JPH01208010A - モノリシツクな格子型弾性表面波フイルタ - Google Patents
モノリシツクな格子型弾性表面波フイルタInfo
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- JPH01208010A JPH01208010A JP63330749A JP33074988A JPH01208010A JP H01208010 A JPH01208010 A JP H01208010A JP 63330749 A JP63330749 A JP 63330749A JP 33074988 A JP33074988 A JP 33074988A JP H01208010 A JPH01208010 A JP H01208010A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 113
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007643 Phytolacca americana Species 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- JNQQEOHHHGGZCY-UHFFFAOYSA-N lithium;oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [Li+].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5] JNQQEOHHHGGZCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6426—Combinations of the characteristics of different transducers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明は、一般的にはバンドパス（帯域）フィルタに関
し、特に、非常に挿入減衰量（損）の小さな改善された
弾性表面波（ＳＡＷ）バンドパス（帯域）フィルタに関
する。
し、特に、非常に挿入減衰量（損）の小さな改善された
弾性表面波（ＳＡＷ）バンドパス（帯域）フィルタに関
する。
弾性表面波デバイスは、従来からトランスバーサル型の
フィルタにおいて用いられてきた。弾性表面波フィルタ
の設計において最も重要な要素（素子）となるのはすだ
れ状電極（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａＡ ｔｒａｎｓｄ
ｕｃｔｅｒ）（ＩＤＴ）である。すなわち、それ（ＩＤ
Ｔ）によって、電気的な信号は弾性表面波形に変換され
、従って、フィルタインピーダンス及び周波数応答が決
定される。従来型のフィルタ構成においては、パワーは
、発射（βａｕｎｃｈｉｎｇ） トランスデューサに
よって分割されている。（パワーの）半分は通常アブソ
ーバ（吸音材）へ向けて送られ、半分は出力へ伝搬され
る。出カドランスデューサにおいて、信号のいくつかく
多くても半分）は負荷へ伝達され、いくつかはトランス
デユーサを通過しかつ吸収され、かついくつかは反射さ
れている。
フィルタにおいて用いられてきた。弾性表面波フィルタ
の設計において最も重要な要素（素子）となるのはすだ
れ状電極（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａＡ ｔｒａｎｓｄ
ｕｃｔｅｒ）（ＩＤＴ）である。すなわち、それ（ＩＤ
Ｔ）によって、電気的な信号は弾性表面波形に変換され
、従って、フィルタインピーダンス及び周波数応答が決
定される。従来型のフィルタ構成においては、パワーは
、発射（βａｕｎｃｈｉｎｇ） トランスデューサに
