JP3943020B2 - フォトリソグラフィーマスク - Google Patents
フォトリソグラフィーマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP3943020B2 JP3943020B2 JP2002542940A JP2002542940A JP3943020B2 JP 3943020 B2 JP3943020 B2 JP 3943020B2 JP 2002542940 A JP2002542940 A JP 2002542940A JP 2002542940 A JP2002542940 A JP 2002542940A JP 3943020 B2 JP3943020 B2 JP 3943020B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- openings
- mask
- auxiliary
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
Description
本発明は、フォトリソグラフィーマスクに関するものである。本発明は、特に、高集積化された半導体素子を製造するために、半導体基板に放射線感受性レジスト層をパターン化するためのフォトリソグラフィーマスクに関するものである。
【０００１】
光学的な光（optischem Licht）によって（大抵は、紫外線長の範囲）駆動する投影機は、半導体製品を製造する際、いわゆるウエハステッパまたはスキャナとして広範に用いられている。透過性の領域、または放射線不透過性、つまり不透過性の領域によって、典型的には水晶板上にマスクとして形成された定義された構造は、コヒーレントな単色の光を通して照射され、レンズシステムを介して、光感受性レジストで被覆されたウエハに画像を形成される。
【０００２】
通常、パターン化された水晶板によって規定される一組のマスクは、層または領域をウエハ上に漸次堆積するために用いられる。集積回路をウエハ上に形成する場合、一つ一つの平面の構造寸法に対する要求は、光学的投影用の物理的解像度限界としばしば衝突する。典型例が、メモリ製品（ＤＲＡＭ）を製造するための特定の平面である。写像の解像には、以下の式が有効である。
【０００３】
（１） ｂmin＝ｋ1＊λ／ＮＡ
ｂminは、最小構造線幅であり、λは単色光の波長であり、ＮＡは、写像されるレンズシステムのアパーチャの数である。係数ｋ1は、一方では、間接照明（Schraeglichtbeleuchtung）、位相シフト構造またはいわゆるＯＰＣ構造（近接効果補正）のような、光の回折特性を利用した技術を含み、他方では、この係数は、収差（コマ収差、色収差）となるレンズエラーのような問題をも考慮している。
【０００４】
実質的には、レジスト構造の形成後に形成されるマスク上の最小構造線幅は、しばしば、様々な理由により、方程式（１）による算定よりもより幅広く算定される。まず、レジスト層の厚さは一定（endliche）なので、写像は簡単に汚染されてしまう（verschmiert）。さらに、現像液が等方的に作用するので、レジスト層を現像する間、レジストは横方向にも除去される。したがって、半導体基板にレジスト層構造を形成するために必要なマスク上の最小構造線幅は、多くのパラメータに応じて変化し、どのパターン化プロセスにおいても個々に規定されている。
【０００５】
寸法忠実度（Masstreue）が低下する原因として、様々な効果が挙げられる。１つには、一定のレジストコントラストγは、レジスト除去変化度用の寸法であり、本来の角張ったマスク構造を丸くする。さらに、マスク、レジスト層および／またはパターン化する前の基板表面の構造素子に発生する、干渉効果、回折効果および散光によって、レジスト層領域の効果的な露光量が均質ではなくなってしまう。
【０００６】
図１に、従来のリソグラフィーマスクに関する上述の問題点を具体的に示す。なお、このマスクは、例えば、ガラスからなる放射線透過性基板５１と、例えば、クロムからなる放射線不透過層５２とを備えたものである。放射線不透過層５２における開口部１は、適切なマスキング工程において、ウエハ上のフォトレジスト層に転写される構造に相当する。露光中、放射線（例えば、紫外線）は、開口部１を介して放射線不透過層５２に入り、干渉効果に基づいて、ウエハ上のフォトレジスト層における放射線の電界Ｅの分布は、図示したようになる。
【０００７】
開口部１と４との間（マスク上の本来暗い領域（dunklen Gebiet））では、干渉効果に基づいて、望ましくない露光がフォトレジスト層になされる。露光濃度が電界強度の２乗に比例しているので、図１に示した電界強度分布は、フォトレジスト層の濃度分布Ｉに相当する。
【０００８】
したがって、この問題点を回避し、構造解像を改善するために、上述したいわゆる「暗視野マスク（dark field mask Dunkelfeldmasken）」に代わって、いわゆる「交互性位相マスク」の使用頻度も高まっている。放射線不透過層５２における各第２開口部４は、例えば、位相差（Phasehub）のあるガラス基板５１をエッチングすることによって、隣り合う開口部１と４との間に位相角（Phasendifferenz）が得られるように、供給される。通常、位相角を１８０°に設定する。この技術を用いて、構造が高周期的で格子状である場合、従来技術と比較して、構造解像を因子２まで増加できる。
【０００９】
図２は、その結果生じた状態を示している。隣り合う開口部１同士の間の位相角が１８０°であるので、左開口部１に入射する放射線と、右開口部４に入射する放射線との間で、破壊的な干渉が生じる。したがって、フォトレジスト層中の電界分布Ｅは、２つの開口部１の間では０である。それに応じて、濃度Ｉも、開口部１同士の間で著しく低下する。こうして、露光のコントラストは著しく改善される。
【００１０】
しかし、このような好ましい結果は、反対側の２つの側面に位相角のある開口部を備えた放射線不透過構造に関してのみ生じる。開口部を介して形成されたパターンが、フォトレジスト層に写像または転写される構造に適しているので、しかし、隣り合う開口部を１つだけ備えた開口部または完全に絶縁した開口部が生じる状態にできる。この場合、このような半絶縁性または絶縁性開口部が、完全にレジスト層に写像されないようにできる。従来、これらの開口部を拡大することによって、少なくとも最適なリソグラフィー条件下で（焦点の最適化、名目上の（nominale）露光）、フォトレジスト層への転写を保証することが、試みられてきた。しかし、リソグラフィープロセスウィンドウは、製造プロセスにおいてこれらの構造によって素子がしばしば破損する程、非常に小さい。それゆえ、この技術は、禁止される必要があるレイアウトを有する臨界構造になるので、実際はめったに使用しない。しかし、この結果、交互性位相マスクの使用に大幅な規制が生じる。
【００１１】
したがって、本発明の課題は、上述した問題点を軽減または完全に回避して、特に、高解像度を有する絶縁構造をもフォトレジスト層に転写する、フォトリソグラフィーマスクを提供することにある。
【００１２】
この課題を、本発明のフォトリソグラフィーマスクによって、特許独立請求項１に基づいて解決する。本発明の他の有効な実施形態、改良点、観点（Aspekte）については、従属特許請求項、明細書および同封の図面に示す。
【００１３】
本発明によって、放射線感受性レジスト層を露光するためのフォトリソグラフィーマスクを、半導体基板上に備える。このとき、マスクは、
ａ）少なくとも１つの放射線不透過層を、透過性キャリア材料上に備え、
ｂ）放射線不透過層に、少なくとも１つの開口部が備えられており、それによって形成されたパターンが、露光する間に、レジスト層に転写されるように設定されており、
ｃ）放射線不透過層に、少なくとも１つの補助開口部が備えられており、それによって形成されたパターンが、露光する間に、レジスト層に転写されず、少なくとも１つの補助開口部を介して放射線が通過するとき、隣り合う開口部または隣り合う補助開口部を介した放射線に対して、位相角が生じる。
【００１４】
本発明のフォトリソグラフィーマスクは、構造を決定する本来の開口部に対して付加的に、補助開口部を使用する。開口部と補助開口部との間の本発明の配置に関して、以下では、開口部を基本構造（Mutterstruktur）とも称する。補助開口部の位相差は、隣り合う開口部に整合している。この出願の範囲では、２つの開口部を介して通過する放射線によって干渉効果が明らかに生じると、これら２つの開口部は隣り合っているとみなされる。補助開口部によって、空中写像コントラスト（Luftbildkontrastes）の著しい改善を、特に写像平面の外部で達成でき、従って、著しく拡大された焦点深度を保証できる。また、補助開口部は、フォトレジストによって形成されないように設定されているので、サブ解像度限界位相アシスト構造（ＳＰＡＳ）とも称される。
【００１５】
この補助開口部の使用は、特に、絶縁性または半絶縁性構造の場合に、プロセスウィンドウにおいて著しく拡大し、非常に密集してパッケージングされた構造の線幅の差を縮小する。さらに、この補助開口部の使用は、従来技術の場合のような２重露光の替わりに、１回露光における回路型レイアウトの露光を許可し、従って生産性を２倍にすることができる。これらの開口部の形状は、長方形であることが多い。それらは、通常、幅よりも長さが長い。この場合、補助開口部は、本来の開口部に対して平行に形成されることが好ましい。
【００１６】
好ましい一実施形態では、補助開口部の幅を、０．３λ／ＮＡよりも小さく選択する。λは、この場合、露光が行われた波長を示し、ＮＡはアパーチャの数を示す。
【００１７】
さらに、半絶縁性開口部に対して、少なくとも１つの補助開口部が備えられていることが好ましい。本出願の範囲では、一方向にのみ隣り合う開口部が位置しているとき、この開口部は半絶縁性である。したがって、半絶縁性開口部では、少なくとも「誤って（fehlende）」隣り合う開口部を反対方向に設置する補助開口部が備えられている。
【００１８】
さらに、絶縁性開口部に対して、少なくとも２つの補助開口部が備えられていることが好ましい。本出願の範囲では、隣り合う開口部が存在しないとき、開口部は絶縁性である。したがって、絶縁性開口部では、「誤って」隣り合う開口部を設置する少なくとも２つの補助開口部が備えられている。
【００１９】
好ましい一実施形態に基づいて、放射線が、隣り合う開口部を介して通過するとき、１８０°の位相角が互いに生じる。さらに、放射線が、補助開口部およびその隣り合う開口部またはその隣り合う補助開口部を介して通過するとき、１８０°の位相角が生じることが好ましい。
【００２０】
さらに、開口部および／または補助開口部は、格子状のパターンを形成することが好ましい。また、補助開口部は、格子の間隔（Periode）の約０．３〜０．７倍の距離を開けて、隣り合う開口部または補助開口部が配置されていることが好ましい。
【００２１】
特に好ましい一形態では、少なくとも１つの開口部の構造は長方形であり、他方、少なくとも１つの補助開口部の断面は、限界寸法（Grenzdimension）未満である。この限界寸法とは、半導体基板上のパターン化構造に必要なマスク上の最小構造面積を示したものである。また、この補助開口部は、少なくとも１つの開口部から、以下のような距離にそれぞれ配置されている。その距離とは、ａ）ウエハ基準に関して、露光に用いられる投影機の解像度限界よりも大きく、ｂ）投影機に用いられる光のコヒーレント長よりも短い距離である。さらに、この補助開口部には、放射線が通過するとき、隣り合う開口部を通過した放射線に対して位相角が生じる。
