JP2005354012A - 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
電界効果型トランジスタおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005354012A JP2005354012A JP2004176130A JP2004176130A JP2005354012A JP 2005354012 A JP2005354012 A JP 2005354012A JP 2004176130 A JP2004176130 A JP 2004176130A JP 2004176130 A JP2004176130 A JP 2004176130A JP 2005354012 A JP2005354012 A JP 2005354012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- insulating layer
- field effect
- electrode
- effect transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】 基材と、有機半導体層6と、絶縁層3と、導電層2,4,5を有する電界効果型トランジスタにおいて、前記絶縁層3が下記一般式(1)で表されるフェノール樹脂の硬化物からなる電界効果型トランジスタ。
【化1】
(R1、R2およびR3は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシメチル基、または炭素数1以上12以下のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシル基、アルキルチオ基、アルキルエステル基を示す。X1およびX2は水素原子、または炭素数1以上12以下のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を示す。nは0以上2000以下の整数を示す。)
【選択図】 図1
Description
しかしながら、フレキシブルな樹脂基材を使用する場合、シリコンやガラス基材に比較して平滑性、平坦性は著しく劣る。その上、電極をより安価な印刷法で形成しようとする場合でも、電極表面の平滑性、平坦性は著しく低下する。そのために、ゲート絶縁層の絶縁性が不十分であると、ソース電極側からドレイン電極側へのリーク電流が大きくなる問題があった。
前記ゲート絶縁層の膜厚が100nm以上1μm以下であることが好ましい。
前記導電層のうち一部もしくは全部が直径5nm以上2μm以下の導電性微粒子の集合体であることが好ましい。
前記熱硬化性樹脂組成物に含まれるフェノール樹脂の軟化点が70〜130℃の範囲にあることが好ましい。
また、本発明は、上記の電界効果型トランジスタを容易に得ることができる電界効果型トランジスタの製造方法を提供することができる。
nは0以上2000以下、好ましくは1〜500の整数を示す。
また、フェノール樹脂に架橋剤を併用することで硬化後の膜の強度を向上することができる。
前記熱硬化性樹脂組成物は、一般式(1)で表されるフェノール樹脂、架橋剤、触媒、溶媒等を含有する。
前記熱硬化性樹脂組成物に含有される一般式(1)で表されるフェノール樹脂の含有量は、0.5〜50重量%、好ましくは1〜40重量%の範囲が望ましい。
フェノール樹脂と併用される触媒は使用される架橋剤などによって酸性触媒、塩基性触媒、四級オニウム塩などから選択することができる。例えば、ヘキサメトキシメチルメラミンを架橋剤として用いた場合、酸性触媒として蟻酸、酢酸、蓚酸などのカルボン酸類やp−トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸などのスルホン酸類が用いられるが、好ましくはp−トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸などのスルホン酸類である。溶液中での安定性を高めると共に、硬化速度を下げて平坦化性を高めるためにスルホン酸アミン塩を用いることもできる。スルホン酸アミン塩としてはp−トルエンスルホン酸ピリジン塩が挙げられる。
本発明における熱硬化性樹脂組成物の塗布方法としては、スピンキャスト法、ディッピング法、滴下法、オフセットあるいはスクリーンなどの印刷法、インクジェット法、スプレー塗布法などが挙げられる。また、得られた膜の平滑性を保つために極力ゴミなどを混入させないことが重要であり、事前にメンブランフィルタで濾過することが望ましい。
本発明における絶縁層をゲート絶縁層3として用いる場合の膜厚は100nm以上1μm以下の範囲にあり、使用するゲート電極の表面状態により変化される。膜厚が100nm未満になると凹凸が多く平滑性の低い電極上で緻密な層を形成することは困難になる。一方、膜厚が1μmを越えるとFETからより高い電流を得るために高いゲート電圧を印加する必要がある。より好ましい膜厚は150nm以上800nm以下である。
電極の作製方法としてはスパッタ法、蒸着法、溶液や分散液、ペーストからの印刷法、インクジェット法などが挙げられる。中でも、溶液や分散液、ペーストからの印刷法、インクジェット法などで形成された直径5nm以上2μm以下の導電性微粒子の集合体を電極として用いることが、真空装置などを必要としない簡便である点でより好ましい。
・ITO電極付きガラス基材1
厚さ0.7mmのガラス基材上に膜厚約150nmの酸化インジウム錫(以下、ITOと略す)膜を形成した基材をアセトン、イソプロピルアルコールで洗浄し、乾燥させた。表面粗さを走査型プローブ顕微鏡(セイコーインスツルメンツ(株)社製SPI3800)で測定したところ、この樹脂基材の表面面粗さ(Ra)は7nmであった。
厚さ1mmのガラス基材をアセトン、イソプロピルアルコールで洗浄し、乾燥させた。この基材表面に有機銀化合物(藤倉化成製、商品名ドータイト9019)をディッピング法でコートし、180℃の熱風循環オーブン中で1時間焼成した。膜厚300nmの銀電極が付いたガラス基材1を作成した。この樹脂基材の表面面粗さ(Ra)は20nmであった。
厚さ188μmのPET基材上に厚さ3μmの平坦化層を設けた樹脂基材表面に有機銀化合物(藤倉化成製、商品名ドータイト9019)をディッピング法でコートし、180℃の熱風循環オーブン中で1時間焼成した。膜厚300nmの銀電極が付いた樹脂基材2を作成した。この樹脂基材の表面面粗さ(Ra)は30nmであった。
フェノールノボラック樹脂(数平均分子量770、分子量分布1.5,軟化点108℃)5.9gと、ヘキサメトキシメチルメラミン系架橋剤(三井サイテック製、商品名サイメル303)4.1gを、54gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、PGMEAと略す)と、45.7gのプロピレングリコールモノメチルエーテル(以下、PGMEと略す)との混合溶媒に室温で完全に溶解した。得られた溶液に酸触媒の2−プロパノール溶液(三井サイテック製、商品名キャタリスト4040)0.5gを添加した後、φ0.2μmのPTFE製メンブランフィルタで濾過して熱硬化性樹脂組成物1を調製した。
o−クレゾールノボラック樹脂(数平均分子量840、分子量分布1.2,軟化点97℃)6.2gと、ヘキサメトキシメチルメラミン系架橋剤(三井サイテック製、商品名サイメル303)3.8gを、54gのPGMEAと45.7gのPGMEとの混合溶媒に室温で完全に溶解した。以降は実施例1と同様の操作を行なうことで熱硬化性樹脂組成物2を調製した。
熱硬化性樹脂組成物1で用いたフェノールノボラック樹脂6.84gと、テトラメトキシグリコールウレア系架橋剤(三井サイテック製、商品名パウダーリンク1175)5.16gを、52.8gのPGMEAと34.8gのPGMEとの混合溶媒に室温で完全に溶解した。以降は実施例1と同様の操作を行なうことで熱硬化性樹脂組成物3を調製した。
熱硬化性樹脂組成物2で用いたo−クレゾールノボラック樹脂7.08gと、テトラメトキシグリコールウレア系架橋剤(三井サイテック製、商品名パウダーリンク1175)4.92gを、52.8gのPGMEAと34.8gのPGMEとの混合溶媒に室温で完全に溶解した。以降は実施例1と同様の操作を行なうことで熱硬化性樹脂組成物4を調製した。
