JP2002243862A - セリウム・ドープのルテチウム・オルトシリケート・シンチレータを使用したコンピュータ断層イメージングのシステム及び方法 - Google Patents
セリウム・ドープのルテチウム・オルトシリケート・シンチレータを使用したコンピュータ断層イメージングのシステム及び方法Info
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- JP2002243862A JP2002243862A JP2001379365A JP2001379365A JP2002243862A JP 2002243862 A JP2002243862 A JP 2002243862A JP 2001379365 A JP2001379365 A JP 2001379365A JP 2001379365 A JP2001379365 A JP 2001379365A JP 2002243862 A JP2002243862 A JP 2002243862A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2985—In depth localisation, e.g. using positron emitters; Tomographic imaging (longitudinal and transverse section imaging; apparatus for radiation diagnosis sequentially in different planes, steroscopic radiation diagnosis)
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 十分な光出力を備えながら減衰時間を短縮さ
せているシンチレータを提供する。 【解決手段】 被検体（２２）により減衰を受けた高周
波エネルギー（１６）は、その内部に複数のセリウム・
ドープのルテチウム・オルトシリケート・シンチレータ
（５７）を有しているシンチレータ・アレイ（５６）が
受け取り、受け取った減衰エネルギーに基づいて光エネ
ルギーが放出される。シンチレータ・アレイ（５６）の
各シンチレータ（５７）は、ガラス形成系内でガラス形
成用化合物を化合させることによって高い結晶相を有す
る透明なガラスセラミックになるように形成される。セ
リウム・ドープのルテチウム・オルトシリケートを透明
なガラスセラミックになるように形成させるためにガラ
ス形成用化合物を化合させることもできる。
せているシンチレータを提供する。 【解決手段】 被検体（２２）により減衰を受けた高周
波エネルギー（１６）は、その内部に複数のセリウム・
ドープのルテチウム・オルトシリケート・シンチレータ
（５７）を有しているシンチレータ・アレイ（５６）が
受け取り、受け取った減衰エネルギーに基づいて光エネ
ルギーが放出される。シンチレータ・アレイ（５６）の
各シンチレータ（５７）は、ガラス形成系内でガラス形
成用化合物を化合させることによって高い結晶相を有す
る透明なガラスセラミックになるように形成される。セ
リウム・ドープのルテチウム・オルトシリケートを透明
なガラスセラミックになるように形成させるためにガラ
ス形成用化合物を化合させることもできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、全般的にはコンピ
ュータ断層イメージングに関し、さらに詳細には、コン
ピュータ断層システムで使用するためにＸ線を光エネル
ギーに変換する装置及び方法に関する。
ュータ断層イメージングに関し、さらに詳細には、コン
ピュータ断層システムで使用するためにＸ線を光エネル
ギーに変換する装置及び方法に関する。
【０００２】
【発明の背景】典型的には、コンピュータ断層（ＣＴ）
イメージング・システムでは、Ｘ線源は患者などの被検
体に向けて扇形状のビームを放出する。ビームは、この
被検体によって減衰を受けた後、放射線検出器のアレイ
上に入射する。検出器アレイで受け取った減衰したビー
ム状放射線の強度は、典型的には、被検体によるＸ線ビ
ームの減衰に依存する。この検出器アレイの各検出器素
子は、各検出器位置で受け取る減衰ビームを表している
電気信号を別々に発生させる。この電気信号は解析のた
めにデータ処理装置に伝達され、最終的に画像が形成さ
れる。
イメージング・システムでは、Ｘ線源は患者などの被検
体に向けて扇形状のビームを放出する。ビームは、この
被検体によって減衰を受けた後、放射線検出器のアレイ
上に入射する。検出器アレイで受け取った減衰したビー
ム状放射線の強度は、典型的には、被検体によるＸ線ビ
ームの減衰に依存する。この検出器アレイの各検出器素
子は、各検出器位置で受け取る減衰ビームを表している
電気信号を別々に発生させる。この電気信号は解析のた
めにデータ処理装置に伝達され、最終的に画像が形成さ
れる。
【０００３】一般に、Ｘ線源及び検出器アレイはガント
リと共に画像作成面内で被検体の周りを回転する。Ｘ線
源は典型的には、焦点の位置でＸ線ビームを放出するＸ
線管を含んでいる。Ｘ線検出器は典型的には、この検出
器の位置で受け取るＸ線ビームをコリメートするための
コリメータと、このコリメータに隣接しておりＸ線を光
エネルギーに変換するためのシンチレータと、この光エ
ネルギーを隣接するシンチレータから受け取るためのフ
ォトダイオードと、を含んでいる。
リと共に画像作成面内で被検体の周りを回転する。Ｘ線
源は典型的には、焦点の位置でＸ線ビームを放出するＸ
線管を含んでいる。Ｘ線検出器は典型的には、この検出
器の位置で受け取るＸ線ビームをコリメートするための
コリメータと、このコリメータに隣接しておりＸ線を光
エネルギーに変換するためのシンチレータと、この光エ
ネルギーを隣接するシンチレータから受け取るためのフ
ォトダイオードと、を含んでいる。
【０００４】ＣＴイメージング・システムの周知の１つ
では、検出器アレイの各シンチレータはタリウム・ベー
スのヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）である。タリウム
・ベースのヨウ化セシウムと硫酸ガドリニウム（Ｇｄ
（ＳＯ3））などその他のシンチレータの調合により大
きな光出力を得ることができる。しかし、タリウム・ド
ープのヨウ化セシウム、硫酸ガドリニウム及びその他周
知のシンチレータの調合では、概ね９０％の減衰の達成
に概ね３〜１０００マイクロ秒を要する。この減衰の遅
延により、光の放出及び検出が非効率となると共にＣＴ
システムの全体性能を低下させることが多い残留効果が
起こる。
では、検出器アレイの各シンチレータはタリウム・ベー
スのヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）である。タリウム
・ベースのヨウ化セシウムと硫酸ガドリニウム（Ｇｄ
（ＳＯ3））などその他のシンチレータの調合により大
きな光出力を得ることができる。しかし、タリウム・ド
ープのヨウ化セシウム、硫酸ガドリニウム及びその他周
知のシンチレータの調合では、概ね９０％の減衰の達成
に概ね３〜１０００マイクロ秒を要する。この減衰の遅
延により、光の放出及び検出が非効率となると共にＣＴ
システムの全体性能を低下させることが多い残留効果が
起こる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、十分な光
出力を備えながら減衰時間を短縮させているシンチレー
タが得られることが望ましい。
出力を備えながら減衰時間を短縮させているシンチレー
タが得られることが望ましい。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＣＴイメージ
ング・システム用の検出器、並びに上述の欠点を解決し
ている使用方法を提供する。本検出器は高周波電磁エネ
ルギーを受け取って光エネルギーに変換するための集束
性のシンチレータを含む。本検出器はさらに、このシン
チレータに隣接して配置されると共にシンチレータの表
面を出た光を介して放出される光エネルギーを受け取る
ように構成したフォトダイオードを含む。本検出器はま
た、フォトダイオードからデータ処理装置までを接続し
ている電気導線を含む。フォトダイオードの信号出力は
画像再構成を容易にするためにデータ処理装置に伝達さ
れる。本ＣＴシステムには、高周波電磁エネルギーをテ
ーパ付きシンチレータに向けて投射するため出力を有す
るガントリが設けられている。
ング・システム用の検出器、並びに上述の欠点を解決し
ている使用方法を提供する。本検出器は高周波電磁エネ
ルギーを受け取って光エネルギーに変換するための集束
性のシンチレータを含む。本検出器はさらに、このシン
チレータに隣接して配置されると共にシンチレータの表
面を出た光を介して放出される光エネルギーを受け取る
ように構成したフォトダイオードを含む。本検出器はま
た、フォトダイオードからデータ処理装置までを接続し
ている電気導線を含む。フォトダイオードの信号出力は
画像再構成を容易にするためにデータ処理装置に伝達さ
れる。本ＣＴシステムには、高周波電磁エネルギーをテ
ーパ付きシンチレータに向けて投射するため出力を有す
るガントリが設けられている。
【０００７】本発明の一態様では、シンチレータ・アレ
イを含んだ検出器を提供する。このシンチレータ・アレ
イは、ルテチウム・オルトシリケート（ｌｕｔｅｔｉｕ
ｍｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）を含む少なくとも１つ
のシンチレータを含んでいる。このシンチレータは高周
波電磁エネルギーを受け取ると共にこのエネルギーを光
エネルギーに変換している。少なくとも１つのフォトダ
イオードを備えるフォトダイオード・アレイをこのシン
チレータ・アレイと光学的に結合させると共に、シンチ
レータからの光出力を検出させるように構成している。
フォトダイオード・アレイの各フォトダイオードは、複
数の電気相互接続によりデータ収集システムに伝達され
る出力を生成している。
イを含んだ検出器を提供する。このシンチレータ・アレ
イは、ルテチウム・オルトシリケート（ｌｕｔｅｔｉｕ
ｍｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）を含む少なくとも１つ
のシンチレータを含んでいる。このシンチレータは高周
波電磁エネルギーを受け取ると共にこのエネルギーを光
エネルギーに変換している。少なくとも１つのフォトダ
イオードを備えるフォトダイオード・アレイをこのシン
チレータ・アレイと光学的に結合させると共に、シンチ
レータからの光出力を検出させるように構成している。
フォトダイオード・アレイの各フォトダイオードは、複
数の電気相互接続によりデータ収集システムに伝達され
る出力を生成している。
【０００８】本発明の別の態様では、コンピュータ断層
システムを提供する。本システムは、高周波エネルギー
を被検体に向けて投射することができる開口及び高周波
電磁エネルギー投射源を有する回転可能なガントリを含
む。シンチレータ・アレイは、その各々がルテチウム・
オルトシリケートを含む複数のシンチレータを含むと共
に被検体により減衰を受けた高周波電磁エネルギーを受
け取っている。シンチレータ・アレイにはフォトダイオ
ード・アレイを光学的に結合させると共に、シンチレー
タ・アレイから放出される光エネルギーを検出させるよ
うに構成している。このフォトダイオード・アレイは、
複数の電気相互接続によりデータ収集システムに伝達さ
れる出力を生成している。本システムはさらに、データ
処理システムに伝達されたフォトダイオード出力に基づ
いて視覚的表示を生成することができるコンピュータを
含んでいる。
システムを提供する。本システムは、高周波エネルギー
を被検体に向けて投射することができる開口及び高周波
電磁エネルギー投射源を有する回転可能なガントリを含
む。シンチレータ・アレイは、その各々がルテチウム・
オルトシリケートを含む複数のシンチレータを含むと共
に被検体により減衰を受けた高周波電磁エネルギーを受
け取っている。シンチレータ・アレイにはフォトダイオ
ード・アレイを光学的に結合させると共に、シンチレー
タ・アレイから放出される光エネルギーを検出させるよ
うに構成している。このフォトダイオード・アレイは、
複数の電気相互接続によりデータ収集システムに伝達さ
れる出力を生成している。本システムはさらに、データ
処理システムに伝達されたフォトダイオード出力に基づ
いて視覚的表示を生成することができるコンピュータを
含んでいる。
【０００９】本発明のさらに別の態様では、コンピュー
タ断層イメージングの方法を提供する。本方法は、その
各々がルテチウム・オルトシリケートを含む複数のシン
チレータを有するシンチレータ・アレイを提供するステ
ップを含む。本方法はさらに、高周波電磁エネルギーを