【００２２】
上述した臨界領域での高度な要求を回避するためには、オーバーレイ、つまり平面間の位置精度を解消することが、しばしば求められる。また、半導体基板またはウエハ上の構造をその座標方向に拡大することが試みられる。この座標方向には、場合によっては、最小構造幅に対する高度な要求はない。これが、第１に、この座標方向における、基板上の隣り合う構造間の距離は十分に大きく、第２に、放射線の多機能性は侵害されない場合に、一般的に生じる。
【００２３】
初めに言及したメモリ製品のために、ここでは、例として、基盤接触平面を挙げることができる。ここでは、従来のような正方形に形成されたマスク上の接触ホールを、長方形の開口部として実施する。このとき、全ての長方形の長軸は、同じ座標方向にある。それに合わせて、同様に縦方向に拡大した長円をウエハ上に形成する。
【００２４】
ここで、マスク上に存在する長さ対幅の比率が、ウエハ上にも同様に転用されるわけではないという、従来からの問題点が生じる。むしろ、写像された構造は、値１により近い長さ対幅の比率を維持することが多い。特に、係数ｋ1の非常に小さいシステムでは、改善されたリソグラフィー技術を集中的に使用することによって、（全体として長円構造をウエハ上に維持するために）１．５より高い長さ対幅の比率の長方形をマスク上にパターン化する必要があるということが認められる。
【００２５】
したがって、この技術の使用は、比較的間隔の空いた（例えば、非臨界座標方向への接触）マスク平面レイアウトに限られていた。この問題を回避するための代替案とは、マスクのわずかなオフセットに用いて半導体基板を所望の座標方向に２重露光することによって、より長軸の長い開口部が半導体基板上に形成されるというものである。もっとも、従来、一方では、消耗が早いのでオフセットの正確な調整を行う必要があり、該当する全平面用の写像プロセスの生産性は、実際には半減するという、不都合がある。
【００２６】
解像度限界によって、解像度限界を一定の割合で再帰する（massstaeblichen Rueckbezug）ことによって投影後にウエハからマスクに生じる寸法が示される。ウエハ上の解像度限界が、例えば、１４０ｎｍであると、５：１投影では、マスクは７００ｎｍという値となる。以下に（特にこの実施例）に用いられるサイズ記述（Groessenangaben）は、もっぱらウエハレベルに関連があるので、本発明のマスク用に、投影パターンに応じて、例えば、４または５という縮小因子（Verkleinerungsfaktor）によって多重化される必要がある。
【００２７】
補助開口部が、解像度限界に近い寸法を有するという特性により、補助開口部は、非常にわずかなコントラストの空中写像として、基板またはウエハ上に写像され、ここで基本構造と見なされた長方形構造のコントラストを強めるが、写像コントラストがわずかであるが故に、それ自身レジストの構造として形成されない。特に、構造形成（以下では、印刷）を描写する限界寸法を、ウエハ上の構造用に投影機の解像度限界よりも大きくできるが、この寸法は、通常、この境界に非常に近い。補助開口部を介して放射される位相のずれた光の、部分的な吸収による減少した強度、およびウエハ上のレジストの変更されたレジスト感受性は、特に、ウエハ上での印刷用のこの限界寸法の正確な値を付加的に決定する。
【００２８】
したがって、位相シフトした光の強度寄与（Intensitaetsbeitraege）は、基本構造を形成するために重要である。しかし、この強度寄与は、ウエハ上の補助開口部の直接写像としてのそのような写像には不十分である。
【００２９】
印刷用の限界寸法、つまり、例えば、ウエハ上の層の厚さまたは化学的合成等を、露光強度が一定である場合に、使用される投影機および露光されるレジスト層用に直接算出するのがよい。
【００３０】
補助開口部と写像される開口部との距離が、光のコヒーレント長領域内であるので、開口部の写像に影響を与えることが好ましい。しかし、本発明によって与えられた距離は、投影システムの解像度限界に応じて最小であるため、この影響によって、位相の同じ明るい領域、つまり透過性または不透過性領域による光近接効果の場合とほぼ同様に、開口部の領域は、補助開口部が配置された方向に直接的に拡大しない。
【００３１】
補助開口部を通過する場合の光の位相シフト、および、それによって限定される近接効果によって、（シミュレーションおよび実験によって発見されたように）空中写像の幾何学的形状、および、これにより形成されたレジスト構造の幾何学的形状に影響を与えることが好ましい。それゆえ、本発明によって、補助開口部を、写像される開口部に、以下のように配置できる。すなわち、補助開口部自身が写像されることなく、写像される開口部の投影が補足的座標方向に、構造の所望の平面拡大がまさにこの方向に行われるように、または写像される開口部の薄化が座標方向基本構造補助開口部で起こるように影響を与えて、補助開口部を配置できる。
【００３２】
上記発明は、マスク上のほぼ正方形の（quadratischen）構造から、楕円形の構造をウエハに形成する場合に、特に有利であることが証明される。位相補助開口部（assistierenden Phasenhilfsoeffnungen）をアシストすることにより、引き起こされる近接効果を有効に利用することにより、基本構造補助開口軸における空中写像は、この座標において形成されるレジスト構造の寸法が、これに対して垂直な座標における寸法と異なるように影響される。従って、写像される構造が、この方向に伸び、一方、補助開口部の方向におけるその幅は、それがウエハに写像される間、制限されたままである。楕円率、すなわち、長さ対幅の比率は、補助開口部を意図的に形成することにより制御できる。
【００３３】
従って、上記発明の発展形は、長方形の構造の確定されているもともとの長さ対幅の比率を制限しない。マスクにおいて、正方形の基本構造、および形成された長方形の基本構造も、相当する補助開口部を装備することにより、同じように影響される。
【００３４】
特に、写像される長方形の構造を、交互性の位相マスク上の構造として装備できる。本発明に基づく補助開口部を、ハーフトーン位相マスクに使用することも、同じように考えられる。
【００３５】
上記発明のほかの長所は、投影用プロセスウィンドウが非常に拡大されることである。この場合、パラメータ用に、露光および投影の分量および焦点には範囲が示されており、この範囲内で、写像の所定の品質が達成される。この場合、範囲は、他方にそれぞれ応じている。一方では最良の写像を含み、他方ではパラメータが最大限の範囲で変動できる、投影のための２つの範囲の組み合わせが選択される。ちょうどこの変動範囲（Spielraum）は、上記発明によって、写像のための品質限界が与えられた場合に拡大される。特に、本発明に基づき、例えば、メモリ製造における基板接触面の写像のための焦点深度範囲（フォーカス）は、従来のクロムマスクに対してほぼ２倍だけ改善される。
【００３６】
上記発明のほかの設計では、写像される長方形の構造に対する補助開口部についての位相角（Phasenunterschied）のために、１６０°〜２００°の間で含まれる、特に効果のある範囲が見出された。
【００３７】
他の設計では、できるだけ均一な作用を引き出すため、例えば、座標方向において、補助開口部のために、少なくとも写像される長方形の長さの１つの長さが想定される。断面、例えば、幅が、投影装置の０，２５＊λ／ＮＡによって規定されている解像度限界（Aufloesungsgrenze）の範囲なので、補助開口部は、長さの伸びが大きくても、ウエハに印刷されない。
【００３８】
他の有利な設計では、他の補助開口部が、従来の補助開口部について少なくとも１つの長方形の構造の対称軸の周りに、鏡面対称に備えられている。このことにより、ウエハ上、あるいは長方形の構造の一部（Untermenge）としての正方形の構造上に、長方形の構造の対称的な長さの延長が保証される。
【００３９】
上記発明の他の有利な設計は、補助開口部の下部構造にある。例えば、暗視野マスク用に、補助開口部を、分断されている縦の穴により構成できる。これらは、同じく、解像度限界未満の距離を置いて相互に分断されている長方形もしくは線を相互に形成する。この場合、このような補助開口部の作用は、分断されていない場合と比べて、ほんの少しだけ制限されている。
【００４０】
上記発明では、長方形の構造と関連する補助開口部の装備は、一座標方向の強調に制限されていない。例えば、プロセスウィンドウのみを拡大するために、長方形の４面全てに本発明に基づく補助開口部を備えることもできる。例えば、補助開口部もしくは補助開口部の一塊として、写像される長方形の構造の回りに配置されている長方形の枠（Rechteckrahmen）も、プロセスウィンドウを有効に拡大することに繋がる。
【００４１】
他の有利な設計では、写像される長方形の構造に組み込まれている補助開口部が、これらと共に規則的なパターンをマスクに形成する。長方形の構造のこのように規定された格子を形成する特定の場合（例えば、メモリ製造における基板接触面の場合）、個々の補助開口部は、引き伸ばされた構造を形成するために、その長さの延長に組み合わせることができる。この場合、補助開口部の断面は、いわゆるサブ解像構造の基準を満たす。有利な点は、本発明に基づき、楕円形の構造を形成する効果が引き出され、一方、マスク設計およびマスク自体の経費が、低く抑えられていることである。
【００４２】
他の設計では、写像される長方形の構造がほぼ正方形に形成されている。長方形の規則的なパターンの設計と相互作用して、ここでは、任意の規則的な長方形の構造をウエハに形成するために、さらにより大きな長さ対幅の比率を有する長方形の構造を、もはやマスクに備える必要が無いことが非常に好ましい。そのかわりに、これらは、正方形としてマスクに備えられている。このことにより、その構造間で、特に、従来のきわどい距離の場合には、より多くの中間の空間がマスクに形成される。以下に一例を示す。
【００４３】
他の設計では、通り抜ける光のためにそれぞれ異なる透過性を有する長方形の構造および少なくとも１つの補助開口部が形成される。補助開口部の透過性を適切に選択することで、有利なことに、投影用プロセスウィンドウをさらに拡大できる。補助開口部の透光性の適切な選択により、設計の際により大きな断面を選択できる。なぜなら、印刷用の限界寸法が同じく上昇するからである。
【００４４】
他の設計では、補助開口部の断面が、光学投影装置自体の解像度限界よりも小さく選択されている。ここでの長所は、等級（Groesse）が、基本的に、レンズシステムもしくはその開口部にのみ依存しており、すぐに明らかにできる(angebbar)ことである。当然、この限界未満では、ウエハへの印刷はできない。これに対して、より上の限界として、印刷するために最小限必要な限界寸法と、下限としての解像度限界との間の狭い範囲は、ウエハ上のレジストや、露光後に続くプロセスの方法（例えば、現像またはエッチング）にも依存している。
【００４５】
さらに、投影システムのアパーチャの数の適合によっても楕円率を制御できる。この場合、同じくプロセスウィンドウをさらに拡大できる。
