JP2005350672A - シンチレータ・アレイ用組成物及び方法 - Google Patents

シンチレータ・アレイ用組成物及び方法 Download PDF

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Abstract

【課題】CTシステム等に用いられるシンチレータ・パックの製造経費を低減し、また分解能を高めるための組成物の提供。
【解決手段】ガラス組成物及びガラス−セラミック組成物の少なくとも一方を含んでなり、複数のシンチレータ結晶を含む組成物。該組成物は、粒度が1μm〜5μmのガラス粉20〜60%と、粒度が1μm〜20μmの複数のシンチレータ結晶40〜80%を混合・溶融し、繊維プリフォームを形成し、プリフォームからガラス繊維を引き抜き加工することにより製造される。
【選択図】図2

Description

本発明は一般的には、計算機式断層写真法(CT)システムに関し、さらに具体的には、ガラス繊維及びガラス−セラミック繊維を用いたCTシンチレータ・アレイに関する。
CTシステムは、シンチレータ検出器を用いて、受光したX線の強度を電気信号へ変換する。シンチレータ検出器は、互いに緊密に結合されたシンチレータとフォトダイオードとを含んでいる。シンチレータは、X線のような電離放射線との相互作用の後に可視光又は紫外光を放出する物質である。このようにして放出された光は光検出器によって検出されて、電気信号へ変換される。
CTシステムのかかるシンチレータ検出器は、パックと呼ばれるシンチレータ・アレイの形態で配設されている。パックは、所望の走査画像の様々な画素(以下、ピクセルと呼ぶ)を捕えるように配設されている。走査画像の分解能はパックのピクセルの大きさに直接関係する。よりよい分解能の画像を得るためにはピクセルを小さくする方が望ましい。従って、パック内でのピクセルの大きさを制御するために極めて正確なダイシング工程及び研削工程が要求される。
米国特許第6208710号
しかしながら、このことはかかるパックの製造工程に様々な複雑さを招く。第一の問題点は、ピクセルの位置揃え(アラインメント)である。注型反射体又は他の形式の反射体の利用を可能にするために、ピクセル同士の間に正確な間隙を設けると有用である。また、コリメータとパックとを位置揃えすることも望ましい。コリメータとの位置揃えに不正が生ずると、クロストーク、及び画像アーティファクトを生成し得るその他の事を生ずる場合がある。許容可能な画質を保つために、コリメータとパックとの間の位置揃えの不正の仕様は極めて厳しく制限されている。位置揃えの不正のこの制限された仕様のため、タングステン・プレートの厚みが増し、検出器の線量効率が低下する。タングステン・プレートは散乱X線を解消し、これにより画像雑音を低減してコントラストを高める。タングステン・プレートはまた、フォトダイオードの雑音及び放射線損傷を招くX線の貫通(パンチスルー)を低減する。もう一つの問題点は、パックとフォトダイオードとの位置揃えである。パックとフォトダイオードとの間の位置揃えの不正は、ピクセル間でのクロストークを招く可能性がある。この位置揃えの不正はまた、X線によって発生される雑音を生じ、フォトダイオードに放射線損傷を与える可能性がある。
上述のような厳格な製造要件のため、パック製造工程は高経費になっている。さらに、これらのパックの設計制限から応用分野が限られる。例えば、CTシステムによって走査される画像の分解能は、CTシステムに用いられるパックの設計によって制約される。
一観点では、ガラス組成物及びガラス−セラミック組成物の少なくとも一方を含む組成物を提供する。組成物は複数のシンチレータ結晶を含んでいる。
他の観点では、複数の繊維を含むシンチレータ・アレイを提供する。繊維は、ガラス組成物及びガラス−セラミックの少なくとも一方を含んでいる。繊維はまた、複数のシンチレータ結晶を含んでいる。
さらに他の観点では、方法を提供する。この方法は、粒度が1μm〜5μmのガラス粉を提供するステップと、粒度が1μm〜20μmの複数のシンチレータ結晶を提供するステップと、40%〜80%がシンチレータ結晶であり20%〜60%がガラス粉である結果的な混合物を得るようにガラス粉及びシンチレータを混合するステップとを含んでいる。
他の観点では、計算機式断層写真法(CT)システムを提供する。このシステムは、X線源と、線源から放出されるX線を受光するように配置されている検出器とを含んでいる。検出器は、フォトダイオード・アレイ、及びフォトダイオード・アレイと線源との間に配置されているシンチレータ・アレイを含んでいる。シンチレータは、ガラス及びガラス−セラミックの少なくとも一方を含む複数の繊維を含んでいる。
