JP2003309450A - バンドパスフィルタ及び通信機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 入力端及び出力端における反射波の影響を抑
制することができ、入力端及び出力端におけるインピー
ダンス整合が良好であり、かつ通過帯域内の信号伝送効
率に優れたバンドパスフィルタを提供する。 【解決手段】 通過帯域特性がほぼ同じである第１，第
２のバンドパスフィルタ１，２を有し、第１，第２のバ
ンドパスフィルタ１，２が並列接続されており、かつ第
１のバンドパスフィルタ１及び第２のバンドパスフィル
タ２の少なくとも一方に、少なくとも１つの反射波を打
ち消し合うように位相をずらす移相器３〜６が接続され
ており、入力端子対９及び出力端子対１０において、バ
ンドパスフィルタ１，２から発生した反射波が打ち消し
合うように構成されている、バンドパスフィルタ１０
０。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バンドパスフィル
タ及び通信機に関し、特に、入力側及び出力側における
反射波を抑圧する構成が備えられたバンドパスフィルタ
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、マイクロ波帯〜ミリ波帯の高周波
帯の発信回路や信号処理回路においてバンドパスフィル
タが用いられている。この種のバンドパスフィルタとし
ては、例えば弾性表面波フィルタ、誘電体フィルタ、導
波管を利用したフィルタ、マイクロストリップ線路を利
用したフィルタ、またはリアクタンスを持つ集中定数部
品（コンデンサ、チップインダクタ、空芯コイルなど）
により構成されたフィルタなどが挙げられる。

【０００３】図１２は、従来のバンドパスフィルタの一
例としての、共振子型弾性表面波フィルタの模式的平面
図である。共振子型弾性表面波フィルタ５００では、圧
電単結晶基板５０１上に共振子型弾性表面波フィルタ部
５０２が構成されている。このフィルタ部５０２は、表
面波伝搬方向に沿って配置されたＩＤＴ５１４〜５１６
と、ＩＤＴ５１４〜５１６が設けられている領域の表面
波伝搬方向両側に設けられた反射器５１３，５１７とを
有する。

【０００４】中央のＩＤＴ５１５に、アース電位に接続
される電極パッド５０９及び出力端子を構成する電極パ
ッド５１２が、それぞれ、接続導電部５０４，５０７を
介して接続されている。また、両側のＩＤＴ５１４，５
１６の一方の櫛歯電極に、接続導電部５０３，５０５を
介して、入力端子を構成する電極パッド５１１が接続さ
れている。ＩＤＴ５１４，５１６の他方の櫛歯電極に
は、接続導電部５０６，５０８を介してアース電位に接
続される電極パッド５１０が接続されている。

【０００５】上記共振子型弾性表面波フィルタ５００と
して、１８０５〜１８８５ＭＨｚを通過帯域とする、特
性インピーダンス５０Ωのバンドパスフィルタを構成し
た場合の特性の一例を図１３〜図１６に示す。図１３
は、伝送特性を示し、図１４は、伝送特性の要部を拡大
して示す図である。また、図１５は、上記共振子型弾性
表面波フィルタ５００の通過帯域内の周波数における入
力端子側インピーダンス特性を示すスミスチャートであ
り、図１６は、通過帯域内の周波数における出力端子側
インピーダンス特性を示すスミスチャートである。

【０００６】共振子型弾性表面波フィルタ５００の動作
原理は、例えば「弾性波素子技術ハンドブック」（オー
ム社刊、日本学術振興会弾性波素子技術第１５０委員会
編）に述べられている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】マイクロ波帯〜ミリ波
帯で用いられているバンドパスフィルタでは、入出力端
におけるインピーダンス整合が完全に図られていること
が望ましい。すなわち、入出力端において、通過帯域内
の信号がなるべく反射しないことが望ましい。通過帯域
内の信号が反射により損失することが望ましくないだけ
でなく、発生した反射波がバンドパスフィルタに接続さ
れた電気回路に悪影響をもたらす恐れがあるからであ
る。

【０００８】携帯電話機の受信部において、アンテナ
と、増幅器との間に配置されるバンドパスフィルタを例
にとり、上記問題点をより具体的に説明する。通過帯域
内信号に対し、バンドパスフィルタの入力端側における
インピーダンス整合が図られていない場合、アンテナが
受信した帯域内信号の一部がバンドパスフィルタの入力
端で反射され、受信信号が損失する。この場合、受信信
号の損失分だけ、必要な信号強度を保つため、増幅器の
利得を高めねばならないことになる。従って、携帯電話
機の消費電力が増加せざるを得ない。

【０００９】また、受信信号の一部が損失すると、信号
対雑音比（ＳＮ比）が悪化する。後段で増幅により信号
レベルを高めたとしても、ＳＮ比は回復されない。よっ
て、携帯電話機の受信性能が悪化する。

【００１０】さらに、バンドパスフィルタの入力端で反
射した受信信号の一部は、アンテナ端でも反射され、バ
ンドパスフィルタに戻ってくる。従って、多重反射によ
り、バンドパスフィルタにおいて位相遅れを有する受信
信号が正常な受信信号に重畳されることになる。よっ
て、この多重反射によっても受信信号が劣化し、携帯電
話機の受信性能が損なわれる。

【００１１】上記のように、バンドパスフィルタの入力
端側における信号の反射は様々な悪影響をもたらす。従
って、バンドパスフィルタの入力端においては、信号の
反射をできるだけ小さくするように、通過帯域内におい
てできる限りインピーダンス整合が図られていることが
求められる。

【００１２】他方、バンドパスフィルタの出力端で帯域
内インピーダンス整合が図られていない場合には、バン
ドパスフィルタの出力端と増幅器の入力端との間で帯域
内信号の多重反射が生じる。そのため、帯域内信号に対
して利得を有するように設計された増幅器の動作が不安
定となり、最悪の場合、異常発振が生じる。バンドパス
フィルタ出力端のインピーダンスの不整合がそれ程大き
くない場合には、異常発振までは至らない。しかしなが
ら、その場合であっても、インピーダンスの不整合によ
り発生したバンドパスフィルタと増幅器との間の多重反
射は、増幅器の正常な動作を多かれ少なかれ妨げること
になる。従って、バンドパスフィルタの出力端側におい
ても、信号の反射が生じないように、できる限りインピ
ーダンス整合が図られていることが望ましい。

【００１３】携帯電話機の受信部のアンテナと増幅器と
の間に配置されるバンドパスフィルタを例にとり説明し
たが、これに限らず、マイクロ波帯〜ミリ波帯を通過帯
域とするバンドパスフィルタでは、一般的に、通過帯域
内信号の入出力端における反射がなるべく生じないよう
に、入出力端のインピーダンス整合が通過帯域内の全周
波数範囲に渡り完全に図られていることが望ましい。