よって分割されている。（パワーの）半分は通常アブソ
ーバ（吸音材）へ向けて送られ、半分は出力へ伝搬され
る。出カドランスデューサにおいて、信号のいくつかく
多くても半分）は負荷へ伝達され、いくつかはトランス
デユーサを通過しかつ吸収され、かついくつかは反射さ
れている。
出力すだれ状電極（ＩＤＴ）によって反射された信号が
到達する瞬間において、その入力ＩＤＴ部分は出力へ反
射されもどされる。２重に反射された信号は出力におい
て検出されかつ通過域（バスバンド）リップルを生ずる
ことになる。
到達する瞬間において、その入力ＩＤＴ部分は出力へ反
射されもどされる。２重に反射された信号は出力におい
て検出されかつ通過域（バスバンド）リップルを生ずる
ことになる。
高い挿入減衰量（損）或いはかなりのリップルを有する
との、この問題に対する一つの解決は、すべて電気的な
エネルギーを単一の弾性波に結合するための単一指向性
トランスデユーサを用いることである。しかしながら、
単一指向性トランスデユーサは電極の整相列（フエーイ
ズドアレイ）でできており、通常、１つの波長当り、３
つか或いは４つの電極を用いており、金属電極の多層化
を導入することによって製造プロセスが複雑化する傾向
がある。このような構成はまたフィルタの帯域幅を制限
し、かつ部品の数を増加するかもしれない。
との、この問題に対する一つの解決は、すべて電気的な
エネルギーを単一の弾性波に結合するための単一指向性
トランスデユーサを用いることである。しかしながら、
単一指向性トランスデユーサは電極の整相列（フエーイ
ズドアレイ）でできており、通常、１つの波長当り、３
つか或いは４つの電極を用いており、金属電極の多層化
を導入することによって製造プロセスが複雑化する傾向
がある。このような構成はまたフィルタの帯域幅を制限
し、かつ部品の数を増加するかもしれない。
今日、用いられているＳＡＷ （弾性表面波）フィルタ
は主として２つの基本的なタイプから構成されている。
は主として２つの基本的なタイプから構成されている。
すなわち、１）単一の基板上の送信（ｓｅｎｄｉｎｇ）
及び受信（ｒｅｃｅｖｉｎｇ）トランスデユーサを含む
トランスバーサルフィルタ。選択度特性（ｓｅｊｌ！ｃ
ｔｉ宮ｙ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）は、ト
ランスデユーサにおけるフィンガーペアの数によって決
定され、かつ、フィンガーの重なる（オーバーラツプす
る）幾何学的寸法、即ち、“重み付け” （“Ｗｅ ｉ
ｇｈｔ ｉｎｇ”）によって決定されている。
及び受信（ｒｅｃｅｖｉｎｇ）トランスデユーサを含む
トランスバーサルフィルタ。選択度特性（ｓｅｊｌ！ｃ
ｔｉ宮ｙ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）は、ト
ランスデユーサにおけるフィンガーペアの数によって決
定され、かつ、フィンガーの重なる（オーバーラツプす
る）幾何学的寸法、即ち、“重み付け” （“Ｗｅ ｉ
ｇｈｔ ｉｎｇ”）によって決定されている。
挿入減衰ｆｆ１（ｔＵ）は高くなる傾向がある。なぜな
らば、筒車なトランスデユーサ（、ＩＣ双方指向性を有
しており、すなわち、入力パワーの半分ずつは各々は、
２つの反対の方向に送信されている。挿入減衰量（川）
を低くするために種々の方法が設定されている。たとえ
ば、単一指向性トランスデユーサ及び多重エレメントト
ランスデユーサの並列化である。しかしながら、これら
の方法の各々はを、厳密な設計制限（ｒｅｓｔｒｉｃｔ
ｉｏｎｓ）を有しており、限定された帯域幅及び／或い
は中心周波数範囲（ｒａｎｇｅ）にわたってのみ有効と
なる傾向がある。２）最低限、２つの弾性的に結合され
たＳＡＷ （弾性表面波）共振器を含む結合（ｃ ｏ
ｕ ｐ Ｅ ｅ ｄ）共振器フィルタ。それらは基本的
にはモノリシツクな結晶フィルタと等価なものである。
らば、筒車なトランスデユーサ（、ＩＣ双方指向性を有
しており、すなわち、入力パワーの半分ずつは各々は、
２つの反対の方向に送信されている。挿入減衰量（川）
を低くするために種々の方法が設定されている。たとえ
ば、単一指向性トランスデユーサ及び多重エレメントト
ランスデユーサの並列化である。しかしながら、これら
の方法の各々はを、厳密な設計制限（ｒｅｓｔｒｉｃｔ
ｉｏｎｓ）を有しており、限定された帯域幅及び／或い
は中心周波数範囲（ｒａｎｇｅ）にわたってのみ有効と
なる傾向がある。２）最低限、２つの弾性的に結合され
たＳＡＷ （弾性表面波）共振器を含む結合（ｃ ｏ
ｕ ｐ Ｅ ｅ ｄ）共振器フィルタ。それらは基本的
にはモノリシツクな結晶フィルタと等価なものである。
結合（ｃｏｕｐｌｅｄ）帯域幅は個々の共振器の幾何学
的寸法とそれらの分離（ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）によっ
て制御されている。帯域幅は、相対的に狭い幅に限定さ
れており、かつ設計の最適化のためにはいくつかの反復
（ｉｔｅｒａｔｉｏｎｓ）が必要であることが明らかと
なるで あろう。
的寸法とそれらの分離（ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）によっ
て制御されている。帯域幅は、相対的に狭い幅に限定さ
れており、かつ設計の最適化のためにはいくつかの反復
（ｉｔｅｒａｔｉｏｎｓ）が必要であることが明らかと
なるで あろう。
発明の要約
本発明の目的は、全格子型（ｆｕβ７！ｐａｔｔｉｃｅ
）回路構成において５ＡＷ（弾性表面波）型デバイスを
用いる改善されたバンドパスフィルタを提供することで
ある。
）回路構成において５ＡＷ（弾性表面波）型デバイスを
用いる改善されたバンドパスフィルタを提供することで
ある。
基板上の電気的なりロスオーバーを有することなしに、
単一の基板上においてすべてのデバイス及び（接合）結
合をもったモノリシツクなバンドパスフィルタを提供す
ることもまた本発明の目的の１つである。
単一の基板上においてすべてのデバイス及び（接合）結
合をもったモノリシツクなバンドパスフィルタを提供す
ることもまた本発明の目的の１つである。
本発明の一つの局面（ａｓｐｅｃｔ）に従って、バンド
パス（帯域通過）フィルタが提供されている。すなわち
そのバンドパスフィルタは、モノリシツクなピエゾエレ
クトリツク（圧電性）基板と基板上に配列され全格子型
回路構成において結合された第１及び第２のデュアルポ
ートＳＡＷ（弾性表面波）デバイスをその構成要素とし
て含んでいる。フィルタの入力の第１のリード線（ｌ
ｅ ａｄ）は第１及び第２の５ＡＷ（弾性表面波）デバ
イスの第２の入力に結合されており、フィルタの入力の
第２のリード線（Ａ ｅ ａ ｄ）は、第１及び第２の
５ＡＷ（弾性表面波）デバイスの第１の入力に結合され
ている。第１のＳＡＷデバイスの第１の入力は、第２の
ＳＡＷデバイスの第２の出力に、フィルタ出力の第１の
リード線（ｊ２ ｅ ａ ｄ）を形成するべく結合され
ている。第２のＳＡＷデバイスの第１の出力は、第１の
ＳＡＷデバイスの第２の出力に、第２のフィルタ出力を
形成するべく結合されている。
パス（帯域通過）フィルタが提供されている。すなわち
そのバンドパスフィルタは、モノリシツクなピエゾエレ
クトリツク（圧電性）基板と基板上に配列され全格子型
回路構成において結合された第１及び第２のデュアルポ
ートＳＡＷ（弾性表面波）デバイスをその構成要素とし
て含んでいる。フィルタの入力の第１のリード線（ｌ
ｅ ａｄ）は第１及び第２の５ＡＷ（弾性表面波）デバ
イスの第２の入力に結合されており、フィルタの入力の
第２のリード線（Ａ ｅ ａ ｄ）は、第１及び第２の