【００４６】
本発明のほかの設計は、第２の請求項および従属請求項に基づいている。
【００４７】
本発明を、以下に、図面の図に基づき詳しく説明する。
【００４８】
図１は、従来技術に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【００４９】
図２は、従来技術に基づくほかのフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【００５０】
図３は、上記発明の実施形態に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【００５１】
図４は、図３の線Ａ―Ａに沿った概略的な切断面を示す図である。
【００５２】
図５は、上記発明のほかの実施形態に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【００５３】
図６は、図５の線Ａ−Ａに沿った概略的な切断面を示す図である。
【００５４】
図７は、従来技術に基づく、マスクに開口部を有する基板接触面における接触穴の規則的なパターンの一部、および、そのうえに尺度を適合させて形成され、ウエハ上に露光される楕円形を示す図である。
【００５５】
図８は、本発明に基づく、正方形に実施された開口部、（線影付けされている）補助開口部、および、尺度を適合してウエハ上に写像されている楕円形の２つの例（ａ，ｂ）により、基板接触面の規則的なパターンの一部を示す図である。
【００５６】
図９は、本発明に基づく、各４つの分断されている縦の穴により構成される２つの割り当てられている補助開口部を有するマスク上の正方形の開口部の例を示す図である。
【００５７】
図１０は、本発明に基づく、４つの本発明に基づく補助開口部によって取り囲まれている開口部として四角い（quadratische）長方形の構造を示す図である。
【００５８】
図３は、上記発明の第１実施形態に基づくフォトリソグラフィーマスクを概略的に示している。マスクは、（ウエハに対して）０，３５*λ／ＮＡの幅を有する５つの開口部１もしくは４のグループを備えている。これらは、間隔（Periode）０，７*λ／ＮＡの格子としてグループ化されており、この場合、隣り合う開口部１および４は、１８０°の相対的な位相角を有している。０，２７*λ／ＮＡの幅を有する補助開口部２は、外部開口部１に対して並行に、０，７*λ／ＮＡの間隔（Abstand）Ｄをあけて、それぞれ形成されている。この場合、隣り合う開口部１と４とは、位相が１８０°異なる。補助開口部２により、半絶縁開口部１が、明らかにより高い空中投射コントラストを用いて写像され、露光方法は、非常に改善されたリソグラフィープロセスウィンドウを有する。補助開口部２は、その空中写真の濃度が低いので、レジスト層に転写されない。
【００５９】
その上、さらに、補助開口部２によって支持されている開口部１が、幅の適合性、特に拡大を与えられるために、設けられる。その結果、開口部１は、通常の露光条件（最良の焦点、名目上の露光）の場合、密集して実装されている隣り合った開口部のように、同じ幅でレジスト層に転写される。露光パラメータに応じて、補助開口部２によって支持されている開口部１は、ある領域において２０％拡大される。
【００６０】
中間構造から突出している絶縁開口部１は、０，２７λ*／ＮＡの幅の補助開口部２によって、両側において支持されている。３つの開口部は、間隔０，７*λ／ＮＡの格子を形成する。図４は、図３の線Ａ−Ａに沿った図式的切断面を示す。
【００６１】
図５は、本発明のフォトリソグラフィーマスクの補助開口部の実施を示す。図５に示す実施形態は、半絶縁性開口部１毎に２つの補助開口部２および５、ならびに絶縁開口部１毎に２つの補助開口部２および５を使用することにより特徴付けられている。この場合、付加的な補助開口部５の位相は、支持する開口部４を考慮して変化するように、つまり、補助開口部２は、補助開口部５と同じ位相を有していないように選択されている。図６は、図５の断面図を示す。
【００６２】
ウエハ上に、規則的なパターンで配置されている楕円形の構造を形成することの問題を、メモリのような集積部品を製造するための基板接触面の例を用いて図７に示す。図示されているのは、従来技術に基づく、マスク上の開口部もしくは長方形の構造１、およびその上に描かれており、尺度が適合されており、破線で描かれた楕円形としてウエハに写像されている構造１´である。一般に、基板接触面では、マスク上の開口部が、正方形の接触面として実施されている。その結果、従来技術に基づけば、写像される構造１´として円形の接触穴がウエハ上に生じる。この例では、ある寸法で長く引き伸ばされた（langgezogene）接触穴が、この問題となっている構造の場合、すなわち、解像度限界３０に近い場合には、写像される構造１’として形成されるべき状態であり、このことは、図７の垂直Ｙ方向において行われる。図７に示すように、写像された構造１´の楕円率を必ず達成するように、長方形の構造１の長さ１２は、その幅１１の少なくとも１．５倍である必要がある。
【００６３】
図面に示されている写像される構造１´の破線で描かれている楕円形は、ウエハ上に同じ濃度の線を表している。より強い、または、より弱い露光の場合は、構造１´の面は変化するが、写像された構造１´の幅１１´に対する長さ１２´の比率は、濃度が変化しても、基本的に変化しない。
【００６４】
しかし、ウエハに写像された構造１‘をさらにより大きな楕円率となるように形成するため、マスクに開口部１をパターニングする場合、図７の右側に見られるように、すぐ限界にぶつかってしまう。不運なことに、ウエハ上に中間の楕円率だけを形成するために、開口部１の縦の長さが延長される場合には、開口部１の隣り合う各開口部までの距離１５が、少なくとも、解像度限界３０より大きくなければならない。この条件は、ウエハに接触穴として写像される構造１’の長さの縦方向の延長に不利な上限を設定する。
【００６５】
図８Ａに示すように、本発明に基づいてこの問題を解決するための例では、正方形の開口部１をもとにして、ウエハへのその写像が、継ぎ目が無いように続いており、位相が１８０°ずれている補助開口部２によって、高い楕円率を備える構造１´としてウエハ上に写像される。補助開口部２は、投影装置のプリント用解像度限界３０の範囲内であるが、限界寸法３１未満である幅２１を備えている。これに対して、マスク上の補助開口部２から開口部１までの距離９は、解像度限界３０を越えている。その結果、位相がずれている補助開口部２は、近接効果を利用して、ウエハへの写像の際に正方形の開口部１に作用する。
【００６６】
図８Ａの実施例のために、２４８ｎｍの波長、アパーチャの数ＮＡ＝０，６３、および充填率σ＝０．３０を有する投影装置が選択されている。正方形の接触穴１は、ウエハレベルに関連して、２３０ｎｍ×２３０ｎｍの面積（Ausdehnung）を有している。この実施例において、アシスト板として実施されており、継ぎ目のないよう相互に接合されている補助開口部２は、１００ｎｍの幅２１を備えている。
【００６７】
本発明に係る補助開口部２に形成できる正方形の開口部１よって、図７についての説明で明らかとなった問題を回避できる。マスク上の構造の位置決定および形成に関する自由度は、構造１’をウエハに形成する際に、本発明に基づく補助開口部を使用することにより、明らかに改善されている。補助開口部２を形成する場合、もしくはマスクをレイアウトする場合、その幅２１および長方形の構造１までのその距離９を、正確に制御できる。
【００６８】
同じく、プロセスウィンドウが、著しく拡大される。図７の従来技術、および、図８Ａの本発明に基づく例のために与えられたアパーチャでは、焦点深度（Fokustiefe）が０．３９μｍから０．５９μｍに上昇され、分量差異範囲（Dosisvariationsbereiches）も倍化できる。
【００６９】
実施例において示された基板接触面では、解像度限界範囲における長さ１２および幅１１によって処理が行われるので、ここでは、いわゆるマスクエラー増大要因（Mask-Error-Enhancement-Factor）が、従来のように特に不都合である。従って、一次的ではない最小限の線または構造幅のばらつきが、マスクからウエハに転写される。従って、本発明に基づく実施例を使用することにより、プロセスウィンドウの拡大に伴い、とりわけマスクエラー増大要因をさらに減少すると共に、転写品質が特に効果的に改善される。
【００７０】
より大きなプロセスウィンドウの他にも、本発明の解決の決定的な利点は、マスク上における長方形の構造１が正方形の場合でも、レジスト構造のために相当な楕円率が達成されることである。従って、従来技術では、楕円率に関する限界もより狭い。なぜなら、接触の縦方向における接触の間隔がより短い場合、基本接触（Mutterkontakte）の既述の拡大には限界があるからであり、この限界は、例えば、最小限に検査可能な縁幅（Stegbreiten）、または解像可能な縁幅などのように、マスク製造によって条件付けられている。
【００７１】
図８Ｂは、他の実施例を示す。これによれば、位相のずれている補助開口部２は、接触穴１に対して水平に配置される。ここでは、水平方向に大きな半軸（Halbachsen）を有する楕円率が達成される。ウエハレベルに関連して、使用される大きさは、接触穴の長さ１２が３００ｎｍ、接触穴の幅１１が２３０ｎｍ、補助開口部の長さ２２が５６０ｎｍ、補助開口部の横断面が１１０ｎｍ、垂直方向の接触穴の間隔が５６０ｎｍである。位相のずれは、１８０°、充填率σは０，３０、アパーチャの数は０，６３、波長は２４８ｎｍである。
【００７２】
図９は、図８Ａに示す本発明に基づく例の他の形態を示す。この一部分は、左右を補助開口部で囲まれている、正方形に形成された長方形の構造１を示す。補助開口部２は、分断された縦の穴２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄにより構成されている。各縦の穴の距離は、縦の穴の長方形の構造までの距離よりも短い。特に、縦の穴の距離は、解像度限界３０よりもそれぞれ短い。その結果、縦の穴は、連続した補助開口部２とほぼ同ように、長方形の構造１へ作用する。しかし、この場合、縦の穴２ａ〜２ｄの分断により、補助開口部２の面積の僅かな減少に繋がり、このことに対応して、位相構造に起因する近接効果の作用が、僅かに減少する。補助開口部２の長さ２２は、縦の穴２ａ〜２ｄが分断されても影響されないままである。
【００７３】
１つの長方形の構造１の回りに４つの補助開口部２のある他の本発明に基づく構造を、図１０に示す。この実施例では、その目的は、楕円形の構造を形成することではなく、ウエハに長方形の構造１を写像するための、プロセスウィンドウの拡大のみが利用される。図１０に示す長方形の構造は、上記発明に基づいて、必ずしも正方形に形成されていない。さらに、図１０の補助開口部２の後に、常に、図１０の領域内に示されたコヒーレンス長４０である他の補助開口部２を形成できる。とりわけ、ここでも、補助開口部２の全体の幅２１が、限界寸法３１を越えないという他の条件を満たすことも必要とされる。その結果、ウエハ上への補助開口部２の写像が起こることはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、従来技術に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【図２】 図２は、従来技術に基づく他のフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【図３】 図３は、上記発明の実施形態に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【図４】 図４は、図３の線Ａ―Ａに沿った概略的な切断面を示す図である。