【００１４】しかしながら、現実には、バンドパスフィ
ルタの入出力インピーダンスが周波数特性を有するた
め、通過帯域内の全ての周波数範囲に渡り、完全に入出
力端のインピーダンスを整合させることは事実上不可能
であった。従って、通過帯域内の全ての周波数におい
て、なるべく完全なインピーダンス整合に近い状態とな
るようにすることが重要である。

【００１５】上述した従来の共振子型弾性表面波フィル
タ５００の入出力端におけるインピーダンス特性では、
図１５及び図１６から明らかなように、インピーダンス
はスミスチャートの中心である完全整合点の近くに位置
するものの、インピーダンスは完全に整合しているわけ
ではない。すなわち、インピーダンス特性が周波数特性
を持ちつつ、完全整合点の周辺を移動していることがわ
かる。従って、入出力インピーダンスの完全整合点から
の距離に応じて、入出力端において信号の反射が生じて
いることがわかる。

【００１６】本発明の目的は、通過帯域内の全ての周波
数範囲に渡り、より一層良好なインピーダンス整合性を
有するバンドパスフィルタを提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願の第１の発明によれ
ば、第１のフィルタと、少なくとも使用周波数帯域で周
波数に対する特性が前記第１のフィルタとほぼ同一であ
り、かつ前記第１のフィルタに並列接続された第２のフ
ィルタと、前記第１，第２のフィルタの入力側の並列接
続点よりも後段において前記第１のフィルタの入力側に
カスケード接続されており、かつ位相をｘ度ずらす第１
の移相手段と、前記第１，第２のフィルタの出力側の並
列接続点よりも前段において第１のフィルタの出力側に
カスケード接続されており、かつ位相をｙ度ずらす第２
の移相手段と、前記第１，第２のフィルタの入力側の並
列接続点よりも後段において前記第２のフィルタの入力
側にカスケード接続されており、かつ位相をｚ度ずらす
第３の移相手段と、前記第１，第２のフィルタの出力側
の並列接続点よりも前段において第２のフィルタの出力
側にカスケード接続されており、かつ位相をｗ度ずらす
第４の移相手段とを備えており、ｘ、ｙ、ｚ、ｗには式
〜の関係がほぼ成立していることを特徴とするバン
ドパスフィルタが提供される。

【００１８】 ２ｘ−２ｚ＝１８０＋ｎ×３６０（ｎは任意の整数） ２ｙ−２ｗ＝１８０＋ｍ×３６０（ｍは任意の整数） ｘ＋ｙ＝ｚ＋ｗ＋ｌ×３６０（ｌは任意の整数）

【００１９】第２の発明によれば、第１のフィルタと、
少なくとも使用周波数帯域で周波数に対する特性が前記
第１のフィルタとほぼ同一であり、かつ前記第１のフィ
ルタに並列接続されている第２のフィルタと、前記第
１，第２のフィルタの出力側の並列接続点よりも前段に
おいて前記第１のフィルタの出力側にカスケード接続さ
れており、かつ位相を略（９０＋ｎ×１８０）度（ここ
でｎは任意の整数）ずらす移相手段と、前記第１，第２
のフィルタの入力側の並列接続点よりも後段において前
記第２のフィルタの入力側にカスケード接続されてお
り、かつ位相を略（９０＋ｍ×１８０）度（ここでｍ
は、ｎと奇偶の一致する任意の整数）ずらす移相手段と
を備えることを特徴とするバンドパスフィルタが提供さ
れる。

【００２０】第３の発明によれば、第１のフィルタと、
少なくとも使用周波数帯域で周波数に対する特性が前記
第１のフィルタとほぼ同一であり、かつ前記第１のフィ
ルタに並列接続された第２のフィルタと、前記第１，第
２のフィルタの入力側の並列接続点よりも後段において
前記第１のフィルタの入力側にカスケード接続されてお
り、かつ位相を略（９０＋ｎ×１８０）度（ここでｎは
任意の整数）ずらす移相手段と、前記第１，第２のフィ
ルタの出力側の並列接続点よりも前段において前記第１
のフィルタの出力側にカスケード接続されており、かつ
位相を略（９０＋ｍ×１８０）度（ここでｍは、ｎと奇
偶の一致する任意の整数）ずらす移相手段とを備えるこ
とを特徴とするバンドパスフィルタが提供される。

【００２１】本発明において、上述した移相手段は、位
相をずらす構成である限り、特に公知の移相デバイス、
例えばバンドパスフィルタを構成する配線などにより構
成されてもよい。

【００２２】本発明（第１〜第３の発明）のある特定の
局面では、前記移相手段の少なくとも１つが遅延線によ
り構成される。遅延線は、バンドパスフィルタを構成す
る回路基板や圧電基板上において容易に形成され得る。
従って、本発明において、移相手段の少なくとも１つを
遅延線により構成した場合、該移相手段を容易に構成す
ることができる。

【００２３】本発明の他の特定の局面では、前記移相手
段の少なくとも１つがコンデンサ素子とインダクタンス
素子から構成される。この場合には、コンデンサ素子及
びインダクタンス素子の特性を選択することにより最適
な移相手段を容易に構成することができる。

【００２４】本発明に係るバンドパスフィルタでは、上
記第１，第２のフィルタは、様々なバンドパスフィルタ
により構成することができ、例えば、弾性表面波フィル
タ、誘電体フィルタまたは圧電フィルタなどにより構成
され得る。

【００２５】本発明のさらに他の特定の局面では、前記
第１のフィルタ及び第２のフィルタが圧電基板を有する
を弾性表面波フィルタであって、前記遅延線が前記圧電
基板上に形成された導体ストリップ線路からなる。この
場合には、弾性表面波フィルタを構成する圧電基板上に
おいて、導体ストリップ線路を形成するだけで、容易に
遅延線を構成することができ、かつ、遅延線が弾性表面
波フィルタと一体に構成されるので、バンドパスフィル
タの小型化を図ることができる。

【００２６】本発明のさらに別の特定の局面では、前記
第１のフィルタ及び第２のフィルタが圧電基板を有する
弾性表面波フィルタであって、前記移相手段の１つ以上
が、コンデンサ素子とインダクタンス素子から構成され
ていて、該コンデンサ素子は前記圧電基板上の対向電極
によって形成されている。この場合には、コンデンサ素
子が弾性表面波フィルタを構成する圧電基板上に対向電
極を形成することにより構成されているので、コンデン
サ素子を装置を大型化することなく容易に形成すること
ができる。

【００２７】本発明に係る通信機は、本発明に従って構
成されたバンドパスフィルタを帯域フィルタとして備え
ることを特徴とする。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施形態
を説明することにより、本発明を明らかにする。

【００２９】図１は、本発明の第１の実施形態に係るバ
ンドパスフィルタの概略構成を示す回路図である。本実
施形態のバンドパスフィルタ１００では、通過帯域内に
おいてほぼ同じ特性を有する第１，第２のバンドパスフ
ィルタ１，２が用いられる。すなわち、入力端子対９と
出力端子対１０との間に、周波数に対する入出力インピ
ーダンス特性及び伝送特性がほぼ同一であるバンドパス
フィルタ１，２が並列に接続されている。