シンチレータ・アレイに導くステップと、複数のフォト
ダイオードを有するフォトダイオード・アレイをシンチ
レータ・アレイと結合させるステップと、を含む。本方
法はまた、シンチレータ・アレイからの光エネルギーを
フォトダイオード・アレイに放出するステップと、画像
を構成するためにフォトダイオード出力をデータ処理シ
ステムに伝達するステップと、を含む。本方法はさら
に、画像を構成するためにデータ処理システムに伝達さ
れたフォトダイオード出力に基づいて構成した画像を表
示するステップを含む。
タ断層イメージングの方法を提供する。本方法は、その
各々がルテチウム・オルトシリケートを含む複数のシン
チレータを有するシンチレータ・アレイを提供するステ
ップを含む。本方法はさらに、高周波電磁エネルギーを
シンチレータ・アレイに導くステップと、複数のフォト
ダイオードを有するフォトダイオード・アレイをシンチ
レータ・アレイと結合させるステップと、を含む。本方
法はまた、シンチレータ・アレイからの光エネルギーを
フォトダイオード・アレイに放出するステップと、画像
を構成するためにフォトダイオード出力をデータ処理シ
ステムに伝達するステップと、を含む。本方法はさら
に、画像を構成するためにデータ処理システムに伝達さ
れたフォトダイオード出力に基づいて構成した画像を表
示するステップを含む。
【００１０】本発明に関するその他様々な特徴、目的及
び利点は以下の詳細な説明及び図面から明らかとなろ
う。
び利点は以下の詳細な説明及び図面から明らかとなろ
う。
【００１１】図面では、本発明を実施するように目下の
ところ企図されている好ましい実施の一形態を図示して
いる。
ところ企図されている好ましい実施の一形態を図示して
いる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の動作環境を４スライス型
コンピュータ断層（ＣＴ）システムに関して記載する。
しかし、当業者であれば、本発明は単一スライス構成や
その他のマルチスライス構成で使用するように同様に適
用可能であることを理解されよう。さらに、本発明はＸ
線の検出及び変換に関して記載することにする。しか
し、当業者であれば、さらに、本発明がその他の高周波
電磁エネルギーの検出、変換及び集束に対しても同様に
適用可能であることを理解されよう。
コンピュータ断層（ＣＴ）システムに関して記載する。
しかし、当業者であれば、本発明は単一スライス構成や
その他のマルチスライス構成で使用するように同様に適
用可能であることを理解されよう。さらに、本発明はＸ
線の検出及び変換に関して記載することにする。しか
し、当業者であれば、さらに、本発明がその他の高周波
電磁エネルギーの検出、変換及び集束に対しても同様に
適用可能であることを理解されよう。
【００１３】図１及び図２を参照すると、「第３世代」
のＣＴスキャナに典型的なガントリ１２を含むものとし
て、コンピュータ断層（ＣＴ）イメージング・システム
１０を示している。ガントリ１２は、このガントリ１２
の対向面上に位置する検出器アレイ１８に向けてＸ線ビ
ーム１６を放出するＸ線源１４を有する。検出器アレイ
１８は、投射され患者２２を透過したＸ線を一体となっ
て検知する複数の検出器２０により形成される。各検出
器２０は、入射したＸ線ビームの強度を表す電気信号、
すなわち患者２２を透過したＸ線ビームの減衰を表す電
気信号を発生させる。Ｘ線投影データを収集するための
スキャンの間に、ガントリ１２及びガントリ上に装着さ
れたコンポーネントは回転中心２４の周りを回転する。
のＣＴスキャナに典型的なガントリ１２を含むものとし
て、コンピュータ断層（ＣＴ）イメージング・システム
１０を示している。ガントリ１２は、このガントリ１２
の対向面上に位置する検出器アレイ１８に向けてＸ線ビ
ーム１６を放出するＸ線源１４を有する。検出器アレイ
１８は、投射され患者２２を透過したＸ線を一体となっ
て検知する複数の検出器２０により形成される。各検出
器２０は、入射したＸ線ビームの強度を表す電気信号、
すなわち患者２２を透過したＸ線ビームの減衰を表す電
気信号を発生させる。Ｘ線投影データを収集するための
スキャンの間に、ガントリ１２及びガントリ上に装着さ
れたコンポーネントは回転中心２４の周りを回転する。
【００１４】ガントリ１２の回転及びＸ線源１４の動作
は、ＣＴシステム１０の制御機構２６により制御され
る。制御機構２６は、Ｘ線源１４に電力及びタイミング
信号を供給するＸ線制御装置２８と、ガントリ１２の回
転速度及び位置を制御するガントリ・モータ制御装置３
０とを含む。制御機構２６内にはデータ収集システム
（ＤＡＳ）３２があり、これによって検出器２０からの
アナログ・データをサンプリングし、このデータを後続
の処理のためにディジタル信号に変換する。画像再構成
装置３４は、サンプリングされディジタル化されたＸ線
データをＤＡＳ３２から受け取り、高速で再構成を行
う。再構成された画像はコンピュータ３６に入力として
渡され、コンピュータにより大容量記憶装置３８内にこ
の再構成画像が格納される。
は、ＣＴシステム１０の制御機構２６により制御され
る。制御機構２６は、Ｘ線源１４に電力及びタイミング
信号を供給するＸ線制御装置２８と、ガントリ１２の回
転速度及び位置を制御するガントリ・モータ制御装置３
０とを含む。制御機構２６内にはデータ収集システム
（ＤＡＳ）３２があり、これによって検出器２０からの
アナログ・データをサンプリングし、このデータを後続
の処理のためにディジタル信号に変換する。画像再構成
装置３４は、サンプリングされディジタル化されたＸ線
データをＤＡＳ３２から受け取り、高速で再構成を行
う。再構成された画像はコンピュータ３６に入力として
渡され、コンピュータにより大容量記憶装置３８内にこ
の再構成画像が格納される。
【００１５】コンピュータ３６はまた、キーボードを有
するコンソール４０を介して、オペレータからのコマン
ド及びスキャン・パラメータを受け取る。付属の陰極線
管ディスプレイ４２により、オペレータはコンピュータ
３６からの再構成画像やその他のデータを観察すること
ができる。コンピュータ３６は、オペレータの発したコ
マンド及びパラメータを用いて、ＤＡＳ３２、Ｘ線制御
装置２８及びガントリ・モータ制御装置３０に対して制
御信号や制御情報を提供する。さらにコンピュータ３６
は、モータ式テーブル４６を制御して患者２２とガント
リ１２の位置決めをするためのテーブル・モータ制御装
置４４を操作する。詳細には、テーブル４６により患者