５ＡＷ（弾性表面波）デバイスの第１の入力に結合され
ている。第１のＳＡＷデバイスの第１の入力は、第２の
ＳＡＷデバイスの第２の出力に、フィルタ出力の第１の
リード線（ｊ２ ｅ ａ ｄ）を形成するべく結合され
ている。第２のＳＡＷデバイスの第１の出力は、第１の
ＳＡＷデバイスの第２の出力に、第２のフィルタ出力を
形成するべく結合されている。
本発明の別な局面に従って、バンドパスフィルタが提供
されている。即ち、そのバンドパスフィルタは、モノリ
シツクなピエゾエレクトリツク（圧電性）基板及び、基
板上に配列され、カスケード型回路構成において結合さ
れた第１及び第２のセット（ｓｅｔ）の素子（ｅ ｅ
ｅｍｅｎ ｔ ｓ）をその構成要素として含んでいる。
されている。即ち、そのバンドパスフィルタは、モノリ
シツクなピエゾエレクトリツク（圧電性）基板及び、基
板上に配列され、カスケード型回路構成において結合さ
れた第１及び第２のセット（ｓｅｔ）の素子（ｅ ｅ
ｅｍｅｎ ｔ ｓ）をその構成要素として含んでいる。
各々のセット（ｓｅｔ）の素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）は
互いに電気的に結合された第１及び第２のデュアルポー
ト５ＡＷ（弾性表面波）デバイスをその構成要素として
含んでいる。第１のセット（ｓｅｔ）の素子（ｅｌｅｍ
ｅｎｔｓ）はフィルタの入力に結合されており、かつ第
２のセット（ｓｅｔ）の素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）に結
合されている。第２のセット（ｓｅｔ）の素子（ｅｌｅ
ｍｅｎｔｓ）はフィルタの出力に結合されている。
互いに電気的に結合された第１及び第２のデュアルポー
ト５ＡＷ（弾性表面波）デバイスをその構成要素として
含んでいる。第１のセット（ｓｅｔ）の素子（ｅｌｅｍ
ｅｎｔｓ）はフィルタの入力に結合されており、かつ第
２のセット（ｓｅｔ）の素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）に結
合されている。第２のセット（ｓｅｔ）の素子（ｅｌｅ
ｍｅｎｔｓ）はフィルタの出力に結合されている。
発明の概要
本発明は、低い挿入損失■と広い帯域幅範囲を有するモ
ノリシツクな格子型弾性表面波（ＳＡＷ）帯域通過フィ
ルタに関する。特に、その帯域通過フィルタはモノリシ
ツクなビゾエレトハリツク（圧電性）基板と、その基板
上に配列され、全（Ｆｕｌｌｌ）格子型回路構成に結合
された２つのデュアルポート弾性表面波（ＳＡＷ）デバ
イスを含んでいる。第２の帯域通過（ｂａｎｄｐａｓｓ
）フィルタ設計において、そのフィルタは、モノリシツ
クな基板と、その基板上において、配列されかつ基板上
における電気的なりロスオーバーが生じないようにカス
ケード型回路構成に結合された２つのセットのデュアル
ポート弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを含んでいる。
ノリシツクな格子型弾性表面波（ＳＡＷ）帯域通過フィ
ルタに関する。特に、その帯域通過フィルタはモノリシ
ツクなビゾエレトハリツク（圧電性）基板と、その基板
上に配列され、全（Ｆｕｌｌｌ）格子型回路構成に結合
された２つのデュアルポート弾性表面波（ＳＡＷ）デバ
イスを含んでいる。第２の帯域通過（ｂａｎｄｐａｓｓ
）フィルタ設計において、そのフィルタは、モノリシツ
クな基板と、その基板上において、配列されかつ基板上
における電気的なりロスオーバーが生じないようにカス
ケード型回路構成に結合された２つのセットのデュアル
ポート弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを含んでいる。
望ましい実施例の詳しい説明
他の、かつさらに別のその利点及び可能性とともに、本