【００３０】入力端子対９と第１のバンドパスフィルタ
１との間には、信号の位相をｘ°シフトさせる第１の移
相手段としての移相器３がカスケード接続されており、
バンドパスフィルタ１と出力端子対１０との間には、信
号の位相をｙ°シフトさせる第２の移相手段としての移
相器４がカスケード接続されている。同様に、第２のバ
ンドパスフィルタ２と入力端子対９との間には、信号の
位相ｚ°シフトさせる第３の移相手段としての移相器５
がカスケード接続されており、、バンドパスフィルタ２
と出力端子対１０との間には、信号の位相をｗ°シフト
させる第４の移相手段としての移相器６がカスケード接
続されている。

【００３１】言い換えれば、移相器３、バンドパスフィ
ルタ１及び移相器４が順にカスケード接続されてなるフ
ィルタ回路７と、移相器５、バンドパスフィルタ２及び
移相器６が順にカスケード接続されてなるフィルタ回路
８とが並列に接続されている。

【００３２】フィルタ回路７，８を並列接続することに
より、バンドパスフィルタ１００が構成されている。な
お、入力端子対９及び出力端子対１０は、上記並列接続
の並列接続点に接続されている。

【００３３】本実施形態では、上記移相器３，４，５，
６の位相シフト量ｘ，ｙ，ｚ，ｗの間に、下記の式
（１）〜（３）がほぼ成立している。ここで「ほぼ」と
は、式（１）〜（３）を完全に満たしている場合だけで
なく、式（１）〜（３）を満たす範囲を中心に±３０％
程度の範囲を含むことを意味する。このような範囲であ
れば、後述するように、入出力端におけるインピーダン
ス整合を従来例に比べて完全整合に近くすることができ
る。

【００３４】式（１） ２ｘ−２ｚ＝１８０°＋ｎ×３６０°（但し、ｎは任意
の整数） 式（２） ２ｙ−２ｗ＝１８０°＋ｍ×３６０°（但し、ｍは任意
の整数） 式（３） ｘ＋ｙ＝ｚ＋ｗ＋ｉ×３６０°（ｉは任意の整数） バンドパスフィルタ１００の動作と、インピーダンス整
合が入出力端において図られることとを説明する。

【００３５】まず、入力端子対９で生じる帯域内信号の
反射につき説明する。入力端子対９で発生する反射波
は、フィルタ回路７から発生した反射波と、フィルタ回
路８から発生した反射波とが合成されてものとなる。仮
に、移相器３及び移相器５が接続されていなかったとす
ると、バンドパスフィルタ１の帯域内特性とバンドパス
フィルタ２の帯域内特性がほぼ同じであるため、フィル
タ回路７から生じる反射波と、フィルタ回路８から生じ
る反射波は略同相であり、かつ略同振幅となる。

【００３６】しかしながら、実際には、フィルタ回路７
から発生した反射波は、バンドパスフィルタ１に向かっ
て進行していくときと、バンドパスフィルタ１の入力端
で反射されて入力端子対９に戻っていくときの２回、移
相器３を通過する。従って、移相器３が接続されていな
かった場合と比べれば、移相器３が接続されている場合
には、反射波の位相は２ｘ°遅れることになる。

【００３７】他方、フィルタ回路８から発生する反射波
は、移相器５が接続されていなかった場合に比べて、そ
の位相は２ｚ°だけ遅れることになる。従って、フィル
タ回路７から発生する反射波とフィルタ回路８から発生
する反射波は、ほぼ同じ振幅でありながら、両者の間に
は２（ｘ−ｚ）°の位相差が生じることになる。

【００３８】よって、式（１）は、フィルタ回路７から
発生した反射波の位相と、フィルタ回路８から発生した
反射波の位相とが逆転していることを意味する。すなわ
ち、フィルタ回路７から発生する反射波と、フィルタ回
路８から発生する反射波が、略逆相であり、かつ同振幅
となる。よって、フィルタ回路７から発生する反射波
と、フィルタ回路８から発生する反射波が打ち消し合
い、入力端子対９では、反射波がほとんど発生しないこ
とがわかる。

【００３９】入力信号が通過帯域内の周波数である限り
反射波がほとんど発生しないことになるため、本実施形
態のバンドパスフィルタ１００では、通過帯域内の全周
波数範囲に渡り入力端子側における反射がほとんど生じ
ない。すなわち、入力端子側におけるインピーダンス整
合特性が非常に良好なバンドパスフィルタを提供し得る
ことがわかる。

【００４０】出力端子側においても、フィルタ回路７か
ら発生した反射波と、フィルタ回路８で発生した反射波
とが打ち消し合うことになる。すなわち、バンドパスフ
ィルタ１とバンドパスフィルタ２の通過帯域内における
特性がほぼ同じであること、並びに移相器４の位相シフ
ト量ｙと、位相器６の位相シフト量ｗとが式（２）の関
係をほぼ満たすことにより、通過帯域内の全周波数にお
いて、フィルタ回路７で発生する反射波とフィルタ回路
８で発生する反射波とが打ち消し合い、出力端子対１０
においても反射波はほとんど発生しない。

【００４１】上記のように、本実施形態のバンドパスフ
ィルタ１００では、通過帯域内の全周波数において、入
力端子及び出力端子において反射がほとんど生じないの
で、入出力端のインピーダンス整合特性が良好なバンド
パスフィルタが得られる。

【００４２】次に、上記バンドパスフィルタ１００の帯
域内伝送特性につき説明する。バンドパスフィルタ１０
０を通過する進行波は、フィルタ回路７を通過する進行
波と、フィルタ回路８を通過する進行波とが合成された
ものとなる。フィルタ回路７を通過する進行波は、移相
器３，４により、（ｘ＋ｙ）°の位相シフトを生じてお
り、他方、フィルタ回路８を通過する進行波は移相器
５，６により（ｚ＋ｗ）°の位相シフトを生じている。
両者の位相シフト量の差は、式３から、３６０°の整数
倍であることがわかる。

【００４３】すなわち、フィルタ回路７を通過する進行
波の位相と、フィルタ回路８を通過する進行波の位相
は、移相器３〜６が設けられていない場合とほとんど変
わらない。

【００４４】移相器３〜６が設けられていない場合に
は、フィルタ回路７を通過する進行波はバンドパスフィ
ルタ１を通過する進行波そのものとなり、フィルタ回路
８を通過する進行波はバンドパスフィルタ２を通過する
進行波そのものとなり、バンドパスフィルタ１とバンド
パスフィルタ２の帯域内特性がほぼ同じであるため、両
者はほぼ同相の進行波となる。