２２の各部分がガントリ開口４８を通過できる。
するコンソール４０を介して、オペレータからのコマン
ド及びスキャン・パラメータを受け取る。付属の陰極線
管ディスプレイ４２により、オペレータはコンピュータ
３６からの再構成画像やその他のデータを観察すること
ができる。コンピュータ３６は、オペレータの発したコ
マンド及びパラメータを用いて、ＤＡＳ３２、Ｘ線制御
装置２８及びガントリ・モータ制御装置３０に対して制
御信号や制御情報を提供する。さらにコンピュータ３６
は、モータ式テーブル４６を制御して患者２２とガント
リ１２の位置決めをするためのテーブル・モータ制御装
置４４を操作する。詳細には、テーブル４６により患者
２２の各部分がガントリ開口４８を通過できる。
【００１６】図３及び４で示すように、検出器アレイ１
８は複数の検出器２０を含んでいる。各検出器２０は、
高密度のフォトダイオード・アレイ５２と、このフォト
ダイオード・アレイ５２の上側に配置した多次元シンチ
レータ・アレイ５６とを含んでいる。Ｘ線ビーム１６を
シンチレータ・アレイ５６上に入射する前にコリメート
するために、シンチレータ・アレイ５６の上側にコリメ
ータ（図示せず）が配置されている。フォトダイオード
・アレイ５２は、シリコンチップ上に堆積（すなわち、
形成）させた複数のフォトダイオード６０を含む。シン
チレータ・アレイ５６は、当技術分野で周知のように、
フォトダイオード・アレイ５２を覆うように位置させて
いる。フォトダイオード６０はシンチレータ・アレイ５
６と光学的に結合しており、シンチレータ・アレイ５６
の光出力を表す信号を伝達することができる。各フォト
ダイオード６０は、シンチレータ・アレイ５６の対応す
るシンチレータ５７に入射する減衰ビームの計測値にあ
たる低レベルのアナログ出力信号を別々に発生させる。
フォトダイオード出力線７６は、例えば、検出器２０の
１つの側面上、あるいは検出器２０の複数の側面上に物
理的に配置させることができる。図４で示すように、フ
ォトダイオード出力線７６は、フォトダイオード・アレ
イ５２の相対する側面に配置させている。
８は複数の検出器２０を含んでいる。各検出器２０は、
高密度のフォトダイオード・アレイ５２と、このフォト
ダイオード・アレイ５２の上側に配置した多次元シンチ
レータ・アレイ５６とを含んでいる。Ｘ線ビーム１６を
シンチレータ・アレイ５６上に入射する前にコリメート
するために、シンチレータ・アレイ５６の上側にコリメ
ータ（図示せず）が配置されている。フォトダイオード
・アレイ５２は、シリコンチップ上に堆積（すなわち、
形成）させた複数のフォトダイオード６０を含む。シン
チレータ・アレイ５６は、当技術分野で周知のように、
フォトダイオード・アレイ５２を覆うように位置させて
いる。フォトダイオード６０はシンチレータ・アレイ５
６と光学的に結合しており、シンチレータ・アレイ５６
の光出力を表す信号を伝達することができる。各フォト
ダイオード６０は、シンチレータ・アレイ５６の対応す
るシンチレータ５７に入射する減衰ビームの計測値にあ
たる低レベルのアナログ出力信号を別々に発生させる。
フォトダイオード出力線７６は、例えば、検出器２０の
１つの側面上、あるいは検出器２０の複数の側面上に物
理的に配置させることができる。図４で示すように、フ
ォトダイオード出力線７６は、フォトダイオード・アレ
イ５２の相対する側面に配置させている。
【００１７】実施の一形態では、図３に示すように、検
出器アレイ１８は、５７個の検出器２０を含んでいる。
各検出器２０は、フォトダイオード・アレイ５２及びシ
ンチレータ・アレイ５６を含んでおり、それぞれ１６×
１６のアレイ・サイズを有する。このため、アレイ５２
及び５６の各々は、横列１６列と縦列９１２列（１６×
５７個の検出器）を有し、これによりガントリ１２の１
回転あたり１６スライス分のデータを同時に収集するこ
とが可能である。シンチレータ・アレイ５６は透明な接
着剤（図示せず）の薄膜によりフォトダイオード・アレ
イ５２と結合させている。
出器アレイ１８は、５７個の検出器２０を含んでいる。
各検出器２０は、フォトダイオード・アレイ５２及びシ
ンチレータ・アレイ５６を含んでおり、それぞれ１６×
１６のアレイ・サイズを有する。このため、アレイ５２
及び５６の各々は、横列１６列と縦列９１２列（１６×
５７個の検出器）を有し、これによりガントリ１２の１
回転あたり１６スライス分のデータを同時に収集するこ
とが可能である。シンチレータ・アレイ５６は透明な接
着剤（図示せず）の薄膜によりフォトダイオード・アレ
イ５２と結合させている。
【００１８】スイッチ・アレイ８０及び８２（図４）
は、フォトダイオード・アレイ５２と同じ幅を有する多
次元半導体アレイである。好ましい実施の一形態では、
スイッチ・アレイ８０及び８２の各々は複数の電界効果
トランジスタ（ＦＥＴ）を含んでいる。各ＦＥＴは対応
するフォトダイオード６０と電気的に接続させている。
ＦＥＴアレイは、可撓性のある電気的インタフェース８
４を介して信号を伝達するようにＤＡＳ３２と電気的に
接続した多数の出力導線を有している。詳細には、フォ
トダイオード出力の約半数がスイッチ・アレイ８０に電
気的に伝達され、フォトダイオード出力の残りの半数は
スイッチ・アレイ８２に電気的に伝達される。各検出器
２０は装着用ブラケット７９によって検出器フレーム７
７（図３）に固定されている。
は、フォトダイオード・アレイ５２と同じ幅を有する多
次元半導体アレイである。好ましい実施の一形態では、
スイッチ・アレイ８０及び８２の各々は複数の電界効果
トランジスタ（ＦＥＴ）を含んでいる。各ＦＥＴは対応
するフォトダイオード６０と電気的に接続させている。
ＦＥＴアレイは、可撓性のある電気的インタフェース８
４を介して信号を伝達するようにＤＡＳ３２と電気的に
接続した多数の出力導線を有している。詳細には、フォ
トダイオード出力の約半数がスイッチ・アレイ８０に電
気的に伝達され、フォトダイオード出力の残りの半数は
スイッチ・アレイ８２に電気的に伝達される。各検出器
２０は装着用ブラケット７９によって検出器フレーム７
７（図３）に固定されている。
【００１９】スイッチ・アレイ８０及び８２はさらに、
所望のスライスの数及びスライス分解能に従ってフォト
ダイオード出力を制御する、有効にする、無効にする、
あるいは合成するためのデコーダ（図示せず）を含んで
いる。１６スライス・モードとして規定される実施の一
形態では、デコーダはスイッチ・アレイ８０及び８２に
指令してフォトダイオード・アレイ５２のすべての横列
を起動させ、ＤＡＳ３２による処理で利用可能な１６ス
ライス分のデータが同時に得られる。もちろん、スライ
スはこれ以外に多くの組み合わせが可能である。例え
ば、デコーダによりさらに、１スライス・モード、２ス
ライス・モード、４スライス・モードなど多様なスライ
ス・モードが可能となる。
所望のスライスの数及びスライス分解能に従ってフォト
ダイオード出力を制御する、有効にする、無効にする、
あるいは合成するためのデコーダ（図示せず）を含んで
いる。１６スライス・モードとして規定される実施の一
形態では、デコーダはスイッチ・アレイ８０及び８２に
指令してフォトダイオード・アレイ５２のすべての横列
を起動させ、ＤＡＳ３２による処理で利用可能な１６ス
ライス分のデータが同時に得られる。もちろん、スライ
スはこれ以外に多くの組み合わせが可能である。例え
ば、デコーダによりさらに、１スライス・モード、２ス
ライス・モード、４スライス・モードなど多様なスライ
ス・モードが可能となる。
【００２０】図５に示すように、デコーダの適当な指令
の伝達によって、スイッチ・アレイ８０及び８２を４ス
ライス・モードで構成し、これにより１つまたは複数の
横列のフォトダイオード・アレイ５２からなる４スライ
スからデータを収集することができる。デコーダが規定
する具体的なスイッチ・アレイ８０及び８２の構成に応
じて、フォトダイオード・アレイ５２のフォトダイオー
ド出力の様々な組み合わせについて、有効にしたり、無
効にしたり、あるいは合成させたりすることができる。
これにより、スライス厚をフォトダイオード・アレイ素
子６０の横列１列分、２列分、３列分または４列分の素
子により構成させることができる。追加的な例として
は、１．２５ｍｍ厚から２０ｍｍ厚までの範囲にあるス
ライスのうちの１つのスライスからなる単一スライス・
モード、あるいは、１．２５ｍｍ厚から１０ｍｍ厚まで
の範囲にあるスライスのうちの２つのスライスを含む２
スライス・モード、などがある。さらに、ここに記載し
た数を超える追加的なモードも企図される。
の伝達によって、スイッチ・アレイ８０及び８２を４ス
ライス・モードで構成し、これにより１つまたは複数の
横列のフォトダイオード・アレイ５２からなる４スライ
スからデータを収集することができる。デコーダが規定
する具体的なスイッチ・アレイ８０及び８２の構成に応
じて、フォトダイオード・アレイ５２のフォトダイオー
ド出力の様々な組み合わせについて、有効にしたり、無
効にしたり、あるいは合成させたりすることができる。
これにより、スライス厚をフォトダイオード・アレイ素
子６０の横列１列分、２列分、３列分または４列分の素
子により構成させることができる。追加的な例として
は、１．２５ｍｍ厚から２０ｍｍ厚までの範囲にあるス
ライスのうちの１つのスライスからなる単一スライス・
モード、あるいは、１．２５ｍｍ厚から１０ｍｍ厚まで
の範囲にあるスライスのうちの２つのスライスを含む２
スライス・モード、などがある。さらに、ここに記載し
た数を超える追加的なモードも企図される。
【００２１】本発明はシンチレータ・アレイ５６の各シ
ンチレータに対する新規の組成を企図している。好まし
い実施の一形態では、各シンチレータはセリウム・ドー
プのルテチウム・オルトシリケート（Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃ
ｅ）を含んでいる。Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃｅは、概ね４２０
ｎｍの放出ピークと、タリウム・ドープのヨウ化セシウ
ムなど別の周知のシンチレータ組成の概ね半分の光出力
とを有している。しかし、Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃｅは極めて
短い減衰時間を有している。好ましい実施の一形態で
は、Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃｅにより概ね１００ナノ秒で９０
％の減衰が達成される。減衰時間の値は、シンチレータ
・アレイに向けた高周波電磁エネルギー投射の停止に続
く各シンチレータの残光を表している。本発明による残
光は、周知の実施の一形態では７７００ナノ秒の残光時
間を有するようなタリウム・ドープのヨウ化セシウムの
周知の組成と比べて極めて低い。
ンチレータに対する新規の組成を企図している。好まし
い実施の一形態では、各シンチレータはセリウム・ドー
プのルテチウム・オルトシリケート（Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃ
ｅ）を含んでいる。Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃｅは、概ね４２０
ｎｍの放出ピークと、タリウム・ドープのヨウ化セシウ
ムなど別の周知のシンチレータ組成の概ね半分の光出力
とを有している。しかし、Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃｅは極めて
短い減衰時間を有している。好ましい実施の一形態で
は、Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃｅにより概ね１００ナノ秒で９０
％の減衰が達成される。減衰時間の値は、シンチレータ
・アレイに向けた高周波電磁エネルギー投射の停止に続
く各シンチレータの残光を表している。本発明による残
光は、周知の実施の一形態では７７００ナノ秒の残光時
間を有するようなタリウム・ドープのヨウ化セシウムの
周知の組成と比べて極めて低い。
【００２２】好ましい実施の一形態では、そのシンチレ
ータは高い結晶相（ｈｉｇｈ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ
ｐｈａｓｅ）有する透明なガラスセラミックになるよ
うに形成させる。高い結晶相を有する透明なガラスセラ
ミックを形成するためには、酸化ケイ素、酸化ルテチウ
ム、酸化セリウム、酸化カリウム及び酸化バリウムを化
合させる。上述の化合物を化合させた生成物がＬｕ2Ｓ
ｉＯ5：Ｃｅのガラスセラミック・シンチレータであ
る。別法として、酸化ガドリニウムと酸化アルミニウム
のいずれかと上述の化合物を化合させることによって高
い結晶相を有する透明なガラスセラミックを形成させる
こともできる。
