KR20040005859A - 포토리소그래피 마스크 및 프로젝션 장치에서의 웨이퍼노출 방법 - Google Patents

포토리소그래피 마스크 및 프로젝션 장치에서의 웨이퍼노출 방법 Download PDF

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Abstract

마스크 상에서, 보조 개구부(2)가 개구부(1)에 할당되어서 웨이퍼에 전사된다. 이들 보조 개구부(2)는, 상기 보조 개구부(2) 자체는 웨이퍼 상에 인쇄되지 않도록, 개구부(1)에 대해서 바람직하게는 160°와 200°사이의 위상 변화 특성 및 프로젝션 장치의 인쇄 동작을 위해 한계 치수(31)이하의 단면(21)을 가진다. 그러나 동시에, 이들은 공중 이미지의 대비를 강화시키고, 상세하게는 웨이퍼상의 관련된, 분리된 또는 일부 분리된 개구부(1)의 대비를 강화시킨다.
일 실시예에서, 프로젝션 장치의 해상도 한계 이상이지만, 보조 개구부(2)는 프로젝션에 사용되는 광의 간섭 거리 미만만큼 개구부(1)로부터 거리를 두고 있다. 보조 개구부(2)가 우선적인(preferential) 방향으로 설정되어 있어서, 마스크 상의 정사각형 개구부(1)상에 웨이퍼 상의 타원 구조(1')를 생성하기 위해 사용될 때, 그 효과는 광 근접 효과의 위상 관련 사용으로 이루어진다. 이로써, 상세하게는 웨이퍼상의 기판 접촉 메이킹 플레인의 프로젝션용 처리 윈도우를 상당히 확대시킨다.

Description

포토리소그래피 마스크 및 프로젝션 장치에서의 웨이퍼 노출 방법{PHOTOLITHOGRAPHIC MASK}
광학 광 - 통상적으로 자외선 범위 내에 있음 - 을 사용해서 동작하는 프로젝션 장치는, 공지된 바와 같이 반도체 제품의 생산시에 웨이퍼 스테퍼 또는 스캐너로서 널리 사용된다. 감광성 광택제로 코팅된 웨이퍼 상에 이미지를 형성하기 위해, 단조광이 렌즈 시스템을 통해서 방사선에 투명한 또는 불투명한 영역에 의해 전달되며, 여기서 불투명하다는 것은 마스크로서 전형적으로 석영 플레이트상에 형성된 정형화된 구조가 간섭해서 투조(transilluminate)되는 것이다. .
일반적으로, 웨이퍼 상에 층 또는 레벨을 점차 증가시키기 위해, 구조화된(structured) 석영 플레이트에 의해 제공되는 마스크의 세트가 사용된다. 웨이퍼 상에서 집적 회로를 생성하는 데 있어서, 각각의 플레인의 구조 크기에 대한 요구 조건은 종종 광학 프로젝션의 물리적인 해상도 한계에까지 이른다. 하나의 전형적인 실시예가 메모리 제품(DRAM)을 생산하기 위한 특정 플레인이다. 이미지의 해상도에 대해,
(1) bmin=k1*λ/NA
이다.
여기서, bmin는 최소 구조 라인 폭이고, λ는 단색광의 파장이고, NA는 이미지화 렌즈 시스템의 개구수이다. 계수 k1는 우선 공지된 바와 같은, 경사광(oblique-light) 조명, 위상 변이 구조 또는 OPC 구조(optical proximity correction)와 같은 우선 광의 회절 특성을 사용하는 기술을 포함하고, 두번째로, 이들 요소는 수차(코마, 색수차)를 발생시키는 렌즈 결함과 같은 문제를 고려한다.
레지스트 구조를 생성한 이후에 실제로 생성되는 마스크 상의 최소 구조 라인의 폭은 몇가지 이유로, 식(1)에서 나온 값보다 더 크게 계산된다. 우선 레지스트 층은 이미지가 용이하게 흡수되도록 한정된 두께를 가지고 있다. 또한, 레지스트 층을 현상하는 동안 레지스트가 측방으로 제거되도록 현상기가 등방성으로(isotropically) 작동한다. 따라서, 반도체 기판 상에 레지스트 층 구조를 생성하는데 필요한 마스크 상의 최소 구조 라인 폭은 다수의 파라미터를 따르고, 각각의 구조 공정에서 개별적으로 결정된다.
다양한 영향이 미쳐서 마스크의 충실도(fidelity)를 저하시킬 수 있다. 우선, 레지스트 제거 경사의 측정값인, 한정된 레지스트 대비 λ(contrast)로 인해서원래 각진 마스크 구조가 둥글게 될 수 있다. 더욱이, 마스크의 구조 요소, 레지스트 층 및/또는 사전 구조된 기판 표면에서 발생하는 간섭 효과, 회절 효과 및 분산된 광으로 인해서 레지스트 층 영역의 유효 노출부 선량이 균일하지 않게 된다.
도 1은 예컨대 글라스로 만들어진, 방사선에 투명한 기판(51) 및 예컨대 크롬으로 만들어진, 방사선에 불투명한 층(52)을 구비하고 있는, 종래의 리소그래피 마스크상에서의 상기 설명한 문제를 나타내고 있다. 이 경우에, 방사선에 불투명한 층(52)의 개구부(1)는 적절한 마스킹 단계에서 웨이퍼상의 포토레지스트 층으로 전사될 구조에 대응한다. 노출시에, 방사선 - 예컨대 자외선 광 - 은 방사선에 불투명한 층(52)내의 개구부(1)를 통과하며, 간섭 효과로 인해서, 웨이퍼의 포토레지스트 층내에서 표시된 전계의 분포(E)를 유도한다.
간섭 효과로 인해서, 실제로는 마스크 상의 다크 영역인 개구부(1)와 개구부(4) 사이에서 포토레지스트 층내에서의 소망하지 않은 노출이 발생한다. 노출 강도가 필드 강도의 제곱에 비례하기 때문에, 도 1에 도시된 필드 강도 분포는 포토레지스트 층내의 강도 분포(I)를 유도한다.
