pa。
6.根据权利要求1所述的一种电脑纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述防水膜层的厚度为8-10μm。
7.根据权利要求1所述的一种电脑纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中当蒸发室的温度达到120℃打开冷泵进行抽真空。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107964653A (zh) * 2018-01-15 2018-04-27 夏禹纳米科技（深圳）有限公司 一种化学气相沉积的加热控制装置及加热控制方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101603170B (zh) * 2009-07-21 2010-09-15 黄益新 一种在led芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法
CN103834918B (zh) * 2012-11-21 2016-08-03 东莞劲胜精密组件股份有限公司 纳米涂层整机防水制备方法
CN203569184U (zh) * 2013-09-30 2014-04-30 侯光辉 一种复合式聚对二甲苯防水膜沉积装置

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