【図５】 図５は、上記発明のほかの実施形態に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【図６】 図６は、図５の線Ａ−Ａに沿った概略的な切断面を示す図である。
【図７】 図７は、従来技術に基づく、マスクに開口部を有する基板接触面における接触穴の規則的なパターンの一部、および、そのうえに尺度を適合させて形成され、ウエハ上に露光される楕円形を示す図である。
【図８】 図８ＡＢは、本発明に基づく、正方形に実施された開口部、（線影付けされている）補助開口部、および尺度を適合してウエハ上に写像されている楕円形の２つの例（ａ，ｂ）により、基板接触面の規則的なパターンの一部を示す図である。
【図９】 図９は、本発明に基づく、各４つの分断されている縦の穴により構成される２つの割り当てられている補助開口部を有するマスク上の正方形の開口部の例を示す図である。
【図１０】 図１０は、本発明に基づく、４つの本発明に基づく補助開口部によって取り囲まれている開口部として四角形の（quadratische）長方形の構造を示す図である。
【符号の説明】
１ 開口部
１' ウエハに写像された構造、楕円形の構造
２ 補助開口部
２ａ〜２ｄ 補助開口部の縦の穴
４ 隣り合う開口部
５ 隣り合う補助開口部
９ 開口部と補助開口部との距離
１１ 開口部の幅
１１' 楕円形の幅
１２ 開口部の長さ
１２‘ 楕円形の長さ
１５ 開口部の間の距離
２１ 断面、補助開口部の幅
２２ 補助開口部の長さ
３０ 解像度限界、最小構造幅
３１ ウエハに構造形成するのに必要なマスク状の構造の限界寸法
４０ 光のコヒーレンス長
５１ 放射線不透過、不透明層
５２ 石英、マスク用のキャリア物質
１０１ ２倍の幅の線（長方形の構造）
１０２ 分断されている補助開口部
２０１ ３倍の幅の線（開口部）
【０００１】
光学的な光（optischem Licht）によって（大抵は、紫外線長の範囲）駆動する投影機は、半導体製品を製造する際、いわゆるウエハステッパまたはスキャナとして広範に用いられている。透過性の領域、または放射線不透過性、つまり不透過性の領域によって、典型的には水晶板上にマスクとして形成された定義された構造は、コヒーレントな単色の光を通して照射され、レンズシステムを介して、光感受性レジストで被覆されたウエハに画像を形成される。
【０００２】
通常、パターン化された水晶板によって規定される一組のマスクは、層または領域をウエハ上に漸次堆積するために用いられる。集積回路をウエハ上に形成する場合、一つ一つの平面の構造寸法に対する要求は、光学的投影用の物理的解像度限界としばしば衝突する。典型例が、メモリ製品（ＤＲＡＭ）を製造するための特定の平面である。写像の解像には、以下の式が有効である。
【０００３】
（１） ｂmin＝ｋ1＊λ／ＮＡ
ｂminは、最小構造線幅であり、λは単色光の波長であり、ＮＡは、写像されるレンズシステムのアパーチャの数である。係数ｋ1は、一方では、間接照明（Schraeglichtbeleuchtung）、位相シフト構造またはいわゆるＯＰＣ構造（近接効果補正）のような、光の回折特性を利用した技術を含み、他方では、この係数は、収差（コマ収差、色収差）となるレンズエラーのような問題をも考慮している。
【０００４】
実質的には、レジスト構造の形成後に形成されるマスク上の最小構造線幅は、しばしば、様々な理由により、方程式（１）による算定よりもより幅広く算定される。まず、レジスト層の厚さは一定（endliche）なので、写像は簡単に汚染されてしまう（verschmiert）。さらに、現像液が等方的に作用するので、レジスト層を現像する間、レジストは横方向にも除去される。したがって、半導体基板にレジスト層構造を形成するために必要なマスク上の最小構造線幅は、多くのパラメータに応じて変化し、どのパターン化プロセスにおいても個々に規定されている。
【０００５】
寸法忠実度（Masstreue）が低下する原因として、様々な効果が挙げられる。１つには、一定のレジストコントラストγは、レジスト除去変化度用の寸法であり、本来の角張ったマスク構造を丸くする。さらに、マスク、レジスト層および／またはパターン化する前の基板表面の構造素子に発生する、干渉効果、回折効果および散光によって、レジスト層領域の効果的な露光量が均質ではなくなってしまう。
【０００６】
図１に、従来のリソグラフィーマスクに関する上述の問題点を具体的に示す。なお、このマスクは、例えば、ガラスからなる放射線透過性基板５１と、例えば、クロムからなる放射線不透過層５２とを備えたものである。放射線不透過層５２における開口部１は、適切なマスキング工程において、ウエハ上のフォトレジスト層に転写される構造に相当する。露光中、放射線（例えば、紫外線）は、開口部１を介して放射線不透過層５２に入り、干渉効果に基づいて、ウエハ上のフォトレジスト層における放射線の電界Ｅの分布は、図示したようになる。
【０００７】
開口部１と４との間（マスク上の本来暗い領域（dunklen Gebiet））では、干渉効果に基づいて、望ましくない露光がフォトレジスト層になされる。露光濃度が電界強度の２乗に比例しているので、図１に示した電界強度分布は、フォトレジスト層の濃度分布Ｉに相当する。
【０００８】
したがって、この問題点を回避し、構造解像を改善するために、上述したいわゆる「暗視野マスク（dark field mask Dunkelfeldmasken）」に代わって、いわゆる「交互性位相マスク」の使用頻度も高まっている。放射線不透過層５２における各第２開口部４は、例えば、位相差（Phasehub）のあるガラス基板５１をエッチングすることによって、隣り合う開口部１と４との間に位相角（Phasendifferenz）が得られるように、供給される。通常、位相角を１８０°に設定する。この技術を用いて、構造が高周期的で格子状である場合、従来技術と比較して、構造解像を因子２まで増加できる。
【０００９】
図２は、その結果生じた状態を示している。隣り合う開口部１同士の間の位相角が１８０°であるので、左開口部１に入射する放射線と、右開口部４に入射する放射線との間で、破壊的な干渉が生じる。したがって、フォトレジスト層中の電界分布Ｅは、２つの開口部１の間では０である。それに応じて、濃度Ｉも、開口部１同士の間で著しく低下する。こうして、露光のコントラストは著しく改善される。
【００１０】
しかし、このような好ましい結果は、反対側の２つの側面に位相角のある開口部を備えた放射線不透過構造に関してのみ生じる。開口部を介して形成されたパターンが、フォトレジスト層に写像または転写される構造に適しているので、しかし、隣り合う開口部を１つだけ備えた開口部または完全に絶縁した開口部が生じる状態にできる。この場合、このような半絶縁性または絶縁性開口部が、完全にレジスト層に写像されないようにできる。従来、これらの開口部を拡大することによって、少なくとも最適なリソグラフィー条件下で（焦点の最適化、名目上の（nominale）露光）、フォトレジスト層への転写を保証することが、試みられてきた。しかし、リソグラフィープロセスウィンドウは、製造プロセスにおいてこれらの構造によって素子がしばしば破損する程、非常に小さい。それゆえ、この技術は、禁止される必要があるレイアウトを有する臨界構造になるので、実際はめったに使用しない。しかし、この結果、交互性位相マスクの使用に大幅な規制が生じる。
【００１１】
したがって、本発明の課題は、上述した問題点を軽減または完全に回避して、特に、高解像度を有する絶縁構造をもフォトレジスト層に転写する、フォトリソグラフィーマスクを提供することにある。
【００１２】
この課題を、本発明のフォトリソグラフィーマスクによって、特許独立請求項１に基づいて解決する。本発明の他の有効な実施形態、改良点、観点（Aspekte）については、従属特許請求項、明細書および同封の図面に示す。
【００１３】
本発明によって、放射線感受性レジスト層を露光するためのフォトリソグラフィーマスクを、半導体基板上に備える。このとき、マスクは、
ａ）少なくとも１つの放射線不透過層を、透過性キャリア材料上に備え、
ｂ）放射線不透過層に、少なくとも１つの開口部が備えられており、それによって形成されたパターンが、露光する間に、レジスト層に転写されるように設定されており、
ｃ）放射線不透過層に、少なくとも１つの補助開口部が備えられており、それによって形成されたパターンが、露光する間に、レジスト層に転写されず、少なくとも１つの補助開口部を介して放射線が通過するとき、隣り合う開口部または隣り合う補助開口部を介した放射線に対して、位相角が生じる。
【００１４】
本発明のフォトリソグラフィーマスクは、構造を決定する本来の開口部に対して付加的に、補助開口部を使用する。開口部と補助開口部との間の本発明の配置に関して、以下では、開口部を基本構造（Mutterstruktur）とも称する。補助開口部の位相差は、隣り合う開口部に整合している。この出願の範囲では、２つの開口部を介して通過する放射線によって干渉効果が明らかに生じると、これら２つの開口部は隣り合っているとみなされる。補助開口部によって、空中写像コントラスト（Luftbildkontrastes）の著しい改善を、特に写像平面の外部で達成でき、従って、著しく拡大された焦点深度を保証できる。また、補助開口部は、フォトレジストによって形成されないように設定されているので、サブ解像度限界位相アシスト構造（ＳＰＡＳ）とも称される。
【００１５】
この補助開口部の使用は、特に、絶縁性または半絶縁性構造の場合に、プロセスウィンドウにおいて著しく拡大し、非常に密集してパッケージングされた構造の線幅の差を縮小する。さらに、この補助開口部の使用は、従来技術の場合のような２重露光の替わりに、１回露光における回路型レイアウトの露光を許可し、従って生産性を２倍にすることができる。これらの開口部の形状は、長方形であることが多い。それらは、通常、幅よりも長さが長い。この場合、補助開口部は、本来の開口部に対して平行に形成されることが好ましい。
【００１６】
好ましい一実施形態では、補助開口部の幅を、０．３λ／ＮＡよりも小さく選択する。λは、この場合、露光が行われた波長を示し、ＮＡはアパーチャの数を示す。
【００１７】
さらに、半絶縁性開口部に対して、少なくとも１つの補助開口部が備えられていることが好ましい。本出願の範囲では、一方向にのみ隣り合う開口部が位置しているとき、この開口部は半絶縁性である。したがって、半絶縁性開口部では、少なくとも「誤って（fehlende）」隣り合う開口部を反対方向に設置する補助開口部が備えられている。
【００１８】
さらに、絶縁性開口部に対して、少なくとも２つの補助開口部が備えられていることが好ましい。本出願の範囲では、隣り合う開口部が存在しないとき、開口部は絶縁性である。したがって、絶縁性開口部では、「誤って」隣り合う開口部を設置する少なくとも２つの補助開口部が備えられている。
【００１９】
好ましい一実施形態に基づいて、放射線が、隣り合う開口部を介して通過するとき、１８０°の位相角が互いに生じる。さらに、放射線が、補助開口部およびその隣り合う開口部またはその隣り合う補助開口部を介して通過するとき、１８０°の位相角が生じることが好ましい。
【００２０】
さらに、開口部および／または補助開口部は、格子状のパターンを形成することが好ましい。また、補助開口部は、格子の間隔（Periode）の約０．３〜０．７倍の距離を開けて、隣り合う開口部または補助開口部が配置されていることが好ましい。
【００２１】
特に好ましい一形態では、少なくとも１つの開口部の構造は長方形であり、他方、少なくとも１つの補助開口部の断面は、限界寸法（Grenzdimension）未満である。この限界寸法とは、半導体基板上のパターン化構造に必要なマスク上の最小構造面積を示したものである。また、この補助開口部は、少なくとも１つの開口部から、以下のような距離にそれぞれ配置されている。その距離とは、ａ）ウエハ基準に関して、露光に用いられる投影機の解像度限界よりも大きく、ｂ）投影機に用いられる光のコヒーレント長よりも短い距離である。さらに、この補助開口部には、放射線が通過するとき、隣り合う開口部を通過した放射線に対して位相角が生じる。
【００２２】
上述した臨界領域での高度な要求を回避するためには、オーバーレイ、つまり平面間の位置精度を解消することが、しばしば求められる。また、半導体基板またはウエハ上の構造をその座標方向に拡大することが試みられる。この座標方向には、場合によっては、最小構造幅に対する高度な要求はない。これが、第１に、この座標方向における、基板上の隣り合う構造間の距離は十分に大きく、第２に、放射線の多機能性は侵害されない場合に、一般的に生じる。
【００２３】
初めに言及したメモリ製品のために、ここでは、例として、基盤接触平面を挙げることができる。ここでは、従来のような正方形に形成されたマスク上の接触ホールを、長方形の開口部として実施する。このとき、全ての長方形の長軸は、同じ座標方向にある。それに合わせて、同様に縦方向に拡大した長円をウエハ上に形成する。
【００２４】
ここで、マスク上に存在する長さ対幅の比率が、ウエハ上にも同様に転用されるわけではないという、従来からの問題点が生じる。むしろ、写像された構造は、値１により近い長さ対幅の比率を維持することが多い。特に、係数ｋ1の非常に小さいシステムでは、改善されたリソグラフィー技術を集中的に使用することによって、（全体として長円構造をウエハ上に維持するために）１．５より高い長さ対幅の比率の長方形をマスク上にパターン化する必要があるということが認められる。
【００２５】
したがって、この技術の使用は、比較的間隔の空いた（例えば、非臨界座標方向への接触）マスク平面レイアウトに限られていた。この問題を回避するための代替案とは、マスクのわずかなオフセットに用いて半導体基板を所望の座標方向に２重露光することによって、より長軸の長い開口部が半導体基板上に形成されるというものである。もっとも、従来、一方では、消耗が早いのでオフセットの正確な調整を行う必要があり、該当する全平面用の写像プロセスの生産性は、実際には半減するという、不都合がある。
【００２６】
解像度限界によって、解像度限界を一定の割合で再帰する（massstaeblichen Rueckbezug）ことによって投影後にウエハからマスクに生じる寸法が示される。ウエハ上の解像度限界が、例えば、１４０ｎｍであると、５：１投影では、マスクは７００ｎｍという値となる。以下に（特にこの実施例）に用いられるサイズ記述（Groessenangaben）は、もっぱらウエハレベルに関連があるので、本発明のマスク用に、投影パターンに応じて、例えば、４または５という縮小因子（Verkleinerungsfaktor）によって多重化される必要がある。
【００２７】
補助開口部が、解像度限界に近い寸法を有するという特性により、補助開口部は、非常にわずかなコントラストの空中写像として、基板またはウエハ上に写像され、ここで基本構造と見なされた長方形構造のコントラストを強めるが、写像コントラストがわずかであるが故に、それ自身レジストの構造として形成されない。特に、構造形成（以下では、印刷）を描写する限界寸法を、ウエハ上の構造用に投影機の解像度限界よりも大きくできるが、この寸法は、通常、この境界に非常に近い。補助開口部を介して放射される位相のずれた光の、部分的な吸収による減少した強度、およびウエハ上のレジストの変更されたレジスト感受性は、特に、ウエハ上での印刷用のこの限界寸法の正確な値を付加的に決定する。
【００２８】
したがって、位相シフトした光の強度寄与（Intensitaetsbeitraege）は、基本構造を形成するために重要である。しかし、この強度寄与は、ウエハ上の補助開口部の直接写像としてのそのような写像には不十分である。
【００２９】
印刷用の限界寸法、つまり、例えば、ウエハ上の層の厚さまたは化学的合成等を、露光強度が一定である場合に、使用される投影機および露光されるレジスト層用に直接算出するのがよい。
【００３０】
補助開口部と写像される開口部との距離が、光のコヒーレント長領域内であるので、開口部の写像に影響を与えることが好ましい。しかし、本発明によって与えられた距離は、投影システムの解像度限界に応じて最小であるため、この影響によって、位相の同じ明るい領域、つまり透過性または不透過性領域による光近接効果の場合とほぼ同様に、開口部の領域は、補助開口部が配置された方向に直接的に拡大しない。
【００３１】
補助開口部を通過する場合の光の位相シフト、および、それによって限定される近接効果によって、（シミュレーションおよび実験によって発見されたように）空中写像の幾何学的形状、および、これにより形成されたレジスト構造の幾何学的形状に影響を与えることが好ましい。それゆえ、本発明によって、補助開口部を、写像される開口部に、以下のように配置できる。すなわち、補助開口部自身が写像されることなく、写像される開口部の投影が補足的座標方向に、構造の所望の平面拡大がまさにこの方向に行われるように、または写像される開口部の薄化が座標方向基本構造補助開口部で起こるように影響を与えて、補助開口部を配置できる。
【００３２】
上記発明は、マスク上のほぼ正方形の（quadratischen）構造から、楕円形の構造をウエハに形成する場合に、特に有利であることが証明される。位相補助開口部（assistierenden Phasenhilfsoeffnungen）をアシストすることにより、引き起こされる近接効果を有効に利用することにより、基本構造補助開口軸における空中写像は、この座標において形成されるレジスト構造の寸法が、これに対して垂直な座標における寸法と異なるように影響される。従って、写像される構造が、この方向に伸び、一方、補助開口部の方向におけるその幅は、それがウエハに写像される間、制限されたままである。楕円率、すなわち、長さ対幅の比率は、補助開口部を意図的に形成することにより制御できる。
【００３３】
従って、上記発明の発展形は、長方形の構造の確定されているもともとの長さ対幅の比率を制限しない。マスクにおいて、正方形の基本構造、および形成された長方形の基本構造も、相当する補助開口部を装備することにより、同じように影響される。
【００３４】
特に、写像される長方形の構造を、交互性の位相マスク上の構造として装備できる。本発明に基づく補助開口部を、ハーフトーン位相マスクに使用することも、同じように考えられる。
【００３５】
上記発明のほかの長所は、投影用プロセスウィンドウが非常に拡大されることである。この場合、パラメータ用に、露光および投影の分量および焦点には範囲が示されており、この範囲内で、写像の所定の品質が達成される。この場合、範囲は、他方にそれぞれ応じている。一方では最良の写像を含み、他方ではパラメータが最大限の範囲で変動できる、投影のための２つの範囲の組み合わせが選択される。ちょうどこの変動範囲（Spielraum）は、上記発明によって、写像のための品質限界が与えられた場合に拡大される。特に、本発明に基づき、例えば、メモリ製造における基板接触面の写像のための焦点深度範囲（フォーカス）は、従来のクロムマスクに対してほぼ２倍だけ改善される。
【００３６】
上記発明のほかの設計では、写像される長方形の構造に対する補助開口部についての位相角（Phasenunterschied）のために、１６０°〜２００°の間で含まれる、特に効果のある範囲が見出された。
【００３７】
他の設計では、できるだけ均一な作用を引き出すため、例えば、座標方向において、補助開口部のために、少なくとも写像される長方形の長さの１つの長さが想定される。断面、例えば、幅が、投影装置の０，２５＊λ／ＮＡによって規定されている解像度限界（Aufloesungsgrenze）の範囲なので、補助開口部は、長さの伸びが大きくても、ウエハに印刷されない。
【００３８】
他の有利な設計では、他の補助開口部が、従来の補助開口部について少なくとも１つの長方形の構造の対称軸の周りに、鏡面対称に備えられている。このことにより、ウエハ上、あるいは長方形の構造の一部（Untermenge）としての正方形の構造上に、長方形の構造の対称的な長さの延長が保証される。
【００３９】
上記発明の他の有利な設計は、補助開口部の下部構造にある。例えば、暗視野マスク用に、補助開口部を、分断されている縦の穴により構成できる。これらは、同じく、解像度限界未満の距離を置いて相互に分断されている長方形もしくは線を相互に形成する。この場合、このような補助開口部の作用は、分断されていない場合と比べて、ほんの少しだけ制限されている。
【００４０】
上記発明では、長方形の構造と関連する補助開口部の装備は、一座標方向の強調に制限されていない。例えば、プロセスウィンドウのみを拡大するために、長方形の４面全てに本発明に基づく補助開口部を備えることもできる。例えば、補助開口部もしくは補助開口部の一塊として、写像される長方形の構造の回りに配置されている長方形の枠（Rechteckrahmen）も、プロセスウィンドウを有効に拡大することに繋がる。
【００４１】
他の有利な設計では、写像される長方形の構造に組み込まれている補助開口部が、これらと共に規則的なパターンをマスクに形成する。長方形の構造のこのように規定された格子を形成する特定の場合（例えば、メモリ製造における基板接触面の場合）、個々の補助開口部は、引き伸ばされた構造を形成するために、その長さの延長に組み合わせることができる。この場合、補助開口部の断面は、いわゆるサブ解像構造の基準を満たす。有利な点は、本発明に基づき、楕円形の構造を形成する効果が引き出され、一方、マスク設計およびマスク自体の経費が、低く抑えられていることである。
【００４２】
他の設計では、写像される長方形の構造がほぼ正方形に形成されている。長方形の規則的なパターンの設計と相互作用して、ここでは、任意の規則的な長方形の構造をウエハに形成するために、さらにより大きな長さ対幅の比率を有する長方形の構造を、もはやマスクに備える必要が無いことが非常に好ましい。そのかわりに、これらは、正方形としてマスクに備えられている。このことにより、その構造間で、特に、従来のきわどい距離の場合には、より多くの中間の空間がマスクに形成される。以下に一例を示す。
【００４３】
他の設計では、通り抜ける光のためにそれぞれ異なる透過性を有する長方形の構造および少なくとも１つの補助開口部が形成される。補助開口部の透過性を適切に選択することで、有利なことに、投影用プロセスウィンドウをさらに拡大できる。補助開口部の透光性の適切な選択により、設計の際により大きな断面を選択できる。なぜなら、印刷用の限界寸法が同じく上昇するからである。