이러한 문제를 해결하고, 구조 해상도를 향상시키기 위해, 상기 설명된 "다크 필드 마스크" 대신에 "교류 위상 마스크(alternating phase mask)"의 사용이 점차 증가하고 있다. 이 경우에, 방사선에 불투명한 층(52)내의 각각의 제 2 개구부(4)는, 인접하는 개구부(1)와 개구부(4) 사이의 위상차가 달성되도록 예컨대 글라스 기판(51)을 에칭해서, 인가되는 위상을 변화시키고 있다. 일반적으로, 위상차로서 180°가 설정되어 있다. 이러한 기술을 적용시킴으로써, 반복율이 높은 격자상의 구조인 경우에, 구조 해상도가 종래의 기술에 비해서 2배까지 증가될 수 있다.
도 2는 그 결과의 시츄에이션을 도시하고 있다. 인접하는 개구부(1)와의 180°의 위상차로 인해서, 좌측의 개구부(1)를 통과하는 방사선과 우측의 개구부(4)를 통과한 방사선 사이의 유해한 간섭이 존재하고 있다. 따라서, 포토레지스트 층내의 필드 분포(E)는 두개의 개구부 사이에 0점(zero point)을 가지고 있고, 따라서 두개의 개구부 사이에서 분명하게 낮은 강도(I)를 유도한다. 이런식으로, 노출의 대비는 상당히 증가된다.
그러나, 이러한 긍정적인 영향은 두 대향하는 측 중에서, 위상차가 있는 개구부를 가진 방사선에 불투명한 구조에만 나타난다. 그러나, 개구부에 의해 형성된 패턴이 이미지화되거나 포토레지스트 층으로 전사되는 구조에 대응하기 때문에, 하나의 인접하는 개구부 또는 완전히 분리된 개구부를 가진 개구부가 나타나는 상황이 발생할 수 있다. 이 경우에, 일부-분리되거나 완전히 분리된 개구부가 레지스트 층에 완전하기 이미지화되지 않을 수 있다. 지금까지, 적어도 최적의 리소그래피 조건(최적의 포커스, 공칭 노출(nominal exposure))하에서 대응하는 개구부를 확대해서 포토레지스트 층으로의 전사를 보장하기 위한 시도가 행해졌다. 그러나, 리소그래피 처리 윈도우가 너무 작아서 대응하는 구조가 제조 공정중에 종종 소자의 결함을 발생시킨다. 따라서, 이러한 기술은 실제로 거의 사용되지 않으며, 레이아웃에서 중요한 구조에서는 금지되지만 교류 위상 마스크를 사용할 때는 상당한 제한을 초래한다.
따라서, 본 발명은 상기 설명한 문제를 감소시키거나, 완전히 방지하며, 상세하게는 높은 해상도로 포토레지스트 층에 분리된 구조를 전사할 수 있는 포토리소그래피 마스크를 제공하는 목적에 기초하고 있다.
상기 목적은, 독립 청구항 1에 따라서 본 발명에 따른 포토리소그래피 마스크에 의해 달성된다. 더욱 유익한 실시예, 세부사항 및 본 발명의 측면은 종속 청구항, 상세한 설명 및 첨부된 도면에 나타난다.
본 발명은 포토리소그래피 마스크에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 고도로 집적된 반도체 소자를 생성하기 위해 반도체 기판에 방사선-감응형 레지스트 층을 구성하는 포토리소그래피 마스크에 관한 것이다.
도 1은 종래의 기술에 따른 포토리소그래피 마스크를 도시한 도면,
도 2는 종래의 기술에 따른 다른 포토리소그래피 마스크를 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토리소그래피 마스크를 도시한 도면,
도 4는 도 3의 라인 A-A에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 도면,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따라서 포토리소그래피 마스크를 도시한 도면,
도 6은 도 5의 라인 A-A에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 도면,
도 7은 마스크 상에 개구부를 구비한 기판 접촉-메이킹 플레인내에 접촉 구멍의 정형 패턴 및 종래의 기술에 따라서 웨이퍼 상에서 이들로부터 형성되는 노출된 타원을 일치되는 크기로 상세하게 도시한 도면,
도 8은 본 발명에 따른 사각형 설계의 개구부 및 보조 개구부(빗금친 부분) 및 크기가 일치하고, 웨이퍼 상에 이미지화되는 타원을 두 가지 예(a, b)를 가지고, 기판 접촉 메이킹 플레인의 정형 패턴을 상세하게 도시한 도면,
도 9는 각각 네개의 단절된 긴 구멍을 포함하는 두개의 관련된 보조 개구부를 구비한, 마스크 상에 사각형의 개구부의 본 발명의 따른 실시예를 도시한 도면,
도 10은 본 발명에 따른 네개의 보조 개구부에 의해 둘러싸인 본 발명에 따른 정사각형 구조를 개구부로서 도시하는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 개구부
1' : 웨이퍼 상에 이미지화된 구조, 타원형 구조
2 : 보조 개구부
2a-2d : 보조 개구부내의 확장된 구멍
4 : 인접 개구부
5 : 인접 보조 개구부
9 : 개구부와 보조 개구부 사이의 거리
11 : 개구부의 폭
11' : 타원의 폭
12 : 개구부의 길이
12' : 타원의 길이
15 : 개구부 사이의 거리
21 : 단면, 보조 개구부의 폭
22 : 보조 개구부의 길이
30 : 해상도 한계, 최소 구조 폭
31 : 웨이퍼 상에 구조를 형성하는데 필요한 마스크 상의 구조의 최소 한계 치수
40 : 광의 간섭 거리
51 : 방사선에 불투명한 불투명 층
52 : 수정, 마스크용 캐리어 물질
101 : 두배인 폭의 라인(사각형 구조)
102 : 단절된 보조 개구부
201 : 세배인 라인(개구부)
본 발명에 따라서, 반도체 기판상의 방사선 감응형 레지스트 층을 노출시키기 위한 포토리소그래피 마스크가 제공되며, 상기 마스크는,
a) 투명한 캐리어 물질 상에 방사선에 불투명한 층을 적어도 하나 구비하고 있고,
b) 적어도 하나의 개구부 - 상기 적어도 하나의 개구부는 적어도 하나의 개구부에 의해 형성된 패턴이, 노출시에 레지스트 층에 전사되는 방식으로 형성됨 - 가 방사선에 불투명한 층에 마련되고,
c) 적어도 하나의 보조 개구부가 방사선에 불투명한 층에 마련되고,
- 상기 적어도 하나의 보조 개구부는 적어도 하나의 보조 개구부에 의해 형성된 패턴이 노출시에 레지스트 층에 전사되지 않는 방식으로 형성되고,
- 상기 방사선이 상기 적어도 하나의 보조 개구부를 통과함에 따라서, 인접한 개구부 또는 인접한 보조 개구부를 통과하는 방사선에 비해서 위상차가 발생되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 포토리소그래피 마스크는 구조를 결정하는 실제 개구부에 더해서 보조 개구부를 적용시킨다. 개구부와 보조 개구부 사이를 본 발명에 따라 연결하는 경우에, 개구부는 이하 머더 구조로 간주되기도 할 것이다. 이 경우 보조 개구부는 인접한 개구부에 매치된 위상변이를 가지고 있다. 본 실시예의 설명 중에, 두개의 개구부를 통과하는 방사선이 간섭 효과를 일으킬 때, 두개의 개구부가 인접하는 것으로 간주된다. 보조 개구부를 사용해서, 공중 이미지 대비(aerial image contrast)에서, 특히 이미지 플레인 밖에서 상당한 개선을 달성할 수 있으며, 이에 따라서 상당히 강화된 포커스의 깊이를 보장할 수 있다. 보조 개구부가 포토레지스트에 이미지화되지 않는 방식으로 형성되어 있기 때문에, SPAS(sub-resolution phase assist structure)라 한다.