【００４５】移相器３〜６が設けられている場合と設け
られていない場合とで、フィルタ回路７を通過する進行
波と、フィルタ回路８を通過する進行波の位相関係がほ
とんど変わらないため、移相器３〜６が設けられている
場合においても、フィルタ回路７を通過する進行波とフ
ィルタ回路８を通過する進行波とはほぼ同相となる。

【００４６】従って、フィルタ回路７を通過する進行波
と、フィルタ回路８を通過する進行波とが、ほぼ同相で
効率よく重ね合わされ、バンドパスフィルタ１００から
の出力進行波となる。

【００４７】よって、バンドパスフィルタ１００全体の
帯域内信号の伝送効率は、バンドパスフィルタ１，２の
それぞれの伝送効率と同程度である。また、実際には、
反射による損失が大幅に少なくなるため、バンドパスフ
ィルタ１００の伝送効率は、バンドパスフィルタ１，２
自体の伝送効率よりもさらに若干高められる。

【００４８】なお、バンドパスフィルタ１，２の帯域内
特性が仮に全く等しい場合であっても、実際には、バン
ドパスフィルタ１００の内部において、両者が完全に同
じ反射特性を必ずしも示すわけではない。バンドパスフ
ィルタ１とバンドパスフィルタ２の出力端の終端条件が
同じであれば、両者の入力端の反射特性は全く等しくな
り、バンドパスフィルタ１，２の入力端の終端条件が同
じであれば、両者の出力端の反射特性は全く同じとな
る。しかしながら、このような条件が満たされない場合
には、バンドパスフィルタ１，２の内部で発生する多重
反射の状態が両者の間で若干異なってくるため、その影
響により、バンドパスフィルタ１，２の反射特性が若干
異なることがある。

【００４９】バンドパスフィルタ１００の内部において
は、バンドパスフィルタ１とバンドパスフィルタ２の出
入力端は同じ状態とはなっていないため、両者の反射特
性はやはり、バンドパスフィルタ１，２の内部多重反射
の影響により若干異なる。従って、フィルタ回路７から
の反射波とフィルタ回路８からの反射波は完全に打ち消
し合うわけではなく、やはりバンドパスフィルタ１００
全体として若干の反射波は生じる。

【００５０】しかしながら、バンドパスフィルタ１，２
として、ある程度帯域内反射が小さいフィルタを用いる
場合、バンドパスフィルタ１，２の通過帯域内における
フィルタ内多重反射は非常に小さくなるため、上記のよ
うに、フィルタ回路７からの反射波とフィルタ回路８か
らの反射波がほぼ打ち消し合い、バンドパスフィルタ１
００はバンドパスフィルタ１，２を単独で用いた場合よ
りもはるかに帯域内反射が小さいバンドパスフィルタと
して動作する。この具体的な効果の程度については、後
述の具体的な実験例により説明する。

【００５１】なお、本発明においては、式（１）〜
（３）は必ずしも厳密に成立する必要はない。すなわ
ち、式（１）〜（３）については、２ｘ−２ｚ、２ｙ−
２ｗ及びｘ＋ｙは、それぞれ、１８０°＋ｎ×３６０
°、１８０°＋ｍ×３６０°及びｚ＋ｗ＋ｉ×３６０°
から±３０％の範囲内であれば、本発明の効果を得るこ
とができる。

【００５２】なお、式（１）において、ｙがほぼ（９０
°＋ｎ×１８０°）（ｎは任意の整数）、ｚがほぼ（９
０°＋ｍ×１８０°）（ｍは、ｎと奇遇の一致する任意
の整数）とした場合、ｘ＝ｗ＝０であっても式（１）及
び（２）は成立する。すなわち、図２に示す変形例のよ
うに移相器３及び移相器６を省略してもよい。この場
合、移相器４の位相シフト量ｙを略（９０°＋ｎ×１８
０°）、移相器５の位相シフト量ｚを略（９０°＋ｍ×
１８０°）とすれば、上記実施形態と同様に良好な結果
を得ることができる。

【００５３】また、式（１）〜（３）において、ｘを略
（９０°＋ｎ×１８０°）、ｙを略（９０°＋ｍ×１８
０°）（ｍはｎと奇偶の一致する任意の整数）とし、ｚ
＝ｗ＝０としてもよい。この場合は、図３に示す変形例
のように、移相器３及び移相器４のみが用いられ、第２
のバンドパスフィルタ２側には移相器は接続されない。

【００５４】図２及び図３に示した変形例では、それぞ
れ、２個の移相器を用いればよいため、図１に示したバ
ンドパスフィルタ１００に比べて回路の簡略化を図るこ
とができる。

【００５５】なお、図２に示した変形例では、移相器４
の位相シフト量ｙ＝略（９０°＋ｎ×１８０°）、移相
器５の位相シフト量ｚ＝略（９０°＋ｍ×１８０°）と
し、また、図３に示した変形例では、移相器３の位相シ
フト量ｘ＝略（９０°＋ｎ×１８０°）、移相器４の位
相シフト量ｙ＝略（９０°＋ｍ×１８０°）としたが、
ここで「略」は±３０％程度の誤差を許容することを意
味する。

【００５６】本発明では、移相手段が必要であるが、こ
の移相手段の具体的構成としては、特に限定されず、従
来より公知の様々の移相器を用いることができる。例え
ば、誘電体基板上に形成された導体ストリップ線路から
なる遅延線により移相器を構成してもよい。導体ストリ
ップ線路からなる遅延線は、その構造が単純であり、低
コストで作製され得る。

【００５７】また、コンデンサ素子と、コンデンサ素子
に直列に接続されたインダクタンス素子とにより移相器
を構成してもよい。コンデンサ素子やインダクタンス素
子としては、マイクロ波帯〜ミリ波帯で使用され得る小
型の素子が市販されている。また、薄膜微細加工技術を
用いて表面波基板上にこれらのインダクタンス素子やコ
ンデンサ素子を形成してもよく、それによって小型の移
相器を構成することができ、本発明のバンドパスフィル
タの小型化を図ることができる。

【００５８】また、本発明における移相手段は、上記の
ような公知の移相器を用いて構成される必要は必ずしも
なく、バンドパスフィルタを構成する配線やボンディン
グワイヤーを用いて構成してもよい。

【００５９】本発明のバンドパスフィルタでは、第１，
第２のバンドパスフィルタを有するため、バンドパスフ
ィルタ全体の寸法が大きくなる恐れがある。しかしなが
ら、小型化が可能な弾性表面波フィルタにより第１，第
２のバンドパスフィルタを構成すれば、圧電基板上に超
微細加工技術で弾性表面波フィルタ用電極を形成するこ
とができるので、全体の寸法をさほど大きくすることな
く本発明のバンドパスフィルタを提供することができ
る。