発明をよりよく理解するために、上述の図面と組み合わ
せて、後述の記述及び添付された特許請求の範囲を参照
されるべきである。
発明をよりよく理解するために、上述の図面と組み合わ
せて、後述の記述及び添付された特許請求の範囲を参照
されるべきである。
弾性表面波（ＳＡＷ）共振器はある特定のフィルタにお
いて用いられうるある特定のレベルの共振現象を示すこ
とで知られている。しかしながら、フィルタにおいて用
いられる他の弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスにフィルタ
はほとんど知られていない。弾性表面波（ＳＡＷ）トラ
ンスデューサに関しては、重み付けされない（ｕｎｗｅ
ｉｇｈｔｅｄ）ＳＡＷトランスデューサの等（６的な電
気回路が、基本的には、クラオーツクリスタル（ｑｕａ
ｒｔｚ ｃｒｙｓｔａｌ）の等測的な電気回路と同じ
である。２極（ｔｗｏ ｐｏｋｅ）フィルタはまた結
晶フィルタと同様な類似した方法で設計されうる。提案
されたフィルタにおいて、ＳＡＷデバイスは全（Ｆｕｌ
ｌ）格子型回路における個々の共振器として用いられて
いる。第１図は２つのＺａ素子と２つのｚｂ素子を有す
る。全格子型（ｆｕＡＥ ｆａｔｔｉｃｅ）型回路を
示している。２極フィルタにおいては、４つの共振器が
必要とされるためこのような全格子型回路構成では、む
しろ非効率的なものとなるであろう。しがしながら、２
つの同等のＺａ及び２つの同等のＺｂアームが回路中に
存在するため、一つの共振器を２つの場所において用い
ることが可能である。
いて用いられうるある特定のレベルの共振現象を示すこ
とで知られている。しかしながら、フィルタにおいて用
いられる他の弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスにフィルタ
はほとんど知られていない。弾性表面波（ＳＡＷ）トラ
ンスデューサに関しては、重み付けされない（ｕｎｗｅ
ｉｇｈｔｅｄ）ＳＡＷトランスデューサの等（６的な電
気回路が、基本的には、クラオーツクリスタル（ｑｕａ
ｒｔｚ ｃｒｙｓｔａｌ）の等測的な電気回路と同じ
である。２極（ｔｗｏ ｐｏｋｅ）フィルタはまた結
晶フィルタと同様な類似した方法で設計されうる。提案
されたフィルタにおいて、ＳＡＷデバイスは全（Ｆｕｌ
ｌ）格子型回路における個々の共振器として用いられて
いる。第１図は２つのＺａ素子と２つのｚｂ素子を有す
る。全格子型（ｆｕＡＥ ｆａｔｔｉｃｅ）型回路を
示している。２極フィルタにおいては、４つの共振器が
必要とされるためこのような全格子型回路構成では、む
しろ非効率的なものとなるであろう。しがしながら、２
つの同等のＺａ及び２つの同等のＺｂアームが回路中に
存在するため、一つの共振器を２つの場所において用い
ることが可能である。
このことは、各々の共振器或いはデバイスに対して２つ
の端子（ｔｗｏ ｐｏｒｔｓ）を与えることによって
達成できるであろう。
の端子（ｔｗｏ ｐｏｒｔｓ）を与えることによって
達成できるであろう。
第２図を参照すると、第３図において図示されているよ
うな格子型構成において、或いは、第４図において図示
されているようなカスケード型構成において共振器素子
（ｒｅｓｏｎａｔｏｒ ｅ（ｌ ｅｍｅ ｎ ｔ）と
して用いられうるタイプのデュアルポート弾性表面波（
ＳＡＷ）トランスデューサが図示されている。
うな格子型構成において、或いは、第４図において図示
されているようなカスケード型構成において共振器素子
（ｒｅｓｏｎａｔｏｒ ｅ（ｌ ｅｍｅ ｎ ｔ）と
して用いられうるタイプのデュアルポート弾性表面波（
ＳＡＷ）トランスデューサが図示されている。
第３図を参照するまでもなく、モノリシツクなピエゾエ
レクトリツク （圧電性）基板である基板１１上におい
て配列された（帯域通過）バンドパスフィルタ１０が図
示されている。フィルタ１０は、基板１１上において配
列され、かつ、全格子型回路構成において結合された２
つのデュアルポートＳＡＷデバイス１２及び１４を含ん
でいる。
レクトリツク （圧電性）基板である基板１１上におい
て配列された（帯域通過）バンドパスフィルタ１０が図
示されている。フィルタ１０は、基板１１上において配
列され、かつ、全格子型回路構成において結合された２
つのデュアルポートＳＡＷデバイス１２及び１４を含ん
でいる。
フィルタ１０の入力（端子）１６の第１のリード線はデ
バイス１２及びデバイス１４のＡ′として示された第２
の入力（端子）に結合されている。フィルタ１０の入力
１６の第２のリード線はデバイス１２及び１４のＡとし
て示された第１の入力に結合されている。Ｂとして示さ
れたデバイス１２の第１の出力はＢｏとして示されたデ
バイス１４の第２の出力に、フィルタ出力１８の第１の
リード線を形成するために結合されている。Ｂとして示
されたデバイス１４の第１の出力は、フィルタ出力１８
の第２のリード線を形成するために、Ｂ’＆して示され
るデバイス１２の第２の出力に結合されている。
バイス１２及びデバイス１４のＡ′として示された第２
の入力（端子）に結合されている。フィルタ１０の入力
１６の第２のリード線はデバイス１２及び１４のＡとし
て示された第１の入力に結合されている。Ｂとして示さ
れたデバイス１２の第１の出力はＢｏとして示されたデ
バイス１４の第２の出力に、フィルタ出力１８の第１の
リード線を形成するために結合されている。Ｂとして示
されたデバイス１４の第１の出力は、フィルタ出力１８
の第２のリード線を形成するために、Ｂ’＆して示され
るデバイス１２の第２の出力に結合されている。
第３図において図示されているように、回路内における
素子としてデュアルポートの弾性表面波（ＳＡＷ）デバ
イスを用いる格子型構成は、フィルタ内における必要な
素子の数を減少し、かつフィルタの全体的な大きさ（ｓ
ｉ ｚ ｅ）を減少することになる。例えば、デバイ
ス１２としてのデュアルポートデバイスは、第１図にお
いて図示された２つのＺａ素子に対して置換可能である
。１穫（ｏｎｅ ｐｏｆｅ）フィルタとして、デバイ
ス１２は、２端子（ｔｗｏ ｐｏｒｔ）弾性表面波（
ＳＡＷ）デバイスとなるであろうし、かつデバイス１４
は、２つのキャパシタから構成されているであろう。２
極フィルタにおいては、デバイス１２及び１４はデュア
ルポート５ＡＷＩ−ランスデューサか或いはデュアルポ
ートＳＡＷ共振器を構成要素として含むであろう。デバ
イス１２或いは１４或いは両方に対して、複数のＳＡＷ
デバイスを並列に結合することによってこのフィルタに
おける極数を増加させることができる。例えば、４極帯
域通過（バンドパス）フィルタは、デバイス１２に対し
て並列に結合された２つのデュアルポート弾性表面波（
ＳＡＷ）トランスデューサ及び、デバイス１４に対して
並列に結合された２つのデュアルポート弾性表面波（Ｓ
ＡＷ）トランスデューサから構成されるように設計でき
るであろう。
素子としてデュアルポートの弾性表面波（ＳＡＷ）デバ
イスを用いる格子型構成は、フィルタ内における必要な
素子の数を減少し、かつフィルタの全体的な大きさ（ｓ
ｉ ｚ ｅ）を減少することになる。例えば、デバイ
ス１２としてのデュアルポートデバイスは、第１図にお
いて図示された２つのＺａ素子に対して置換可能である
。１穫（ｏｎｅ ｐｏｆｅ）フィルタとして、デバイ
ス１２は、２端子（ｔｗｏ ｐｏｒｔ）弾性表面波（
ＳＡＷ）デバイスとなるであろうし、かつデバイス１４
は、２つのキャパシタから構成されているであろう。２
極フィルタにおいては、デバイス１２及び１４はデュア
ルポート５ＡＷＩ−ランスデューサか或いはデュアルポ
ートＳＡＷ共振器を構成要素として含むであろう。デバ