이들 보조 개구부를 사용하는 것은 특히 분리된 또는 일부 분리된 구조인 경우에, 처리 윈도우를 상당히 크게 하고, 또한 근접하여 이루어진 구조에 관련된 라인 폭의 차이를 감소시킨다. 또한 이중 노출 - 종래의 기술 - 대신에 회로 전형 레이아웃(circuit-typical layout)의 노출을 한번의 노출로 가능하게 하고, 따라서 생산성이 두배로 좋아진다. 개구부는 종종 사각 타입이고, 이 개구부는 일반적으로 폭보다 길이가 훨씬 길다. 이 경우에, 보조 개구부는 가동 개구부에 평행하게 형성되는 것이 바람직하다.
바람직한 실시예에 따라서, 보조 개구부의 폭은 0.3λ/NA이하가 되도록 선택된다. 이 경우에, λ는 노출이 수행되는 파장을 나타내고, NA는 개구수를 나타낸다.
더욱이, 적어도 하나의 보조 개구부가 일부 분리된 개구부에 관련되어 제공되는 것이 바람직하다. 본 실시예의 설명에서, 개구부가 한쪽 방향으로의 인접 개구부만을 가지고 있는 경우, 일부-분리된 것으로 간주된다. 따라서 일부 분리된 개구부의 경우에, 적어도 하나의 보조 개구부가 제공되며, 이는 인접하는 개구부가 반대 방향으로 "미싱(missing)"된 것을 재배치한다.
더욱이, 적어도 두개의 보조 개구부가 분리된 개구부와 관련되어 제공되는 것이 바람직하다. 본 실시예의 설명에서, 개구부가 어떤 인접 개구부도 가지고 있지 않은 경우에는 분리된 것으로 간주된다. 따라서 분리된 개구부의 경우에 적어도 두개의 인접하는 개구부가 제공되며, 이는 "미싱"된 인접한 개구부를 재배치한다.
바람직한 실시예에 따라서, 방사선이 인접하는 개구부를 통과함에 따라서, 다른 것에 비해 180°의 위상차가 각각의 경우에 생성된다. 더욱이, 방사선이 보조 개구부 및 그 인접하는 개구부 및 그 인접하는 보조 개구부를 통과함에 따라서, 180°의 위상차가 발생된다.
더욱이, 개구부 및/또는 보조 개구부는 격자형 패턴을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우에, 보조 개구부는 격자 간격의 약 0.3 내지 0.7 배가 되는 거리만큼 인접 개구부 또는 보조 개구부로부터 이격되어 형성되는 것이 바람직하다.
더욱 바람직한 실시예에서, 적어도 하나의 개구부는 사각 구조를 가지고 있고, 반면에 적어도 하나의 보조 개구부는
- 반도체 기판상에 구조를 형성하는데 필수적인 마스크상의 최소 구조 확장부를 나타내는, 한정된 치수 이하의 폭을 가진 단면을 가지며,
- 적어도 하나의 개구부로부터 거리를 두고 배열된 각각의 경우에, 이 거리는
a) 웨이퍼 크기에 기초해서, 노출을 위해 사용되는 프로젝션 장치의 해상도 한계보다 더 크고,
b) 프로젝션 장치에 사용되는 광의 간섭 거리보다 더 작으며,
- 방사선이 통과함에 따라서, 인접하는 개구부를 지나는 방사선에 대해 위상차가 발생되는 것을 특징으로 한다.
상기 설명한 임계 플레인에서의 높은 요구 조건을 벗어나기 위해, 오버레이의 디스트레싱(destressing), 즉 플레인들 사이의 위치 정확성이 바람직하고, 반도체 기판 또는 웨이퍼 상에서 가능한 한 최소 구조 폭에 대한 높은 요구 조건이 존재하지 않는 직교방향으로 구조를 확장시키기 위한 시도가 행해졌다. 이는 정확하게 직교방향이며, 기판상의 인접하는 구조까지의 거리가 우선 충분히 크고, 다음으로 회로의 기능이 손상되지 않을 때 적용되는 것이 일반적이다.
개시부에서 설명된 메모리 제품에 대해서, 기판 접촉-메이킹 평면이 여기서 예로서 설명될 수 있다. 이 경우에, 종래의 마스크 상의 정사각 형상 접촉 구멍은 사각형상으로 설계되고, 모든 사각형의 길이방향 축이 동일한 직교 방향을 가진다. 대응하는 방법으로, 유사한 길이방향 확장부를 가진 타원이 웨이퍼 상에 형성될 수 있다.