液状レゾール(住友ベークライト製、商品名PC−25)35.7gを63.3gのPGMEで希釈し熱硬化性樹脂組成物5を調製した。
熱硬化性樹脂組成物1をITO電極付きガラス基材1上にスピンキャスト法で塗布し、熱風循環型オーブン180℃で1時間加熱して有機樹脂の熱硬化層を形成した。この時の絶縁層(熱硬化層)の膜厚は約250nmであった。AFMで絶縁層表面上を観察したところ、平均表面粗さ(Ra)は1nm以下であり、ITO表面上のRaの7nmよりも小さくなった。
熱硬化性樹脂組成物1を銀電極付きガラス基材2上にスピンキャスト法で塗布し、熱風循環型オーブン180℃で1時間加熱して有機樹脂の熱硬化層を形成した。この時の絶縁層(熱硬化層)の膜厚は約300nmであった。絶縁層表面のRaは3nm以下であり、銀電極表面上のRaの20nmよりも小さくなった。
熱硬化性樹脂組成物1を銀電極付き樹脂基材3上にスピンキャスト法で塗布し、熱風循環型オーブン180℃で1時間加熱して有機樹脂の熱硬化層を形成した。この時の絶縁層(熱硬化層)の膜厚は約320nmであった。表面のRaは3nm以下であり、銀電極表面上のRaの30nmよりも小さくなった。
熱硬化性樹脂組成物2を、ITO電極付きガラス基材1上にスピンキャスト法で塗布し、熱風循環型オーブン180℃で1時間加熱して有機樹脂の熱硬化層を形成した。この時の薄膜(熱硬化層)の膜厚は約240nmであった。表面のRaは1nm以下であり、ITO表面上のRaの7nmよりも小さくなった。
熱硬化性樹脂組成物3を、ITO電極付きガラス基材1上にスピンキャスト法で塗布し、熱風循環型オーブン180℃で1時間加熱して有機樹脂の熱硬化層を形成した。この時の薄膜(熱硬化層)の膜厚は約400nmであった。表面のRaは1nm以下であり、ITO表面上のRaの7nmよりも小さくなった。
熱硬化性樹脂組成物4を、ITO電極付きガラス基材1上にスピンキャスト法で塗布し、熱風循環型オーブン180℃で1時間加熱して有機樹脂の熱硬化層を形成した。この時の薄膜(熱硬化層)の膜厚は約400nmであった。表面のRaは1nm以下であり、ITO表面上のRaの7nmよりも小さくなった。
熱硬化性樹脂組成物4を、銀電極付きガラス基材2上にスピンキャスト法で塗布し、熱風循環型オーブン180℃で1時間加熱して有機樹脂の熱硬化層を形成した。この時の薄膜(熱硬化層)の膜厚は約420nmであった。表面のRaは2nm以下であり、銀電極表面上のRaの20nmよりも小さくなった。
熱硬化性樹脂組成物5を、ITO電極付きガラス基材1上にスピンキャスト法で塗布し、熱風循環型オーブン180℃で1時間加熱して有機樹脂の熱硬化層を形成した。この時の薄膜(熱硬化層)の膜厚は約450nmであった。表面のRaは2nmであり、ITO表面上のRaの7nmよりも小さくなった。
図1に示すFETを作成した。
有機半導体層には、下記の式(2)で表される繰り返し単位を持つポリ(3−ヘキシルチオフェン)からなる有機半導体層を用いた。
続いて、このゲート電極2の上に、実施例1と同様に熱硬化性樹脂組成物1から薄膜を作成した。すなわち、フェノールノボラック樹脂とヘキサメトキシメチルメラミン系架橋剤との硬化物の膜厚約250nmのゲート絶縁層3を形成した。
図3によると、この実施例9によるFETは、ゲート電圧(Vg)の変化にともない、ソース電極/有機半導体/ドレイン電極間を流れるドレイン電流値(Id)が変化するスイッチング特性を示していた。また、このFETは、Idのオンオフ比50をVg=−20Vで達成した。
ITO付きガラス基材1上に、下記の式(3)で表されるテトラビシクロポルフィリン銅錯体の1%クロロホルム溶液をスピンコート法で塗布し、220℃で焼成し、式(4)で表されるテトラベンゾポルフィリン銅錯体膜を形成した。このテトラベンゾポルフィリン銅錯体膜を有機半導体層として使用した以外は実施例9と同様の方法でFETを作製した。
基材を前記銀電極付きガラス基材2に変更した以外は実施例10と同様の方法でFETを作製した。この時の基材1はPETであり、ゲート電極2は銀である。
ポリビニルフェノール(丸善石油化学(株)製、S−1P)12gをPGMEA88gに室温で完全に溶解し、樹脂溶液を調製した。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁層
4 ソース電極
5 ドレイン電極
6 有機半導体層
Claims (7)
- 少なくとも基材と、有機半導体層と、絶縁層と、導電層を有する電界効果型トランジスタにおいて、前記絶縁層が下記一般式(1)で表されるフェノール樹脂の硬化物からなることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
- 前記導電層がゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を含み、絶縁層はゲート絶縁層を含み、かつ該ゲート絶縁層が前記一般式(1)で表されるフェノール樹脂の硬化物からなることを特徴とする請求項1記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁層の膜厚が100nm以上1μm以下であることを特徴とする請求項2記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記導電層のうち一部もしくは全部が一次粒径5nm以上2μm以下の導電性微粒子の集合体であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかの項に記載の電界効果型トランジスタ。
- 少なくとも基材と、有機半導体層と、絶縁層と、導電層を有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、少なくとも下記一般式(1)で表されるフェノール樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物を塗布した後に加熱して絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記導電層のうち一部もしくは全部を導電性材料もしくは導電性材料の前駆体の溶液、分散液、もしくはペーストを塗布した後に加熱して形成することを特徴とする請求項5記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記熱硬化性樹脂組成物に含まれるフェノール樹脂の軟化点が70〜130℃の範囲にあることを特徴とする請求項5記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004176130A JP4731840B2 (ja) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
PCT/JP2005/010995 WO2005122279A1 (en) | 2004-06-14 | 2005-06-09 | Field effect transistor and production process thereof |
US10/559,799 US7605392B2 (en) | 2004-06-14 | 2005-06-09 | Field effect transistor and production process thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004176130A JP4731840B2 (ja) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005354012A true JP2005354012A (ja) | 2005-12-22 |
JP4731840B2 JP4731840B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=35503387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004176130A Expired - Fee Related JP4731840B2 (ja) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7605392B2 (ja) |
