JPH11326524A - コンピュータ断層撮影装置用の多層シンチレータ - Google Patents
コンピュータ断層撮影装置用の多層シンチレータInfo
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- JPH11326524A JPH11326524A JP10324812A JP32481298A JPH11326524A JP H11326524 A JPH11326524 A JP H11326524A JP 10324812 A JP10324812 A JP 10324812A JP 32481298 A JP32481298 A JP 32481298A JP H11326524 A JPH11326524 A JP H11326524A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2985—In depth localisation, e.g. using positron emitters; Tomographic imaging (longitudinal and transverse section imaging; apparatus for radiation diagnosis sequentially in different planes, steroscopic radiation diagnosis)
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- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
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- A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
- A61B6/03—Computed tomography [CT]
- A61B6/032—Transmission computed tomography [CT]
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 第1及び第2のシンチレータ材料層を含む多
層シンチレータを提供する。 【解決手段】 シンチレータの第1の材料層(104)
は高速のシンチレーション特性を有し、また第2の材料
層(108)は第1の材料層よりも高い透明度を有す
る。これら2つの材料層は、光信号が第1の材料層から
第2の材料層に伝達されかつ第2の材料層からそれに隣
接したホトダイオード(90)に伝達されるようにして
互いに結合されている。個々のシンチレータ材料は、シ
ンチレータにおいて所望の特性が得られるように選択さ
れる。
層シンチレータを提供する。 【解決手段】 シンチレータの第1の材料層(104)
は高速のシンチレーション特性を有し、また第2の材料
層(108)は第1の材料層よりも高い透明度を有す
る。これら2つの材料層は、光信号が第1の材料層から
第2の材料層に伝達されかつ第2の材料層からそれに隣
接したホトダイオード(90)に伝達されるようにして
互いに結合されている。個々のシンチレータ材料は、シ
ンチレータにおいて所望の特性が得られるように選択さ
れる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータ断層撮
影技術に関するものであって、更に詳しく言えば、コン
ピュータ断層撮影の際におけるX線の検出に使用される
シンチレータに関する。
影技術に関するものであって、更に詳しく言えば、コン
ピュータ断層撮影の際におけるX線の検出に使用される
シンチレータに関する。
【0002】
【発明の背景】少なくとも一部のコンピュータ断層撮影
(CT)装置構成においては、X線源から投射された扇
形ビームは(一般に「撮影平面」と呼ばれる)直交座標
系のX−Y平面内に位置するようにコリメーションすな
わち平行化される。このX線ビームは撮影すべき対象物
(たとえば患者)を通過する。対象物によって減衰させ
られた後、X線ビームは放射線検出器アレイに入射す
る。検出器アレイによって受光されるX線ビームの強度
は、対象物によるX線ビームの減衰度に依存する。アレ
イ中の各々の検出器素子は独立の電気信号を生じるが、
この電気信号はその検出器位置におけるX線ビーム減衰
度の測定値である。全ての検出器素子からの減衰度測定
値を独立に収集することによって透過率分布が求められ
る。
(CT)装置構成においては、X線源から投射された扇
形ビームは(一般に「撮影平面」と呼ばれる)直交座標
系のX−Y平面内に位置するようにコリメーションすな
わち平行化される。このX線ビームは撮影すべき対象物
(たとえば患者)を通過する。対象物によって減衰させ
られた後、X線ビームは放射線検出器アレイに入射す
る。検出器アレイによって受光されるX線ビームの強度
は、対象物によるX線ビームの減衰度に依存する。アレ
イ中の各々の検出器素子は独立の電気信号を生じるが、
この電気信号はその検出器位置におけるX線ビーム減衰
度の測定値である。全ての検出器素子からの減衰度測定
値を独立に収集することによって透過率分布が求められ
る。
【0003】公知の第三世代CT装置においては、X線
源及び検出器アレイは撮影平面内かつ撮影すべき対象物
の周囲でガントリーと共に回転する。その結果、X線ビ
ームが対象物を横切る角度は絶えず変化する。通例、X
線源はX線管を含んでいて、それは焦点からX線ビーム
を放射する。また、X線検出器は受光されたX線ビーム
を平行化するためのコリメータ、コリメータに隣接した
シンチレータ、及びシンチレータに隣接したホトダイオ
ードを通例含んでいる。
源及び検出器アレイは撮影平面内かつ撮影すべき対象物
の周囲でガントリーと共に回転する。その結果、X線ビ
ームが対象物を横切る角度は絶えず変化する。通例、X
線源はX線管を含んでいて、それは焦点からX線ビーム
を放射する。また、X線検出器は受光されたX線ビーム
を平行化するためのコリメータ、コリメータに隣接した
シンチレータ、及びシンチレータに隣接したホトダイオ
ードを通例含んでいる。
【0004】公知のシンチレータは、各種のシンチレー
タ材料から成る製造される。これらのシンチレータ材料
は幾つかの部類に分類されるが、それらの各々は利点及
び欠点を有している。たとえば、ある種のシンチレータ
材料は高速であるが、光出力が低かったり、放射線損傷
を受け易かったり、あるいは透明度が低いためにZ軸方
向の不均一性を生じ易かったりする。高速のシンチレー
タ材料を使用することが望ましいとは言え、トレードオ
フの関係でかかる材料の使用が妨げられることもある。
タ材料から成る製造される。これらのシンチレータ材料
は幾つかの部類に分類されるが、それらの各々は利点及
び欠点を有している。たとえば、ある種のシンチレータ
材料は高速であるが、光出力が低かったり、放射線損傷
を受け易かったり、あるいは透明度が低いためにZ軸方
向の不均一性を生じ易かったりする。高速のシンチレー
タ材料を使用することが望ましいとは言え、トレードオ
フの関係でかかる材料の使用が妨げられることもある。
【0005】このようなわけで、速度、出力信号レベル
及びその他のシンチレータ特性の間において適正なトレ
ードオフをもたらすようなシンチレータを提供すること
は望ましいものである。また、横方向に進む光を自動的
に平行化することができ、従って独立のコリメータがも
はや不要となるようなシンチレータを提供することも望
ましいものである。
及びその他のシンチレータ特性の間において適正なトレ
ードオフをもたらすようなシンチレータを提供すること
は望ましいものである。また、横方向に進む光を自動的
に平行化することができ、従って独立のコリメータがも
はや不要となるようなシンチレータを提供することも望
ましいものである。
【0006】
【発明の概要】上記及びその他の目的は、複数のシンチ
レータ材料層を含むシンチレータによって達成すること
ができる。かかるシンチレータは、X線ビーム信号が高
速シンチレーション特性を有する第1のシンチレータ材
料層に入射し、次いで第1の層を通過してから透明度の
一層高い第2のシンチレータ材料層に達するように構成
されている。第2層を通過した後、かかる信号はホトダ
イオードによって受光される。その結果、シンチレータ
素子からの光学的信号は電気信号に変換される。
レータ材料層を含むシンチレータによって達成すること
ができる。かかるシンチレータは、X線ビーム信号が高
速シンチレーション特性を有する第1のシンチレータ材
料層に入射し、次いで第1の層を通過してから透明度の
一層高い第2のシンチレータ材料層に達するように構成
されている。第2層を通過した後、かかる信号はホトダ
イオードによって受光される。その結果、シンチレータ
素子からの光学的信号は電気信号に変換される。
【0007】実施の一態様に従えば、上記のシンチレー
タは光学用接着剤を用いて第1のシンチレータ材料層を
第2のシンチレータ材料層に結合することによって製造
される。詳しく述べれば、第1及び第2のシンチレータ
材料層が選択され、そして適当な寸法及び厚さを有する
ように切断される。次いで、第1及び第2のシンチレー
タ材料層が互いに隣接するように配置され、そして結合
される。様々な種類及び厚さの材料層の組合せを選択す
ることにより、かかるシンチレータは特定の結果を生み
出すことができる。一例を挙げれば、一方の材料層を複
数の放射線抵抗性光ファイバから形成することにより、
シンチレータは自動平行化(self−collima
ting)作用を示すことができる。
タは光学用接着剤を用いて第1のシンチレータ材料層を
第2のシンチレータ材料層に結合することによって製造
される。詳しく述べれば、第1及び第2のシンチレータ
材料層が選択され、そして適当な寸法及び厚さを有する
ように切断される。次いで、第1及び第2のシンチレー
タ材料層が互いに隣接するように配置され、そして結合
される。様々な種類及び厚さの材料層の組合せを選択す
ることにより、かかるシンチレータは特定の結果を生み
出すことができる。一例を挙げれば、一方の材料層を複
数の放射線抵抗性光ファイバから形成することにより、
シンチレータは自動平行化(self−collima
ting)作用を示すことができる。
【0008】上記のごときシンチレータは、速度、出力
信号レベル及びその他のシンチレータ特性の間において
適正なトレードオフをもたらす。また、かかるシンチレ
ータは横方向に進む光を自動的に平行化することができ
る。
信号レベル及びその他のシンチレータ特性の間において
適正なトレードオフをもたらす。また、かかるシンチレ
ータは横方向に進む光を自動的に平行化することができ
る。
【0009】
【発明の実施の形態】図1及び2について述べれば、
「第三世代」のCTスキャナを表わすガントリー12を
含むコンピュータ断層撮影(CT)装置10が示されて
いる。ガントリー12は、それの反対側に配置された検
出器アレイ18に向けてX線ビーム16を投射するX線
源14を含んでいる。検出器アレイ18は、患者22を
通過した投射X線を感知する検出器素子20から構成さ
れている。各々の検出器素子20は電気信号を生じる
が、この電気信号は入射X線ビームの強度を表わし、従
って患者22を通過した際のX線ビームの減衰度を表わ
す。X線投射データを得るための走査に際しては、ガン
トリー12及びその上に取付けられた構成部品は回転中
心24の回りに回転する。
「第三世代」のCTスキャナを表わすガントリー12を
含むコンピュータ断層撮影(CT)装置10が示されて
いる。ガントリー12は、それの反対側に配置された検
出器アレイ18に向けてX線ビーム16を投射するX線
源14を含んでいる。検出器アレイ18は、患者22を
通過した投射X線を感知する検出器素子20から構成さ
れている。各々の検出器素子20は電気信号を生じる
が、この電気信号は入射X線ビームの強度を表わし、従
って患者22を通過した際のX線ビームの減衰度を表わ
す。X線投射データを得るための走査に際しては、ガン
トリー12及びその上に取付けられた構成部品は回転中
心24の回りに回転する。
【0010】ガントリー12の回転及びX線源14の動
作は、CT装置10の制御機構26によって制御され
る。制御機構26は、X線源14に電力及びタイミング
信号を供給するX線制御器28と、ガントリー12の回
転速度及び位置を制御するガントリーモータ制御器30
とを含んでいる。制御機構26中のデータ収集システム
(DAS)32は検出器素子20からアナログ・データ
を抽出し、そして以後の処理のためにかかるデータをデ
ィジタル信号に変換する。画像再構成器34は抽出され
かつ計数化されたX線データをDAS32から受信し、
そして高速の画像再構成を行う。再構成された画像はコ
ンピュータ36に入力として供給され、そして大容量記
憶装置38中に記憶される。
作は、CT装置10の制御機構26によって制御され
る。制御機構26は、X線源14に電力及びタイミング
信号を供給するX線制御器28と、ガントリー12の回
転速度及び位置を制御するガントリーモータ制御器30
とを含んでいる。制御機構26中のデータ収集システム
(DAS)32は検出器素子20からアナログ・データ
を抽出し、そして以後の処理のためにかかるデータをデ
ィジタル信号に変換する。画像再構成器34は抽出され
かつ計数化されたX線データをDAS32から受信し、
そして高速の画像再構成を行う。再構成された画像はコ
ンピュータ36に入力として供給され、そして大容量記
憶装置38中に記憶される。
【0011】コンピュータ36にはまた、キーボードを
有する制御卓40を介して操作者から命令及び走査パラ
メータが供給される。付属した陰極線管表示装置42に
より、操作者はコンピュータ36からの再構成画像及び
その他のデータを観察することができる。操作者から供
給される命令及びパラメータは、DAS32、X線制御
器28及びガントリーモータ制御器30に制御信号及び
情報を供給するためにコンピュータ36によって使用さ
れる。更にまた、コンピュータ36は検査台モータ制御
器44を動作させ、それによってガントリー12内に患
者22を配置するための電動検査台46を制御する。詳
しく述べれば、検査台46はガントリーの開口48を通
して患者22の各部を移動させる。
有する制御卓40を介して操作者から命令及び走査パラ
メータが供給される。付属した陰極線管表示装置42に
より、操作者はコンピュータ36からの再構成画像及び
その他のデータを観察することができる。操作者から供
給される命令及びパラメータは、DAS32、X線制御
器28及びガントリーモータ制御器30に制御信号及び
情報を供給するためにコンピュータ36によって使用さ
れる。更にまた、コンピュータ36は検査台モータ制御
器44を動作させ、それによってガントリー12内に患
者22を配置するための電動検査台46を制御する。詳
しく述べれば、検査台46はガントリーの開口48を通
して患者22の各部を移動させる。
【0012】上記に説明された通り、アレイ18中の各
々の検出器素子20は独立の電気信号を生じるが、この
電気信号はその検出器位置におけるX線ビーム減衰度の
測定値である。詳しく述べれば、各々のX線検出器素子
20はシンチレータ素子を含むのが通例であって、互い
に隣接したシンチレータ素子は非シンチレーション性の
ギャップ(図示せず)によって分離されている。かかる
シンチレータ素子に隣接して配置されたホトダイオード
により、シンチレータ素子からの光出力を表わす電気信
号(図示せず)が発生される。全ての検出器素子20か
らの減衰度測定値を独立に収集することによって透過率
分布が求められる。
々の検出器素子20は独立の電気信号を生じるが、この
電気信号はその検出器位置におけるX線ビーム減衰度の
測定値である。詳しく述べれば、各々のX線検出器素子
20はシンチレータ素子を含むのが通例であって、互い
に隣接したシンチレータ素子は非シンチレーション性の
ギャップ(図示せず)によって分離されている。かかる
シンチレータ素子に隣接して配置されたホトダイオード
により、シンチレータ素子からの光出力を表わす電気信
号(図示せず)が発生される。全ての検出器素子20か
らの減衰度測定値を独立に収集することによって透過率
分布が求められる。
【0013】現行のシンチレータ材料(図示せず)は、
2つの部類に大別される。第1の部類は光出力が小さく
かつ放射線障害を受け易い高速検出器であり、また第2
の部類は透明度が低くてZ軸方向の不均一性をもたらす
高速検出器である。本発明に従って製造されるシンチレ
ータについて一般的に述べれば、かかるシンチレータは
少なくとも2つのシンチレータ材料層を含むように構成
される。少なくとも2つの相異なる材料層を設けること
により、最適の組合せの特性を達成することができる。
2つの部類に大別される。第1の部類は光出力が小さく
かつ放射線障害を受け易い高速検出器であり、また第2
の部類は透明度が低くてZ軸方向の不均一性をもたらす
高速検出器である。本発明に従って製造されるシンチレ
ータについて一般的に述べれば、かかるシンチレータは
少なくとも2つのシンチレータ材料層を含むように構成
される。少なくとも2つの相異なる材料層を設けること
により、最適の組合せの特性を達成することができる。
【0014】更に詳しく述べれば、図3は互いに隣接し
た第1及び第2のシンチレータ材料層104及び108
を有するシンチレータ100とホトダイオード90とを
含む検出器80の一部分の略図である。シンチレータ1
00は、X線ビーム16(図3には図示せず)が第1の
材料層104に入射するように構成されている。第2の
材料層108は第1の材料層104とホトダイオード9
0との間に配置されている。
た第1及び第2のシンチレータ材料層104及び108
を有するシンチレータ100とホトダイオード90とを
含む検出器80の一部分の略図である。シンチレータ1
00は、X線ビーム16(図3には図示せず)が第1の
材料層104に入射するように構成されている。第2の
材料層108は第1の材料層104とホトダイオード9
0との間に配置されている。
【0015】実施の一態様に従えば、第1の材料層10
4は高速シンチレーション特性を有する材料〔たとえ
ば、GOS(Gd2 O3 S)〕から成り、かつたとえば
0.5mmの厚さT1を有している。第2の材料層10
8は厚さT2を有すると共に、第1の材料層104より
も高い透明度特性を有している。たとえば、第2の材料
層108は約1.5〜2.0mmの厚さT2を有するル
メックス(Lumex) 〔(YGd)2 O3 〕の層である。シ
ンチレータ100は極めて高速であると共に、非常に高
い出力レベル及び改善されたZ軸方向の均一性を有して
いる。
4は高速シンチレーション特性を有する材料〔たとえ
ば、GOS(Gd2 O3 S)〕から成り、かつたとえば
0.5mmの厚さT1を有している。第2の材料層10
8は厚さT2を有すると共に、第1の材料層104より
も高い透明度特性を有している。たとえば、第2の材料
層108は約1.5〜2.0mmの厚さT2を有するル
メックス(Lumex) 〔(YGd)2 O3 〕の層である。シ
ンチレータ100は極めて高速であると共に、非常に高
い出力レベル及び改善されたZ軸方向の均一性を有して
いる。
【0016】第1及び第2の材料層104及び108用
の材料としては、その他のシンチレータ材料を選択する
こともできる。たとえば、第1の材料層104用の材料
を高い光出力を有するシンチレータ材料の中から選択す
ると共に、第2の材料層108用の材料として第1の材
料層104よりも小さい放射線損傷係数又は高い均一性
係数を有するシンチレータ材料を使用することもでき
る。選択される特定のシンチレータ材料は、シンチレー
タ100及び検出器80において所望される特定の特性
に依存する。
の材料としては、その他のシンチレータ材料を選択する
こともできる。たとえば、第1の材料層104用の材料
を高い光出力を有するシンチレータ材料の中から選択す
ると共に、第2の材料層108用の材料として第1の材
料層104よりも小さい放射線損傷係数又は高い均一性
係数を有するシンチレータ材料を使用することもでき
る。選択される特定のシンチレータ材料は、シンチレー
タ100及び検出器80において所望される特定の特性
に依存する。
【0017】別の実施の態様に従えば、第1及び第2の
材料層104及び108は、2種のシンチレータ材料以
外の様々な材料の中から選択することもできる。その実
例としては、図示されてはいないが、1つのシンチレー
タ材料層とX線吸収性の光伝送材料層との組合せ、フィ
ルムスクリーン材料層とシンチレータ材料層との組合
せ、及びフィルムスクリーン材料層とX線吸収材料層と
の組合せが挙げられる。たとえば、光吸収材料層はライ
トパイプとして作用し、それによってホトダイオード9
0をX線16から保護するために役立つ。更にまた、第
1及び第2の材料層104及び108はそれ以外の材料
から成っていてもよい。その実例としては、シンチレー
タ材料層と、シンチレーション特性又は非シンチレーシ
ョン特性を有する高密度ガラスとの組合せが挙げられ
る。
材料層104及び108は、2種のシンチレータ材料以
外の様々な材料の中から選択することもできる。その実
例としては、図示されてはいないが、1つのシンチレー
タ材料層とX線吸収性の光伝送材料層との組合せ、フィ
ルムスクリーン材料層とシンチレータ材料層との組合
せ、及びフィルムスクリーン材料層とX線吸収材料層と
の組合せが挙げられる。たとえば、光吸収材料層はライ
トパイプとして作用し、それによってホトダイオード9
0をX線16から保護するために役立つ。更にまた、第
1及び第2の材料層104及び108はそれ以外の材料
から成っていてもよい。その実例としては、シンチレー
タ材料層と、シンチレーション特性又は非シンチレーシ
ョン特性を有する高密度ガラスとの組合せが挙げられ
る。
【0018】シンチレータ100の製造に際しては、第
1及び第2の材料層104及び108用の材料が選択さ
れ、そして適当な寸法及び厚さを有するように切断され
る。第1及び第2の材料層104及び108は、たとえ
ば接合、焼結、光学用接着剤及び光学用液体をはじめと
する様々な手段を用いて互いに結合することもできる
し、あるいは相手方の上に直接に成長させることもでき
る。たとえば、第1の材料層104と第2の材料層10
8とを結合するために光学用接着剤116が選択された
場合には、第2の材料層108の上面に光学用接着剤1
16を塗布した後、第2の材料層108に隣接して第1
の材料層104が配置される。選択される接着剤116
の組成は、第1及び第2の材料層104及び108の種
類並びにシンチレータ100の所望の特性に応じて変化
する。第1及び第2の材料層104及び108を互いに
結合した後、シンチレータは当業界において公知の方法
で検出器(図示せず)に加工される。
1及び第2の材料層104及び108用の材料が選択さ
れ、そして適当な寸法及び厚さを有するように切断され
る。第1及び第2の材料層104及び108は、たとえ
ば接合、焼結、光学用接着剤及び光学用液体をはじめと
する様々な手段を用いて互いに結合することもできる
し、あるいは相手方の上に直接に成長させることもでき
る。たとえば、第1の材料層104と第2の材料層10
8とを結合するために光学用接着剤116が選択された
場合には、第2の材料層108の上面に光学用接着剤1
16を塗布した後、第2の材料層108に隣接して第1
の材料層104が配置される。選択される接着剤116
の組成は、第1及び第2の材料層104及び108の種
類並びにシンチレータ100の所望の特性に応じて変化
する。第1及び第2の材料層104及び108を互いに
結合した後、シンチレータは当業界において公知の方法
で検出器(図示せず)に加工される。
【0019】図5に示された別の実施の態様に基づくシ
ンチレータ200は、第1のシンチレータ材料層204
と、複数の放射線発光性光ファイバ212から成る第2
の材料層208とを含んでいる。放射線抵抗性の光ファ
イバ212の各々は、入力端216及び出力端220を
有している。第1のシンチレータ材料層204は上記の
ごとくにして第2の材料層208に結合されるか、ある
いは光ファイバ212の入力端216に直接にドープす
ることによって形成される。たとえば、光ファイバ21
2が小さい直径及び光反射特性を有する結果、シンチレ
ータ200は横方向に進む光を自動的に平行化する。こ
のような自動平行化作用により、シンチレータ200全
体にわたって高い横方向の空間分解能を維持することが
できる。
ンチレータ200は、第1のシンチレータ材料層204
と、複数の放射線発光性光ファイバ212から成る第2
の材料層208とを含んでいる。放射線抵抗性の光ファ
イバ212の各々は、入力端216及び出力端220を
有している。第1のシンチレータ材料層204は上記の
ごとくにして第2の材料層208に結合されるか、ある
いは光ファイバ212の入力端216に直接にドープす
ることによって形成される。たとえば、光ファイバ21
2が小さい直径及び光反射特性を有する結果、シンチレ
ータ200は横方向に進む光を自動的に平行化する。こ
のような自動平行化作用により、シンチレータ200全
体にわたって高い横方向の空間分解能を維持することが
できる。
【0020】シンチレータ200の特定の具体例を図6
について説明すれば、光ファイバ212が束308を成
して配列されている。かかる束308は入力端312及
び出力端316を有している。X線シンチレータ材料か
ら成る第1の材料層320が入力端312に対して光学
的に結合されている。第1の材料層320は、束308
の全体を覆う単一の層(図示せず)として形成すること
もできるし、あるいは個々の入力端312を覆う複数の
断片として形成することもできる。後者の場合、第1の
材料層320はたとえば入力端312にX線シンチレー
タ材料をドープすることによって形成される。
について説明すれば、光ファイバ212が束308を成
して配列されている。かかる束308は入力端312及
び出力端316を有している。X線シンチレータ材料か
ら成る第1の材料層320が入力端312に対して光学
的に結合されている。第1の材料層320は、束308
の全体を覆う単一の層(図示せず)として形成すること
もできるし、あるいは個々の入力端312を覆う複数の
断片として形成することもできる。後者の場合、第1の
材料層320はたとえば入力端312にX線シンチレー
タ材料をドープすることによって形成される。
【0021】本発明のシンチレータは、装置の特定の特
性を最適化するために複数のシンチレータ材料層を含ん
でいる。本発明のシンチレータは、様々な種類の材料の
特定の利点を組合わせるようにして製造することができ
る。更にまた、本発明のシンチレータは横方向に進む光
を平行化することもできる。本発明の若干の実施の態様
に関する上記の説明によれば、本発明の目的が達成され
ることは明らかである。上記に本発明が詳しく記載され
ているとは言え、その説明は本発明の例示を目的とした
ものに過ぎないのであって、本発明の範囲を制限するも
のと解すべきでない。特に、上記の説明中ではただ2つ
の材料層が記載されているが、材料層の数は制限されな
いのであって、所望される特定の結果を得るために任意
の数の材料層を結合することができる。従って、本発明
の範囲はもっぱら前記特許請求の範囲によって制限され
ることを理解すべきである。
性を最適化するために複数のシンチレータ材料層を含ん
でいる。本発明のシンチレータは、様々な種類の材料の
特定の利点を組合わせるようにして製造することができ
る。更にまた、本発明のシンチレータは横方向に進む光
を平行化することもできる。本発明の若干の実施の態様
に関する上記の説明によれば、本発明の目的が達成され
ることは明らかである。上記に本発明が詳しく記載され
ているとは言え、その説明は本発明の例示を目的とした
ものに過ぎないのであって、本発明の範囲を制限するも
のと解すべきでない。特に、上記の説明中ではただ2つ
の材料層が記載されているが、材料層の数は制限されな
いのであって、所望される特定の結果を得るために任意
の数の材料層を結合することができる。従って、本発明
の範囲はもっぱら前記特許請求の範囲によって制限され
ることを理解すべきである。
【図1】CT装置の絵画図である。
【図2】図1に示された装置の概略ブロック図である。
【図3】シンチレータ材料層同士を結合する前における
本発明の多層シンチレータの略図である。
本発明の多層シンチレータの略図である。
【図4】シンチレータ材料層同士を結合した後における
図3の多層シンチレータの略図である。
図3の多層シンチレータの略図である。
【図5】図3に示された多層シンチレータの別の具体例
を示す略図である。
を示す略図である。
【図6】図5に示された光ファイバ・シンチレータの斜
視図である。
視図である。
10 コンピュータ断層撮影装置 12 ガントリー 14 X線源 16 X線ビーム 18 検出器アレイ 20 検出器素子 26 制御機構 28 X線制御器 30 ガントリーモータ制御器 32 データ収集システム 34 画像再構成器 36 コンピュータ 38 大容量記憶装置 40 操作卓 44 検査台モータ制御器 46 検査台 60 X線 80 検出器 90 ホトダイオード 100 シンチレータ 104 第1の材料層 108 第2の材料層 116 光学用接着剤 200 シンチレータ 204 第1の材料層 208 第2の材料層 212 光ファイバ 216 入力端 220 出力端 318 束 312 入力端 316 出力端 320 第1の材料層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フイ・デイヴィッド・ヒー アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、ワウ ケシャ、リンカーンシャー・コート、2806 番
Claims (27)
- 【請求項1】 高速シンチレーション特性を有する第1
の材料層と、前記第1の材料層よりも高い透明度特性を
有する第2の材料層とを含むことを特徴とするコンピュ
ータ断層撮影装置用のシンチレータ。 - 【請求項2】 前記第1の材料層がGOSから成る請求
項1記載のシンチレータ。 - 【請求項3】 前記第1の材料層が約0.5mmの厚さ
を有する請求項2記載のシンチレータ。 - 【請求項4】 前記第2の材料層が(YGd)2 O3 か
ら成る請求項1記載のシンチレータ。 - 【請求項5】 前記シンチレータはX線ビームが前記第
1の材料層に入射するように構成されている請求項1記
載のシンチレータ。 - 【請求項6】 前記第1の材料層が前記第2の材料層に
結合されている請求項1記載のシンチレータ。 - 【請求項7】 前記第1の材料層が前記第2の材料層に
焼結されている請求項1記載のシンチレータ。 - 【請求項8】 前記第2の材料層がX線吸収性の光伝送
材料から成る請求項1記載のシンチレータ。 - 【請求項9】 前記第2の材料層が非シンチレータ材料
から成る請求項1記載のシンチレータ。 - 【請求項10】 前記第1の材料層がフィルムスクリー
ン材料から成る請求項1記載のシンチレータ。 - 【請求項11】 前記第2の材料層が放射線発光性の光
ファイバ材料から成る請求項1記載のシンチレータ。 - 【請求項12】 前記光ファイバ材料が複数の放射線抵
抗性光ファイバから成る請求項11記載のシンチレー
タ。 - 【請求項13】 前記光ファイバにシンチレータ材料が
ドープされている請求項12記載のシンチレータ。 - 【請求項14】 前記第1の材料層が前記第2の材料層
上に直接に成長させたものである請求項1記載のシンチ
レータ。 - 【請求項15】 入力端及び出力端を有する光ファイバ
の束を含んでいて、前記束の前記入力端はX線ビームが
それに入射するように構成され、かつ前記光ファイバの
少なくとも一部にはX線シンチレータ材料がドープされ
ていることを特徴とするコンピュータ断層撮影装置用シ
ンチレータ。 - 【請求項16】 更に、前記束の前記入力端に隣接して
配置されたシンチレータ材料層を含む請求項15記載の
シンチレータ。 - 【請求項17】 更に、前記束の前記入力端に対して光
学的に結合された複数のシンチレータを含む請求項15
記載のシンチレータ。 - 【請求項18】 高速シンチレーション特性を有する第
1の材料層と、複数の光ファイバから成る第2の材料層
とを含むことを特徴とするコンピュータ断層撮影装置用
シンチレータ。 - 【請求項19】 前記光ファイバが束を成して配列され
ている請求項18記載のシンチレータ。 - 【請求項20】 前記束が入力端及び出力端を有し、か
つ前記束の前記入力端が前記第1の材料層に対して光学
的に結合されている請求項19記載のシンチレータ。 - 【請求項21】 前記第1の材料層が前記第2の材料層
の前記入力端上に直接に形成されたものである請求項2
0記載のシンチレータ。 - 【請求項22】 前記第2の材料層が前記第1の材料層
よりも高い透明度特性を有する請求項18記載のシンチ
レータ。 - 【請求項23】 前記第2の材料層が複数の放射線抵抗
性光ファイバから成る請求項18記載のシンチレータ。 - 【請求項24】 複数の材料層を含んでいて、前記材料
層の少なくとも1つが高速シンチレーション特性を有す
る材料及び高い透明度特性を有する材料の少なくとも一
方から成ることを特徴とするコンピュータ断層撮影装置
用シンチレータ。 - 【請求項25】 第1の材料層が高速シンチレーション
特性を有し、かつ第2の材料層が前記第1の材料層より
も高い透明度特性を有する請求項24記載のシンチレー
タ。 - 【請求項26】 光ファイバの束を含んでいて、前記束
が入力端及び出力端を有する請求項24記載のシンチレ
ータ。 - 【請求項27】 更に、前記束の前記入力端に配置され
たシンチレータ材料層を含む請求項26記載のシンチレ
ータ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/980,193 US6087665A (en) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | Multi-layered scintillators for computed tomograph systems |
US08/980193 | 1997-11-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11326524A true JPH11326524A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=25527402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10324812A Pending JPH11326524A (ja) | 1997-11-26 | 1998-11-16 | コンピュータ断層撮影装置用の多層シンチレータ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6087665A (ja) |
JP (1) | JPH11326524A (ja) |
CN (1) | CN1222246C (ja) |
DE (1) | DE19853648A1 (ja) |
IL (1) | IL127003A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009544026A (ja) * | 2006-07-20 | 2009-12-10 | ジーエスアイ ヘルムホルツツェントゥルム フュア シュヴェリオーネンフォルシュング ゲーエムベーハー | 材料標本の材料組成を決定する方法 |
JP2013019914A (ja) * | 2012-10-29 | 2013-01-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
JP2015525352A (ja) * | 2012-06-21 | 2015-09-03 | レイキャン テクノロジー カンパニー リミテッド(スーヂョウ) | 多層シンチレーション結晶及びpet検出器 |
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US6873678B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-03-29 | Ge Medical Systems Global Technology Company Llc | Methods and apparatus for computed tomographic cardiac or organ imaging |
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-
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-
1998
- 1998-09-25 CN CNB981194273A patent/CN1222246C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-11 IL IL12700398A patent/IL127003A/en not_active IP Right Cessation
- 1998-11-16 JP JP10324812A patent/JPH11326524A/ja active Pending
- 1998-11-20 DE DE19853648A patent/DE19853648A1/de not_active Withdrawn
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CN1222246C (zh) | 2005-10-12 |
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