DE06110438T1 - Verfahren zur Behandlung von Polymersubstanzen - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Modifizieren der Oberfläche eines Polymersubstrats in der Form einer Schalterabdeckung, welches Siliconkautschuk enthält und einen oder mehrere Siliconölrückstände enthält, wobei das Verfahren die folgenden Stufen umfaßt:
(i) Extrahieren mindestens eines Teils der Siliconölrückstände;
(ii) Plasmabehandlung des Substrats; und
(iii) Beschichten der behandelten Oberfläche mit einem Lack.

Claims (11)

  1. Verfahren zum Modifizieren der Oberfläche eines Polymersubstrats in der Form einer Schalterabdeckung, welches Siliconkautschuk enthält und einen oder mehrere Siliconölrückstände enthält, wobei das Verfahren die folgenden Stufen umfaßt: (i) Extrahieren mindestens eines Teils der Siliconölrückstände; (ii) Plasmabehandlung des Substrats; und (iii) Beschichten der behandelten Oberfläche mit einem Lack.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem Stufe (i) eine Vakuumbehandlung des Substrats umfaßt, wobei die Vakuumbehandlung vorzugsweise in einem Vakuumreaktor durchgeführt wird, bis ein konstanter Druck von 10 microbar (μbar) oder weniger erreicht ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem Stufe (i) eine Hitzebehandlung des Substrats umfaßt, wobei die Hitzebehandlung während mindestens 0,3 Stunden bei einer Temperatur von über 100 °C unter einem Luftstrom durchgeführt wird.
  4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem Stufe (i) eine Vakuumbehandlung des Substrats in Kombination mit eine Hitzebehandlung des Substrats umfaßt.
  5. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Plasmabehandlung innerhalb 24 Stunden nach Beendigung der Hitzebehandlungsextraktion durchgeführt wird.
  6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Menge der während der Stufe (i) entfernten Siliconölrückstände mindestens 0,1 Gew.-% des Substrats ist.
  7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem Stufe (i) das Entfernen von Wasser umfaßt.
  8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, welches die Stufe umfaßt, bei der das Substrat vor der Extraktionsstufe durch Spritzgießen, Extrudieren oder Pressen geformt wird.
  9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Substrat einem Beschichtungsverfahren unterworfen wird, welches eine oder mehrere Lackschichten umfaßt.
  10. Siliconkautschukschalterabdeckungsartikel, erhältlich unter Einsatz des Verfahrens nach einem der vorstehenden Ansprüche.
  11. Kautschukartikel nach Anspruch 10, wobei die behandelte Oberfläche mit einem Lack beschichtet ist, wobei das Haftvermögen des Lacks an die Oberfläche höher ist als das Haftvermögen sein würde, wenn die Extraktion von Siliconölrückständen nicht durchgeführt worden wäre.
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