JP (1) | JP4731840B2 (ja) |
WO (1) | WO2005122279A1 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009063583A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Panasonic Corporation | フレキシブル半導体装置の製造方法及びフレキシブル半導体装置 |
WO2012029700A1 (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | 住友化学株式会社 | 有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物及び有機薄膜トランジスタ |
WO2017159703A1 (ja) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ |
WO2018061821A1 (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体膜形成用組成物、有機半導体膜及びその製造方法、並びに、有機半導体素子 |
WO2018061819A1 (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 微結晶有機半導体膜、有機半導体トランジスタ、及び有機半導体トランジスタの製造方法 |
WO2018181056A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体素子、有機半導体組成物、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、並びに、これらに用いる化合物及びポリマー |
WO2018181055A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体素子、有機半導体組成物、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、並びに、これらに用いる化合物及びポリマー |
WO2018181054A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体素子、有機半導体組成物、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、並びに、これらに用いる化合物及びポリマー |
US10971686B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-04-06 | Fujifilm Corporation | Organic semiconductor element, polymer, organic semiconductor composition, and organic semiconductor film |
US11038125B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-06-15 | Fujifilm Corporation | Organic semiconductor element, polymer, organic semiconductor composition, and organic semiconductor film |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005079203A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
JP2005079204A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
JP4401836B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2010-01-20 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
US7511296B2 (en) | 2005-03-25 | 2009-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic semiconductor device, field-effect transistor, and their manufacturing methods |
US7435989B2 (en) * | 2005-09-06 | 2008-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with layer containing polysiloxane compound |
US7695999B2 (en) * | 2005-09-06 | 2010-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Production method of semiconductor device |
DE102005048774B4 (de) * | 2005-10-07 | 2009-04-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Substrat, das zumindest bereichsweise an einer Oberfläche mit einer Beschichtung eines Metalls versehen ist, sowie dessen Verwendung |
US7601567B2 (en) * | 2005-12-13 | 2009-10-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of preparing organic thin film transistor, organic thin film transistor, and organic light-emitting display device including the organic thin film transistor |
WO2007149835A2 (en) * | 2006-06-20 | 2007-12-27 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells |
US7863603B1 (en) * | 2006-07-24 | 2011-01-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Cross-linked organic thin-film dielectrics |
JP2009194351A (ja) * | 2007-04-27 | 2009-08-27 | Canon Inc | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US8084765B2 (en) * | 2007-05-07 | 2011-12-27 | Xerox Corporation | Electronic device having a dielectric layer |
US7879688B2 (en) * | 2007-06-29 | 2011-02-01 | 3M Innovative Properties Company | Methods for making electronic devices with a solution deposited gate dielectric |