ここで、CTシステムでの利用に適したシンチレータ・アレイを製造するのに用いられるガラス組成物又はガラス−セラミック組成物を提供する方法及び装置を記載する。ガラス組成物は、所望の化学的特性及び物理的特性を与えるガラスの一つの化学式である。重要な特性としては、透明性、耐久性、融点、屈折率、密度等がある。本書で用いるガラスとの用語は、アモルファス格子構造(すなわちガラス相)の非有機材料を含有する組成物を指す。また、本書で用いるガラス−セラミックとの用語は、元はガラスであって、アモルファス格子構造を結晶格子構造に変化させる過程を経た非有機材料を含有する組成物を指す。このガラス−セラミック組成物は、熱処理時に均一な結晶成長を可能にして、高い透明性を保ちながらガラス母材内に十分なシンチレータ結晶を与えることが必要である。
図1は、一実施形態によるCTシステム100を示す。同図は、X線源102が患者104のような対象104にX線を投射していることを示す。対象104を透過した後に、減弱したX線はコリメータ106を通過し、次いで、反射体108、シンチレータ・パック110及び複数のフォトダイオード112を含む検出器105において受光される。様々な実施形態において、反射体108は反射テープのような光学的に反射性の材料である。X線は反射体108を透過してパック110に入射する。パック110はシンチレータ結晶を含有する繊維を含んでいる。様々な実施形態において、繊維はTiOを充填した接着剤のような接着剤を用いてまとめて固定される。様々な実施形態において、繊維はエポキシ、シリコーン、又は他の有機コーティングのような低反射率コーティングを用いて被覆され、次いで、アルミニウム(Al)、銀(Ag)又は金(Au)のような高反射性金属でさらに被覆される。入射したX線によって、シンチレータ結晶が光を放出する。様々な実施形態において、パック110は、放出された光の強度の相当部分をフォトダイオード112のアレイに向かわせるように設計されている。反射体108は、対象104に向かって放出される可視光をフォトダイオード112に向かって反対に反射する。フォトダイオード112は入射光を電気信号へ変換する。これらの電気信号を用いて走査画像を得る。
図2は、様々な実施形態に従ってガラス繊維プリフォームを製造する方法を示す流れ図である。ステップ202では、ガラス粉を提供する。様々な実施形態において、成分SiO−Bi−PbO−TiO−KO−BaO−SrO−TeO−Taが用いられる。様々な実施形態において、ガラス粉を製造するためには、ガラスの成分を溶融させ、均一化して脱ガス処理する。溶融の後に、ガラスを冷水又は液体窒素で急冷して、ボール・ミルで粉砕してガラス粉を得る。ボール・ミルでの粉砕の後には、ガラス粉は5μm未満の大きさとなる。次いで、ステップ204では、複数のシンチレータ結晶を提供する。様々な実施形態において、Tb−Lu−Al−O−Ceのようなシンチレータが用いられる。シンチレータ結晶の所望の組成の一つは(Tb,Lu,Ce)Al12である。シンチレータ結晶を合成し、また粉砕して20μm未満の大きさにする。
次いで、ステップ206では、ガラス粉及びシンチレータ結晶を所望の比で混合する。本発明の様々な実施形態によれば、所望の比は、混合物が40体積%〜80体積%(この全ての細分範囲(sub-range)を含む)のシンチレータ結晶と、20体積%〜60体積%(この全ての細分範囲を含む)のガラス粉とを含有するような比とする。ガラス粉及びシンチレータ結晶の各体積百分率は、最適な特性が達せられるような値に設計される。シンチレータ結晶用の連続的な母材を与えるのに十分なガラス相が望ましい。しかしながら、X線検出効率及び光出力を最大化するためには、シンチレータ結晶の体積百分率を最大化することが望ましかろう。次いで、ステップ208において、この混合物から繊維プリフォームを形成する。様々な実施形態において、混合物を再溶融させ、型に引き入れて約50cm径の繊維プリフォームを形成することにより、ガラス・プリフォームを製造する。さらに、この繊維プリフォームをアニールして、上述の形成工程で発生した熱応力を減少させると共に、繊維引抜きのために再加熱されているときの亀裂を防ぐ。
他の実施形態では、ガラスの溶融温度よりも低く、ガラス転移温度よりも高い温度で混合物を焼結する。これにより、気孔又は空隙が実質的に存在しない状態でシンチレータ結晶用の実質的に連続的な母材をガラス内に形成することが可能になる。焼結品を機械加工して円形繊維プリフォームとし、プリフォームの表面を必要に応じて処理してもよい。表面を研削した後に、薬品で蝕刻して滑らかさを確保することもできる。プリフォーム表面が滑らかであると、繊維の寸法制御が容易になり、また気孔及び空隙のような欠陥を減少させる又は防止することが容易になる。最後に、ステップ210では、ガラス・プリフォームを用いてガラス繊維を引抜き加工する。結果的に得られたガラス繊維は実質的に一様な分布のシンチレータ結晶を含有する。
一例では、30%(モル)SiO、20%Bi、10%PbO、10%TiO、20%KO、及び10%BaOを含有するガラスを1300℃で白金坩堝内で溶融させる。ガラス溶融物を少なくとも4時間にわたってこの温度に保ち、均一化すると共に気泡を除去する。次いで、ガラス溶融物を水浴又は液体窒素浴に注ぎ入れる。ガラス溶融物が冷却してガラス粉となる。ガラス粉を集めて、ジルコニア・ミリング・ボールでボール・ミル粉砕する。粉砕の後に、ガラス粉を乾燥させて、篩に掛けて大径の粉を選別除去する。この例では、シンチレータ結晶はTb2.18Lu0.8Ce0.02Al12の組成を有する。湿式化学法を用いてシンチレータ結晶を合成して、組成及び粒度を制御する。40%(体積)の上述のガラス粉と60%(体積)のシンチレータ結晶とを、ボール・ミルを用いて混合する。
次いで、混合物を真空下で金属型内で焼結する。真空によって、最終的な焼結されたプリフォームの全ての空気孔を抜き去る。また、焼結を助けるために圧力を加える。この例での焼結温度は約600℃である。この温度ではガラスは流動して連続的な母材を形成するが、シンチレータ結晶は元の形状及び組成のままである。焼結の後には、ガラス母材及び結晶の屈折率が極く近接して一致するためプリフォームは透明になる。焼結法によって形成された繊維プリフォームは、図3に示すように引抜き加工されて繊維にされる。この特定例では、繊維引抜き温度は約700℃である。金属型は鋼製である。
様々な実施形態において、このようにして得られたガラス繊維はガラス−セラミック繊維へ転化される。この転化では、ステップ202で用いられるガラス粉の成分はSiO−Al−Tb−Lu−Ce−BaO−SrO−KO−NaO−B−Ga−Scとして選択される。ガラス粉でのSiOの濃度は約10原子%〜25原子%(原子の百分率)であり、BaO−SrO−KO−NaO−B−Ga−Scの合計含有量は約10原子%〜20原子%である(この全ての細分範囲を含む)。細分範囲は、最終的なガラス−セラミック材料が十分なX線検出効率及び光出力を達成するのに十分なシンチレータ結晶を有するものとなるように選択される。但し、シンチレータ結晶用の連続的な母材を提供するための最低限のガラス相が必要である。このガラス−セラミック法では、組成物は、一様なガラスの形成を可能にし、次いでガラスからシンチレータ相を再結晶するのを可能にすることが必要である。Al、Tb及びLuの比は、最終的な結晶化されたガラス−セラミックについて実質的に純粋なガーネット相を保証するように選択される。
一実施形態では、Tb:Lu:Ce:Al:Oの比は2.18:0.8:0.02:5:12(原子比)である。Ceの濃度は約0.05%〜1.5%である(この全ての細分範囲を含む)。光変換のためには十分なCeが必要であるが、Ceが過度に多いと光フォトンの消光が生ずる。これらの成分の高純度原材料(TbについてのTb及びCeについてのCeO)は混合されて、約1400℃の温度で白金坩堝内で溶融される。この後に、ステップ208及び210を実行してガラス繊維を得る。次いで、ガラス繊維をそのガラス転移温度よりも約100℃高い温度に8時間までにわたって加熱して、結晶核を形成させる。結晶核が形成した後に、温度をさらに80℃高めて、結晶を成長させる。ガラス繊維を約24時間にわたってこの温度に保ち、ガラス−セラミック繊維に転化する。得られるガラス−セラミック繊維は透明であり、30%〜70%(この全ての細分範囲を含む)の結晶化シンチレータ相を含む。ガラス−セラミック繊維内の結晶は極く微小な大きさであり(200nm未満)、従って、この繊維による光散乱は限定される。
ガラス−セラミック法の一つの特定例では、ガラスの開始組成はSi0.40.2Sc0.20.2Na0.2Ba0.1Tb1.302Lu0.48Ce0.018Al3.09.2である。上述の組成を有する高純度酸化物原材料をボール・ミルで混合する。次いで、混合物を白金坩堝に移して、約1400℃で4時間にわたって溶融させる。次いで、ガラス溶融物を約300℃に予熱した金属の円筒型に注ぎ入れる。これにより、ガラス繊維プリフォームが形成する。繊維プリフォームを炉に移動して、約4時間にわたってアニールする。アニール温度は約500℃である。アニールの後に、図3に示すようにガラス・プリフォームを引抜き加工して繊維にする。この特定例での繊維引抜き温度は約800℃である。ガラス繊維を炉に配置して、8時間にわたって約600℃に加熱して、結晶核を形成する。この後に、温度を約700℃まで高めて結晶を成長させる。この結晶成長過程には約24時間を要する。得られたガラス−セラミック繊維は透明であり、50%(体積)を上回るシンチレータ結晶相を有する。シンチレータ・パックは、図4に示すステップに従ってこれらの繊維から形成される。
図3は、繊維プリフォーム304を含んだ白金坩堝302を含むシステム300を示す。白金坩堝302は加熱炉306に配置される。ガラス繊維のストランド308を繊維プリフォーム304から引抜き加工してスプール310に連結する。一実施形態では、引抜き加工された繊維の断面は円形であってよく、また径は同じであっても異なっていてもよい。他の実施形態では、引抜き加工された繊維の断面は矩形形状であって、一辺の長さは様々であってよい。この断面形状は、坩堝のオリフィスの形状によって得られる。例えば、六角形オリフィスでは六角形の繊維が形成される。また、繊維引抜き温度を制御することも重要である。温度が過度に高いと、繊維はあらゆるオリフィス形状で丸くなる。従って、繊維がオリフィスを通過した後の形状を維持しながら引き抜かれ得るような低温に保つことが重要である。スプール310を反時計回りに回転させて、繊維プリフォーム304からさらに多くのガラス繊維308を引き抜く。引抜き加工されたガラス繊維308はスプール310に収集される。
このように引抜き加工されたガラス繊維308を用いて、パック110のようなシンチレータ・アレイを形成する。ガラス繊維308を用いてパック110を製造することに関わる様々なステップについて、図4を参照して以下で説明する。
図4は、ガラス繊維308を用いてパック110を形成する方法を示す流れ図である。ステップ402では、複数のガラス繊維308を型に並べる。次いで、ステップ404では、並べたガラス繊維308を接着剤と共に注型して、ガラス繊維308の束を得る。様々な実施形態において、この接着剤はTiOを充填した接着剤であり、DupontのTi−Pure R960TiO粉末を充填した市販品のLoctite F113又はEpoTek 301等である。この接着剤でのTiOの体積百分率は約20%である。充填材として他の高反射性酸化物粉末を用いてもよい。幾つかの実例は、Ta、PbO、Bi、HfO、ZrO、ThO、WO等である。次いで、ステップ406では、接着剤を硬化させて接着剤自体を固化する。次いで、ステップ408では、束をスライスして個々のパック110を得る。最後に、ステップ410では、反射体108をパック110の一方の端部に施す。様々な実施形態において、反射体108は、パック110の一方の端部を研磨して、研磨した端部をアルミニウム(Al)、銀(Ag)又は金(Au)のような反射性金属でスパッタ被覆することにより施される。
図5は、本発明の二つの異なる実施形態によるパック110の断面図を示す。同図は、二つの異なる実施形態による円形繊維パック502及び方形繊維パック504を示す。同図はまた、パック502及び504と共に保持されている接着剤506を示す。当業者には、本発明の様々な実施形態によって他の様々な形状のパック110を達成し得ることは明らかであろう。
本発明の様々な実施形態は、異なるピクセル間での撮像一様性を提供する。CTシステムのシンチレータ・アレイとして用いられるときのパック110は、異なるピクセル間での撮像一様性を提供する。このことは、図2を参照して説明した方法を用いて均一な繊維を形成することにより達成される。さらに、単一のガラス繊維の断面積はフォトダイオードの面積よりもかなり小さいので、パック110をフォトダイオード112と位置揃えする必要がない。また、パック110は、従来のシンチレータ・アレイよりも高いX線量効率を達成する。
さらに、本書に記載した方法及び装置の様々な実施形態によって画質が改善される。この改善された画質は、パック内で様々なガラス繊維同士の間にクロストークが殆ど存在しないため得られる。
また、本書に記載した方法及び装置の様々な実施形態は、より単純でより経費効率の高いパックの製造方法を提供する。加えて、本書に記載した方法及び装置によるパックは、フォトダイオード・アレイでのピクセル構成を問わず任意のフォトダイオード・アレイと共に用いることができる。
本書に記載した方法及び装置の一つの技術的効果は、異なるピクセル間で撮像一様性を提供することである。このことは、実質的に均一なガラス繊維又はガラス−セラミック繊維を用いて達成される。もう一つの技術的効果は、本書に記載した方法及び装置はパックをフォトダイオードに位置揃えすることに関わる困難さを小さくすることである。このことは、シンチレータ・アレイに複数のガラス繊維又はガラス−セラミック繊維を含ませることにより達成される。
様々な特定的な実施形態によって本発明を説明したが、当業者は、特許請求の範囲の要旨及び範囲内に属する改変を施して本発明を実施し得ることを認められよう。また、図面の符号に対応する特許請求の範囲中の符号は、単に本願発明の理解をより容易にするために用いられているものであり、本願発明の範囲を狭める意図で用いられたものではない。そして、本願の特許請求の範囲に記載した事項は、明細書に組み込まれ、明細書の記載事項の一部となる。