ータは高い結晶相（ｈｉｇｈ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ
ｐｈａｓｅ）有する透明なガラスセラミックになるよ
うに形成させる。高い結晶相を有する透明なガラスセラ
ミックを形成するためには、酸化ケイ素、酸化ルテチウ
ム、酸化セリウム、酸化カリウム及び酸化バリウムを化
合させる。上述の化合物を化合させた生成物がＬｕ2Ｓ
ｉＯ5：Ｃｅのガラスセラミック・シンチレータであ
る。別法として、酸化ガドリニウムと酸化アルミニウム
のいずれかと上述の化合物を化合させることによって高
い結晶相を有する透明なガラスセラミックを形成させる
こともできる。
【００２３】好ましい別の実施形態では、そのＬｕ2Ｓ
ｉＯ5：Ｃｅシンチレータは焼結を経てセラミック材料
になるように形成させる。Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃｅ粉末を焼
結させることにより、粒子間の細孔（ｐｏｒｅ）が除去
され、シンチレータ材料の焼きしまり（ｄｅｎｓｉｆｉ
ｃａｔｉｏｎ）が生じる。Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃｅは立方結
晶構造ではなく単結晶構造（ｍｏｎｏｃｒｙｎｉｃ ｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有しているため、焼結によって透
明ではなく半透明のセラミックが生成される。このた
め、好ましい実施の一形態では、この半透明なセラミッ
クを透明なセラミックに変換し、光の出力及び検出効率
を向上させている。
ｉＯ5：Ｃｅシンチレータは焼結を経てセラミック材料
になるように形成させる。Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃｅ粉末を焼
結させることにより、粒子間の細孔（ｐｏｒｅ）が除去
され、シンチレータ材料の焼きしまり（ｄｅｎｓｉｆｉ
ｃａｔｉｏｎ）が生じる。Ｌｕ2ＳｉＯ5：Ｃｅは立方結
晶構造ではなく単結晶構造（ｍｏｎｏｃｒｙｎｉｃ ｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有しているため、焼結によって透
明ではなく半透明のセラミックが生成される。このた
め、好ましい実施の一形態では、この半透明なセラミッ
クを透明なセラミックに変換し、光の出力及び検出効率
を向上させている。
【００２４】本発明は、コンピュータ断層システムのシ
ンチレータ・アレイ用のセリウム・ドープのルテチウム
・オルトシリケートを含んだシンチレータを特許請求の
範囲とする。好ましい実施の一形態では、そのシンチレ
ータ・アレイは高い結晶相を有する透明なガラスセラミ
ックとして構成されている。代替的な実施の一形態で
は、そのシンチレータ・アレイは、ガラスファイバ束に
なるように形成させたり、焼結を経て半透明なセラミッ
ク材料になるように形成させている。焼結させたセラミ
ック材料は完全には透明でないため、この半透明なセラ
ミックは固体の状態変換を用いて透明になるように変換
する。
ンチレータ・アレイ用のセリウム・ドープのルテチウム
・オルトシリケートを含んだシンチレータを特許請求の
範囲とする。好ましい実施の一形態では、そのシンチレ
ータ・アレイは高い結晶相を有する透明なガラスセラミ
ックとして構成されている。代替的な実施の一形態で
は、そのシンチレータ・アレイは、ガラスファイバ束に
なるように形成させたり、焼結を経て半透明なセラミッ
ク材料になるように形成させている。焼結させたセラミ
ック材料は完全には透明でないため、この半透明なセラ
ミックは固体の状態変換を用いて透明になるように変換
する。
【００２５】したがって、本発明は、ルテチウム・オル
トシリケートを含む複数のシンチレータを有するシンチ
レータ・アレイを提供するステップを含むコンピュータ
断層イメージングの方法を特許請求の範囲とする。好ま
しい実施の一形態では、そのルテチウム・オルトシリケ
ートにはセリウムをドープする。高周波電磁エネルギー
は患者などの被検体を透過してシンチレータ・アレイに
向けて導かれ、このシンチレータ・アレイの各シンチレ
ータは光出力を生成させ、この光出力は各シンチレータ
と結合させたフォトダイオード・アレイのフォトダイオ
ードにより検出される。このフォトダイオードは、画像
の構成とこれに続く表示のためにデータ処理システムに
伝達される信号を出力している。このセリウム・ドープ
のルテチウム・オルトシリケートは、酸化ケイ素、酸化
ルテチウム、酸化セリウム、酸化カリウム及び酸化バリ
ウムを化合させることにより透明なガラスシンチレータ
になるように形成することが好ましい。別法として、こ
の透明なガラスシンチレータは、酸化ガドリニウムと酸
化アルミニウムのいずれかを酸化ケイ素、酸化ルテチウ
ム、酸化セリウム、酸化カリウム及び酸化バリウムと化
合させることによって形成することができる。これによ
り、高い結晶相を有する透明なガラスセラミック・シン
チレータが形成される。
トシリケートを含む複数のシンチレータを有するシンチ
レータ・アレイを提供するステップを含むコンピュータ
断層イメージングの方法を特許請求の範囲とする。好ま
しい実施の一形態では、そのルテチウム・オルトシリケ
ートにはセリウムをドープする。高周波電磁エネルギー
は患者などの被検体を透過してシンチレータ・アレイに
向けて導かれ、このシンチレータ・アレイの各シンチレ
ータは光出力を生成させ、この光出力は各シンチレータ
と結合させたフォトダイオード・アレイのフォトダイオ
ードにより検出される。このフォトダイオードは、画像
の構成とこれに続く表示のためにデータ処理システムに
伝達される信号を出力している。このセリウム・ドープ
のルテチウム・オルトシリケートは、酸化ケイ素、酸化
ルテチウム、酸化セリウム、酸化カリウム及び酸化バリ
ウムを化合させることにより透明なガラスシンチレータ
になるように形成することが好ましい。別法として、こ
の透明なガラスシンチレータは、酸化ガドリニウムと酸
化アルミニウムのいずれかを酸化ケイ素、酸化ルテチウ
ム、酸化セリウム、酸化カリウム及び酸化バリウムと化
合させることによって形成することができる。これによ
り、高い結晶相を有する透明なガラスセラミック・シン
チレータが形成される。
【００２６】別法として、そのセリウム・ドープのルテ
チウム・オルトシリケートはセラミックになるように焼