US20090001356A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | 3M Innovative Properties Company | Electronic devices having a solution deposited gate dielectric |
KR100934260B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2009-12-28 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터와 그의 제조방법, 유기전계발광표시장치와그의 제조방법 및 레이저 열 전사법용 도너기판 |
US20100090212A1 (en) * | 2008-04-28 | 2010-04-15 | Industrial Technology Research Institute | Memory cell |
TW200945591A (en) * | 2008-04-28 | 2009-11-01 | Ind Tech Res Inst | Memory cell |
JP2014170686A (ja) | 2013-03-04 | 2014-09-18 | Toshiba Corp | 表示素子の製造方法、表示素子及び表示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006700A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法、表面処理基板、膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
JP2004063977A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2004063975A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2004128469A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2004146796A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、薄膜製造装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU466953B2 (en) * | 1972-05-24 | 1975-11-13 | Dulux Australia Limited | Thermosetting coating compositions |
US6107117A (en) | 1996-12-20 | 2000-08-22 | Lucent Technologies Inc. | Method of making an organic thin film transistor |
US6586791B1 (en) * | 2000-07-19 | 2003-07-01 | 3M Innovative Properties Company | Transistor insulator layer incorporating superfine ceramic particles |
JP2004506985A (ja) * | 2000-08-18 | 2004-03-04 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 封入された有機電子構成素子、その製造方法および使用 |
JP2003234473A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Canon Inc | 有機半導体素子の製造方法 |
KR100547501B1 (ko) * | 2002-07-01 | 2006-01-31 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 전자 기기 |
EP1388903B1 (en) * | 2002-08-09 | 2016-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP4136630B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置 |
EP1434282A3 (en) * | 2002-12-26 | 2007-06-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Protective layer for an organic thin-film transistor |
JP4612786B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 有機電界効果型トランジスタの製造方法 |
WO2004087836A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor and method of producing the same |
DE602004030668D1 (de) * | 2003-04-01 | 2011-02-03 | Canon Kk | Organische halbleiteranordnung |
KR100995451B1 (ko) * | 2003-07-03 | 2010-11-18 | 삼성전자주식회사 | 다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 |
JP2005079204A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
JP4557755B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2010-10-06 | キヤノン株式会社 | 基板、導電性基板および有機電界効果型トランジスタの各々の製造方法 |
US7057205B2 (en) * | 2004-03-17 | 2006-06-06 | Lucent Technologies Inc. | P-type OFET with fluorinated channels |
US7511296B2 (en) * | 2005-03-25 | 2009-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic semiconductor device, field-effect transistor, and their manufacturing methods |
-
2004
- 2004-06-14 JP JP2004176130A patent/JP4731840B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-06-09 WO PCT/JP2005/010995 patent/WO2005122279A1/en active Application Filing
- 2005-06-09 US US10/559,799 patent/US7605392B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006700A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法、表面処理基板、膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
JP2004063977A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2004063975A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2004128469A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2004146796A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、薄膜製造装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009063583A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Panasonic Corporation | フレキシブル半導体装置の製造方法及びフレキシブル半導体装置 |
WO2012029700A1 (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | 住友化学株式会社 | 有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物及び有機薄膜トランジスタ |
WO2017159703A1 (ja) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ |
US10971686B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-04-06 | Fujifilm Corporation | Organic semiconductor element, polymer, organic semiconductor composition, and organic semiconductor film |
US11038125B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-06-15 | Fujifilm Corporation | Organic semiconductor element, polymer, organic semiconductor composition, and organic semiconductor film |
WO2018061821A1 (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体膜形成用組成物、有機半導体膜及びその製造方法、並びに、有機半導体素子 |
WO2018061819A1 (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 微結晶有機半導体膜、有機半導体トランジスタ、及び有機半導体トランジスタの製造方法 |
WO2018181056A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体素子、有機半導体組成物、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、並びに、これらに用いる化合物及びポリマー |
WO2018181055A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体素子、有機半導体組成物、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、並びに、これらに用いる化合物及びポリマー |
WO2018181054A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体素子、有機半導体組成物、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、並びに、これらに用いる化合物及びポリマー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7605392B2 (en) | 2009-10-20 |
WO2005122279A1 (en) | 2005-12-22 |
US20070096079A1 (en) | 2007-05-03 |
JP4731840B2 (ja) | 2011-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4731840B2 (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
JP5037841B2 (ja) | 有機半導体素子、電界効果型トランジスタおよびそれらの製造方法 | |
US7795636B2 (en) | Organic semiconductor device, field-effect transistor, and their manufacturing methods | |
JP5657379B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
JP4557755B2 (ja) | 基板、導電性基板および有機電界効果型トランジスタの各々の製造方法 | |
JP5124520B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
US9076975B2 (en) | Dielectric composition for thin-film transistors | |
KR20110056505A (ko) | 상단 게이트 유기 박막 트랜지스터용 표면 처리된 기판 | |
JP2012109594A (ja) | エッジエミッティングレーザのモノリシックアレイ | |
US8821962B2 (en) | Method of forming dielectric layer with a dielectric composition | |
TW201228060A (en) | Process for preparing an organic electronic device | |
US20080237581A1 (en) | Device with phase-separated dielectric structure | |
JP2009260346A (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
US9058981B2 (en) | Dielectric composition for thin-film transistors | |
TWI535569B (zh) | Organic semiconductor components | |
JP2010098309A (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
JP4652704B2 (ja) | 有機半導体素子 | |
JP2004055649A (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP4343572B2 (ja) | 有機半導体素子の製造方法 | |
JP2010098308A (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
KR101140686B1 (ko) | 유기 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기 게이트절연막 | |
JP2009278087A (ja) | 有機薄膜トランジスター | |
JP2004063977A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
US9525135B2 (en) | Thixotropic composition | |
JP2004304121A (ja) | 有機半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061108 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110214 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110412 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110420 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |