JP2001209189A - 積層構造体 - Google Patents

積層構造体

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JP2001209189A
JP2001209189A JP2000020204A JP2000020204A JP2001209189A JP 2001209189 A JP2001209189 A JP 2001209189A JP 2000020204 A JP2000020204 A JP 2000020204A JP 2000020204 A JP2000020204 A JP 2000020204A JP 2001209189 A JP2001209189 A JP 2001209189A
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photosensitive
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material layer
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Takashi Matsuura
孝 松浦
Junichi Murota
淳一 室田
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Tohoku University NUC
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 所望のパターンを有する積層構造体を提供す
る。 【解決手段】 所望のパターンを有する複数の感光材料
層11、12が周期的に積層された積層構造体であっ
て、積層方向で互いに隣接する感光材料層の下層側の感
光材料層のパターン間において上層側の感光材料層の下
面が下地から離間して形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層構造体及びそ
の製造方法、特に感光材料層を積層した積層構造体及び
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、パターンの異なる複数の感光材料
層を積層して3次元積層構造体を形成することは困難で
あった。
【0003】例えば、感光材料層の塗布及びパターニン
グを1層ずつ順次行った場合には、図29に示すよう
に、基板100上に形成された下層側の感光材料層10
1がすでにパターニングされているため、上層側の感光
材料層102を塗布する際に下層側の感光材料層101
のパターン間の領域にも上層側の感光材料層102が形
成され、所望の3次元積層構造体を形成することができ
ない。
【0004】また、複数の感光材料層を積層した後に露
光を行った場合には、図30に示すように、マスク12
0を通過した露光ビームにより、下層側から上層側まで
の全ての感光材料層101〜106が同じように露光さ
れるため(露光領域110)、各層のパターンを異なら
せることができず、やはり所望の3次元積層構造体を形
成することができない。
【0005】さらに、3次元積層構造体の作製には、1
層ずつパターンを形成するための工程が必要であり、少
ない工程で所望の3次元積層構造体を形成することはで
きなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来はパ
ターンの異なる複数の感光材料層を積層した3次元積層
構造体を得ることは非常に困難であった。
【0007】本発明は上記従来の課題に対してなされた
ものであり、所望のパターンを有する積層構造体及びそ
の製造方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る積層構造体
は、所望のパターンを有する複数の感光材料層が積層さ
れた積層構造体であって、積層方向で互いに隣接する前
記感光材料層の下層側の感光材料層のパターン間におい
て上層側の感光材料層の下面が下地から離間して形成さ
れていることを特徴とする。
【0009】前記積層構造体において、少なくとも一つ
の前記感光材料層の感光特性及びパターンが、他の少な
くとも一つの前記感光材料層の感光特性及びパターンと
は異なっているようにしてもよい。
【0010】また、前記積層構造体において、積層方向
で互いに隣接する前記感光材料層のパターンどうしが重
なる領域に対応して該互いに隣接する感光材料層間に非
感光材料層が形成されているようにしてもよい。
【0011】また、本発明に係る積層構造体の製造方法
は、少なくとも一つの層の感光特性が他の少なくとも一
つの層の感光特性とは異なる複数の感光材料層を積層し
て積層感光層を形成する工程と、前記積層感光層に対し
て異なる露光条件で複数回の露光を行い、前記複数の感
光材料層に所望のパターンを転写する工程と、前記パタ
ーンが転写された複数の感光材料層を現像する工程と、
を有することを特徴とする。
【0012】前記積層構造体の製造方法において、前記
積層感光層を形成する際に、積層方向で互いに隣接する
前記感光材料層の間に非感光材料層を形成するようにし
てもよい。
【0013】前記積層構造体の製造方法において、現像
によってパターンが形成された前記複数の感光材料層の
隙間に流動物を充填する工程と、前記流動物を固めて固
形物を形成する工程と、前記複数の感光材料層を選択的
に除去して前記固形物を残置させる工程と、をさらに有
するようにしてもよい。
【0014】また、本発明に係る積層構造体の他の製造
方法は、少なくとも1層以上の感光材料層を形成する処
理と、該感光材料層に対して露光を行って該感光材料層
に所望のパターンを転写する処理とを繰り返し行い、パ
ターンが転写された複数の感光材料層からなる積層感光
層を形成する工程と、前記積層感光層を構成するパター
ンが転写された複数の感光材料層を現像する工程と、を
有することを特徴とする。
【0015】前記積層構造体の製造方法において、前記
積層感光層を形成する際に、積層方向で互いに隣接する
前記感光材料層の間に非感光材料層を形成するようにし
てもよい。
【0016】前記積層構造体の製造方法において、現像
によってパターンが形成された前記複数の感光材料層の
隙間に流動物を充填する工程と、前記流動物を固めて固
形物を形成する工程と、前記複数の感光材料層を選択的
に除去して前記固形物を残置させる工程と、をさらに有
するようにしてもよい。
【0017】
【作用】本発明によれば、複数の感光材料層の形成及び
露光を行った後、最後に複数の感光材料層を現像するた
め、従来とは異なり、上層側の感光材料層を塗布する際
に、下層側の感光材料層のパターン間の領域には上層側
の感光材料層が形成されない。したがって、上層側の感
光材料層を、下層側の感光材料層のパターン間の領域に
おいて、下地と接することなく形成することができ、所
望の形状を有する高精度の3次元積層構造体を得ること
ができる。
【0018】また、感光特性の異なる感光材料層を積層
して、異なる露光条件で複数回の露光を行うことによ
り、感光特性の異なる感光材料層をそれぞれ選択的に感
光及び現像することができる。この場合、同一の感光特
性を有する複数の感光材料層を周期的に積層することに
より、これらの感光材料層を一括して露光することがで
きる。したがって、位置精度の極めて高い、周期構造を
有する3次元積層構造体を、少ない工程数で作製するこ
とができる。
【0019】また、感光材料層を形成する処理と該感光
材料層を露光する処理とからなる工程を複数回繰り返し
行い、その後で複数の感光材料層を現像する場合には、
各感光材料層中での光や電子線等の総減衰量を低減する
ことができるため、感光材料層を多数積層した場合にも
各層を確実に露光することができ、高精度の3次元積層
構造体を作製することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。
【0021】(構成例1)図1は、本発明に係る3次元
積層構造体の第1の構成例を模式的に示した図である。
【0022】図1に示した例は、例えば半導体基板等か
らなる基板10上に、パターニングされた複数の感光材
料層11及び12が積層されたものである。各感光材料
層11(図1の例では5層)どうしは同一の感光特性を
有しており、各感光材料層12(図1の例では4層)ど
うしは同一の感光特性を有している。感光材料層11の
特性と感光材料層12の感光特性とは異なっている。
【0023】基板10上に感光材料層11及び12を交
互に塗布して積層感光層を形成した後、感光材料層11
のパターン形成用のマスク及び感光材料層12のパター
ン形成用のマスクを用いて異なる露光条件で積層感光層
を露光し、さらに現像を行うことにより、図1に示した
ような構造が得られる。露光時のエネルギー源には、光
(可視光、紫外線)、X線、電子線或いはイオンビーム
を用いる。
【0024】各感光材料層11は全て同一の感光特性を
有しているため、各層を一括して同時に露光することが
できる。各感光材料層12も全て同一の感光特性を有し
ているため、各層を一括して同時に露光することができ
る。また、感光材料層11の感光特性と感光材料層12
の感光特性とは異なっているいるため、一方の感光材料
層を感光する際に他方の感光材料層は感光されない。し
たがって、周期構造を有する3次元積層構造体を少ない
工程数で作製することができ、同一の感光特性を有する
各感光材料層間において極めて高いパターン位置精度が
得られる。
【0025】また、感光材料層11及び12を塗布した
後に露光及び現像を行うため、従来のように上層側の感
光材料層を塗布する際に下層側の感光材料層のパターン
間の領域に上層側の感光材料層が形成されることがな
い。したがって、上層側の感光材料層の一部は、下層側
の感光材料層のパターン間の領域において、下地と接す
ることなく形成されることになり、空洞領域を有する3
次元積層構造体を形成することが可能となる。
【0026】感光材料層間の感光特性を異ならせるため
には、例えば露光に用いるエネルギー源(光、X線、電
子線、イオンビーム)の特性(種類や波長)に応じて感
度を異ならせればよい。言い方を変えると、エネルギー
源として光、X線、電子線及びイオンビームの少なくと
も一つを用い、感光特性の異なる感光材料層を異なる露
光条件で露光するようにする。例えば、光を用いて感光
材料層11及び12を露光する場合には、それぞれの感
光材料の分光感度特性を異ならせるようにする。また、
露光に用いるエネルギー源の種類に応じて、それぞれの
感光材料の感度特性を異ならせるようにしてもよい。例
えば、感光材料層11には紫外線によって感光する特性
のものを用い、感光材料層12には電子線によって感光
する特性のものを用いる、といったようにする。なお、
感光特性の異なる感光材料層間において、露光後熱処理
及び現像処理の少なくとも一方に対する特性が異なるよ
うにしてもよい。
【0027】(構成例2)図2は、本発明に係る3次元
積層構造体の第2の構成例を模式的に示した図である。
【0028】図2に示した例は、例えば半導体基板等か
らなる基板20上に、パターニングされた複数の感光材
料層21〜24が積層されたものである。感光材料層2
1及び22はポジ型(露光された領域が現像処理で除去
される型)であり、感光材料層23及び24はネガ型
(露光されない領域が現像処理で除去される型)であ
る。各感光材料層21どうし、各感光材料層22どう
し、各感光材料層23どうし、各感光材料層24どうし
は、それぞれ同一の感光特性を有している。また、ポジ
型の感光材料層21とネガ型の感光材料層23の感光特
性はほぼ同一であり、ポジ型の感光材料層22とネガ型
の感光材料層24の感光特性はほぼ同一である。また、
ポジ型の感光材料層21及び22間の感光特性は異なっ
ており、ネガ型の感光材料層23及び24間の感光特性
は異なっている。
【0029】本構成例でも、第1の構成例と同様、まず
基板20上に感光材料層21〜24を塗布して積層感光
層を形成する。その後、ほぼ同一の感光特性を有するポ
ジ型の感光材料層21及びネガ型の感光材料層23のパ
ターン形成用のマスクを用いて、各層を一括して同時に
露光する。また、ほぼ同一の感光特性を有するポジ型の
感光材料層22及びネガ型の感光材料層24のパターン
形成用のマスクを用いて、各層を一括して同時に露光す
る。その後、現像を行うことにより、図2に示したよう
な構造が得られる。
【0030】なお、露光に用いるエネルギー源、及び感
光材料層間の感光特性を異ならせるための手段について
は、第1の構成例と同様である。
【0031】本構成例においても、極めて高い位置精度
を有する周期構造の3次元積層構造体を少ない工程数で
作製することができる等、第1の構成例と同様の効果を
得ることができる。また、ほぼ同一の感光特性を有する
ポジ型及びネガ型の感光材料層を用いることにより、よ
り複雑な3次元積層構造体を容易に作製することが可能
となる。
【0032】なお、上記構成例1及び2において、積層
する感光材料層の種類をさらに増やすことにより、より
複雑な3次元積層構造体を作製することも可能である。
【0033】また、異なる感光特性を有する感光材料層
の組み合わせとしては、異なる感光波長特性を持つ深紫
外光(Deep−UV光)用の化学増幅型フォトレジス
ト(例えば、ポリヒドロキシスチレン系レジスト、ポリ
メチルメタクリレート)の組み合わせが可能である。ま
た、深紫外光用化学増幅型フォトレジストと、i線用化
学増幅型フォトレジストで深紫外光に対する透光性を有
するものとの組み合わせも可能である。その他、微細加
工用に開発されている種々の感光性レジスト材料を適宜
選択することにより、それらの多くの組み合わせを用い
ることが可能である。
【0034】(製造工程例1)本発明の実施形態に係る
積層構造体の第1の製造工程例について、図3〜図8を
参照して説明する。本例は、上述した第1の構成例にお
いて、感光材料層を2層積層する場合に対応している。
【0035】まず、図3に示すように、半導体基板等か
らなる基板10上に感光材料層12を塗布し、さらに乾
燥用のベーク処理(昇温処理)を行う。
【0036】続いて、図4に示すように、感光材料層1
2上に感光材料層11を塗布し、さらに乾燥用のベーク
処理(昇温処理)を行う。
【0037】次に、図5に示すように、マスク13を用
いて露光を行う。このときの露光条件は、感光材料層1
2を感光させずに感光材料層11のみを選択的に感光さ
せるような条件とする。これにより、感光材料層11に
のみマスク13のパターンが転写される(以下、露光さ
れた領域をドットで示す)。
【0038】続いて、図6に示すように、マスク13と
は異なるマスク14を用いて露光を行う。このときの露
光条件は、感光材料層11を感光させずに感光材料層1
2のみを選択的に感光させるような条件とする。これに
より、感光材料層12にのみマスク14のパターンが転
写される。その後、必要に応じて、増感等の目的で熱処
理(露光後熱処理)を行う。
【0039】次に、図7に示すように、感光材料層11
のみを選択的に現像し、感光材料層11のパターンを形
成する。さらに、図8に示すように、感光材料層12の
みを選択的に現像し、感光材料層12のパターンを形成
する。これにより、感光材料層11及び12からなる3
次元積層構造体が完成する。なお、上記のように感光材
料層11及び12を必ずしも選択的に現像する必要はな
く、感光材料層11及び12が同一の現像剤で現像でき
る場合には、もちろん同一の現像剤を用いて現像するよ
うにしてもよい。
【0040】(製造工程例2)本発明の実施形態に係る
積層構造体の第2の製造工程例について、図9〜図13
を参照して説明する。本例は、上述した第1の構成例で
示したような積層構造体を作製する場合に対応してい
る。
【0041】まず、図9に示すように、半導体基板等か
らなる基板10上に、感光材料層11及び12からなる
積層感光層を形成する。すなわち、まず基板10上に感
光材料層11を塗布し、さらに乾燥用のベーク処理を行
う。続いて、感光材料層11上に感光材料層12を塗布
し、さらに乾燥用のベーク処理を行う。これらの処理を
順次繰り返して、感光材料層11及び感光材料層12を
それぞれ複数層ずつ形成する。
【0042】次に、図10に示すように、マスク15を
用いて露光を行う。このときの露光条件は、感光材料層
12を感光させずに感光材料層11のみを選択的に感光
させるような条件とする。各感光材料層11は全て同一
の感光特性であるため、感光材料層11の全てに同一の
パターンが一括して転写される。
【0043】続いて、図11に示すように、マスク15
とは異なるマスク16を用いて露光を行う。このときの
露光条件は、感光材料層11を感光させずに感光材料層
12のみを選択的に感光させるような条件とする。各感
光材料層12は全て同一の感光特性であるため、感光材
料層12の全てに同一のパターンが転写される。その
後、必要に応じて、増感等の目的で熱処理(露光後熱処
理)を行う。
【0044】次に、図12に示すように、感光材料層1
1、感光材料層12、感光材料層11、というように、
上層側から順次現像を行うことにより、感光材料層11
及び12のパターンを順次形成する。これにより、図1
3に示すように、感光材料層11及び12からなる周期
構造を有する3次元積層構造体が完成する。
【0045】(製造工程例3)本発明の実施形態に係る
積層構造体の第3の製造工程例について、図14〜図1
8を参照して説明する。本例は、上述した第2の構成例
で示したような積層構造体を作製する場合に対応してい
る。
【0046】まず、図14に示すように、半導体基板等
からなる基板20上に、ポジ型の感光材料層21及び2
2並びにネガ型の感光材料層23及び24からなる積層
感光層を形成する。すなわち、まず基板20上に感光材
料層21を塗布し、乾燥用のベーク処理を行う。続い
て、感光材料層22、23及び24についても同様に、
塗布及びベーク処理を行う。これらの処理を順次繰り返
して、感光材料層21〜24をそれぞれ複数層ずつ形成
する。
【0047】次に、図15に示すように、マスク25を
用いて露光を行う。このときの露光条件は、感光材料層
22及び24を感光させずに、感光材料層21及び23
のみを選択的に感光させるような条件とする。ポジ型の
感光材料層21は全て同一の感光特性、ネガ型の感光材
料層23も全て同一の感光特性であり、またポジ型の感
光材料層21とネガ型の感光材料層23とはほぼ同一の
感光特性であるため、感光材料層21及び23の全てが
一括して露光され、同一の露光パターンが得られる。
【0048】続いて、図16に示すように、マスク25
とは異なるマスク26を用いて露光を行う。このときの
露光条件は、感光材料層21及び23を感光させずに、
感光材料層22及び24のみを選択的に感光させるよう
な条件とする。ポジ型の感光材料層22は全て同一の感
光特性、ネガ型の感光材料層24も全て同一の感光特性
であり、またポジ型の感光材料層22とネガ型の感光材
料層24とはほぼ同一の感光特性であるため、感光材料
層22及び24の全てが一括して露光され、同一の露光
パターンが得られる。その後、必要に応じて、増感等の
目的で熱処理(露光後熱処理)を行う。
【0049】次に、図17に示すように、感光材料層2
1、感光材料層24、感光材料層23、感光材料層2
2、感光材料層21、というように、上層側から順次現
像を行うことにより、感光材料層21〜24のパターン
を順次形成する。ポジ型の感光材料層21とネガ型の感
光材料層23とは、同一マスクを用いて同時に露光され
ているため、ネガ型の感光材料層23のパターンはポジ
型の感光材料層21のパターンを反転したものとなる。
同様に、ネガ型の感光材料層24のパターンはポジ型の
感光材料層22のパターンを反転したものとなる。以上
のようにして、図18に示すように、感光材料層21〜
24からなる周期構造を有する3次元積層構造体が完成
する。
【0050】(構成例3)図19は、本発明に係る3次
元積層構造体の第3の構成例を模式的に示した図であ
る。
【0051】図19に示した例は、例えば半導体基板等
からなる基板30上に、パターニングされた複数の感光
材料層31が積層されたものである。各感光材料層31
は全て同一の感光特性を有していてもよいし、少なくと
も1以上の感光材料層31の感光特性が少なくとも他の
1以上の感光材料層31の感光特性と異なっているよう
にしてもよい。
【0052】なお、露光に用いるエネルギー源、及び感
光材料層間の感光特性を異ならせるための手段について
は、第1及び第2の構成例と同様である。
【0053】基板30上に少なくとも1層以上の感光材
料層31を塗布し、パターン形成用のマスクを用いて、
塗布された感光材料層31に対して露光を行う。2層以
上の異なる感光特性の感光材料層31を形成した場合に
は、それぞれに対して異なる露光条件で露光を行う。以
後、同様の工程、すなわち1層以上の感光材料層31を
塗布した後に露光を行う工程を、必要な回数だけ行う。
このようにして、パターンが転写された複数の感光材料
層からなる積層感光層を形成し、その後で現像を行うこ
とにより、図19に示したような構造が得られる。
【0054】本例でも、第1の構成例等と同様、積層さ
れた感光材料層31の塗布及び露光を行った後に現像を
行うため、従来のように上層側の感光材料層を塗布する
際に下層側の感光材料層のパターン間の領域に上層側の
感光材料層が形成されることはない。したがって、上層
側の感光材料層は、下層側の感光材料層のパターン間の
領域において、下地と接することなく形成されることに
なり、空洞領域を有する3次元積層構造体を形成するこ
とが可能となる。
【0055】また、本例では、感光材料層31を全て形
成した後に一括して露光するのではなく、塗布/露光処
理を複数回繰り返すようにしている。感光材料層31を
一括して露光する場合には、各感光材料層31中を光や
電子線等が確実に透過することが必要であり、各感光材
料層31中での光や電子線等の減衰特性について注意深
く検討する必要があった。本例では、塗布/露光処理を
複数回繰り返すようにしているので、各感光材料層31
中での光や電子線等の減衰特性にそれほど注意を払わな
くてもよく、感光材料層31を多数積層した場合にも各
層を確実に露光することができる。
【0056】(製造工程例4)本発明の実施形態に係る
積層構造体の第4の製造工程例について、図20〜図2
3を参照して説明する。本例は、上述した第3の構成例
で示したような積層構造体を作製する場合に対応してい
る。
【0057】まず、図20に示すように、半導体基板等
からなる基板30上に1層目の感光材料層31aを塗布
し、さらに乾燥用のベーク処理(昇温処理)を行う。続
いて、マスク32aを用いて露光を行うことにより、感
光材料層31aにマスク32aのパターンが転写され
る。その後、必要に応じて、増感等の目的で熱処理(露
光後熱処理)を行う。
【0058】次に、図21に示すように、露光処理され
た1層目の感光材料層31a上に2層目の感光材料層3
1bを塗布し、さらに乾燥用のベーク処理を行う。続い
て、マスク32bを用いて露光を行うことにより、感光
材料層31bにマスク32bのパターンが転写される。
その後、必要に応じて露光後熱処理を行う。なお、プロ
セス条件の制約を少なくしようとする場合には、2層目
の感光材料層31bの感光特性を1層目の感光材料層3
1aとは異ならせようにする。また、プロセス条件を厳
格に制御すれば、1層目の感光材料層31aと2層目の
感光材料層31bに同じ感光材料を用いることも可能で
ある。すなわち、2層目の感光材料層31bを露光する
際に、1層目の感光材料層31aが露光されないよう
に、露光量や熱処理条件等を選択することにより、同一
の感光材料を用いることが可能である。
【0059】このようにして、1層毎に感光材料層31
a〜31iの塗布/露光を順次繰り返すことにより、図
22に示すように、各層に所望のパターンが転写された
積層感光層が形成される。
【0060】次に、上層側から順次現像処理を行うこと
により、図23に示すように、感光材料層31a〜31
iからなる3次元積層構造体が完成する。さらに、安定
化のため、必要に応じて最終ベーク(昇温処理)を行っ
てもよい。
【0061】(製造工程例5)本発明の実施形態に係る
積層構造体の第5の製造工程例について、図24〜図2
8を参照して説明する。本例は、上述した第3の構成例
で示したような積層構造体を作製する場合において、各
感光材料層間に非感光材料層を形成するものである。
【0062】まず、図24に示すように、半導体基板等
からなる基板30上に1層目の感光材料層31aを塗布
し、さらに乾燥用のベーク処理(昇温処理)を行う。続
いて、マスク32aを用いて露光を行うことにより、感
光材料層31aにマスク32aのパターンが転写され
る。その後、必要に応じて、増感等の目的で熱処理(露
光後熱処理)を行う。
【0063】次に、図25に示すように、露光処理され
た感光材料層31a上に非感光材料層33aを、例えば
蒸着や塗布等の方法で形成する。非感光材料層33aと
しては、例えばSOG等を用いることが可能である。非
感光材料層33aを形成することにより、互いに隣接す
る上下の感光材料層どうしの混合(塗布時や現像時にお
ける混合)を抑制することができる。また、次層以降の
感光材料層を露光する際に、下層側の感光材料層への光
等の透過を妨げるような材料で、非感光材料層を形成す
ることも可能である。
【0064】次に、図26に示すように、1層目の非感
光材料層33a上に2層目の感光材料層31bを塗布
し、さらに乾燥用のベーク処理を行う。続いて、マスク
32bを用いて露光を行うことにより、感光材料層31
bにマスク32bのパターンが転写される。その後、必
要に応じて露光後熱処理を行う。なお、第4の製造工程
例と同様、感光材料層31aと感光材料層31bとで、
異なる感光特性を有する感光材料を用いるようにしても
よいし、同一の感光特性を有する感光材料を用いるよう
にしてもよい。
【0065】このようにして、感光材料層31a〜31
iの塗布/露光及び非感光材料層33a〜33hの形成
を順次繰り返すことにより、図27に示すように、各感
光材料層31a〜31iに所望のパターンが転写され、
且つ感光材料層31a〜31i間に非感光材料層33a
〜33hが形成された積層感光層が形成される。
【0066】次に、上層側から順次感光材料層の現像及
び非感光材料層のエッチングを行うことにより、図28
に示すように、感光材料層31a〜31i及び非感光材
料層33a〜33hからなる3次元積層構造体が完成す
る。さらに、必要に応じて、最終ベーク(昇温処理)を
行ってもよい。非感光材料層33a〜33hは、積層方
向で互いに隣接する感光材料層の交差部(重なり部)に
形成されることになるが、非感光材料層の物性定数(光
学特性等)を適宜選定しておくことで、3次元積層構造
体全体の機能を制御することができる。
【0067】このように、本例では、各感光材料層間に
非感光材料層を形成することにより、互いに隣接する上
下の感光材料層どうしが混合することを防止することが
できるため、3次元積層構造体の形状や寸法等の制御性
を向上させることが可能となる。
【0068】本例では、第3の構成例で示したような積
層構造体を作製する場合に、各感光材料層間に非感光材
料層を形成するものであるが、第1或いは第2の構成例
で示したような積層構造体を作製する場合に、本例と同
様に各感光材料層間に非感光材料層を形成するようにし
てもよい。
【0069】以上、本発明の実施形態を説明したが、本
発明の3次元積層構造体は例えば光デバイス等に応用す
ることが可能である。また、半導体集積回路の製造に用
いられているリソグラフィ技術との整合性が高く、半導
体基板上の任意の位置にマイクロメータオーダー以下の
微細なパターンサイズで形成することができるため、同
一の半導体基板上に半導体素子とともに集積化すること
も可能である。
【0070】なお、以上説明した実施形態(構成例1〜
3、製造工程例1〜5)において、上述したような積層
構造体を作製した後、さらに以下のような工程を追加し
てもよい。
【0071】まず、作製された積層構造体の隙間に流動
物を充填する。この流動物には、無機或いは有機材料を
用いることが可能であり、例えばSOG等を用いること
が可能である。その後、この流動物を固めて固形物を形
成し、さらに感光材料層を選択的に除去して固形物を残
置させる。
【0072】このような工程を追加することにより、先
に形成された積層構造体の隙間領域に対応した積層構造
体を作製することができる。例えば、図1等に示したよ
うな構造においてラインパターンとスペースパターンが
同一線幅で形成されているような場合は、図1に示した
ような形状と同様な形状を有する積層構造体を作製する
ことができる。このようにして形成された積層構造体に
は種々の材料を用いることが可能であるため、所望の材
料からなる積層構造体を得ることができる。
【0073】なお、本発明は上記各実施形態に限定され
るものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において
種々変形して実施することが可能である。
【0074】
【発明の効果】本発明によれば、複数の感光材料層の露
光を行った後に現像を行うことにより、所望の形状を有
する高精度の積層構造体を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る積層構造体の第1の構
成例を示した斜視図。
【図2】本発明の実施形態に係る積層構造体の第2の構