本発明の一実施形態によるCTシステムを示す図である。 本発明の様々な実施形態に従ってガラス繊維プリフォームを製造する方法を示す流れ図である。 繊維プリフォームからガラス繊維を引抜き加工するシステムを示す図である。 ガラス繊維を用いてパックを形成する方法を示す流れ図である。 本発明の二つの異なる実施形態によるパックの断面図である。
符号の説明
100 CTシステム
104 対象
105 検出器
106 コリメータ
108 反射体
110 シンチレータ・パック
112 フォトダイオード
300 システム
302 白金坩堝
304 繊維プリフォーム
306 加熱炉
308 ガラス繊維のストランド
310 スプール
502 円形繊維パック
504 方形繊維パック
506 接着剤

Claims (10)

  1. ガラス組成物及びガラス−セラミック組成物の少なくとも一方を含んでなり、複数のシンチレータ結晶を含有する組成物。
  2. 屈折率が1.80〜1.90である請求項1に記載の組成物。
  3. 前記シンチレータ結晶は、Tb−Lu−Al−O−Ce、LuSiO:Ce、GdS:Pr、Ce、F、GdGa12:Cr、Ce、LuAlO:Ce、YAl12:Ce、BiGe12、及び(Y1.67Gd0.33Eu0.1)Oの少なくとも一つの結晶を含んでなる、請求項1に記載の組成物。
  4. 繊維を含んでなる請求項2に記載の組成物。
  5. ガラス及びガラス−セラミックの少なくとも一方を含んでなり、複数のシンチレータ結晶を含む複数の繊維(308)を含んでなるシンチレータ・アレイ(110)。
  6. 前記繊維は、TiOを含む接着剤と結合されている、請求項5に記載のアレイ(110)。
  7. 粒度が1μm〜5μmのガラス粉を提供するステップ(202)と、
    粒度が1μm〜20μmの複数のシンチレータ結晶を提供するステップ(204)と、
    40%〜80%がシンチレータ結晶であり20%〜60%がガラス粉である結果的な混合物を得るように前記ガラス粉及び前記シンチレータを混合するステップ(206)と、
    を備えた方法。
  8. 前記混合物を溶融させることにより前記混合物を用いて繊維プリフォーム(304)を形成するステップ(208)をさらに含んでいる請求項7に記載の方法。
  9. 前記繊維プリフォーム(304)をアニールするステップと、
    前記アニールされたプリフォームからガラス繊維(308)を引抜き加工するステップ(210)と、
    をさらに含んでいる請求項8に記載の方法。
  10. X線源(102)と、
    該線源から放出されるX線を受光するように配置されている検出器(105)と、
    を備えた計算機式断層写真法(CT)システム(100)であって、前記検出器(105)は、
    フォトダイオード・アレイ(112)、及び
    該フォトダイオード・アレイと前記線源との間に配置されており、ガラス及びガラス−セラミックの少なくとも一方を含んだ複数の繊維(308)を含んでなるシンチレータのアレイ(110)と、
    を含んでいる、計算機式断層写真法(CT)システム(100)。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007031196A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Kyoto Univ 蛍光体及び発光ダイオード
WO2014168202A1 (ja) * 2013-04-12 2014-10-16 日立金属株式会社 蛍光材料、シンチレータ、並びに放射線変換パネル

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1801182A4 (en) * 2004-10-05 2010-06-02 Nippon Sheet Glass Co Ltd BODY EMITTING WITH FLUORESCENT LIGHT EMITTED, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND A FABRIC OR SUBSTANCE CONTAINING SUCH LIGHT EMITTING BODY
US8008624B2 (en) * 2007-01-16 2011-08-30 General Electric Company X-ray detector fabrication methods and apparatus therefrom
US8477906B2 (en) * 2007-03-05 2013-07-02 Trustees Of Boston University High definition scintillation detector for medicine, homeland security and non-destructive evaluation
JP5587788B2 (ja) * 2007-12-21 2014-09-10 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 複合樹脂におけるシンチレータを備えた放射線感受性検出器
EP2517049B1 (en) * 2010-01-28 2014-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator crystal body, method for manufacturing the same, and radiation detector
US9425234B2 (en) * 2010-07-15 2016-08-23 Leigh E. Colby Quantum dot digital radiographic detection system
US9422159B2 (en) 2010-07-15 2016-08-23 Leigh E. Colby Quantum dot digital radiographic detection system
US9322935B2 (en) * 2011-07-28 2016-04-26 Koninklijke Philips N.V. Terbium based detector scintillator
CN104781692B (zh) * 2012-11-15 2019-06-11 卡尔斯特里姆保健公司 数字化放射摄影检测器
JP2014139564A (ja) * 2012-12-20 2014-07-31 Sony Corp 撮像装置および電子機器
CN103951229B (zh) * 2014-05-08 2016-04-27 宁波大学 稀土离子掺杂的Sr2LuCl7微晶玻璃及其制备方法
CN103951245B (zh) * 2014-05-08 2016-06-15 宁波大学 稀土离子掺杂的Cs2LiLuCl6微晶玻璃及其制备方法
US9482763B2 (en) * 2014-05-08 2016-11-01 Baker Hughes Incorporated Neutron and gamma sensitive fiber scintillators
US10646176B2 (en) 2015-09-30 2020-05-12 General Electric Company Layered radiation detector
CN110780339B (zh) * 2019-10-29 2024-04-12 华北电力大学 一种石油测井用冷、热中子探测器及锂玻璃纤维制备方法
KR20230038634A (ko) * 2020-01-24 2023-03-21 더 리서치 파운데이션 포 더 스테이트 유니버시티 오브 뉴욕 평면 패널 x선 검출기에 사용하기 위한 섬광 유리 세라믹, 평면 패널 x선 검출기 및 영상 시스템

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61197443A (ja) * 1985-02-22 1986-09-01 Hoya Corp 光学ガラス
JPS62501169A (ja) * 1984-12-17 1987-05-07 イギリス国 発光セラミツクプレ−ト
JPS62128946A (ja) * 1985-11-26 1987-06-11 Hoya Corp テルライトガラス
JPS63274638A (ja) * 1987-04-30 1988-11-11 Hoya Corp 高屈折率低融点ガラス用組成物
JPH03134597A (ja) * 1989-10-19 1991-06-07 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線増感スクリーンおよびその製造法
JPH04214788A (ja) * 1990-12-13 1992-08-05 Hitachi Metals Ltd シンチレーター部材およびその製造方法
JPH04289483A (ja) * 1990-06-29 1992-10-14 General Electric Co <Ge> ガ―ネット構造のシンチレ―タ―を用いた高速の放射線耐性ctシンチレ―タ―装置
JPH10101371A (ja) * 1996-09-27 1998-04-21 Naigai Ceramics Kk 蓄光性蛍光特性を有する無機質人工セラミックス及びその製造方法
JP2001058881A (ja) * 1999-05-06 2001-03-06 General Electric Co <Ge> 複合シンチレータ材料及びそれの製造方法
