JP2005503592A - モノリシック三次元構造 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は一般に、基板上のモノリシック三次元構造に関し、より具体的には、集積されたレーザ、および、導波路構造のための光学的カプラの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスの処理および製造に利用可能な技術の進展により、基板表面に適用(apply)される様々な感光性材料、および、製造される構造を規定する様々な写真平板処理(フォトリソグラフィックプロセス(photolithographic processes))を用いることで、ウェハ表面上に様々な形状を有する構造を形成することができるようになった。例えば、従来のフォトレジスト材料は、ちょうどフォトリソグラフィックマスクを使用するように、基板表面にスピンで引き伸ばして、それから特定の領域に露光し、フォトレジストの現像の後に、基板上にパターンが形成される。このような技術は、例えば、米国特許第5,132,983号、および、2001年8月1日出願の同時係属中の米国特許出願第09/918,544号に開示されているような様々なキャビティ構成を備えるリングレーザを含む、集積されたレーザおよび導波路製造に使用可能である。これらの開示は、参照により本明細書の内容に含まれる。これらの技術の発展および広範なレーザおよび導波路構造の製造可能性が発達することで、集積光学デバイスに見込まれる利用用途は拡大し、高い生産性と低いコストという魅力が付加される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
光学的カプラは従来、集積されたレーザおよび導波路デバイスを相互に光学的に接続することに用いられるのだが、これらのデバイスと光ファイバのような外部構成要素とを簡便かつ効率的に接続する技術には利用できない。様々なデザインの光学的カプラが開発されているが、これらのカプラを集積光学デバイス、および、光ファイバのような外部光学的構成要素、と位置合わせすることは非常に困難であって、その結果、歩留まりが悪く、これらデバイスを高価なものとしている。従い、光ファイバのような外部構成要素と接続可能な集積光学構成要素とそのカプラのコスト効率、歩留まりを高くするため、任意の3次元的パターンを有するモノリシックの光学的カプラが切望されている。
【課題を解決するための手段】
【0004】
発明の概要
本発明により、連続した層として製造することでモノリシック構造を形成する、一連の処理ステップによって基板表面上に任意形状3次元構造が製造される。これらの層は導電性高分子、レジスト材料、等、といったリソグラフィ的に定義可能な材料で形成されることが望ましい。簡単のため、以下の説明ではフォトレジスト材料で形成された層について述べるが、上記のような別の材料を使用することができると解されるべきである。よって、例えば、本発明の好適な形態により、フォトレジスト材料からなる第1層が基板表面にスピンで延ばされ、構造の相当する高さの最終構造形状に一致した、所望のパターンに露光される。層状のフィルムは現像せず、その代わりにフォトレジスト材料第2層が第1層の上端に堆積され、この層の高さに応じた、少なくとも第1パターンと部分的には鉛直方向に直線上に並んでいるパターンが露光される。次の層は、前の層の上端面にスピンで延ばされ、直線上にならんださらなるパターンが露光される。必要であれば、混合を防止するために、連続した層の間にバリア層を設けてもよい。構造を規定する、鉛直に直線上に並んだ連続した層が完成すれば、全ての層が同時に現像される。(ポジティブ・フォトレジストの場合、)露光されていない材料を残して露光を受けた材料が除去され、露光されたパターンと一致する段を備えた三次元構造が形成される。ネガティブ・フォトレジスト材料の場合、露光を受けた材料が構造を形成する。
【0005】
先述の処理では、ポジティブかまたは、ネガティブの、フォトレジスト材料のいずれかを利用するが、処理変形例においては、三次元構造を、ポジティブな感光性材料とネガティブな感光性材料を用いて製造可能である。フォトレジスト材料への露光は好ましくは、広範な形状および構成が可能となるフォトリソグラフィによってなされる。しかし、本明細書に開示の層状化技術と同一の層状化技術を用い、電子線(e-beam)、X線、または、その他の照射形態を用いて、対応するレジスト、または、別種のリソグラフィによって規定できる層に露光を加えてもよい。
【0006】
本発明の製造技術は、複数層構造を必要とする集積回路システム等における、光学的カプラ、グレーティング、および光学システムと共に用いる他の任意形状複数層デバイスの生産に用いてよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
前記ならびに追記される、本発明の目的、特徴、および、優位性、は、以下に記載する本発明の好適な実施形態と添付の図面により当業者にとっては明白である。
【0008】
好適な実施形態の説明
次に本発明のさらに詳細な説明を加える。図1(a)ないし図1(f)は、本発明によるモノリシック構造の形成に用いる一連の処理ステップを示す図である。さらに詳細に説明すれば、一連の連続層を製造することで基板表面上に任意形状の固体三次元構造が形成され、それらは厚さを異にしてよく、各層は次々に処理される。これらの層は所望の任意三次元構造における断面の段に一致し、構造全体の厚みは、感光性材料からなる、連続的に露光される層によって構築される。これらの連続する層は図1(a)ないし図1(e)に示されており、ここではこれを参照する。本発明の処理により、断面図12に示される基板10は、上方平面図16に示すように、従来型のレジスト材料を有する第1層14を支持している。例えば、この上端層14は、基板上端面18にスピンで延ばされたフォトレジスト層で、所望の厚さを有してよい。この厚さは、例えば図1(f)および図2に示される構造例のような、基板表面上に形成される三次元構造22の第1段20に望まれる高さに相当する。投影露光装置のような従来のフォトリソグラフィ用器具を用い、製造されるべき任意形状構造に従ってフォトレジストフィルムを有する層14に、パターンを通してフィルムの所望の領域を感光させる。図示した実施形態においては、パターンにはレジスト層14の第1部分24が含まれており、この部分はマスクされて露光を受けず、層14の残りの部分26が適当な光源により、周知の方法で露光される。露光を受けない部分24は、構造22の第1段20の形状および厚さと一致する。
【0009】
従来のリソグラフィとは異なり、レジスト層14は露光の後で現像されず、代わりに、従来型のフォトレジスト材料を有してよい第2層が第1層14の上端面にスピンで延ばされる。第2層30に用いられるリソグラフィにより規定可能な材料の種類によっては、層14と30との間にバリアフィルムを配してこれら2層の混合を防ぐ必要があるかもしれない(以下の例([実施例])を参照)。その後、第2層30はマスクされて32においては露光を受け、図1(f)および図2に図示されている三次元構造22の断面の段26と厚さおよび形状が一致する第2非露光領域34が残る。
【0010】
注記するが、露光時間は第2フォトレジスト層30に浸透するに十分でありまた丁度よい時間だが、第1フォトレジスト層14に浸透するには不十分な時間が選択される。このことは容易に実現される。なぜなら、多くのフォトレジストは露光を受けていない場合、露光を受けている場合に比べて高い吸収能を有するからである。しかしながら、第1フォトレジスト層14への僅かな露光は許容可能である。フォトレジスト材料は露光される波長においては吸収を生じ、それによって下方の層に光が到達することを阻止する働きがあり、それに対し、光学的デバイスとして使用される波長においてはもっと透明である。
【0011】
第2層30への露光の後、かつ、露光を受けた材料を現像する前に、従来型のフォトレジスト材料を有する第3層40が第2層30の上端面に適用される。必要であれば再度バリアフィルムを用いてもよい。第3層の厚さは図1(f)および図2に図示される三次元構造22の第3段42について望まれる厚さに応じて選択される。以前と同様、領域44において第3層は露光を受け、断面図48および上方平面図50において図示したように、段42に対応する非露光領域46が残される。
【0012】
例示している実施形態においては、第4層52が層40の上端面に適用され、領域54にて露光を受け、非露光領域56が残される。再度、フォトレジスト層52は適当なマスクを通してフォトリソグラフィにより、層52の感光に対して十分かつ層40に対しては不十分な時間だけ露光を受ける。断面図58に示されている層52の厚さは、図1(f)および図2に示されている段60の厚さに一致し、上方平面図62に示されているその長さおよび幅の寸法は所望の形状である。
【0013】
例示している実施形態においては、最後に第5層64が層52の上端面に適用され、断面68および上方平面70に示されているように、領域66において露光を受ける。上端の層64はマスクされ、選択した領域72を非露光の状態で残す。この領域は先述のように、構造22の段74と一致する。先述のように、領域72の長さおよび幅は選択した任意形状のものである。上述のように、バリアフィルムを連続する層の間に配置してもよい。
【0014】
最終ステップとして、フォトレジスト材料の5つの層14、30、40、52、および、64の全てが単一のステップにおいて従来の方法で現像され、露光を受けた領域26、32、44、54、および、66が除去されて、構造22が残される。構造22の様々な段は一般に長方形として示される。当然のことだが、各段は所望の形状およびサイズでよく、また、基板上の所望の位置に配置されてよい。
【0015】
図2に示した固体三次元構造を製造する代替的処理を図3に示す。これからはこの図を参照する。この処理においては、2つの異なる種類のフォトレジスト材料を用い、ただ2つの層からなるフォトレジスト材料で、連続的な露光ステップによって構造を構築可能である。
【0016】
図3(a)において、基板90にはネガティブ・フォトレジスト材料を有する第1層92が配される。ここでの、露光を受けていない部分は現像により除去される。上述した露光ステップの後、フォトレジスト材料の第2層94が層92の上端面に適用される。だがこの層は逆の極性、つまり、ポジティブであり、つまりは露光を受けた部分が現像によって除去される。
【0017】
第1のステップにおいては、基板90上への層92の堆積に続き、層92の第1領域96が、従来型のフォトリソグラフィを用いて適切なマスクを通して露光される。断面図100および対応する上方平面図102に示されているように、非露光領域96は図3(f)の断面108および上方平面110に示した三次元構造106の第1段104に応じて選択された厚さおよび形状であってよい。露光された領域96を取り囲む領域112はこのネガティブ・フォトレジスト層においては非露光のままである。
【0018】
ステップ2において、図3(b)の断面114および上方平面116に図示されているように、層92はさらに、先ほど露光を受けた領域96の直下に位置する層92の露光を受けていない材料がここで層92の厚みにわたって露光を受ける程度の時間にわたって投影露光装置のような従来的な方法によって露光を受け、露光を受けた領域96は構造106の段104に対応する深さまで層92内を移動する。この、第2露光の間、第2段120は、領域96とは異なるサイズと形状で露光を受けてもよい。この第2露光範囲120は、領域96を層92のさらに下段の方へ移動させるために、領域96の端部まで伸び、かつ、少なくとも同じ大きさである。領域112’は、この第2露光の間マスクされ、露光を受けないままに残される。
【0019】
第2露光が完了した後、フォトレジスト層94が層92の上端面122上に堆積される。この層94は、先に議論したように、層92とは逆の感光性を有するタイプのもので、この場合、ポジティブである。図3(c)の断面130および上方平面132に示すように、上端層94は、適切なフォトリソグラフィックマスクを通して領域134に露光を受け、領域136は露光を受けずに残される。露光を受けていない領域136は構造106の段138の厚さおよび形状(つまり、長さと幅の寸法)と一致し、領域134への露光の長さが領域136の厚さを制御する。
【0020】
その後、図3(d)の断面140および上方平面142に図示されているように、層94は再度露光を受けて当初の露光を受けた領域134が層94のより深部へと伸び、かつ、構造106の段148に対応する、新しい露光を受けない領域146を規定する、新しい露光を受けた領域144が作り出される。領域146は、領域136の境界の内側に位置し、領域144の厚さを所望の厚さにするような時間の間、露光される。
【0021】
第5の露光を、図3(e)の断面150および上方平面152で図解する。ここで、層94は、領域154をマスクした後、再度露光を受ける。これは構造106における段156に相当する。露光を受けたレジストからなる新しい段158が作られ、冒頭の領域158への露光と、先に露光を受けた領域134および144を通るさらなる露光によって、層94の段136および146が形成される。
【0022】
最終のステップとして、レジスト層92および94は現像され、層92からは露光を受けていない材料が除去され、そして、層94からは露光を受けた材料が除去されて結果として構造106が作られる。なお、段104、120、138、148、および、156は全て長方形として示されているが、当然のことながら、連続した個々の層が先に露光を受けた領域に対して繰り返し露光することが可能であるような形状および位置である限り、この処理を用いて任意の形状を作ることができる。
【0023】
図4(a)ないし図4(d)は複数層構造を製造することに用いられる処理ステップを示している。ここで、これらの層は連続的に露光を受け、そして、囲まれた開口部またはチャネルを作るように中間層の部分を除去するような現像処理により、全ての層が最終ステップで現像されている。図示している処理は光学的グレーティングの製造を示しているが、当然のことながら、その他の任意形状および構成を製造可能である。図4(a)において、感光性材料の層170が、断面176および上方平面178に示すように、基板174の表面172に加えられる。前記と同様、この層は基板表面にて適当な厚さにスピンで延ばされるフォトレジスト層でよい。この第1層は露光を受けない状態で残され、第1層の上端にフォトレジストの第2層180が堆積される。その後、投影露光装置を用い、断面184および上方平面186に示されているように、間隙を有する直線状領域182においてフォトレジスト層180を露光する。これらの間隙を有する領域182は直線状でありまた狭い間隙を有し、周期性を有する光学的グレーティングまたはそれに類するものを形成することを示しているが、その他の構成もつくることができると解されるべきである。露光時間は、露光を受けた領域が第2層180の底面の非常に近いところで終了し、底層170には実質的に入り込まないような時間が選択される。
【0024】
その後、図4(c)の断面192および上方平面194に示すように、第2層を現像する前に、第3層が露光を受けた層180の上端面上に堆積され、第2層に規定された構造が囲まれる。
【0025】
その後、適当な現像剤を用い、図4(b)の囲まれた領域182のような、露光を受けたフォトレジスト材料のあらゆる部分を除去する。これを完遂するには現像剤が第3フォトレジスト層190の下を横に向かって移動せねばならない。それによって第2層を貫いて、第2層の露光を受けていない部分の間にチャネル200が形成される。現像時間は、チャネルまたはキャビティ領域200により間隙が構成されている、レジスト材料からなる間隙を有する直線状の部分202を残して露光を受けたフォトレジストを完全に除去することが確かである時間が選ばれ、よって、覆われた光学的グレーティングが形成される。この処理を用いて、覆われたキャビティまたはチャネルを有するその他の構造も同様に製造される。
【0026】
上記のグレーティングは一次元的光結晶(a one-dimensional photonic crystal)であるが、上記処理を用いて二次元的および三次元的光結晶も製造可能である。
【0027】
図5に概略的に示すように、図2の構造22のような三次元構造を、従来型のデザインを有して以前よりチップ210上に製造されていたモノリシックレーザまたは導波路212のようなモノリシックな光学的構成要素を保持している、光学的チップ210上に製造可能である。これらの光学的構成要素212は従来型のものであってよく、また、例えば上記リングレーザのような光学的デバイスへ導く導波路であってもよく、または、レーザであってもよい。3次元構造22は、光学的構成要素212と、光ファイバ214のような対応する外部光学的デバイスとを適合させるような形状を有してよい。光学的カプラ22は上記プロセスによって形成される。その位置は光学的チップ上のモノリシック光学的構成要素212に非常に近い場所である。カプラは、光学的構成要素と光学的要素214とを接続する上で、非常に高い効率と高い位置の許容性を与えるデザインになっている。
【0028】
上記三次元構造は図5に示したような方法で光学的カプラとして使用されることが好ましいが、当然のことながら、このようなデバイスが導波路として機能するような形状であっても、また、直線状、および、湾曲した構造および接続部を有してもよい。なぜなら、上記の処理は任意の形状を有する構造を製造することに用いてよいからである。さらに、光学的カプラは、チップの平面内にある外部デバイスとの接続に使用できるのみならず、外部光学的デバイスをチップ上方の半球状容積の内部に配置可能とする三次元光学的カプラも可能であると解されるべきである。透明なチップ基板または基板内の適切な穴により、外部光学的デバイスをチップ下方の半球状容積内に配置することも可能である。さらに、上記の記載は処理を例示する目的でフォトレジストを使用したが、あらゆる感光性材料、または、その他の、リソグラフィによって規定することに適した材料を使用することができる。
【実施例】
【0029】
例
アーク化学社(Arch Chemicals, Inc.)は、OIR897−12Iなる、フォトレジストを製造しており、これは4000rpm、30秒間で基板上、層厚1.2ミクロンである。もし層30も同一のフォトレジストで形成されるのであれば、層14および30の間にバリアフィルムを作る必要がある。さもなくば、フォトレジスト第2層のスピンにより層14が溶解する。シンエツ マイクロサイ(Shin-Etsu MicroSi)はCEM365ISなる化学物質を製造している。この化学物質を用いることで、うまくバリアフィルムが作られる。以下に、図1を参照してバリア層を有するシンプルな2層構造を形成する処理を記す。
(a)30秒間、4000rpmにてOIR897−12Iをスピンさせて層14を形成する。
(b)層14の上端にCEM365ISを堆積させる。
(c)サンプルをホットプレート上で90℃、1.5分間ベークする(これは露光前ベークであるが、バリアフィルムが形成される)。
(d)バリアフィルム上の過剰なCEM365ISを、脱イオン水洗浄で除去する。
(e)所望の領域で層14を露光する。
(f)OIR897−12Iを4000rpmで30秒間スピンさせて層30を形成する。
(g)サンプルをホットプレート上、1.5分間、90℃でベークする。
(h)所望の領域で層30を露光する。
(i)単一のステップで層14および30を現像する。
当然のことながら、レジスト層の間のバリア層を作るための処理は上記処理において、後続の各層でも適用することができる。
【0030】
本発明は好適な実施形態によって説明されているが、当然のことながら、画期的な修正例や変形例も、クレームに記載の、本発明の範囲および本来の思想から逸脱することなく実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【0031】
【図1】(a)ないし(f)は、本発明の第1の実施形態によるモノリシック三次元構造形成で用いる処理ステップを示す図である。
【図2】図1に記載のステップにより製造されるモノリシック三次元構造の概略図である。
【図3】(a)ないし(f)は、本発明の第2の実施形態によるモノリシック三次元構造形成で用いる処理ステップを示す図である。
【図4】(a)ないし(f)は、本発明の第3の実施形態による、本発明の処理ステップを利用したグレーティング製造処理を示す図である。
【図5】光学的要素を光ファイバと接続するための、本発明による三次元構造を示す概略図である。
【符号の説明】
【0032】
10 基板 14 第1層 18 表面 20 第1段
22 三次元構造 26 第2段 30 第2層 40 第3層
42 第3段 52 第4層 60 第4段 64 第5層
68 断面 74 第5段
Claims (11)
- 三次元構造を製造する方法であって、
基板上に第1レジスト層を形成するステップ、
前記第1層上に第1パターンで露光するステップ、
前記第1層の上端に第2レジスト層を形成するステップ、
前記第1層上に少なくとも部分的に鉛直方向に前記第1パターンと位置が揃っている第2パターンで露光するステップ、および、
その後、前記第1および第2層を現像し、前記露光パターンに対応した段を有する構造を作るステップ、を有する方法。 - さらに、複数の追加的レジスト層を、先行して露光された層上に連続的に形成するステップ、前記追加的レジスト層の各層を個別的に露光するステップ、および、その後、前記レジスト層の全てを現像するステップ、を有する請求項1に記載の方法。
- さらに、前記第2レジスト層の形成に先立って、前記第1層を、鉛直方向に位置合わせされている複数のパターンで露光するステップ、を有する請求項1に記載の方法。
- さらに、前記層の現像に先立って、前記第2層を、鉛直方向に位置合わせされている複数のパターンで露光するステップ、を有する請求項3に記載の方法。
- さらに、前記層の現像に先立って、前記第2層を、鉛直方向に位置合わせされている複数のパターンで露光するステップ、を有する請求項1に記載の方法。
- 三次元構造を製造する方法であって、
基板上に第1レジスト層を形成するステップ、
前記第1レジスト層の上端に第2レジスト層を形成するステップ、
前記第2レジスト層に第1パターンで露光するステップ、
前記第2層の上端に第3レジスト層を形成するステップ、および、
前記第2層に露光されたパターンを現像し、前記第1および第3層の間に延在して囲まれているチャネルを作るステップ、を有する方法。 - 三次元構造を製造する方法であって、
基板上に、少なくとも、リソグラフィで規定可能な第1層を形成するステップと、
前記第1層に関する第1のリソグラフィによる規定を実行するステップと、
前記第1層上に、少なくとも、リソグラフィで規定可能な第2層を形成するステップと、
前記第2層に関する第2のリソグラフィによる規定を実行するステップであって、前記第2のリソグラフィによる規定が前記第1のリソグラフィによる規定と少なくともいくつかの領域においてオーバーラップしている、ステップと、
前記第1および第2層を現像するステップと、を有する方法。 - さらに、前記第1層に関する前記第1のリソグラフィによる規定を実行するステップの前に、前記第1層上に第1バリア層を形成するステップ、を有する請求項7に記載の方法。
- 前記のリソグラフィで規定可能な各層上にバリア層を形成するステップ、を有する請求項7に記載の方法。
- リソグラフィにより規定される第1層と、
前記第1層の上端にある、リソグラフィにより規定される第2層と、を有し、
前記第2層が前記第1層によって機械的に支持されている三次元構造。 - 前記第1および第2層の間の界面に位置するバリアフィルムを有する、請求項10に記載の三次元構造。
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