【００６０】従って、好ましくは、バンドパスフィルタ
１，２として、弾性表面波フィルタが用いられる。この
ような弾性表面波フィルタとしては、共振子型弾性表面
波フィルタ、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ、
あるいは複数の一端子対弾性表面波共振子を梯子型もし
くはラティス型回路を構成するように組み合わせてなる
弾性表面波フィルタなどが挙げられる。

【００６１】また、近年、共振子型弾性表面波フィルタ
と一端子対弾性表面波共振子とを組み合わせることによ
り構成された弾性表面波フィルタが、携帯電話機用のバ
ンドパスフィルタとして用いられているが、このような
構成の弾性表面波フィルタを第１，第２のバンドパスフ
ィルタ１，２として用いてもよい。

【００６２】弾性表面波フィルタにより第１，第２のバ
ンドパスフィルタを構成した場合には、第１，第２のバ
ンドパスフィルタを同じ圧電基板上に形成し、さらに導
体ストリップ線路を形成することにより移相器を構成す
れば、本発明のバンドパスフィルタのより一層の小型化
を図ることができる。

【００６３】また、弾性表面波フィルタにより第１，第
２のバンドパスフィルタ１，２を構成し、本発明のバン
ドパスフィルタを構成した場合には、第１，第２のバン
ドパスフィルタが形成されている同一圧電基板上に、対
向電極を形成することによりコンデンサ素子を構成し、
該コンデンサ素子を移相器を構成する部品の１つとする
ことにより、やはり、バンドパスフィルタの小型化が図
られる。

【００６４】次に、具体的な実験例につき説明する。以
下の実験例においては、まず比較のために、図１２に示
した共振子型弾性表面波フィルタ５００を比較例として
用意した。すなわち、比較例の共振子型弾性表面波フィ
ルタ５００を、以下の要領で作製した。圧電基板５０１
として、４０±５°回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基
板を用いた。また、圧電基板５０１上の電極パターンは
２１０ｎｍの厚みのＡｌ薄膜により形成した。ＩＤＴ５
１４，５１６は、１２対の対向電極指からなるＩＤＴと
し、電極指の線幅を０．６８μｍ、電極指ピッチを１．
０８μｍとした。但し、ＩＤＴ５１４，５１６のＩＤＴ
の５１５と隣接する一対ずつの電極指では、線幅が０．
５８μｍ、電極指ピッチは０．９７μｍとした。ＩＤＴ
５１５は、１８．５対の対向電極指からなるＩＤＴと
し、電極指の線幅を０．６８μｍ、電極指ピッチを１．
０８μｍとした。但し、ＩＤＴ５１５の両端の一対の電
極指では、線幅を０．５８μｍ、電極指ピッチを０．９
７μｍとした。

【００６５】反射器５１３，５１７は、それぞれ、１５
０本の電極指を両端で短絡してなるグレーティング型反
射器であり、電極指の線幅は０．６２μｍ、電極指ピッ
チは１．０９μｍとした。

【００６６】また、反射器５１３とＩＤＴ５１４の距離
（電極指中心間距離）を１．０９μｍ、ＩＤＴ５１４，
５１５間の距離（電極指中心間距離）は０．９７μｍ、
ＩＤＴ５１５，５１６間の距離（電極指中心間距離）は
０．９７μｍ、ＩＤＴ５１６と反射器５１７の間の距離
（電極指中心間距離）は１．０９μｍとした。また、Ｉ
ＤＴ５１４〜５１６の電極指交叉幅は２００μｍとし
た。

【００６７】このようにして構成された比較例の伝送特
性及び入力端子側及び出力端子側のインピーダンス特性
が、前述した図１３〜図１６に示されており、かつ後述
する図６〜図９において破線で示されている。

【００６８】上記比較例に対し、以下の要領で図４及び
図５に示す実施例のバンドパスフィルタを作製した。実
施例のバンドパスフィルタ２００において、第１，第２
のバンドパスフィルタ１，２は、上述した比較例の共振
子型弾性表面波フィルタ５００と同様に設計した。ま
た、４０±５°回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃により
圧電基板５０を構成し、比較例と同様に厚み２１０μｍ
のＡｌ薄膜により各電極を形成した。なお、バンドパス
フィルタ１，２においては、ＩＤＴの電極指交叉幅は、
１００μｍとした。これは、２個のバンドパスフィルタ
１，２が並列接続されており、バンドパスフィルタ２０
０全体としてのインピーダンスを５０Ωとするために、
各バンドパスフィルタ１，２のインピーダンスを共振子
型弾性表面波フィルタ５００の２倍のインピーダンスで
ある１００Ωとするためである。

【００６９】圧電基板５０上には、上記バンドパスフィ
ルタ１，２以外に、コンデンサ素子２１〜２４、電極パ
ッド２７〜３５、接続導電部３６〜４５が形成されてい
る。コンデンサ素子２１〜２４は、本実施例では、一対
の櫛歯電極を互いの電極指が間挿し合うように配置する
ことにより構成されている。すなわち、圧電基板５０上
に一対の対向電極を形成することにより、各コンデンサ
素子２１〜２４を構成した。コンデンサ素子の各電極指
の幅は１．１１μｍ、スペース幅（対向幅）は１．１１
μｍ、交叉幅は２０μｍとし、かつ電極指の対数は、コ
ンデンサ素子２１〜２４において、それぞれ９２対、８
７対、８７対、８９．５対とした。

【００７０】図示しない誘電体基板上に、上記圧電基板
５０と、コイル素子２５として作用する１０ｎＨのチッ
プインダクタと、コイル素子２６として作用する１０ｎ
Ｈのチップインダクタとを実装した。

【００７１】コイル素子２５の片方の端子を接地し、他
方の端子を圧電基板５０上の電極パッド２７と導通さ
せ、コイル素子２５をコンデンサ素子２１，２２に直列
に接続した。コイル素子２６として動作するチップイン
ダクタの一方の端子は接地し、他方の端子を圧電基板５
０上の電極パッド２８に導通させ、コイル素子２６をコ
ンデンサ素子２３，２４に直列に接続した。圧電基板５
０上の電極パッド２９〜３３をアース電位に接続し、電
極パッド３４を入力端子、電極パッド３５を出力端子と
した。上記のようにして、図４に示す回路構成を実現
し、通過帯域が１８０５〜１８８５ＭＨｚであるバンド
パスフィルタ２００を構成した。

【００７２】上記実施例では、コンデンサ素子２１〜２
４が、一対の櫛歯電極を対向させてなる対向電極により
構成されているが、これらのコンデンサ素子の１８０５
〜１８８５ＭＨｚにおける静電容量は、それぞれ、０．
８０ｐＦ、０．７０ｐＦ、０．７０ｐＦ及び０．７８ｐ
Ｆである。そして、１８０５〜１８８５ＭＨｚにおい
て、コンデンサ素子２１，２２とコイル素子２５とは、
全体として特性インピーダンス１００Ωの９０°移相器
４として機能し、コンデンサ素子２３，３４及びコイル
素子２６が、１８０５〜１８８５ＭＨｚにおいて特性イ
ンピーダンス１００Ωの９０°移相器５として機能す
る。

【００７３】上記のように、バンドパスフィルタ１，２
は、電極指交叉幅が比較例の共振子型弾性表面波フィル
タ５００の電極指交叉幅２００μｍの半分である１００
μｍとされている共振子型弾性表面波フィルタである。
交叉幅を半分とすることにより、特性インピーダンスは
１００Ωとされている。バンドパスフィルタ１及びバン
ドパスフィルタ２は、特性インピーダンスが１００Ωで
ある点を除けば、伝送特性の周波数依存性や反射特性
（特性インピーダンスで規格化された入出力インピーダ
ンス特性）は、比較例のバンドパスフィルタ５００とほ
ぼ同じ特性となる。

【００７４】すなわち、バンドパスフィルタ１，バンド
パスフィルタ２は、１８０５〜１８８５ＭＨｚを通過帯
域とする特性インピーダンス１００Ωの各バンドパスフ
ィルタである。

【００７５】バンドパスフィルタ１と９０°移相器４と
がカスケード接続されてフィルタ回路７が構成されてお
り、９０°移相器５とバンドパスフィルタ２とがカスケ
ード接続されてフィルタ回路８が構成されている。そし
てフィルタ回路７とフィルタ回路８とが並列接続され
て、上記バンドパスフィルタ２００が構成されている。

【００７６】すなわち、本実施例のバンドパスフィルタ
２００は、上述した図２に示したバンドパスフィルタと
同様の回路構成を有する。なお、フィルタ回路７，８の
特性インピーダンスは１００Ωであるため、バンドパス
フィルタ２００の特性インピーダンスが５０Ωとなる。

【００７７】図６及び図７は、上記実施例及び比較例の
バンドパスフィルタ２００及び共振子型弾性表面波フィ
ルタ５００の伝送特性を示す図であり、図７は図６の要
部を拡大して示す図である。図６及び図７において、実
線が実施例の結果を、破線が比較例の結果を示す。ま
た、図８及び図９は、１８０５〜１８８５ＭＨｚにおけ
る入力端子側インピーダンス特性及び出力端子側インピ
ーダンス特性を示すスミスチャートであり、実線が実施
例を、破線が比較例の結果を示す。

【００７８】図８及び図９から明らかなように、比較例
の共振子型弾性表面波フィルタ５００の場合に比べて、
実施例のバンドパスフィルタ２００では、通過帯域内の
全周波数に渡り、入出力インピーダンスが整合点である
スミスチャートの中心に近づいており、従ってインピー
ダンス整合が良好であることがわかる。

【００７９】すなわち、バンドパスフィルタ２００で用
いられているバンドパスフィルタ１，２は、比較対象と
されている共振子型弾性表面波フィルタ５００のインピ
ーダンスを倍にしただけであり、他の構成は異ならな
い。図８及び図９に示されているインピーダンス整合特
性の改善は、第１，第２のバンドパスフィルタと移相器
とを組み合わせてなる本発明の構成によりもたらされた
ものである。

【００８０】また、図６及び図７から明らかなように、
バンドパスフィルタ２００では、共振子型弾性表面波フ
ィルタ５００に比べて通過帯域内における信号伝送効率
が良好となっていることがわかる。これは、入出力端子
における帯域内信号反射が小さくなった分だけ、信号の
損失が少なくなったためと考えられる。従って、本発明
によれば、入出力端におけるインピーダンス整合を良好
にし得るだけでなく、低損失化も果たし得ることがわか
る。

【００８１】なお、上記実施形態及び実施例では、バン
ドパスフィルタ１，バンドパスフィルタ２が全く同じバ
ンドパスフィルタにより構成されていたが、両者は完全
に同一である必要は必ずしもない。バンドパスフィルタ
１，２は、その帯域内特性がほぼ一致していればよく、
その帯域外の特性については全く異なっていてもよい。
また、通過帯域内の伝送特性についても、その違いがそ
れ程大きくなければ、本発明の効果を得られることがで
きる。従って、バンドパスフィルタ１とバンドパスフィ
ルタ２の帯域内伝送特性はほぼ一致しておればよい。

【００８２】なお、本願発明に類似した構成として、従
来より、通過帯域の異なる複数のバンドパスフィルタを
並列接続した構成が知られている。しかしながら、この
ような通過帯域が異なる複数のバンドパスフィルタを並
列接続してなるバンドパスフィルタは、通過帯域を異な
らせることにより広い通過帯域を実現しているのにすぎ
ない。これに対して、本願発明に係るバンドパスフィル
タは、広帯域化を図るために通過帯域の異なる複数のバ
ンドパスフィルタを並列接続したものとは異なり、あえ
て同じ通過帯域のバンドパスフィルタを並列接続し、広
帯域化ではなく、入出力端における反射の悪影響を防止
するために、少なくとも一方のバンドパスフィルタに移
相手段を接続したものである。従って、本願発明に係る
バンドパスフィルタは、帯域の異なる２個のバンドパス
フィルタを並列接続してなる従来のバンドパスフィルタ
とは、根本的に異なるものであることを指摘しておく。

【００８３】さらに付言すれば、本発明に係るバンドパ
スフィルタでは、第１，第２のバンドパスフィルタの上
流または下流の回路部分で生じる位相シフト量において
も、従来の帯域が異なるバンドパスフィルタを複数並列
接続したものと区別され得るものである。

【００８４】また、好ましくは、上記バンドパスフィル
タ２００において、入力端子対９と第１のバンドパスフ
ィルタ１までの線路の長さと、入力端子対９と第２のバ
ンドパスフィルタ２までの線路の長さが等しくされ、同
様に、第１のバンドパスフィルタ１と出力端子対１０と
の間の線路の長さ及び第２のバンドパスフィルタ２と出
力端子対１０との間の線路の長さが等しくされる。この
ように、バンドパスフィルタ１，２から入力端子対９ま
たは出力端子対１０までの線路の長さを等しくすること
により、移相器による反射波の打ち消し合いをより確実
なものとすることができる。

【００８５】図１０は、第２の実施形態に係るバンドパ
スフィルタの回路構成を示す図である。ここでは、バン
ドパスフィルタ３００は、第１のバンドパスフィルタ１
と第２のバンドパスフィルタ２と、４５°移相器３と、
−４５°移相器４と、−４５°移相器５と、４５°移相
器６とを有する。バンドパスフィルタ１の特性インピー
ダンスは１００Ω、バンドパスフィルタ２の特性インピ
ーダンスは５０Ωである。バンドパスフィルタ１，２
は、特性インピーダンスが上記のように異なることを除
いては、同様の特性、すなわち同様の信号伝送効率の周
波数特性及び反射特性（特性インピーダンスで規格化さ
れた入出力インピーダンスの周波数特性）を有する。

【００８６】バンドパスフィルタ１，２を弾性表面波フ
ィルタで構成する場合には、バンドパスフィルタ２のＩ
ＤＴの電極指交叉幅を、バンドパスフィルタ１の電極指
交叉幅の２倍とすることにより、上記のような関係のバ
ンドパスフィルタ１，２を容易に形成することができ
る。

【００８７】移相器３〜６は、図１に示したバンドパス
フィルタの場合と同様に接続されている。４５°移相器
３及び−４５°移相器４の特性インピーダンスは１００
Ωであり、−４５°移相器５のバンドパスフィルタ２と
接続されいる特性インピーダンスは５０Ωであり、他方
の端子の特性インピーダンスは１００Ωである。４５°
移相器６のバンドパスフィルタ２と接続されている側の
端子の特性インピーダンスは５０Ωであり、他方の端子
の特性インピーダンスは１００Ωである。

【００８８】バンドパスフィルタ３００は、上記のよう
に構成されているため、全体としてのインピーダンスは
５０Ωであり、本実施形態においても、入出力インピー
ダンスの帯域内整合特性が良好とされている。

【００８９】すなわち、バンドパスフィルタ３００で
は、バンドパスフィルタ１，２の特性インピーダンスは
異なっており、その帯域内特性が大きく異なるようにも
見える。しかしながら、帯域内特性を特性インピーダン
スで規格化した場合、伝送特性（信号伝送効率の周波数
特性）と、反射特性（特性インピーダンスで規格化され
た入出力インピーダンスの周波数特性）は、通過帯域内
でほぼ同じとされているため、−４５°移相器５及び４
５°移相器６にインピーダンス変換特性（トランス特
性）持たせて、バンドパスフィルタ３００を構成するこ
とにより、本実施形態においてもフィルタ回路７及びフ
ィルタ回路８において反射波同士が打ち消し合う。従っ
て、第１の実施形態と同様に入出力インピーダンスの帯
域内整合特性が高められたバンドパスフィルタを提供す
ることができる。

【００９０】このように、バンドパスフィルタ１，２の
特性インピーダンスを異ならせた場合であっても、特性
インピーダンスで規格化された帯域内特性がほぼ同じで
ある場合には、本発明のバンドパスフィルタ１，２に含
まれるものである。

【００９１】また、上記実施形態に限定されず、２個の
バンドパスフィルタの帯域内特性が一見大きく異なって
いるように見える場合であっても、移相器に補正機能を
持たせることにより、実質的に２つのバンドパスフィル
タの帯域内特性が同じであるかのように構成されれば、
帯域内のほぼ全周波数において、フィルタ回路７とフィ
ルタ回路８の反射波同士を打ち消し合うことができ、本
発明の効果を得ることができる。

【００９２】図１１は、本発明のさらに他の実施形態に
係るバンドパスフィルタ６００を示す回路図である。バ
ンドパスフィルタ６００では、上述した第１の実施形態
の２個のバンドパスフィルタが並列接続されている。す
なわち、第１の実施形態と同様に構成されたバンドパス
フィルタ１００と、第１の実施形態とほぼ同様に構成さ
れたバンドパスフィルタ１００Ａとが並列接続されてい
る。もっとも、バンドパスフィルタ１００の通過帯域
と、バンドパスフィルタ１００Ａの通過帯域は異ならさ
れている。すなわち、バンドパスフィルタ１００Ａに用
いられているバンドパスフィルタ１Ａ，２Ａの通過帯域
は、バンドパスフィルタ１，２の通過帯域と異ならされ
ている。

【００９３】図１１に示すバンドパスフィルタ６００で
は、通過帯域が異なる、上記実施形態に従って構成され
たバンドパスフィルタ１００，１００Ａが並列接続され
ているため、バンドパスフィルタ１００の通過帯域とバ
ンドパスフィルタ１００Ａの通過帯域を利用することに
より、広帯域化が図られている。しかも、各バンドパス
フィルタ１００，１００Ａでは、本発明に従って、入出
力端のインピーダンスの通過帯域内整合特性が高められ
ている。

【００９４】このように、本発明のバンドパスフィルタ
を複数並列接続し、各バンドパスフィルタの通過帯域を
異ならせた場合、インピーダンスマッチングを適切に図
ることにより、広帯域化も図ることができる。

【００９５】

【発明の効果】第１の発明に係るバンドパスフィルタで
は、少なくとも使用通過帯域で周波数に対する特性がほ
ぼ同一の第１，第２のフィルタが並列接続されており、
第１のフィルタの入力側に第１の移相手段、出力側に第
２の移相手段が、第２のフィルタの入力側に第３の移相
手段、出力側に第４の移相手段が接続されており、第１
〜第４の移相手段の位相をずらす量ｘ、ｙ、ｚ及びｗ
が、上述した式（１）〜（３）を満たすように構成され
ているので、第２のフィルタで発生する反射波が打ち消
し合い、入出力端のいずれにおいても、反射波がほとん
ど生じない。従って、入力端及び出力端における帯域内
信号反射を低減することができ、入力端側におけるイン
ピーダンス整合が良好なバンドパスフィルタを提供する
ことができる。また、帯域内信号反射を低減することが
できるので、帯域内信号の伝送効率も高めることができ
る。

【００９６】第２の発明に係るバンドパスフィルタで
は、少なくとも使用通過帯域で周波数に対する特性がほ
ぼ同一の第１，第２のフィルタが並列接続されており、
第１のフィルタの出力側に位相を略（９０＋ｎ×１８
０）度ずらす移相手段が、第２のフィルタの入力側に位
相を略（９０＋ｍ×１８０）度ずらす移相手段がそれぞ
れ直列に接続されているので、第１の発明と同様に、入
出力端における帯域内信号反射を低減することができ、
入出力端におけるインピーダンス整合が良好なバンドパ
スフィルタを提供することができる。また、上記のよう
に帯域内信号反射を低減することができるので、帯域内
信号の伝送効率も高めることができる。

【００９７】第３の発明によれば、少なくとも使用周波
数帯域で周波数に対する特性がほぼ同一である第１，第
２のフィルタが並列接続されており、第１のフィルタの
入力側に位相を略（９０＋ｎ×１８０）度ずらす移相手
段が、第２のフィルタの出力側に位相を略（９０＋ｍ×
１８０）度ずらす移相手段がそれぞれ直列に接続されて
いるので、第１の発明と同様に、入力端及び出力端の双
方において帯域内信号反射を低減することができ、入出
力端におけるインピーダンス整合がより一層良好なバン
ドパスフィルタを提供することができる。第３の発明に
おいても、帯域内信号反射の低減により、帯域内信号の
伝送効率も高められる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るバンドパスフィ
ルタの回路構成を示す図。