【００４４】
他の設計では、補助開口部の断面が、光学投影装置自体の解像度限界よりも小さく選択されている。ここでの長所は、等級（Groesse）が、基本的に、レンズシステムもしくはその開口部にのみ依存しており、すぐに明らかにできる(angebbar)ことである。当然、この限界未満では、ウエハへの印刷はできない。これに対して、より上の限界として、印刷するために最小限必要な限界寸法と、下限としての解像度限界との間の狭い範囲は、ウエハ上のレジストや、露光後に続くプロセスの方法（例えば、現像またはエッチング）にも依存している。
【００４５】
さらに、投影システムのアパーチャの数の適合によっても楕円率を制御できる。この場合、同じくプロセスウィンドウをさらに拡大できる。
【００４６】
本発明のほかの設計は、第２の請求項および従属請求項に基づいている。
【００４７】
本発明を、以下に、図面の図に基づき詳しく説明する。
【００４８】
図１は、従来技術に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【００４９】
図２は、従来技術に基づくほかのフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【００５０】
図３は、上記発明の実施形態に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【００５１】
図４は、図３の線Ａ―Ａに沿った概略的な切断面を示す図である。
【００５２】
図５は、上記発明のほかの実施形態に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【００５３】
図６は、図５の線Ａ−Ａに沿った概略的な切断面を示す図である。
【００５４】
図７は、従来技術に基づく、マスクに開口部を有する基板接触面における接触穴の規則的なパターンの一部、および、そのうえに尺度を適合させて形成され、ウエハ上に露光される楕円形を示す図である。
【００５５】
図８は、本発明に基づく、正方形に実施された開口部、（線影付けされている）補助開口部、および、尺度を適合してウエハ上に写像されている楕円形の２つの例（ａ，ｂ）により、基板接触面の規則的なパターンの一部を示す図である。
【００５６】
図９は、本発明に基づく、各４つの分断されている縦の穴により構成される２つの割り当てられている補助開口部を有するマスク上の正方形の開口部の例を示す図である。
【００５７】
図１０は、本発明に基づく、４つの本発明に基づく補助開口部によって取り囲まれている開口部として四角い（quadratische）長方形の構造を示す図である。
【００５８】
図３は、上記発明の第１実施形態に基づくフォトリソグラフィーマスクを概略的に示している。マスクは、（ウエハに対して）０，３５*λ／ＮＡの幅を有する５つの開口部１もしくは４のグループを備えている。これらは、間隔（Periode）０，７*λ／ＮＡの格子としてグループ化されており、この場合、隣り合う開口部１および４は、１８０°の相対的な位相角を有している。０，２７*λ／ＮＡの幅を有する補助開口部２は、外部開口部１に対して並行に、０，７*λ／ＮＡの間隔（Abstand）Ｄをあけて、それぞれ形成されている。この場合、隣り合う開口部１と４とは、位相が１８０°異なる。補助開口部２により、半絶縁開口部１が、明らかにより高い空中投射コントラストを用いて写像され、露光方法は、非常に改善されたリソグラフィープロセスウィンドウを有する。補助開口部２は、その空中写真の濃度が低いので、レジスト層に転写されない。
【００５９】
その上、さらに、補助開口部２によって支持されている開口部１が、幅の適合性、特に拡大を与えられるために、設けられる。その結果、開口部１は、通常の露光条件（最良の焦点、名目上の露光）の場合、密集して実装されている隣り合った開口部のように、同じ幅でレジスト層に転写される。露光パラメータに応じて、補助開口部２によって支持されている開口部１は、ある領域において２０％拡大される。
【００６０】
中間構造から突出している絶縁開口部１は、０，２７λ*／ＮＡの幅の補助開口部２によって、両側において支持されている。３つの開口部は、間隔０，７*λ／ＮＡの格子を形成する。図４は、図３の線Ａ−Ａに沿った図式的切断面を示す。
【００６１】
図５は、本発明のフォトリソグラフィーマスクの補助開口部の実施を示す。図５に示す実施形態は、半絶縁性開口部１毎に２つの補助開口部２および５、ならびに絶縁開口部１毎に２つの補助開口部２および５を使用することにより特徴付けられている。この場合、付加的な補助開口部５の位相は、支持する開口部４を考慮して変化するように、つまり、補助開口部２は、補助開口部５と同じ位相を有していないように選択されている。図６は、図５の断面図を示す。
【００６２】
ウエハ上に、規則的なパターンで配置されている楕円形の構造を形成することの問題を、メモリのような集積部品を製造するための基板接触面の例を用いて図７に示す。図示されているのは、従来技術に基づく、マスク上の開口部もしくは長方形の構造１、およびその上に描かれており、尺度が適合されており、破線で描かれた楕円形としてウエハに写像されている構造１´である。一般に、基板接触面では、マスク上の開口部が、正方形の接触面として実施されている。その結果、従来技術に基づけば、写像される構造１´として円形の接触穴がウエハ上に生じる。この例では、ある寸法で長く引き伸ばされた（langgezogene）接触穴が、この問題となっている構造の場合、すなわち、解像度限界３０に近い場合には、写像される構造１’として形成されるべき状態であり、このことは、図７の垂直Ｙ方向において行われる。図７に示すように、写像された構造１´の楕円率を必ず達成するように、長方形の構造１の長さ１２は、その幅１１の少なくとも１．５倍である必要がある。
【００６３】
図面に示されている写像される構造１´の破線で描かれている楕円形は、ウエハ上に同じ濃度の線を表している。より強い、または、より弱い露光の場合は、構造１´の面は変化するが、写像された構造１´の幅１１´に対する長さ１２´の比率は、濃度が変化しても、基本的に変化しない。
【００６４】
しかし、ウエハに写像された構造１‘をさらにより大きな楕円率となるように形成するため、マスクに開口部１をパターニングする場合、図７の右側に見られるように、すぐ限界にぶつかってしまう。不運なことに、ウエハ上に中間の楕円率だけを形成するために、開口部１の縦の長さが延長される場合には、開口部１の隣り合う各開口部までの距離１５が、少なくとも、解像度限界３０より大きくなければならない。この条件は、ウエハに接触穴として写像される構造１’の長さの縦方向の延長に不利な上限を設定する。
【００６５】
図８Ａに示すように、本発明に基づいてこの問題を解決するための例では、正方形の開口部１をもとにして、ウエハへのその写像が、継ぎ目が無いように続いており、位相が１８０°ずれている補助開口部２によって、高い楕円率を備える構造１´としてウエハ上に写像される。補助開口部２は、投影装置のプリント用解像度限界３０の範囲内であるが、限界寸法３１未満である幅２１を備えている。これに対して、マスク上の補助開口部２から開口部１までの距離９は、解像度限界３０を越えている。その結果、位相がずれている補助開口部２は、近接効果を利用して、ウエハへの写像の際に正方形の開口部１に作用する。
【００６６】
図８Ａの実施例のために、２４８ｎｍの波長、アパーチャの数ＮＡ＝０，６３、および充填率σ＝０．３０を有する投影装置が選択されている。正方形の接触穴１は、ウエハレベルに関連して、２３０ｎｍ×２３０ｎｍの面積（Ausdehnung）を有している。この実施例において、アシスト板として実施されており、継ぎ目のないよう相互に接合されている補助開口部２は、１００ｎｍの幅２１を備えている。
【００６７】
本発明に係る補助開口部２に形成できる正方形の開口部１よって、図７についての説明で明らかとなった問題を回避できる。マスク上の構造の位置決定および形成に関する自由度は、構造１’をウエハに形成する際に、本発明に基づく補助開口部を使用することにより、明らかに改善されている。補助開口部２を形成する場合、もしくはマスクをレイアウトする場合、その幅２１および長方形の構造１までのその距離９を、正確に制御できる。
【００６８】
同じく、プロセスウィンドウが、著しく拡大される。図７の従来技術、および、図８Ａの本発明に基づく例のために与えられたアパーチャでは、焦点深度（Fokustiefe）が０．３９μｍから０．５９μｍに上昇され、分量差異範囲（Dosisvariationsbereiches）も倍化できる。
【００６９】
実施例において示された基板接触面では、解像度限界範囲における長さ１２および幅１１によって処理が行われるので、ここでは、いわゆるマスクエラー増大要因（Mask-Error-Enhancement-Factor）が、従来のように特に不都合である。従って、一次的ではない最小限の線または構造幅のばらつきが、マスクからウエハに転写される。従って、本発明に基づく実施例を使用することにより、プロセスウィンドウの拡大に伴い、とりわけマスクエラー増大要因をさらに減少すると共に、転写品質が特に効果的に改善される。
【００７０】
より大きなプロセスウィンドウの他にも、本発明の解決の決定的な利点は、マスク上における長方形の構造１が正方形の場合でも、レジスト構造のために相当な楕円率が達成されることである。従って、従来技術では、楕円率に関する限界もより狭い。なぜなら、接触の縦方向における接触の間隔がより短い場合、基本接触（Mutterkontakte）の既述の拡大には限界があるからであり、この限界は、例えば、最小限に検査可能な縁幅（Stegbreiten）、または解像可能な縁幅などのように、マスク製造によって条件付けられている。
【００７１】
図８Ｂは、他の実施例を示す。これによれば、位相のずれている補助開口部２は、接触穴１に対して水平に配置される。ここでは、水平方向に大きな半軸（Halbachsen）を有する楕円率が達成される。ウエハレベルに関連して、使用される大きさは、接触穴の長さ１２が３００ｎｍ、接触穴の幅１１が２３０ｎｍ、補助開口部の長さ２２が５６０ｎｍ、補助開口部の横断面が１１０ｎｍ、垂直方向の接触穴の間隔が５６０ｎｍである。位相のずれは、１８０°、充填率σは０，３０、アパーチャの数は０，６３、波長は２４８ｎｍである。
【００７２】
図９は、図８Ａに示す本発明に基づく例の他の形態を示す。この一部分は、左右を補助開口部で囲まれている、正方形に形成された長方形の構造１を示す。補助開口部２は、分断された縦の穴２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄにより構成されている。各縦の穴の距離は、縦の穴の長方形の構造までの距離よりも短い。特に、縦の穴の距離は、解像度限界３０よりもそれぞれ短い。その結果、縦の穴は、連続した補助開口部２とほぼ同ように、長方形の構造１へ作用する。しかし、この場合、縦の穴２ａ〜２ｄの分断により、補助開口部２の面積の僅かな減少に繋がり、このことに対応して、位相構造に起因する近接効果の作用が、僅かに減少する。補助開口部２の長さ２２は、縦の穴２ａ〜２ｄが分断されても影響されないままである。
【００７３】