이 경우에, 종래, 마스크상에 존재하는 길이 대 폭의 비가 동일한 방식으로웨이퍼 상에 전사되지 않는다는 문제가 발생했다. 대신에, 이미지화된 구조는 길이 대 폭 비를 1에 가까운 값으로 놓여서 유지하는 경향이 있다. 상세하게는, 매우 작은 계수 k1를 가진 즉 개선된 리소그래피 기술을 확실하게 사용하는 시스템의 경우에, - 웨이퍼 상에서 완전하게 타원형 구조를 획득하기 위해서 - 길이 대 폭의 비가 1.5이상인 사각형이 마스크상에 구조되어야 한다.
따라서, 이러한 기술을 사용하는 것은 비교적 긴 길이, 예컨대 정확한 직교 방향의 접촉부를 가진 마스크 플레인 레이아웃에 제한된다. 이러한 문제를 우회하는 한가지 대안은 반도체 기판의 이중 노출로 소망의 좌표상의 방향으로 마스크에서 작은 오프셋을 사용함으로써 반도체 기판상에 확대된 길이방향 축을 가진 개구부를 생성하는 것이다. 그러나, 이 경우에 오프셋이 정확하게 조정되어야 하고, 이는 많은 노력이 필요하며 또한 포함되는 모든 평면에 대해서 이미징 처리의 생산성이 실질적으로 반이 되는 단점이 발생된다.
해상도 한계는 해상도의 범위를 프로젝션이후에 웨이퍼로부터 마스크로 해상도 한계를 되돌림으로써 나타나는 치수를 나타낸다. 예컨대 웨이퍼의 해상도 한계가 140nm라면, 5:1 프로젝션의 경우에, 그 결과값은 마스크에 대해서는 대응하는 값이 700nm이다. 그러나 실시예에서, 그 이하를 사용하는 크기를 나타내는 것은 웨이퍼 레벨에 관련되고, 따라서 대응하는 감소값 예컨대 4 또는 5만큼 웨이퍼 형에 따라 본 발명에 따라서 마스크용으로 몇 배가 되어야 한다.
보조 개구부가 해상도 한계에 가까이 위치하는 치수를 가지는 특성의 결과로서, 상기 개구부가 매우 낮은 대비를 가진 공간 이미지로서 기판 또는 웨이퍼 상에 이미지화되고, 여기서 마더 구조라고 간주된 사각 구조의 대비를 강화하더라도, 낮은 이미지 대비로 인해서, 그 자체는 레지스트에 이미지화되지 않는다. 이 경우에, 특히 구조 형성(이하 설명됨)을 나타내는 한계 치수는 웨이퍼 상의 구조용 프로젝션 장치의 해상도 한계보다 더 크지만, 이 한계에 매우 가깝게 놓인다. 보조 개구부를 통과하는 위상 변이된 광의 부분적인 흡수의 결과로 나타나는 감속된 강도 및 웨이퍼 상의 레지스트의 변화된 광택 감도는 특히 웨이퍼 상에 인쇄하기 위한 한계치수의 정확한 값을 결정한다.
따라서, 위상 변이된 광의 강도 분포는 마더 구조의 형성과 관련되어서 중요하지만, 웨이퍼 상과 같은 보조 개구부의 임의의 직접적인 이미지화에 대해서는 중요하지 않다.
인쇄를 위한 한계 치수, 즉 예컨대 고정된 노출 강도를 가진 웨이퍼상의 층 두께 또는 화학적 조합 등은 프로젝션 장치가 직접 사용되고, 광택된 층이 노출되도록 결정될 수 있다.
이미지화되는 개구부로부터 보조 개구부까지의 거리가 광의 간섭 범위내에 놓이기 때문에, 개구부의 이미지화는 유익한 영향을 받는다. 그러나 본 발명에 의해 주어진 최소 거리의 결과, 프로젝션 시스템의 해상도 한계에 따라서, 예컨대 동일 위상 광 영역, 즉 투명하거나 반 투명 영역내의 광 근접 효과의 경우에, 이러한 영향은 보조 개구부의 위치 방향의 개구부 영역의 직접적인 확장을 유도하지는 않는다.
보조 개구부를 지나서 광의 위상이 변화하고, 이로 인한 근접 효과에 의해, 공중 이미지의 형상 및 생성된 광택된 구조의 형상이 유익한 영향 - 시뮬레이션 및 실험에 의한 결과 - 을 받을 수 있다. 따라서 본 발명에 의해, 보조 개구부 자체는 이미지화되지 않고, 상보형 좌표 방향으로 정확하게 이 방향으로 구조의 영역의 소망의 확장이 발생하는 범위까지 이미지화될 개구부의 프로젝션에 영향을 미치거나, 머더 구조 보조 개구 좌표 방향으로 이미지화될 개구부의 박형화가 발생하는 방식으로 보조 개구부가 이미지화될 개구부에 할당될 수 있다.
본 발명은 마스크상의 기본적인 사각 구조로부터 웨이퍼 상에 타원형의 구조를 생성할 때 상당히 유익하다는 것을 입증한다. 위상 보조 개구부를 제공함으로써 야기되는 근접 효과를 유익하게 사용함으로써, 머더 구조 보조 개구부 축상의 공간 이미지는 생성된 광택된 구조의 치수가 이 좌표에서 이 좌표에 수직인 좌표로부터 감소되는 방식으로 영향을 받는다. 따라서, 이미지화될 구조는 이 방향으로 확장될 것이며, 반면에 웨이퍼 상에 이미지화하는 동안 보조 개구부의 방향의 폭에서 한정되어 유지된다. 타원, 즉 폭-길이 비가 보조 개구부를 정밀하게 형성함으로써 제어될 수 있다.
본 발명의 이러한 전개의 결과, 사각 구조의 특정 원래의 길이 대 폭 비에 한정되지 않는다. 마스크 상에서, 정사각형 및 사각형 머더 구조라고 했던 것은 대응하는 보조 개구부를 설정함으로써 동일하게 영향을 받는다.
보다 상세하게는, 이미지화될 사각 구조는 교류 위상 마스크상의 구조로서 설정될 수 있다. 본 발명에 따른 보조 개구부를 하프-톤(half-tone) 위상 마스크에적용하는 것은 이와 같이 생각할 수 있다.
본 발명의 다른 이점은 프로젝션용 처리 윈도우의 대폭 확장이다. 노출 또는 프로젝션의 선량 및 포커스와 같은 파라미터에 대해서, 범위는 이미지의 미리 정해진 품질이 달성되는 범위내에서 지정되어야 하고, 이 경우 범위는 상호 의존적으로 된다. 프로젝션의 모든 범위의 조합은 우선 가장 가능한 이미지를 포함하고, 가장 우수한 파라미터 자유도를 제공하도록 선택된다. 주어진 이미지용 품질에 한계가 있는 경우에, 이러한 자유도는 본 발명에 의해 유익하게 확장되는 것이다. 특히, 본 발명에 따라서, 예컨대 기판 접촉-메이킹 플레인을 메모리 제품에 이미지화하기 위한 포커스 깊이의 범위(포커스)는 종래의 크롬 마스크에 비해서 실제 두배로 개선된다.
본 발명을 상세하게 설명하면, 특정 유효 범위는 160°와 200°사이에서 실시되는, 이미지화될 사각 구조에 대해 보조 개구부에 따른 위상차를 발견할 수 있다.
더욱 상세하게 설명하면, 가장 균질한 효과를 달성하기 위해 예컨대 하나의 좌표 방향에서 이미지화될 사각 구조의 최소 길이의 길이가 보조 개구부에 대해서 가정된다. 단면에서 예컨대, 폭은 0.25*λ/NA로 주어지는 프로젝션 장치의 해상도 한계 범위내에 놓이기 때문에, 길이 확장에도 불구하고 보조 개구부가 웨이퍼 상에 인쇄되지 않는다.
더욱 상세하게 설명하면, 다른 보조 개구부가 적어도 하나의 사각 구조의 대칭 축에 관한 종래의 보조 개구부에 비해서 거울 대칭형으로 제공된다. 그 결과,대칭인 사각 구조의 확장부 - 또는 사각 구조의 서브셋으로서 정사각형 구조가 웨이퍼 상에 나타난다.
본 발명의 더 유익한 상세한 설명은 보조 하부 구조로 이루어진다. 예컨대, 다크 필드 마스크에 대해서 보조 개구부는 단절된 긴 구멍으로 이루어질 수 있다. 이들은 본질적으로 사각형 또는 라인형을 이루며, 이는 해상도 한계 이하인 간격을 두고 서로 이격되어 있다. 이러한 보조 개구부의 작용은 이 경우에 단절되지 않은 경우에 비해서 상당히 제한된다.
본 발명에 따라서, 사각 구조와 관련해서 보조 개구부를 설정하는 것은 일 좌표 방향을 강조하도록 제한되지 않는다. 예컨대, 처리 윈도우만을 확장하기 위한 대안의 방법은 본 발명에 따른 보조 개구부를 사각형의 모든 변에 제공하는 것이다. 예컨대, 이미지화될 사각 구조 주변의 보조 개구부로서 - 또는 보조 개구부의 세트로서 - 배열된 사각 프레임은 처리 윈도우를 유익하게 확장한다.
더욱 상세한 설명에서, 이미지화될 사각 구조와 관련된 보조 개구부는 사각 구조와 함께 마스크 상에 정형화된 패턴을 형성한다. 사각 구조의 격자를 형성하는 특정 경우에, - 예컨대 메모리 제품 상의 기판 접촉 메이킹 플레인의 경우에 - 개개의 보조 개구부는 긴 구조를 형성하도록 길게 확장되어서 결합될 수 있다. 본 발명에 따라서, 보조 개구부의 단면은 동시에 공지된 바와 같이 서브-해상도 구조의 기준을 만족시킨다. 여기에는 본 발명에 따라서, 타원 구조를 생성하는 효과가 달성되는 이점이 존재하고, 반면에 마스크 설계에서의 레이아웃 및 마스크 자체는 잘 유지되지 않는다.
더 상세한 설명에서, 이미지화될 사각 구조는 실질적으로 정사각형이다. 사각형의 정형 패턴 구성과의 상호작용에 있어서, 이러한 결과는 상당한 이점이다.
웨이퍼 상에 임의의 소망의 정형 사각 패턴을 달성하기 위해, 더 큰 길이 대 폭 비를 가지고 만들어진 사각 구조는 더 이상 어떤 경우에도 마스크에 제공되지 않는다. 대신에 이들은 마스크 상에서 정사각형으로 제공되어야 하고, 그 결과 상세하게는 종래의 기준 거리의 경우에 구조 사이에 마스크상에 사이 공간이 더 생성된다. 일 실시예가 하기에 제공된다.
상세한 설명에서, 사각 구조 및 적어도 하나의 보조 개구부는 각각의 경우에 광이 지나는 투명도가 다르게 형성된다. 보조 개구부의 투명도를 적절하게 선택함으로써, 프로젝션용 처리 윈도우를 유익하게 더 확장할 수 있다. 제한된 인쇄 치수가 발생하기 때문에 설계시에 보조 개구부의 제한된 광 투과성이 더 큰 단면의 선택을 가능하게 한다.
더 상세한 설명에서, 보조 개구부의 단면은 광 프로젝션 시스템 자체의 해상도 제한보다 더 작게 선택된다. 여기서 이점은 이들 변화가 실질적으로 렌즈 시스템 및 그 개구부만을 따르며, 바로 지정될 수 있다는 것이다. 물론 이러한 제한 하에서, 웨이퍼상에서 인쇄는 행해지지 않는다. 상한으로서의 인쇄용 최소 필수 한계 치수와 하한으로서의 해상도 한계사이의 좁은 범위는, 한편으로는 이어지는 노출 예컨대 현상 또는 에칭을 처리하는 타입 또는 웨이퍼 상의 레지스트에 의존한다.
타원형은 프로젝션 시스템의 개구수를 적합하게 함으로써 제어될 수 있고, 이로써 처리 윈도우가 더 확대될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토리소그래피 마스크를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 마스크는 0.35*λ/NA(웨이퍼 기준)의 폭을 가진 다섯개의 개구부(1, 4)를 가지고 있다. 이들은 0.7*λ/NA의 간격을 가진 격자로 그룹지어지며, 인접하는 개구부(1, 4)는 180°의 상대적인 위상차를 가지고 있다. 외부 개구부(1)와 평행하게, 각각의 경우에 0.27*λ/NA의 폭을 가진 보조 개구부(2)가 0.7*λ/NA의 거리(D)를 두고 만들어져 있고, 위상 변화는 인접하는 개구부와 180°씩 다르다. 보조 개구부(2)는 일부 분리된 개구부(1)가 상당히 높은 공주 이미지 대비를 가지고 이미지화되는 것에 영향을 미쳐서, 노출 메쏘드는 상당히 개선된 포토리소그래피 처리 윈도우를 가진다. 이들 공중 이미지의 낮은 감도로 인해서, 보조 개구부(2)는 레지스트 층으로 전사되지 않는다.
더욱이, 보조 개구부(2)에 의해 지지되는 개구부(1)의 폭이 조정되어서, 상세하게는 광폭화되어서, 공칭 노출 조건(최적의 포커스, 공칭 노출)하에서, 개구부(1)는 인접한, 가깝게 패키지화된 개구부(4)와 동일한 폭으로 레지스트 층에 전사된다. 노출 파라미터에 따라서, 보조 개구부(2)에 의해 지지되는 개구부(1)는20%까지의 범위내에서 광폭화된다.
중앙 구조에서 나타나는 분리된 개구부(1)는 0.27*λ/NA의 폭을 가진 보조 개구부(2)에 의해 양쪽이 지지되어 있다. 세 개의 개구부는 0.7*λ/NA의 간격의 격자를 형성한다. 도 4는 도 3의 A-A를 따른 단면도를 개략적으로 도시하고 있다.
도 5는 본 발명에 따른 포토리소그래피 마스크의 다른 실시예를 도시하고 있다. 도 5에 도시된 실시예는 각각의 일부 분리된 개구부(1)용 보조 개구부(2, 5) 및 각각 분리된 개구부(1)용 네 개의 보조 개구부(2, 5)를 사용하는 것에서 차이가 있다. 이 경우에, 지지되는 개구부(4)를 고려해서 즉, 보조 개구부(2)가 보조 개구부(5)와 동일한 위상을 가지지 않도록 추가적인 보조 개구부(5)의 위상이 선택된다. 도 6은 도 5와 관련된 단면도이다.
웨이퍼 상에 정형 패턴으로 배열된 타원 구조를 생성하는 것의 문제가 도 7에 도시되어 있으며, 메모리와 같은 집적 소자를 생산하기 위해 기판 접촉 메이킹 플레인의 예를 사용하고 있다. 도면은 종래의 기술에 따른 마스크 상의 개구부 또는 사각 구조(1)를 도시하고 있으며, 웨이퍼 상에 이미지화되는 구조(1')가 점선의 타원으로, 일치하는 크기로 그 위에 도시되어 있다. 일반적으로, 기판 접촉-메이킹 플레인인 경우에, 마스크 상의 개구부(1)는 사각 접촉 영역으로 설계되어서 종래의 기술에 따르면, 원형 접촉 구멍이 웨이퍼 상에 이미지화된 구조(1')로서 생성된다. 이 예에서, 해상도 한계(30)에 가깝게 나타나는 이들 기본 구조는 한쪽 치수가 긴 접촉 구멍이 이지미화된 구조(1')로서 생성될 것이며, 이는 도 7에 세로 Y 방향으로 수행되는 상황이 된다. 도 7에 도시된 바와 같이, 이미지화된 구조(1')를모두 타원형으로 하기 위해서, 사각 구조(1)의 그 폭(11)에 대한 길이(12)의 비는 적어도 1.5배가 되어야 한다.
면에 도시된 이미지화된 구조(1')의 점선으로 표시된 타원은 웨이퍼 상에 동일한 감도의 라인을 나타낸다. 그러나, 더 감도가 강하거나 더 감도가 약한 노출의 경우에 구조(1')의 영역이 변하더라도, 이미지화된 구조(1')의 길이(12') 대 폭(11')의 비는 감도가 변하더라도 실질적으로 변하지 않는다.
그러나, 웨이퍼 상에 이미지화된 구조(1')의 더 큰 타원을 생성하기 위해서, 도 7의 우측에서 알 수 있는 바와 같이, 마스크 상에 개구부(1)를 구조할 때의 한계까지 빠르게 이르러야 한다. 개구부(1)의 길이 방향 확장의 경우에, 불행하게도 웨이퍼 상의 적절한 타원만을 생성하기 위해서 각각의 인접하는 개구부로부터 개구부(1)까지의 거리(15)는 적어도 해상도 한계(30)보다 커야 된다. 이러한 조건은 웨이퍼 상에 첩촉 구멍으로서 이미지화된 구조(1')의 세로 길이 방향 확장부에서의 상한을 설정하는데 분리하다.
도 8a에 도시되어 있는, 이 문제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 실시예는 정사각형 개구부(1)를 기초로 하고, 상기 개구부(1)의 웨이퍼 상에 이미지는 180°의 위상 변이를 가진 일정하게 고정된 개구부(2)로 인해서, 높은 타원을 가진 웨이퍼상의 구조(1')로서 이미지화된다. 보조 개구부(2)는 해상도 한계(30)의 범위내에 놓인 폭(21)을 가지고 있지만, 프로젝션 장치의 인쇄용 한계 치수(31)내에 있다. 웨이퍼 상에서 개구부(1)로부터 보조 개구부(2)까지의 간격(9)은 한편으로는 해상도 한계(30)위에 있어서 위상 변이된 보조 개구부(2)는, 인접 효과를 사용해서 웨이퍼 상에 이미지화됨에 따라서 정사각형 개구부(1)의 역할을 한다.
도 8a의 실시예에 있어서, 248nm의 파장 및 개구수(NA)=0.63, 및 충진값 σ=0.30을 가지는 프로젝션 장치가 선택되었다. 웨이퍼 레벨에 기초하는 정사각형의 접촉 구멍(1)은 230nm×230nm의 확장부를 가지고 있다. 본 실시예에서 보조행으로 설계된 일정하게 고정된 보조 개구부(2)는 100nm의 폭(21)을 가지고 있다.
본 발명에 따라서 보조 개구부(2)의 동작에 의해 가능한 개구부(1)를 정사각형으로 형성한 결과, 도 7과 관련된 설명에 나타난 문제는 완화될 수 있다. 마스크상에 구조를 배치하고 형성하는 자유도는, 웨이퍼상에 구조(1')를 생성할 때 보조 개구부의 본 발명에 따른 사용에 의해 상당히 향상된다. 보조 개구부(2) 형성시 및 마스크의 레이아웃시에, 이러한 효과는 폭(21) 및 사각 구조(1)로부터의 거리(9)를 통해서 정확하게 제어될 수 있다.
유사하게, 공정 윈도의 상당한 확장이 달성된다. 도 7에 따라서 종래의 기술에 따른 실시예 및 도 8a에 따른 본 발명에 따른 실시예에서의 주어진 개구수에서, 포커스의 깊이는 0.39㎛에서 0.59㎛로 증가될 수 있고, 선량 변화 범위가 두배가 될 수 있다.
기준 해상도 범위에서 길이(12) 및 폭(11)을 가진 실시예에 도시된 기판 접촉 메이킹 플레인에서 동작이 수행되기 때문에, 공지된 바와 같이, 마스크 에러 증가는 특히 불리한 역할을 한다. 따라서, 최소 라인 또는 구조 폭 변동이 비선형 방식으로 마스크에서 웨이퍼로 전사된다. 본 발명에 따른 실시예를 사용함으로써, 처리 윈도우의 확대는 전사 품질을 특히 효율적으로 개선함으로써 이루어지고, - 따라서 결론적으로 마스크 에러 증가 요소는 감소된다 -.
더 큰 고정 윈도우에 더해서, 본 발명에 따른 솔루션의 중요한 장점은 마스크 상에 사각 구조(1)의 정사각형을 설계한 경우에도, 레지스트 구조에 대해 다수의 타원이 달성될 수 있다는 것이다. 종래의 기술은 타원에 대한 한계에 가깝고, 이는 접촉부의 길이 방향의 접촉부의 간격이 더 작기 때문에, 상기 설명한 머더 접촉부의 확대가 검토될 수 있는 최소 랜드(land) 폭 또는 분석될 수 있는 랜드 폭과 같은, 마스크 생성에 의해 야기되는 제한까지 이를 수 있다.
도 8b는 다른 실시예를 도시하고 있고, 이 실시예에 따라서 위상 변이 보조 개구부(2)가 접촉 구멍(1)에 관련되어서 수평으로 배열된다. 여기서, 수평 방향으로 세미-축을 가지고 있는 타원이 달성된다. - 웨이퍼 레벨에 기초해서 - 사용되는 변화는 접촉부의 길이(12):230nm, 접촉부의 폭(11):230nm, 보조 개구부의 길이(22):560nm, 보조 개구부의 단면(21):110nm, 수직 방향의 접촉 구멍 간격:560nm이다. 위상차는 180도이고, 충전 요소(σ)는 0.30이고, 개구수는 0.63이고, 파장은 248nm이다.
도 9는 도 8에 도시된 본 발명에 따른 실시예의 다른 전개를 도시하고 있다. 상세하게는, 두개의 보조 개구부(2)에 의해 좌측과 우측이 둘러싸인 정사각형 형상의 사각 구조(1)를 도시하고 있다. 보조 개구부(2)는 단절된 긴 구멍(2a, 2b, 2c, 2d)으로 이루어진다. 긴 구멍의 서로 간의 거리는 사각 구조(1)로부터 긴 구멍까지의 거리보다 작다. 상세하게는 이들 서로간의 거리는 해상도 한계(30)이하이므로, 사각 구조(1)에 대한 이들의 작용은 연속 보조 개구부(2)의 작용과 같지만, 긴 구멍(2a-2d)의 단절은 보조 개구부(2)의 영역에서의 약간의 감소를 유발하고, 이로써 위상 구조에 의해 야기되는 근접 효과의 작용은 약간 감소된다. 보조 개구부(2)의 길이(22)는 긴 구멍(2a-2d)의 단절에 의해 그대로 유지된다.
네 개의 개구부(2)가 사각 구조(1)를 둘러싸는 본 발명에 따른 다른 실시예가 도 10에 도시되어 있다. 본 실시예에서, 목적은 타원 구조를 생성하는 것이 아니며, 웨이퍼상의 사각 구조(1)의 이미지용 처리 윈도우의 확대가 이용된다. 본 발명에 따라서, 도 10에 도시된 사각 구조(1)는 반드시 정사각형이 아니여도 된다. 도 10의 보조 개구부의 하부에 또는 뒤에, 추가 보조 개구부(2)가 도 10에 도시된 간섭 길이(40)의 범위내에 위치되어서 배열되어 형성되어도 된다. 그러나, 보조 개구부(2)의 전체 폭(21)이 한계 치수(31)를 초과하지 않아서, 웨이퍼 상으로의 보조 개구부(2)의 이미지화가 발생하지 않는다는 다른 조건을 만족시켜야 한다.

Claims (23)

  1. 반도체 기판상의 방사선 반응형 레지스트 층을 노출시키기 위한 포토리소그래피 마스크에 있어서,
    a) 상기 마스크는 투명한 캐리어 물질(51) 상에 적어도 하나의 방사선에 불투명한 층(52)을 구비하고 있고,
    b) 적어도 하나의 개구부(1)가 상기 방사선에 불투명한 층(52)에 마련되되, 상기 적어도 하나의 개구부(1)는 적어도 상기 하나의 개구부(1)에 의해 형성된 패턴이 노출시에 상기 레지스트 층에 전사되는 방식으로 형성되며,
    c) 적어도 하나의 보조 개구부(2)가 상기 방사선에 불투명한 층(52)에 마련되되,
    상기 적어도 하나의 보조 개구부(2)는, 상기 적어도 하나의 보조 개구부(2)에 의해 형성된 상기 패턴이 노출시에 상기 레지스트 층에 전사되지 않는 방식으로 형성되며,
    상기 방사선이 상기 적어도 하나의 보조 개구부(2)를 통과함에 따라서, 인접한 개구부(1) 또는 인접한 보조 개구부(5)를 통과하는 방사선에 대해 위상차가 발생되는
    포토리소그래피 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사선이 적어도 하나의 개구부(1)를 통과함에 따라서, 인접하는 개구부(4)를 통과하는 방사선에 대해 상대적인 위상차가 발생되는
    포토리소그래피 마스크.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 보조 개구부(2)는 0.3λ/NA 미만의 폭을 가진 단면(21)을 가지는
    포토리소그래피 마스크.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 개구부(1)는 일부 분리되고(semi-isolated), 상기 적어도 하나의 보조 개구부(2)는 이 개구부(1)와 연결되어 있는
    포토리소그래피 마스크.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 개구부(1)는 분리되어 있고, 적어도 두개의 보조 개구부(2)가 상기 방사선에 불투명한 층(52)에 마련되고, 각각의 경우에 적어도 두개의 상기 보조 개구부(2)가 적어도 하나의 상기 개구부(1)와 연결되는
    포토리소그래피 마스크.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선이 제 1 개구부(1) 및 상기 제 1 개구부와 인접한 제 2 개구부(4)를 통과함에 따라서, 180°의 상대적인 위상차가 발생되는
    포토리소그래피 마스크.
