JP2005347970A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】 二端子対弾性表面波デバイスのインピーダンスを変換する手段を得る。
【解決手段】 他の要求仕様を満足しつつ高い入出力インピーダンスを有するものを実現するべく、圧電基板上に二端子対弾性表面波デバイス素子を形成すると同時に、同一圧電基板上に少なくとも一つの容量を形成し、該容量を前記二端子対弾性表面波デバイス素子の入出力の少なくとも一つに接続して二端子対弾性表面波デバイスを構成する。形状寸法を大きくすることなく、SAWデバイスのインピーダンスを変換できるという利点がある。
【選択図】 図1
【解決手段】 他の要求仕様を満足しつつ高い入出力インピーダンスを有するものを実現するべく、圧電基板上に二端子対弾性表面波デバイス素子を形成すると同時に、同一圧電基板上に少なくとも一つの容量を形成し、該容量を前記二端子対弾性表面波デバイス素子の入出力の少なくとも一つに接続して二端子対弾性表面波デバイスを構成する。形状寸法を大きくすることなく、SAWデバイスのインピーダンスを変換できるという利点がある。
【選択図】 図1
Description
本発明は、弾性表面波デバイスに関し、特に弾性表面波デバイスの端子に容量を付加して、実装する回路側のインピーダンスに整合するようにした弾性表面波デバイスに関する。
近年、弾性表面波デバイス(以下、SAWデバイスと称す)は通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に携帯電話機等の通信装置に多く用いられている。
図6は2段縦続接続型の縦結合1次−3次二重モードSAWフィルタ(以下、二重モードSAWフィルタと称す)の構成を示す概略平面図で、入力側(IN)は不平衡回路、出力側(OUT1−OUT2)は平衡回路として構成した例である。圧電基板10の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってIDT電極11、12、13を近接配置すると共に、該IDT電極11、12、13の両側にグレーティング反射器(以下、反射器と称す)14、15を配設して第1の二重モードSAWフィルタF1を形成する。ここで、IDT電極11、12、13はそれぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対の櫛形電極から形成されている。さらに、同一圧電基板10上に第1の二重モードSAWフィルタF1と同様に、IDT電極11’、12’、13’、反射器14’、15’からなる第2の二重モードSAWフィルタF2を形成し、第1及び第2の二重モードSAWフィルタF1、F2を縦続接続してSAWフィルタを構成する。
図6は2段縦続接続型の縦結合1次−3次二重モードSAWフィルタ(以下、二重モードSAWフィルタと称す)の構成を示す概略平面図で、入力側(IN)は不平衡回路、出力側(OUT1−OUT2)は平衡回路として構成した例である。圧電基板10の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってIDT電極11、12、13を近接配置すると共に、該IDT電極11、12、13の両側にグレーティング反射器(以下、反射器と称す)14、15を配設して第1の二重モードSAWフィルタF1を形成する。ここで、IDT電極11、12、13はそれぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対の櫛形電極から形成されている。さらに、同一圧電基板10上に第1の二重モードSAWフィルタF1と同様に、IDT電極11’、12’、13’、反射器14’、15’からなる第2の二重モードSAWフィルタF2を形成し、第1及び第2の二重モードSAWフィルタF1、F2を縦続接続してSAWフィルタを構成する。
図6では入力側を不平衡入力とするためIDT電極12’の一方の櫛形電極を入力端子INに接続し、他方の櫛形電極を接地する。そして、出力側を平衡出力とするためIDT電極12の一方の櫛形電極を出力端子OUT1に、他方の櫛形電極を出力端子OUT2に接続する。このように、二重モードSAWフィルタを2段縦続接続してSAWフィルタを構成すれば減衰傾度、保証減衰量が増大して、無線通信機器の厳しい要求規格を比較的容易に満足することができる。
日本学術振興会弾性表面波素子技術第105委員会著 「弾性波素子技術ハンドブック」 オーム出版 平成3年11月発行
日本学術振興会弾性表面波素子技術第105委員会著 「弾性波素子技術ハンドブック」 オーム出版 平成3年11月発行
これまでは、フィルタの入出力インピーダンスは50Ωとするのが一般的であったが、近年これより高い終端インピーダンスを必要とする場面が増えつつある。例えば、図7は無線LANのIFフィルタの要求仕様に基づき設計し試作したフィルタの特性を示すものである。このフィルタの要求仕様では、入出力の終端インピーダンスが200Ωと高く設定されている。
周知のように、SAWフィルタの入出力インピーダンスを高くするためには、対数を少なくしたり、交叉幅を小さくするといった手法がある。この事例においても要求仕様を満足するべく圧電基板10に38.7°Y−XLiTaO3を用い、中央のIDT電極12、12’の対数を27.5対、両外側のIDT電極11、13、11’、13’の対数を18.5対、交差幅を18λ(λは波長)、反射器14、15、14’、15’の本数をそれぞれ100本とした。この設計により図7に示すように通過域に関する要求仕様はほぼクリアできた。
周知のように、SAWフィルタの入出力インピーダンスを高くするためには、対数を少なくしたり、交叉幅を小さくするといった手法がある。この事例においても要求仕様を満足するべく圧電基板10に38.7°Y−XLiTaO3を用い、中央のIDT電極12、12’の対数を27.5対、両外側のIDT電極11、13、11’、13’の対数を18.5対、交差幅を18λ(λは波長)、反射器14、15、14’、15’の本数をそれぞれ100本とした。この設計により図7に示すように通過域に関する要求仕様はほぼクリアできた。
しかしながら、実測してみたところ入出力インピーダンスは夫々158Ω、167Ωであって200Ωに届いていない。ところが、これ以上対数を少なくしたり、交叉幅を小さくすると挿入損失が増大してしまい、終端インピーダンス以外の要求仕様を満足することができなくなるという問題が生じることになり、SAWフィルタで他の要求仕様を満足しつつ高い入出力インピーダンスを有するものを実現することが困難となる場合が多くなっていた。
本発明は、SAWデバイス素子のインピーダンスを変換するため、二端子対SAWデバイスのそれぞれの端子に容量を接続してSAWデバイスを構成することを特徴とする。
本発明のSAWデバイスは、圧電基板上にSAWデバイス素子を形成すると同時に、同一基板上に容量を形成し、該容量をSAWデバイスの入出力端子に直列接続してSAWデバイスを構成するため、形状寸法を大きくすることなく、SAWデバイスのインピーダンスを変換できるという利点がある。
図1(a)、(b)は本発明に係るSAWデバイスの実施の形態の概略を示す回路図であって、同図(a)は二端子対SAWデバイス(図の例はSAWフィルタ)の入力端子1、2にそれぞれ容量C1、C2を直列接続して、開放端を端子T1、T2とし、出力端子3、4にそれぞれ容量C3、C4を直列接続して、開放端を端子T3、T4とした実施例である。また、図1(b)は二端子対SAWフィルタの入出力のそれぞれ一端子(端子2、4)を接地し、入力端子1に容量C1を、出力端子3に容量C3をそれぞれ直列接続し、開放端をそれぞれ入力端子T1、出力端子T3とした実施例である。
上記の容量C1、C2、C3、C4は圧電基板上にIDT電極を形成する際に、これらのIDT電極と干渉しない間隔を隔して同一圧電基板上に形成してもよい。
上記の容量C1、C2、C3、C4は圧電基板上にIDT電極を形成する際に、これらのIDT電極と干渉しない間隔を隔して同一圧電基板上に形成してもよい。
一例として、入力インピーダンスのみを変換する場合について説明する。入力が平衡型入力の場合は容量C1、C2が必要であるが、不平衡型入力の場合には容量C1のみを考慮すれば十分である。
図2(a)は入力1側からSAWフィルタをみた等価回路を、周知のように容量C0と抵抗Rとの並列回路で表し、入力端子1に容量Cを直列接続し、開放端を端子Tiとする。ここで、容量C0はSAWフィルタの入力からみた静電容量、抵抗Rはフィルタの中心周波数における入力からみた等価抵抗である。
入力Tiからみた入力アドミッタンスYinは次式のように表せる。
図2(a)は入力1側からSAWフィルタをみた等価回路を、周知のように容量C0と抵抗Rとの並列回路で表し、入力端子1に容量Cを直列接続し、開放端を端子Tiとする。ここで、容量C0はSAWフィルタの入力からみた静電容量、抵抗Rはフィルタの中心周波数における入力からみた等価抵抗である。
入力Tiからみた入力アドミッタンスYinは次式のように表せる。
また、入力Tiからみた等価抵抗R’は次式のように表すことができる。
式2の右辺の第一項のインピーダンスは入力1に直列接続する容量Cの値により図3(a)に示すように変化する。即ち、容量Cの値をSAWフィルタの静電容量C0と等く設定すると、インピーダンスは4倍となる。また、式2の右辺の第二項のインピーダンスは容量Cの値により図3(b)に示すように変化する。容量Cの値をSAWフィルタの静電容量C0と等しく設定すると、インピーダンスは(ω2C0R)−1となる。そして、入力端子Tiからみたフィルタ側のインピーダンスは式2の右辺の第一項と第二項との和となるので、図3(a)、(b)の抵抗値を足したものとなる。
なお、出力側についてもインピーダンスの変換式は式1、2と同様になる。
なお、出力側についてもインピーダンスの変換式は式1、2と同様になる。
図4は、図7に示した縦続接続型二重モードSAWフィルタの入力側に容量Cを直列接続し、入力インピーダンスダンスを変換した例で、入力インピーダンスは196Ωである。インピーダンスを変換してもフィルタ特性への影響はないことが分かる。
図5は、図7に示した縦続接続型二重モードSAWフィルタの入出力側それぞれに容量を直列接続してインピーダンスを変換した例で、入出力インピーダンスはそれぞれ197Ω、199Ωである。この場合もフィルタ特性への影響はないことが分かる。
図5は、図7に示した縦続接続型二重モードSAWフィルタの入出力側それぞれに容量を直列接続してインピーダンスを変換した例で、入出力インピーダンスはそれぞれ197Ω、199Ωである。この場合もフィルタ特性への影響はないことが分かる。
以上の説明は二重モードSAWフィルタを例として説明したが、他の共振器型フィルタにも適用できる。また、一端子対SAW共振子、二端子対共振子等についても適用できることは説明するまでもない。
1、2、3、4 端子
C1、C2、C3、C4、C 容量
T1、T2、T3、T4、Ti 端子
C0、 静電容量
C0’ 等価容量
R、R’ 等価抵抗
ω 角周波数
C1、C2、C3、C4、C 容量
T1、T2、T3、T4、Ti 端子
C0、 静電容量
C0’ 等価容量
R、R’ 等価抵抗
ω 角周波数
Claims (3)
- 圧電基板上に形成した弾性表面波素子の入出力端子の少なくとも1つに容量を接続したものであって、前記容量は前記圧電基板上に配置した導電パターンを用いて構成されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス。
- 前記弾性表面波素子が共振器型の弾性表面波フィルタ素子であることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記容量を接続した入出力用端子のインピーダンスが50Ωを超える値であることを特徴とする請求項1又は2に記載の弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004163740A JP2005347970A (ja) | 2004-06-01 | 2004-06-01 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004163740A JP2005347970A (ja) | 2004-06-01 | 2004-06-01 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005347970A true JP2005347970A (ja) | 2005-12-15 |
Family
ID=35499953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004163740A Pending JP2005347970A (ja) | 2004-06-01 | 2004-06-01 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005347970A (ja) |
-
2004
- 2004-06-01 JP JP2004163740A patent/JP2005347970A/ja active Pending
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