１つの長方形の構造１の回りに４つの補助開口部２のある他の本発明に基づく構造を、図１０に示す。この実施例では、その目的は、楕円形の構造を形成することではなく、ウエハに長方形の構造１を写像するための、プロセスウィンドウの拡大のみが利用される。図１０に示す長方形の構造は、上記発明に基づいて、必ずしも正方形に形成されていない。さらに、図１０の補助開口部２の後に、常に、図１０の領域内に示されたコヒーレンス長４０である他の補助開口部２を形成できる。とりわけ、ここでも、補助開口部２の全体の幅２１が、限界寸法３１を越えないという他の条件を満たすことも必要とされる。その結果、ウエハ上への補助開口部２の写像が起こることはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、従来技術に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【図２】 図２は、従来技術に基づく他のフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【図３】 図３は、上記発明の実施形態に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【図４】 図４は、図３の線Ａ―Ａに沿った概略的な切断面を示す図である。
【図５】 図５は、上記発明のほかの実施形態に基づくフォトリソグラフィーマスクを示す図である。
【図６】 図６は、図５の線Ａ−Ａに沿った概略的な切断面を示す図である。
【図７】 図７は、従来技術に基づく、マスクに開口部を有する基板接触面における接触穴の規則的なパターンの一部、および、そのうえに尺度を適合させて形成され、ウエハ上に露光される楕円形を示す図である。
【図８】 図８ＡＢは、本発明に基づく、正方形に実施された開口部、（線影付けされている）補助開口部、および尺度を適合してウエハ上に写像されている楕円形の２つの例（ａ，ｂ）により、基板接触面の規則的なパターンの一部を示す図である。
【図９】 図９は、本発明に基づく、各４つの分断されている縦の穴により構成される２つの割り当てられている補助開口部を有するマスク上の正方形の開口部の例を示す図である。
【図１０】 図１０は、本発明に基づく、４つの本発明に基づく補助開口部によって取り囲まれている開口部として四角形の（quadratische）長方形の構造を示す図である。
【符号の説明】
１ 開口部
１' ウエハに写像された構造、楕円形の構造
２ 補助開口部
２ａ〜２ｄ 補助開口部の縦の穴
４ 隣り合う開口部
５ 隣り合う補助開口部
９ 開口部と補助開口部との距離
１１ 開口部の幅
１１' 楕円形の幅
１２ 開口部の長さ
１２‘ 楕円形の長さ
１５ 開口部の間の距離
２１ 断面、補助開口部の幅
２２ 補助開口部の長さ
３０ 解像度限界、最小構造幅
３１ ウエハに構造形成するのに必要なマスク状の構造の限界寸法
４０ 光のコヒーレンス長
５１ 放射線不透過、不透明層
５２ 石英、マスク用のキャリア物質
１０１ ２倍の幅の線（長方形の構造）
１０２ 分断されている補助開口部
２０１ ３倍の幅の線（開口部）
Claims (6)
- 半導体基板に放射線感受性レジスト層を露光するためのフォトリソグラフィーマスクであって、
ａ）上記マスクは、透過性のキャリア材料（５１）上に、少なくとも１つの放射線不透過層（５２）を備え、
ｂ）上記放射線不透過層（５２）には、正方形の構造をそれぞれ１つ有するいくつかの開口部（１）が第１の方向に沿って列状に備えられ、上記開口部（１）を介して形成されたパターンが、露光の間にレジスト層にそれぞれ転写されるように、上記開口部（１）が設定されており、
ｃ）上記放射線不透過層（５２）には、開口部（１）に組み込まれたいくつかの補助開口部（２）が、上記第１の方向に沿って開口部（１）の列と平行に、継ぎ目のないように備えられ、上記補助開口部（２）は、
補助開口部（２）によって形成されたパターンが、露光の間にレジスト層に転写されないように、限界寸法（３１）未満の幅を有する断面（２１）を備え、
各補助開口部（２）に対して、他の補助開口部（２）が、それぞれの開口部（１）の回転軸を中心として、鏡像対称的に、それぞれ１つの上記開口部（１）から、距離（９）をおいて配置されており、上記距離（９）は、
ａ）ウエハの大きさを基準として、露光に用いられる投影機の解像度限界（３０）よりも大きく、
ｂ）投影機に用いられる光のコヒーレント長（４０）よりも短く、
放射線が通過するとき、組み込まれたそれぞれの開口部（１）を通過した放射線に対して、位相角を１６０度〜２００度の範囲に形成し、
ｄ）上記開口部（１）は規則的なパターンを形成し、その結果、組み込まれたいくつかの補助開口部（２）も、規則的なパターンを形成し、
ｅ）上記解像度限界（３０）を超える長さ（２２）と、ウエハ上の構造形成用の限界寸法（３１）以下の幅（２１）とを有する補助開口部（２）は、マスク上で同じ長さでかつ同じ方向に延びて配列されていることを特徴とするマスク。 - 上記補助開口部（２）の長さ（２２）は、それぞれ少なくとも、組み込まれた上記開口部（１）の長さ（１２）であることを特徴とする請求項１に記載のマスク。
- 上記開口部（１）は、上記開口部（１）に組み込まれたいくつかの補助開口部（２）によってそれぞれ取り囲まれていることを特徴とする請求項１または２に記載のマスク。
- 上記開口部（１）は透過性であり、上記補助開口部（２）は、それぞれ透過性または半透過性であり、上記補助開口部（２）の周囲は、通り抜ける光を透過させないことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のマスク。
- 上記幅（２１）を有する断面は、マスクの大きさを基準として、投影機の解像度限界（３０）未満の大きさであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のマスク。
- ウエハ上に、いくつかの上記開口部（１）から写像された構造（１´）を形成するための光学的な投影機において、上記構造（１´）の上記少なくとも１つの開口部（１）の長さ（１２´）と幅（１１´）との比は、マスク上の上記少なくとも１つの開口部の長さ（１２）と幅（１１）との比よりも大きい請求項１〜５のいずれか１項に記載のマスク。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10056262 | 2000-11-14 | ||
| DE10126838 | 2001-06-01 | ||
| PCT/DE2001/004263 WO2002041076A2 (de) | 2000-11-14 | 2001-11-14 | Photolithographische maske |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004514171A JP2004514171A (ja) | 2004-05-13 |
| JP3943020B2 true JP3943020B2 (ja) | 2007-07-11 |
Family
ID=26007651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002542940A Expired - Fee Related JP3943020B2 (ja) | 2000-11-14 | 2001-11-14 | フォトリソグラフィーマスク |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6838216B2 (ja) |
| EP (1) | EP1334406A2 (ja) |
| JP (1) | JP3943020B2 (ja) |
| KR (1) | KR100564171B1 (ja) |
| TW (1) | TW574602B (ja) |
| WO (1) | WO2002041076A2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3943020B2 (ja) * | 2000-11-14 | 2007-07-11 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | フォトリソグラフィーマスク |
| DE10136291B4 (de) * | 2001-07-25 | 2008-05-08 | Qimonda Ag | Photolithographische Maske |
| DE10203358A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Photolithographische Maske |
| DE10327613B4 (de) * | 2003-06-18 | 2007-10-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Bildung einer Öffnung auf einer alternierenden Phasenmaske |
| US6905975B2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-06-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterned compositions |
| KR100546119B1 (ko) * | 2003-10-23 | 2006-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 어레이 콘텍의 일정성과 정렬 정확성을 향상시킬 수 있는ｅｄｇｅ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ 방법 |
| JP4585197B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2010-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | レイアウト設計方法およびフォトマスク |
| US7575852B2 (en) * | 2004-08-20 | 2009-08-18 | Macronix International Co., Ltd. | Method of optically transferring a pattern from a mask having advanced oriented assist features for integrated circuit hole patterns |
| DE102004058813A1 (de) * | 2004-12-07 | 2006-06-08 | Infineon Technologies Ag | Maske und Belichtungseinrichtung |
| US20080305409A1 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Palmer Shane R | Lithographic mask and method for printing features using the mask |
| US20090191468A1 (en) * | 2008-01-29 | 2009-07-30 | International Business Machines Corporation | Contact Level Mask Layouts By Introducing Anisotropic Sub-Resolution Assist Features |
| US20090250760A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | International Business Machines Corporation | Methods of forming high-k/metal gates for nfets and pfets |
| US7975246B2 (en) * | 2008-08-14 | 2011-07-05 | International Business Machines Corporation | MEEF reduction by elongation of square shapes |
| CN102365584B (zh) | 2009-01-29 | 2014-07-30 | 迪吉福来克斯有限公司 | 用于在光聚合物表面上产生光掩模的工艺 |
| US8765329B2 (en) * | 2010-11-05 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sub-resolution rod in the transition region |
| USD776664S1 (en) * | 2015-05-20 | 2017-01-17 | Chaya Coleena Hendrick | Smart card |
| TWI704647B (zh) * | 2015-10-22 | 2020-09-11 | 聯華電子股份有限公司 | 積體電路及其製程 |
| CN112946993A (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法 |
| CN112631068B (zh) * | 2020-12-25 | 2024-01-09 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 版图Dense-3Bar-Dense结构的修正方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04216548A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク |
| JP3179520B2 (ja) * | 1991-07-11 | 2001-06-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3943020B2 (ja) * | 2000-11-14 | 2007-07-11 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | フォトリソグラフィーマスク |
-
2001
- 2001-11-14 JP JP2002542940A patent/JP3943020B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-14 TW TW90128197A patent/TW574602B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-14 WO PCT/DE2001/004263 patent/WO2002041076A2/de active IP Right Grant
- 2001-11-14 EP EP01996769A patent/EP1334406A2/de not_active Withdrawn
- 2001-11-14 KR KR1020037006489A patent/KR100564171B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-05-14 US US10/438,370 patent/US6838216B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6838216B2 (en) | 2005-01-04 |
| TW574602B (en) | 2004-02-01 |
| US20040038135A1 (en) | 2004-02-26 |
| KR100564171B1 (ko) | 2006-03-27 |
| WO2002041076A3 (de) | 2003-01-03 |
| EP1334406A2 (de) | 2003-08-13 |
| KR20040005859A (ko) | 2004-01-16 |
| JP2004514171A (ja) | 2004-05-13 |
| WO2002041076A2 (de) | 2002-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3943020B2 (ja) | フォトリソグラフィーマスク | |
| JP3518275B2 (ja) | フォトマスクおよびパターン形成方法 | |
| KR100714480B1 (ko) | 포토마스크의 테스트 패턴 이미지로부터 인쇄된 테스트피쳐들을 이용하는 포토리소그래피 공정에 있어서 초점변화를 측정하는 시스템 및 방법 | |
| KR100613461B1 (ko) | 이중노광기술을 이용한 이중노광방법과 이를 위한포토마스크 | |
| US6934007B2 (en) | Method for photolithography using multiple illuminations and a single fine feature mask | |
| US7563547B2 (en) | Photomask and method of manufacturing the same | |
| US5827625A (en) | Methods of designing a reticle and forming a semiconductor device therewith | |
| US7393614B2 (en) | Set of masks including a first mask and a second trimming mask with a semitransparent region having a transparency between 20% and 80% to control diffraction effects and obtain maximum depth of focus for the projection of structure patterns onto a semiconductor wafer | |
| US20090258302A1 (en) | Sub-resolution assist feature of a photomask | |
| US9213233B2 (en) | Photolithography scattering bar structure and method | |
| US7393613B2 (en) | Set of at least two masks for the projection of structure patterns | |
| US6811933B2 (en) | Vortex phase shift mask for optical lithography | |
| US6620556B2 (en) | Mask for multiple exposure | |
| US7326501B2 (en) | Method for correcting focus-dependent line shifts in printing with sidewall chrome alternating aperture masks (SCAAM) | |
| JP2003195477A (ja) | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2009053575A (ja) | フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JP2009053575A5 (ja) | ||
| JP2923905B2 (ja) | フォトマスク | |
| GB2375403A (en) | Optical proximity correction | |
| TW473814B (en) | Micro-lithography process of opening | |
| JPH10275769A (ja) | 露光方法 | |
| JPH06163364A (ja) | 露光装置及びパターン形成方法 | |
| JP3123543B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| US20040013948A1 (en) | Chromeless PSM with chrome assistant feature | |
| KR0165471B1 (ko) | 반도체장치의 미세패턴 형성에 사용되는 포토마스크 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051220 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060320 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060320 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060329 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060606 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060829 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061221 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070306 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070404 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100413 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110413 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130413 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140413 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |