JPH1073667A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JPH1073667A JPH1073667A JP23066296A JP23066296A JPH1073667A JP H1073667 A JPH1073667 A JP H1073667A JP 23066296 A JP23066296 A JP 23066296A JP 23066296 A JP23066296 A JP 23066296A JP H1073667 A JPH1073667 A JP H1073667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fop
- fiber
- radiation detector
- scintillator
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】空間分解能がよく、簡単な工程で製造できる放
射線検出器を提供する。 【解決手段】 ファイバオプティカルプレート（ＦＯ
Ｐ）２と、ＦＯＰ２の一片側面に形成され、１ピクセル
の大きさがＦＯＰの１つのファイバ径よりも大きくなる
ようにしたアモルファスシリコンにて形成されるフォト
ダイオードアレイ１と、ＦＯＰの他方側の面に取り付け
られたシンチレータ３とを備え、シンチレーション内の
発光がその直下のファイバを透過して、直下のピクセル
にのみ光が到達するようにして周囲への光の拡散による
ぼやけをなくす。
射線検出器を提供する。 【解決手段】 ファイバオプティカルプレート（ＦＯ
Ｐ）２と、ＦＯＰ２の一片側面に形成され、１ピクセル
の大きさがＦＯＰの１つのファイバ径よりも大きくなる
ようにしたアモルファスシリコンにて形成されるフォト
ダイオードアレイ１と、ＦＯＰの他方側の面に取り付け
られたシンチレータ３とを備え、シンチレーション内の
発光がその直下のファイバを透過して、直下のピクセル
にのみ光が到達するようにして周囲への光の拡散による
ぼやけをなくす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線式異物検査装
置などのＸ線を用いた非破壊検査装置に関し、さらに詳
細にはたとえばＸ線式異物検査装置などに用いる放射線
検出器に関する。
置などのＸ線を用いた非破壊検査装置に関し、さらに詳
細にはたとえばＸ線式異物検査装置などに用いる放射線
検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】空港などでは荷物検査用としてＸ線式非
破壊検査装置が用いられている。これは、ベルトコンベ
ア上を移動する荷物のＸ線透過像を一次元のリニアセン
サアレイで検出し、映像化するものである。リニアセン
サアレイとしては１画素当たり０．５ｍｍ平方の大きさ
を有するシリコンフォトダイオードアレイ等にシンチレ
ータを張り付けたものが使用されている。このシリコン
フォトダイオードアレイとしては、ガラス上にアモルフ
ァスシリコン層が形成されたフォトダイオードアレイが
用いられている。
破壊検査装置が用いられている。これは、ベルトコンベ
ア上を移動する荷物のＸ線透過像を一次元のリニアセン
サアレイで検出し、映像化するものである。リニアセン
サアレイとしては１画素当たり０．５ｍｍ平方の大きさ
を有するシリコンフォトダイオードアレイ等にシンチレ
ータを張り付けたものが使用されている。このシリコン
フォトダイオードアレイとしては、ガラス上にアモルフ
ァスシリコン層が形成されたフォトダイオードアレイが
用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】シンチレータ内にて発
光した光は、発光点から放射状に進行していくため、シ
ンチレータの下側にあるフォトダイオードアレイには当
該発光点の直下のピクセルだけではなく、その近辺のピ
クセルにも光が届くこととなり、そのために最終的に得
られる映像がぼやけるという問題があった。
光した光は、発光点から放射状に進行していくため、シ
ンチレータの下側にあるフォトダイオードアレイには当
該発光点の直下のピクセルだけではなく、その近辺のピ
クセルにも光が届くこととなり、そのために最終的に得
られる映像がぼやけるという問題があった。
【０００４】このような問題に対してシンチレータに切
り込みを入れることや、適当なチャンネル毎に区切って
反射剤を塗り込んだりする方法が考えられていたが、い
ずれも大変面倒な工程を経なければならなかった。
り込みを入れることや、適当なチャンネル毎に区切って
反射剤を塗り込んだりする方法が考えられていたが、い
ずれも大変面倒な工程を経なければならなかった。
【０００５】そこで、本発明は、製作が比較的容易で、
しかも空間分解能が高く映像のぼやけが生じにくい放射
線検出器を提供することを目的とする。
しかも空間分解能が高く映像のぼやけが生じにくい放射
線検出器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
の本発明に係る放射線検出器は、ファイバオプティカル
プレート（以下ＦＯＰという）と、ＦＯＰの一片側面に
形成され、１ピクセルの大きさが前記ＦＯＰの１つのフ
ァイバ径よりも大きくなるようにしたアモルファスシリ
コンにて形成されるフォトダイオードアレイと、前記Ｆ
ＯＰの他方側の面に取り付けられたシンチレータとから
なることを特徴とする。
の本発明に係る放射線検出器は、ファイバオプティカル
プレート（以下ＦＯＰという）と、ＦＯＰの一片側面に
形成され、１ピクセルの大きさが前記ＦＯＰの１つのフ
ァイバ径よりも大きくなるようにしたアモルファスシリ
コンにて形成されるフォトダイオードアレイと、前記Ｆ
ＯＰの他方側の面に取り付けられたシンチレータとから
なることを特徴とする。
【０００７】本発明の放射線検出器では、シンチレータ
に放射線が照射されるとシンチレータ内部で放射線が吸
収され、その吸収地点を中心として発光する。このとき
発光した光は発光点を中心として球面上に広がっていく
が、発光点の直下のファイバに入射した光だけがファイ
バ内を通過してアモルファスシリコンで形成されたフォ
トダイオードアレイに到達することができる。一方、そ
の他の方向へ向かう光はファイバを通過することができ
ない。したがって、シンチレータ内での発光は面方向に
拡散することなく、ＦＯＰの他端側にあるアモルファス
シリコンフォトダイオードアレイのみに到達させること
ができ、このファイバ径より１ピクセルの大きさが大き
いことから１つのファイバを通過する光は必ず１つのピ
クセルにしか照射されないので、ファイバ直下のピクセ
ルしか信号が発生せず、分解能の高い測定が可能とな
る。
に放射線が照射されるとシンチレータ内部で放射線が吸
収され、その吸収地点を中心として発光する。このとき
発光した光は発光点を中心として球面上に広がっていく
が、発光点の直下のファイバに入射した光だけがファイ
バ内を通過してアモルファスシリコンで形成されたフォ
トダイオードアレイに到達することができる。一方、そ
の他の方向へ向かう光はファイバを通過することができ
ない。したがって、シンチレータ内での発光は面方向に
拡散することなく、ＦＯＰの他端側にあるアモルファス
シリコンフォトダイオードアレイのみに到達させること
ができ、このファイバ径より１ピクセルの大きさが大き
いことから１つのファイバを通過する光は必ず１つのピ
クセルにしか照射されないので、ファイバ直下のピクセ
ルしか信号が発生せず、分解能の高い測定が可能とな
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図を用い
て説明する。図１は本発明の一実施例を示す放射線検出
器による実施形態を示す図であり、図２は本発明の放射
線検出器の断面拡大図である。
て説明する。図１は本発明の一実施例を示す放射線検出
器による実施形態を示す図であり、図２は本発明の放射
線検出器の断面拡大図である。
【０００９】図１、図２において、放射線検出器は１０
は、ＦＯＰ２と、その片側面に取り付けられたシンチレ
ータシート３と、反対側面に形成されたアモルファスシ
リコンフォトダイオードアレイ１とからなる。
は、ＦＯＰ２と、その片側面に取り付けられたシンチレ
ータシート３と、反対側面に形成されたアモルファスシ
リコンフォトダイオードアレイ１とからなる。
【００１０】ＦＯＰ２は、多数の光ファイバを面方向に
並べて一体化することによりプレート形状としたもの
で、その各々の光ファイバはプレートの厚さ方向に延び
ていて相互に独立している。そのため、このプレートの
片側の面から他方側の面への光の伝達は、面方向へ光が
拡散することなく行われることになる。ところで、アモ
ルファスシリコン膜はもともとガラス基板などの平面上
に形成することができるものであり、ＦＯＰの上にも従
来からなされているプラズマＣＶＤ法などのガラス基板
上への形成方法をそのまま用いてＦＯＰ上に直接かつ簡
単に形成することができる。そして、ＦＯＰ上に形成さ
れたアモルファスシリコン膜にパターニングなどの半導
体集積化技術を用いて多数のピクセルからなるフォトダ
イオードアレイとする。このとき１ピクセルの大きさは
ファイバ径よりも大きいものとして、１つのファイバを
通過した光は１つのピクセルのみまたはこのピクセルに
隣接するピクセル以外には照射されないようにする。
並べて一体化することによりプレート形状としたもの
で、その各々の光ファイバはプレートの厚さ方向に延び
ていて相互に独立している。そのため、このプレートの
片側の面から他方側の面への光の伝達は、面方向へ光が
拡散することなく行われることになる。ところで、アモ
ルファスシリコン膜はもともとガラス基板などの平面上
に形成することができるものであり、ＦＯＰの上にも従
来からなされているプラズマＣＶＤ法などのガラス基板
上への形成方法をそのまま用いてＦＯＰ上に直接かつ簡
単に形成することができる。そして、ＦＯＰ上に形成さ
れたアモルファスシリコン膜にパターニングなどの半導
体集積化技術を用いて多数のピクセルからなるフォトダ
イオードアレイとする。このとき１ピクセルの大きさは
ファイバ径よりも大きいものとして、１つのファイバを
通過した光は１つのピクセルのみまたはこのピクセルに
隣接するピクセル以外には照射されないようにする。
【００１１】次に、本発明の測定動作を説明する。図１
に示すようにＸ線源４と放射線検出器１０との間に被測
定物体５を配置し、Ｘ線源４からＸ線を照射することに
より、被測定物体５を透過したＸ線が放射線検出器１０
のシンチレータシート３に至る。そして、シンチレータ
シート３内で吸収されることにより発光する。発光した
光は、発光点を中心に球面状に広がっていき、ＦＯＰ内
に入射することとなる。ＦＯＰに入射した光はＦＯＰの
開口の大きさと光の進行方向にもよるが、ほぼ垂直に入
射した光のみがＦＯＰ２のファイバ内を通過してフィト
ダイオードアレイのあるピクセルに到達して出力として
検出されることとなる。そして、垂直方向とは異なる方
向に進んだ光はＦＯＰを通過することができないので、
結構発光点直下のピクセルからしか出力信号がでなくな
る。このため、クロストークが少なくなり、像の分解能
が向上する。
に示すようにＸ線源４と放射線検出器１０との間に被測
定物体５を配置し、Ｘ線源４からＸ線を照射することに
より、被測定物体５を透過したＸ線が放射線検出器１０
のシンチレータシート３に至る。そして、シンチレータ
シート３内で吸収されることにより発光する。発光した
光は、発光点を中心に球面状に広がっていき、ＦＯＰ内
に入射することとなる。ＦＯＰに入射した光はＦＯＰの
開口の大きさと光の進行方向にもよるが、ほぼ垂直に入
射した光のみがＦＯＰ２のファイバ内を通過してフィト
ダイオードアレイのあるピクセルに到達して出力として
検出されることとなる。そして、垂直方向とは異なる方
向に進んだ光はＦＯＰを通過することができないので、
結構発光点直下のピクセルからしか出力信号がでなくな
る。このため、クロストークが少なくなり、像の分解能
が向上する。
【００１２】
【発明の効果】以上、説明したようにシンチレータ内で
発光した光は発光点のほぼ直下にあるピクセルにしか入
射しないので、フォトダイオードアレイから得られる一
次元像は空間分解能が高い。また、もともとアモルファ
スシリコンはガラス面に形成することが容易であるの
で、ＦＯＰ上に形成することも容易であり、放射線検出
器の製造工程は簡単であり、コスト的にも格段に安価に
することができる。
発光した光は発光点のほぼ直下にあるピクセルにしか入
射しないので、フォトダイオードアレイから得られる一
次元像は空間分解能が高い。また、もともとアモルファ
スシリコンはガラス面に形成することが容易であるの
で、ＦＯＰ上に形成することも容易であり、放射線検出
器の製造工程は簡単であり、コスト的にも格段に安価に
することができる。
【図１】本発明の一実施例である放射線検出器の実施形
態を示す図。
態を示す図。
【図２】図１の実施例の放射線検出器の断面拡大図。
１：アモルファスシリコンフォトダイオードアレイ ２：ファイバオプティカルプレート（ＦＯＰ） ３：シンチレーションシート ４：Ｘ線源 ５：被測定物体 １０：放射線検出器 １１：ピクセル １２：光ファイバ
Claims (1)
- 【請求項１】 ファイバオプティカルプレートと、ファ
イバオプティカルプレートの一片側面に形成され、１ピ
クセルの大きさが前記ファイバオプティカルプレートを
構成する１つのファイバのファイバ径よりも大きくなる
ようにしたアモルファスシリコンにて形成されるフォト
ダイオードアレイと、前記ファイバオプティカルプレー
トの他方側の面に取り付けられたシンチレータとからな
ることを特徴とする放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23066296A JPH1073667A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23066296A JPH1073667A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1073667A true JPH1073667A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16911334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23066296A Pending JPH1073667A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1073667A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003004855A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
| US7282713B2 (en) * | 2004-06-10 | 2007-10-16 | General Electric Company | Compositions and methods for scintillator arrays |
| JP2014122898A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | General Equipment For Medical Imaging Sa (Oncovision) | 元のシンチレーション光分布を保存するガンマ線シンチレーション検出器 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP23066296A patent/JPH1073667A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003004855A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
| US7282713B2 (en) * | 2004-06-10 | 2007-10-16 | General Electric Company | Compositions and methods for scintillator arrays |
| JP2014122898A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | General Equipment For Medical Imaging Sa (Oncovision) | 元のシンチレーション光分布を保存するガンマ線シンチレーション検出器 |
| US9915739B2 (en) | 2012-12-21 | 2018-03-13 | General Equipment For Medical Imaging S.A. (Oncovision) | Gamma ray scintillation detector preserving the original scintillation light distribution |
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