結させている。こうして得られるセラミックは典型的に
は半透明であり、したがって、光の放出を向上させるた
めには、このシンチレータを透明なセラミックに変換す
る必要がある。
チウム・オルトシリケートはセラミックになるように焼
結させている。こうして得られるセラミックは典型的に
は半透明であり、したがって、光の放出を向上させるた
めには、このシンチレータを透明なセラミックに変換す
る必要がある。
【００２７】本発明を好ましい実施形態について記載し
てきたが、明示的に記述した以外に、添付の特許請求の
範囲の域内で等価、代替及び修正が可能であることを理
解されたい。
てきたが、明示的に記述した以外に、添付の特許請求の
範囲の域内で等価、代替及び修正が可能であることを理
解されたい。
【図１】ＣＴイメージング・システムの外観図である。
【図２】図１に示すシステムのブロック概要図である。
【図３】ＣＴシステムの検出器アレイの斜視図である。
【図４】図３に示す検出器の斜視図である。
【図５】図４の検出器に対する４スライス・モードの様
々な構成を表した図である。
々な構成を表した図である。
１０ コンピュータ断層（ＣＴ）イメージング・システ
ム １２ ガントリ １４ Ｘ線源 １６ Ｘ線ビーム １８ 検出器アレイ ２０ 検出器 ２２ 被検体、患者 ２４ 回転中心 ２６ 制御機構 ２８ Ｘ線制御装置 ３０ ガントリ・モータ制御装置 ３２ データ収集システム（ＤＡＳ） ３４ 画像再構成装置 ３６ コンピュータ ３８ 大容量記憶装置 ４０ コンソール ４２ 陰極線管ディスプレイ ４４ テーブル・モータ制御装置 ４６ モータ式テーブル ４８ ガントリ開口 ５２ フォトダイオード・アレイ ５６ シンチレータ・アレイ ５７ シンチレータ ６０ フォトダイオード ７６ フォトダイオード出力線 ７７ 検出器フレーム ７９ 装着用ブラケット ８０ スイッチ・アレイ ８２ スイッチ・アレイ ８４ 電気的インタフェース
ム １２ ガントリ １４ Ｘ線源 １６ Ｘ線ビーム １８ 検出器アレイ ２０ 検出器 ２２ 被検体、患者 ２４ 回転中心 ２６ 制御機構 ２８ Ｘ線制御装置 ３０ ガントリ・モータ制御装置 ３２ データ収集システム（ＤＡＳ） ３４ 画像再構成装置 ３６ コンピュータ ３８ 大容量記憶装置 ４０ コンソール ４２ 陰極線管ディスプレイ ４４ テーブル・モータ制御装置 ４６ モータ式テーブル ４８ ガントリ開口 ５２ フォトダイオード・アレイ ５６ シンチレータ・アレイ ５７ シンチレータ ６０ フォトダイオード ７６ フォトダイオード出力線 ７７ 検出器フレーム ７９ 装着用ブラケット ８０ スイッチ・アレイ ８２ スイッチ・アレイ ８４ 電気的インタフェース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｔ 1/20 Ｇ０１Ｔ 1/20 Ｅ Ｇ (72)発明者 ハオチュアン・チアン アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、ミル ウォーキー、エーピーティー・５、サウ ス・マイナー・ストリート、3879番 Ｆターム(参考） 2G088 EE02 FF02 GG10 GG19 JJ05 4H001 CA08 XA08 XA13 XA14 XA19 XA38 XA56 XA58 XA64 XA71
Claims (23)
- 【請求項１】その内部にＬｕ2ＳｉＯ5を含む少なくとも
１つのシンチレータ（５７）を有するシンチレータ・ア
レイ（５６）と、 前記シンチレータ・アレイ（５６）と光学的に結合した
フォトダイオード・アレイ（５２）を形成している少な
くとも１つのフォトダイオード（６０）と、 フォトダイオード（６０）の出力をデータ収集システム
（３２）に伝達することができる複数の電気相互接続
と、を備える検出器（２０）。 - 【請求項２】 前記シンチレータ（５７）がさらにセリ
ウムを含んでいる、請求項１に記載の検出器（２０）。 - 【請求項３】 前記シンチレータ（５７）がセラミック
として構成されている、請求項２に記載の検出器（２
０）。 - 【請求項４】 前記シンチレータ（５７）がガラスセラ
ミックとして構成されている、請求項３に記載の検出器
（２０）。 - 【請求項５】 前記シンチレータ（５７）がＳｉＯ2、
Ｌｕ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｋ2Ｏ及びＢａＯ（ＳｒＯ）を化合
させた生成物である、請求項２に記載の検出器（２
０）。 - 【請求項６】 前記シンチレータ（５７）がＳｉＯ2、
Ｌｕ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｋ2Ｏ、ＢａＯ（ＳｒＯ）及びＧｄ
2Ｏ3と、Ａｌ2Ｏ3のうちの一方とを化合させた生成物で
ある、請求項２に記載の検出器（２０）。 - 【請求項７】 前記シンチレータ（５７）が高い結晶相
を有している、請求項１に記載の検出器（２０）。 - 【請求項８】 前記シンチレータ（５７）がガラスファ
イバと透明なガラスのうちの一方として構成されてい
る、請求項１に記載の検出器（２０）。 - 【請求項９】開口（４８）を有する回転可能なガントリ
（１２）と、 被検体（２２）に向けて高周波エネルギー（１６）を投
射させるための高周波電磁エネルギー投射源（１４）
と、 その各々がＬｕ2ＳｉＯ5を含んでいる、被検体（２２）
により減衰した高周波電磁エネルギー（１６）を受け取
るための複数のシンチレータ（５７）を有するシンチレ
ータ・アレイ（５６）と、 複数のフォトダイオード（６０）を有するフォトダイオ
ード・アレイ（５２）であって、シンチレータ・アレイ
（５６）と光学的に結合していると共に該シンチレータ
・アレイから放出される光エネルギーを検出するように
構成されているフォトダイオード・アレイ（５２）と、 フォトダイオード（６０）の出力をデータ処理システム
（３２）に伝達させるように構成した複数の電気相互接
続と、 データ処理システム（３２）に伝達されたフォトダイオ
ード（６０）の出力に基づいて視覚的表示を作成してい
るコンピュータ（３６）と、を備えるコンピュータ断層
システム。 - 【請求項１０】 各シンチレータ（５７）がさらにセリ
ウムを含む、請求項９に記載のシステム。 - 【請求項１１】 各シンチレータ（５７）が４００ｎｍ
〜４５０ｎｍの間の放出ピークを有している、請求項９
に記載のシステム。 - 【請求項１２】 各シンチレータ（５７）が概ね４２０