  7. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선이 상기 적어도 하나의 보조 개구부(2)를 통과함에 따라서, 그와 인접한 개구부(4) 또는 그와 인접한 보조 개구부(2)에 대해 180°의 상대적인 위상차가 발생되는
    포토리소그래피 마스크.
  8. 제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    다수의 상기 개구부(1) 및/또는 상기 보조 개구부(2)가 격자 형상 패턴을 형성하는
    포토리소그래피 마스크.
  9. 제 8 항에 있어서,
    보조 개구부(2)가 인접하는 개구부 또는 보조 개구부(2)로부터 격자 형상 패턴의 간격의 0.3배 이상 0.7배 이하의 거리를 두고 배열되어 있는
    포토리소그래피 마스크.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 개구부(1)는 사각 구조를 가지고 있고,
    상기 적어도 하나의 보조 개구부(2)는
    - 반도체 기판상에 구조를 형성하는데 필요한, 마스크 상의 최소 구조 확장부를 나타내는, 한계 치수(31) 이하의 폭을 가지는 단면(21)을 구비하고,
    - 각각의 경우에, 적어도 하나의 개구부(1)로부터 거리(9)를 두고 배열되며, 상기 거리(9)는
    a) 상기 웨이퍼 크기에 기초해서, 노출을 위해 사용되는 프로젝션 장치의 해상도 한계(30)보다 더 크고,
    b) 상기 프로젝션 장치에 사용되는 광의 간섭 거리보다 더 작으며,
    - 방사선이 통과함에 따라서, 인접하는 개구부(1)를 지나는 상기 방사선에 대해 위상차가 발생되는
    포토리소그래피 마스크.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 보조 개구부(2)의 특성에 의해 위상차가 발생해서 상기 개구부(1)에 대해 160°와 200°사이의 범위내에서 광의 위상을 변화시키는
    포토리소그래피 마스크.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 보조 개구부(2)의 길이(22)는 적어도 상기 적어도 하나의 개구부(1)의 길이를 가지는
    포토리소그래피 마스크.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    적어도 하나의 다른 보조 개구부(2)가 상기 적어도 하나의 개구부(1)의 대칭축에 대해서 상기 적어도 하나의 보조 개구부(2)와 관련해서 미러 대칭형으로 놓이는
    포토리소그래피 마스크.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 보조 개구부(2)는 다수의 비간섭성 사각형부(2a, 2b, 2c, 2d) - 상기 사각형부의 서로간의 거리는 다른 개구부(1)로부터의 각각의 거리 미만임 - 로 구성되어 있는
    포토리소그래피 마스크.
  15. 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    다수의 상기 개구부(1)가 정형 패턴(regular pattern)을 형성해서, 연결된 다수의 보조 개구부(2)도 정형 패턴을 형성하는
    포토리소그래피 마스크.
  16. 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 개구부(1)는 그와 연결된 다수의 보조 개구부(2)에 의해둘러싸여 있는
    포토리소그래피 마스크.
  17. 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항 또는 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 개구부(1)는 실질적으로 정사각형인
    포토리소그래피 마스크.
  18. 제 15 항에 있어서,
    패턴을 형성하는 상기 개구부(1)는 각각의 경우에 정사각형이고, 상기 해상도 한계(30)를 초과하는 길이(22)와 상기 웨이퍼 상의 구조를 형성하기 위한 한계 치수(31)이하인 폭(21)을 가지는 상기 각각의 연결된 보조 개구부(2)는 상기 마스크상에서 동일하게 길이 방향으로 정렬되어 있는
    포토리소그래피 마스크.
  19. 제 10 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 개구부(1)는 투명하고, 상기 적어도 하나의 보조 개구부는 각각의 경우에 투명하거나 불투명하고, 그 주변부(environment)는 통과하는 광에 불투명한
    포토리소그래피 마스크.
  20. 제 10 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폭(21)을 가진 상기 단면은 상기 마스크의 크기에 기초해서 상기 프로젝션 장치의 상기 해상도 한계(30) 이하인 확장부를 가지는
    포토리소그래피 마스크.
  21. 상기 적어도 하나의 개구부(1)로부터 이미지화되는 구조(1') - 상기 구조(1')의 길이(12') 대 폭(11')의 비는 마스크상의 적어도 하나의 개구부의 길이(12) 대 폭(11)의 비보다 큼 - 를 웨이퍼 상에 생성하는 광학 프로젝션 장치에서 제 10 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 따른 마스크를 사용하는 것.
  22. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 마스크를 사용해서 프로젝션 장치에서 웨이퍼를 노출시키는 방법으로서,
    - 상기 웨이퍼상에 이미지화되는 구조(1')에 대해서 달성되어야 하는 상기길이(12') 대 폭(11')의 비를 결정하는 단계와,
    - 적어도, a) 상기 개구부(1)의 상기 길이(12) 및 상기 폭(13)의 함수
    b) 상기 보조 개구부(2)의 상기 길이(22) 및 상기 폭(21)의 함수
    c) 보조 개구부(2)로부터 개구부(1)까지의 거리의 함수
    d) 달성되어야 하는 길이(12') 대 폭(11')의 함수
    에 따라서 상기 프로젝션 장치의 개구수를 설정하는 단계
    를 포함하는 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    개구수를 설정하기 위해, 의존성을 고려해서 수치 시뮬레이션이 수행되는
    방법.
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