JP2001228253A (ja) * 1999-11-29 2001-08-24 General Electric Co <Ge> 高解像度・高輝度のシンチレータ及び該シンチレータを用いた放射線イメージャ
JP2002243862A (ja) * 2000-12-15 2002-08-28 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc セリウム・ドープのルテチウム・オルトシリケート・シンチレータを使用したコンピュータ断層イメージングのシステム及び方法
JP2004333489A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc 非ピクセル型シンチレータ・アレイを有する計算機式断層写真法(ct)検出器アレイ
JP2005054178A (ja) * 2003-07-31 2005-03-03 Siemens Ag X線検出器用発光体及びその製造方法
JP2007504082A (ja) * 2003-09-05 2007-03-01 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー アルミナ−シリカガラスまたはガラスセラミックの製造法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3225193A (en) * 1961-02-24 1965-12-21 Aerojet General Co Scintillation device and system
US4415810A (en) * 1979-07-05 1983-11-15 Brown Sr Robert L Device for imaging penetrating radiation
US5220170A (en) * 1985-12-11 1993-06-15 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
US5168540A (en) * 1990-09-12 1992-12-01 Advanced Technology Materials Inc. Scintillating articles and method of making the same
JPH04353791A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Toshiba Corp 散乱線映像装置
US5308986A (en) * 1992-12-17 1994-05-03 Nanoptics Incorporated High efficiency, high resolution, real-time radiographic imaging system
US5636299A (en) * 1994-12-28 1997-06-03 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Hybrid luminescent device and method for imaging penetrating radiation
US5606638A (en) * 1995-12-26 1997-02-25 Nanoptics Incorporated Organic scintillator systems and optical fibers containing polycyclic aromatic compounds
JPH1073667A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Shimadzu Corp 放射線検出器
US5912942A (en) * 1997-06-06 1999-06-15 Schick Technologies, Inc. X-ray detection system using active pixel sensors
US5898753A (en) * 1997-06-06 1999-04-27 Schick Technologies, Inc. Apparatus for measuring bone density using active pixel sensors
JP4298822B2 (ja) * 1997-12-22 2009-07-22 株式会社オハラ 発光性ガラスセラミックス
JP4383558B2 (ja) * 1998-07-21 2009-12-16 東芝医用システムエンジニアリング株式会社 X線診断装置及び放射線診断装置
NL1014401C2 (nl) * 2000-02-17 2001-09-04 Stichting Tech Wetenschapp Ceriumhoudend anorganisch scintillatormateriaal.
US6480563B2 (en) * 2000-12-19 2002-11-12 Ge Medical Systems Global Technology Co., Llc System and method of aligning scintillator crystalline structures for computed tomography imaging
US6448566B1 (en) * 2001-03-15 2002-09-10 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Scintillator arrays for radiation detectors and methods for making same
US6775348B2 (en) * 2002-02-27 2004-08-10 General Electric Company Fiber optic scintillator with optical gain for a computed tomography system and method of manufacturing same
US6710350B2 (en) * 2002-03-05 2004-03-23 Ge Medical Systems Information Technologies, Inc. Radiation detector with microphotonic optical switches to route light in an imaging system
US6993110B2 (en) * 2002-04-25 2006-01-31 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Collimator for imaging systems and methods for making same

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62501169A (ja) * 1984-12-17 1987-05-07 イギリス国 発光セラミツクプレ−ト
JPS61197443A (ja) * 1985-02-22 1986-09-01 Hoya Corp 光学ガラス
JPS62128946A (ja) * 1985-11-26 1987-06-11 Hoya Corp テルライトガラス
JPS63274638A (ja) * 1987-04-30 1988-11-11 Hoya Corp 高屈折率低融点ガラス用組成物
JPH03134597A (ja) * 1989-10-19 1991-06-07 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線増感スクリーンおよびその製造法
JPH04289483A (ja) * 1990-06-29 1992-10-14 General Electric Co <Ge> ガ―ネット構造のシンチレ―タ―を用いた高速の放射線耐性ctシンチレ―タ―装置
JPH04214788A (ja) * 1990-12-13 1992-08-05 Hitachi Metals Ltd シンチレーター部材およびその製造方法
JPH10101371A (ja) * 1996-09-27 1998-04-21 Naigai Ceramics Kk 蓄光性蛍光特性を有する無機質人工セラミックス及びその製造方法
JP2001058881A (ja) * 1999-05-06 2001-03-06 General Electric Co <Ge> 複合シンチレータ材料及びそれの製造方法
JP2001228253A (ja) * 1999-11-29 2001-08-24 General Electric Co <Ge> 高解像度・高輝度のシンチレータ及び該シンチレータを用いた放射線イメージャ
JP2002243862A (ja) * 2000-12-15 2002-08-28 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc セリウム・ドープのルテチウム・オルトシリケート・シンチレータを使用したコンピュータ断層イメージングのシステム及び方法
JP2004333489A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc 非ピクセル型シンチレータ・アレイを有する計算機式断層写真法(ct)検出器アレイ
JP2005054178A (ja) * 2003-07-31 2005-03-03 Siemens Ag X線検出器用発光体及びその製造方法
JP2007504082A (ja) * 2003-09-05 2007-03-01 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー アルミナ−シリカガラスまたはガラスセラミックの製造法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007031196A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Kyoto Univ 蛍光体及び発光ダイオード
WO2014168202A1 (ja) * 2013-04-12 2014-10-16 日立金属株式会社 蛍光材料、シンチレータ、並びに放射線変換パネル
US9556380B2 (en) 2013-04-12 2017-01-31 Hitachi Metals, Ltd. Fluorescent material, scintillator and radiation conversion panel
JPWO2014168202A1 (ja) * 2013-04-12 2017-02-16 日立金属株式会社 蛍光材料、シンチレータ、並びに放射線変換パネル

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