ｎｍの放出ピークを有している、請求項１１に記載のシ
ステム。 - 【請求項１３】 各シンチレータ（５７）が１００ｎｓ
後に概ねゼロになるような残光を有している、請求項９
に記載のシステム。 - 【請求項１４】 各シンチレータ（５７）が単結晶構造
体を有している、請求項９に記載のシステム。 - 【請求項１５】Ｌｕ2ＳｉＯ5を含む複数のシンチレータ
（５７）を有するシンチレータ・アレイ（５６）を提供
するステップと、 高周波電磁エネルギー（１６）を前記シンチレータ・ア
レイ（５６）に導くステップと、 複数のフォトダイオード（６０）を有するフォトダイオ
ード・アレイ（５２）をシンチレータ・アレイ（５６）
と結合するステップと、 前記シンチレータ・アレイ（５６）からの光エネルギー
を前記フォトダイオード・アレイ（５２）に送出するス
テップと、 画像を構成させるためにフォトダイオード（６０）の出
力をデータ処理システム（３２）に伝達するステップ
と、 構成した画像を表示するステップと、を含むＣＴイメー
ジングの方法。 - 【請求項１６】 シンチレータ・アレイ（５６）を提供
する前記ステップがさらに、Ｌｕ2ＳｉＯ5にセリウムを
ドープするステップを含む、請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 セリウム・ドープのＬｕ2ＳｉＯ5を焼
結してセラミックにするステップをさらに含む請求項１
６に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記セラミックを透明なセラミックに
変換するステップをさらに含む請求項１７に記載の方
法。 - 【請求項１９】 前記セリウム・ドープのＬｕ2ＳｉＯ5
をガラス形成するステップをさらに含む請求項１６に記
載の方法。 - 【請求項２０】 高い結晶相を有するシンチレータ（５
７）を提供するステップをさらに含む請求項１９に記載
の方法。 - 【請求項２１】 ＳｉＯ2、Ｌｕ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｋ2Ｏ
及びＢａＯ（ＳｒＯ）を化合させるステップをさらに含
む請求項１９に記載の方法。 - 【請求項２２】 Ｇｄ2Ｏ3とＡｌ2Ｏ3のうちの一方を追
加するステップをさらに含む請求項２１に記載の方法。 - 【請求項２３】 Ｘ線（１６）を前記シンチレータ・ア
レイ（５６）に導くステップを含む請求項１５に記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/681,063 US6498828B2 (en) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | System and method of computer tomography imaging using a cerium doped lutetium orthosilicate scintillator |
| US09/681063 | 2000-12-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002243862A true JP2002243862A (ja) | 2002-08-28 |
Family
ID=24733657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001379365A Pending JP2002243862A (ja) | 2000-12-15 | 2001-12-13 | セリウム・ドープのルテチウム・オルトシリケート・シンチレータを使用したコンピュータ断層イメージングのシステム及び方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6498828B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002243862A (ja) |
| DE (1) | DE10161579A1 (ja) |
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| US7544927B1 (en) * | 2006-08-28 | 2009-06-09 | Thermo Fisher Scientific Inc. | Methods and apparatus for performance verification and stabilization of radiation detection devices |
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| US4958080A (en) * | 1988-10-06 | 1990-09-18 | Schlumberger Technology Corporation | Lutetium orthosilicate single crystal scintillator detector |
| US5057692A (en) * | 1990-06-29 | 1991-10-15 | General Electric Company | High speed, radiation tolerant, CT scintillator system employing garnet structure scintillators |
| US6093347A (en) * | 1997-05-19 | 2000-07-25 | General Electric Company | Rare earth X-ray scintillator compositions |
-
2000
- 2000-12-15 US US09/681,063 patent/US6498828B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-12-13 JP JP2001379365A patent/JP2002243862A/ja active Pending
- 2001-12-14 DE DE10161579A patent/DE10161579A1/de not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
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