成例を示した斜視図。
【図3】本発明の実施形態に係る積層構造体の第1の製
造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図4】本発明の実施形態に係る積層構造体の第1の製
造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図5】本発明の実施形態に係る積層構造体の第1の製
造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図6】本発明の実施形態に係る積層構造体の第1の製
造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図7】本発明の実施形態に係る積層構造体の第1の製
造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図8】本発明の実施形態に係る積層構造体の第1の製
造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図9】本発明の実施形態に係る積層構造体の第2の製
造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図10】本発明の実施形態に係る積層構造体の第2の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図11】本発明の実施形態に係る積層構造体の第2の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図12】本発明の実施形態に係る積層構造体の第2の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図13】本発明の実施形態に係る積層構造体の第2の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図14】本発明の実施形態に係る積層構造体の第3の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図15】本発明の実施形態に係る積層構造体の第3の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図16】本発明の実施形態に係る積層構造体の第3の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図17】本発明の実施形態に係る積層構造体の第3の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図18】本発明の実施形態に係る積層構造体の第3の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図19】本発明の実施形態に係る積層構造体の第3の
構成例を示した斜視図。
【図20】本発明の実施形態に係る積層構造体の第4の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図21】本発明の実施形態に係る積層構造体の第4の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図22】本発明の実施形態に係る積層構造体の第4の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図23】本発明の実施形態に係る積層構造体の第4の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図24】本発明の実施形態に係る積層構造体の第5の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図25】本発明の実施形態に係る積層構造体の第5の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図26】本発明の実施形態に係る積層構造体の第5の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図27】本発明の実施形態に係る積層構造体の第5の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図28】本発明の実施形態に係る積層構造体の第5の
製造工程例について、その工程の一部を示した斜視図。
【図29】従来技術の問題点を説明するための断面図。
【図30】従来技術の問題点を説明するための断面図。
【符号の説明】
10、20、30…基板 11、12、21、22、23、24、31、31a〜
31i…感光材料層 13、14、15、16、25、26、32a、32b
…マスク 33a〜33h…非感光材料層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成13年3月23日(2001.3.2
3)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 積層構造体
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0001
【補正方法】変更
【補正内容】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層構造体、特に
感光材料層を積層した積層構造体に関する。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】本発明は上記従来の課題に対してなされた
ものであり、所望のパターンを有する積層構造体を提供
することを目的としている。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】前記積層構造体は、少なくとも一つの層の
感光特性が他の少なくとも一つの層の感光特性とは異な
る複数の感光材料層を積層して積層感光層を形成する工
程と、前記積層感光層に対して異なる露光条件で複数回
の露光を行い、前記複数の感光材料層に所望のパターン
を転写する工程と、前記パターンが転写された複数の感
光材料層を現像する工程と、によって製造することが可
能である
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】また、前記積層構造体は、少なくとも1層
以上の感光材料層を形成する処理と、該感光材料層に対
して露光を行って該感光材料層に所望のパターンを転写
する処理とを繰り返し行い、パターンが転写された複数
の感光材料層からなる積層感光層を形成する工程と、前
記積層感光層を構成するパターンが転写された複数の感
光材料層を現像する工程と、によって製造することも可
能である
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AB16 AB20 AC01 AC04 AC05 AC06 AC07 AD01 AD03 DA11 FA06 FA12 FA15 2H096 AA25 AA30 BA01 BA09 DA01 EA02 EA03 EA06 EA07 EA08 EA14 FA01 GA02 KA07

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】所望のパターンを有する複数の感光材料層
    が積層された積層構造体であって、 積層方向で互いに隣接する前記感光材料層の下層側の感
    光材料層のパターン間において上層側の感光材料層の下
    面が下地から離間して形成されていることを特徴とする
    積層構造体。
  2. 【請求項2】少なくとも一つの前記感光材料層の感光特
    性及びパターンが、他の少なくとも一つの前記感光材料
    層の感光特性及びパターンとは異なっていることを特徴
    とする請求項1に記載の積層構造体。
  3. 【請求項3】前記感光材料層間の感光特性の異なりは、
    露光に用いるエネルギー源の特性に対する感度の異なり
    であることを特徴とする請求項2に記載の積層構造体。
  4. 【請求項4】前記複数の感光材料層の露光に用いるエネ
    ルギー源は、光、X線、電子線及びイオンビームの少な
    くとも一つであることを特徴とする請求項2に記載の積
    層構造体。
  5. 【請求項5】前記複数の感光材料層には、ポジ型の感光
    材料層及びネガ型の感光材料層の双方が含まれることを
    特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の積層構造
    体。
  6. 【請求項6】前記感光特性の異なる感光材料層間では、
    露光後熱処理及び現像処理の少なくとも一方に対する特
    性が異なることを特徴とする請求項2に記載の積層構造
    体。
  7. 【請求項7】積層方向で互いに隣接する前記感光材料層
    のパターンどうしが重なる領域に対応して該互いに隣接
    する感光材料層間に非感光材料層が形成されていること
    を特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の積層構
    造体。
  8. 【請求項8】少なくとも一つの層の感光特性が他の少な
    くとも一つの層の感光特性とは異なる複数の感光材料層
    を積層して積層感光層を形成する工程と、 前記積層感光層に対して異なる露光条件で複数回の露光
    を行い、前記複数の感光材料層に所望のパターンを転写
    する工程と、 前記パターンが転写された複数の感光材料層を現像する
    工程と、 を有することを特徴とする積層構造体の製造方法。
  9. 【請求項9】前記感光材料層間の感光特性の異なりは、
    露光に用いるエネルギー源の特性に対する感度の異なり
    であることを特徴とする請求項8に記載の積層構造体の
    製造方法。
  10. 【請求項10】前記複数の感光材料層の露光に用いるエ
    ネルギー源は、光、X線、電子線及びイオンビームの少
    なくとも一つであることを特徴とする請求項8に記載の
    積層構造体の製造方法。
  11. 【請求項11】前記複数の感光材料層には、ポジ型の感
    光材料層及びネガ型の感光材料層の双方が含まれること
    を特徴とする請求項8乃至10のいずれかに記載の積層
    構造体の製造方法
  12. 【請求項12】前記感光特性の異なる感光材料層間で
    は、露光後熱処理及び現像処理の少なくとも一方に対す
    る特性が異なることを特徴とする請求項8に記載の積層
    構造体の製造方法。
  13. 【請求項13】前記積層感光層を形成する際に、積層方
    向で互いに隣接する前記感光材料層の間に非感光材料層
    を形成することを特徴とする請求項8乃至12のいずれ
    かに記載の積層構造体の製造方法。
  14. 【請求項14】現像によってパターンが形成された前記
    複数の感光材料層の隙間に流動物を充填する工程と、 前記流動物を固めて固形物を形成する工程と、 前記複数の感光材料層を選択的に除去して前記固形物を
    残置させる工程と、 をさらに有することを特徴とする請求項8乃至13のい
    ずれかに記載の積層構造体の製造方法。
  15. 【請求項15】少なくとも1層以上の感光材料層を形成
    する処理と、該感光材料層に対して露光を行って該感光
    材料層に所望のパターンを転写する処理とを繰り返し行
    い、パターンが転写された複数の感光材料層からなる積
    層感光層を形成する工程と、 前記積層感光層を構成するパターンが転写された複数の
    感光材料層を現像する工程と、 を有することを特徴とする積層構造体の製造方法。
  16. 【請求項16】前記積層感光層を形成する際に、積層方