【図２】第１の実施形態のバンドパスフィルタの変形例
を説明するための回路図。

【図３】第１の実施形態のさらに他の変形例を示す回路
図。

【図４】実施例のバンドパスフィルタの回路構成を示す
回路図。

【図５】図４に示した実施例の具体的な構造を説明する
ための模式的平面図。

【図６】実施例のバンドパスフィルタ及び比較例の共振
子型弾性表面波フィルタの伝送効率−周波数特性を示す
図。

【図７】図６に示した伝送効率−周波数特性を拡大して
示す図。

【図８】実施例のバンドパスフィルタ及び比較例の共振
子型弾性表面波フィルタの入力端子側の通過帯域内イン
ピーダンス特性を示すスミスチャート図。

【図９】実施例のバンドパスフィルタ及び比較例の共振
子型弾性表面波フィルタの出力端子側の通過帯域内イン
ピーダンス特性を示すスミスチャート図。

【図１０】本発明の第２の実施形態に係るバンドパスフ
ィルタの回路図。

【図１１】本発明のバンドパスフィルタのさらに別の変
形例を説明するための回路図。

【図１２】従来の共振子型弾性表面波フィルタの模式的
平面図。

【図１３】従来の共振子型弾性表面波フィルタの伝送効
率−周波数特性を示す図。

【図１４】図１３に示した伝送効率−周波数特性を拡大
して示す図。

【図１５】従来の共振子型弾性表面波フィルタの入力端
子側の通過帯域内インピーダンス特性を示す図。

【図１６】従来の共振子型弾性表面波フィルタの出力端
子側の通過帯域内インピーダンス特性を示す図。

【符号の説明】

１…第１のバンドパスフィルタ １Ａ，２Ａ…第１，第２のバンドパスフィルタ ２…第２のバンドパスフィルタ ３〜６…移相手段としての移相器 ３Ａ〜６Ａ…移相器 ７，８…第１，第２のフィルタ回路 ９…入力端子対 １０…出力端子対 ２１〜２４…コンデンサ素子 ２５，２６…インダクタンス素子としてのコイル素子 ２７〜３５…電極パッド ３６〜４５…接続導電部 ５０…圧電基板 １００…バンドパスフィルタ １００Ａ…バンドパスフィルタ ２００…バンドパスフィルタ ３００…バンドパスフィルタ ６００…バンドパスフィルタ ７００…バンドパスフィルタ ８００…バンドパスフィルタ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１のフィルタと、少なくとも使用周波
   数帯域で周波数に対する特性が前記第１のフィルタとほ
   ぼ同一であり、かつ前記第１のフィルタに並列接続され
   た第２のフィルタと、 前記第１，第２のフィルタの入力側の並列接続点よりも
   後段において前記第１のフィルタの入力側にカスケード
   接続されており、かつ位相をｘ度ずらす第１の移相手段
   と、 前記第１，第２のフィルタの出力側の並列接続点よりも
   前段において第１のフィルタの出力側にカスケード接続
   されており、かつ位相をｙ度ずらす第２の移相手段と、 前記第１，第２のフィルタの入力側の並列接続点よりも
   後段において前記第２のフィルタの入力側にカスケード
   接続されており、かつ位相をｚ度ずらす第３の移相手段
   と、 前記第１，第２のフィルタの出力側の並列接続点よりも
   前段において第２のフィルタの出力側にカスケード接続
   されており、かつ位相をｗ度ずらす第４の移相手段とを
   備えており、ｘ、ｙ、ｚ、ｗには下記の式（１）〜
   （３）の関係がほぼ成立していることを特徴とするバン
   ドパスフィルタ。 （１）２ｘ−２ｚ＝１８０＋ｎ×３６０（ｎは任意の整
   数） （２）２ｙ−２ｗ＝１８０＋ｍ×３６０（ｍは任意の整
   数） （３）ｘ＋ｙ＝ｚ＋ｗ＋ｌ×３６０（ｌは任意の整数）
2. 【請求項２】 第１のフィルタと、 少なくとも使用周波数帯域で周波数に対する特性が前記
   第１のフィルタとほぼ同一であり、かつ前記第１のフィ
   ルタに並列接続されている第２のフィルタと、 前記第１，第２のフィルタの出力側の並列接続点よりも
   前段において前記第１のフィルタの出力側にカスケード
   接続されており、かつ位相を略（９０＋ｎ×１８０）度
   （ここでｎは任意の整数）ずらす移相手段と、 前記第１，第２のフィルタの入力側の並列接続点よりも
   後段において前記第２のフィルタの入力側にカスケード
   接続されており、かつ位相を略（９０＋ｍ×１８０）度
   （ここでｍは、ｎと奇偶の一致する任意の整数）ずらす
   移相手段とを備えることを特徴とするバンドパスフィル
   タ。
3. 【請求項３】 第１のフィルタと、 少なくとも使用周波数帯域で周波数に対する特性が前記
   第１のフィルタとほぼ同一であり、かつ前記第１のフィ
   ルタに並列接続された第２のフィルタと、 前記第１，第２のフィルタの入力側の並列接続点よりも
   後段において前記第１のフィルタの入力側にカスケード
   接続されており、かつ位相を略（９０＋ｎ×１８０）度
   （ここでｎは任意の整数）ずらす移相手段と、 前記第１，第２のフィルタの出力側の並列接続点よりも
   前段において前記第１のフィルタの出力側にカスケード
   接続されており、かつ位相を略（９０＋ｍ×１８０）度
   （ここでｍは、ｎと奇偶の一致する任意の整数）ずらす
   移相手段とを備えることを特徴とするバンドパスフィル
   タ。
4. 【請求項４】 前記移相手段の少なくとも１つが遅延線
   であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
   のバンドパスフィルタ。
5. 【請求項５】 前記移相手段の少なくとも１つがコンデ
   ンサ素子とインダクタンス素子から構成されていること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のバンドパ
   スフィルタ。
6. 【請求項６】 前記第１のフィルタ及び第２のフィルタ
   が、弾性表面波フィルタ、誘電体フィルタ、圧電フィル
   タのいずれかであることを特徴とする請求項１〜５のい
   ずれかに記載の回路装置。
7. 【請求項７】 前記第１のフィルタ及び第２のフィルタ
   が圧電基板を有する弾性表面波フィルタであって、前記
   遅延線が前記圧電基板上に形成された導体ストリップ線
   路からなることを特徴とする請求項４に記載のバンドパ
   スフィルタ。
8. 【請求項８】 前記第１のフィルタ及び第２のフィルタ
   が圧電基板を有する弾性表面波フィルタであって、前記
   移相手段の少なくとも１つが、コンデンサ素子とインダ
   クタンス素子から構成されていて、該コンデンサ素子は
   前記圧電基板上に形成された対向電極によって構成され
   ていることを特徴とする請求項５に記載のバンドパスフ
   ィルタ。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載のバンド
   パスフィルタを搭載したことを特徴とする通信機器。