    向で互いに隣接する前記感光材料層の間に非感光材料層
    を形成することを特徴とする請求項15に記載の積層構
    造体の製造方法。
  17. 【請求項17】現像によってパターンが形成された前記
    複数の感光材料層の隙間に流動物を充填する工程と、 前記流動物を固めて固形物を形成する工程と、 前記複数の感光材料層を選択的に除去して前記固形物を
    残置させる工程と、 をさらに有することを特徴とする請求項15又は16に
    記載の積層構造体の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005331671A (ja) * 2004-05-19 2005-12-02 Canon Inc 偏光素子
JP2006313267A (ja) * 2005-05-09 2006-11-16 Canon Inc 3次元フォトニック結晶の作製方法
JP2007264604A (ja) * 2006-02-28 2007-10-11 Canon Inc 光学素子及び光学素子の製造方法
JP2019003140A (ja) * 2017-06-19 2019-01-10 ミタニマイクロニクス九州株式会社 スクリーンマスク及びスクリーンマスクの製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653244B2 (en) * 2001-09-19 2003-11-25 Binoptics Corporation Monolithic three-dimensional structures
US6947215B2 (en) * 2001-12-27 2005-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Optical element, optical functional device, polarization conversion device, image display apparatus, and image display system
US7155073B2 (en) * 2004-05-07 2006-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Polarization element and optical device using polarization element
JP4378352B2 (ja) * 2005-04-28 2009-12-02 キヤノン株式会社 周期構造体の製造方法
DE102006041774A1 (de) * 2006-09-04 2008-03-20 Forschungszentrum Jülich GmbH Lithographieverfahren zur Herstellung einer Struktur
GB2442030A (en) * 2006-09-19 2008-03-26 Innos Ltd Resist exposure and patterning process
TW201602666A (zh) * 2014-07-03 2016-01-16 道康寧公司 製備物件之方法及由彼所製備之相關物件

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5449592A (en) * 1988-03-14 1995-09-12 Konica Corporation Silver halide color photographic light sensitive material for color proof and method for preparing color proof using the same
US5182056A (en) * 1988-04-18 1993-01-26 3D Systems, Inc. Stereolithography method and apparatus employing various penetration depths
CA2033821A1 (en) * 1990-01-12 1991-07-13 Evan D. Laganis Photopolymerizable compositions sensitive to longer wavelength visible actinic radiation
US5328752A (en) * 1990-05-15 1994-07-12 Nitto Boseki Co., Ltd. Substrate for printed circuit boards using photocurable resin and process for producing the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005331671A (ja) * 2004-05-19 2005-12-02 Canon Inc 偏光素子
JP4541757B2 (ja) * 2004-05-19 2010-09-08 キヤノン株式会社 偏光素子
JP2006313267A (ja) * 2005-05-09 2006-11-16 Canon Inc 3次元フォトニック結晶の作製方法
JP4677276B2 (ja) * 2005-05-09 2011-04-27 キヤノン株式会社 3次元フォトニック結晶の作製方法
JP2007264604A (ja) * 2006-02-28 2007-10-11 Canon Inc 光学素子及び光学素子の製造方法
JP2019003140A (ja) * 2017-06-19 2019-01-10 ミタニマイクロニクス九州株式会社 スクリーンマスク及びスクリーンマスクの製造方法

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