イス１２或いは１４或いは両方に対して、複数のＳＡＷ
デバイスを並列に結合することによってこのフィルタに
おける極数を増加させることができる。例えば、４極帯
域通過（バンドパス）フィルタは、デバイス１２に対し
て並列に結合された２つのデュアルポート弾性表面波（
ＳＡＷ）トランスデューサ及び、デバイス１４に対して
並列に結合された２つのデュアルポート弾性表面波（Ｓ
ＡＷ）トランスデューサから構成されるように設計でき
るであろう。
フィルタ１ｏを他の部品（コンポーネント）とインター
フェイス結合するために、入力１６及び出力１８は外部
的なプッシュブル回路或いは外部的なトランス回路（ｔ
ｒａｎｓ ｆｏｒｍｅｒ ｃｉｒｃｕｉｔ）に結合
されうるであろう。
フェイス結合するために、入力１６及び出力１８は外部
的なプッシュブル回路或いは外部的なトランス回路（ｔ
ｒａｎｓ ｆｏｒｍｅｒ ｃｉｒｃｕｉｔ）に結合
されうるであろう。
本発明の教示する所をさらに拡張して述べると、基板上
において電気的なりロスオーバーのない、モノリシツク
なＳＡＷフィルタデバイスが提供されている。電気的な
りロスオーバーのないというこの特徴は、より高い周波
数において重要性を増し、かつ（第４図において図示さ
れるような）４極フィルタにおいて与えられている。第
４図において、モノリシツクなピエゾエレクトリツク
（圧電性）基板から構成された基板３１上において形成
されているバンドパス（帯域通過）フィルタ３０が図示
されている。フィルタ３０は、さらに、基板３１上にお
いて配列された第１及び第２のセットの素子から構成さ
れており、かつカスケード型回路構成において結合され
ている。各々のセットの素子は電気的に互いに結合され
ている２つのデュアルポート弾性表面波（ＳＡＷ）デバ
イスから構成されている。２つのデュアルポートＳＡＷ
デバイス３２及び３４から構成される第１のセットの素
子は、フィルタ３０の入力４０に結合されていて、かつ
、第２のセットの素子に結合されている。第２のセット
の素子は、２つのデュアルポートＳＡＷデバイス３６及
び３８から構成されているが、フィルタ３０の出力４２
に結合されている。もしもより高い周波数に対して、非
常に多くの数の極数を持ったフィルタが必要とされる場
合には基板３１上において配列されかつ、カスケード型
回路構成において結合された複数のセットのデュアルポ
ートＳ Ａ Ｗデバイスをフィルタ３０は含むことにな
るであろう。最大帯域幅よりも低い周波数におけるフィ
ルタに対して例えばキャパシタ４４のようないくつかの
キャパシタンスが中央の（ｃｅｎｔｅｒ）接合において
必要とされるであろう。これは基板上において付加的な
電極によって供給されうるであろう。フィルタ３０の入
力及び出力端子接ｇ （ｔｅｒｍｉｎａ ｔ ｉ ｏｎ
ｓ）は共通の接地点を持つ必要はなく、従って、結合ト
ランス（ｃｏｕｐ７！ｉｎｇ ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅ
ｒ ｓ） 少なくともワンボート（Ｏｎｅ ｐｏｒ
ｔ）であることが必要とされるであろう。
において電気的なりロスオーバーのない、モノリシツク
なＳＡＷフィルタデバイスが提供されている。電気的な
りロスオーバーのないというこの特徴は、より高い周波
数において重要性を増し、かつ（第４図において図示さ
れるような）４極フィルタにおいて与えられている。第
４図において、モノリシツクなピエゾエレクトリツク
（圧電性）基板から構成された基板３１上において形成
されているバンドパス（帯域通過）フィルタ３０が図示
されている。フィルタ３０は、さらに、基板３１上にお
いて配列された第１及び第２のセットの素子から構成さ
れており、かつカスケード型回路構成において結合され
ている。各々のセットの素子は電気的に互いに結合され
ている２つのデュアルポート弾性表面波（ＳＡＷ）デバ
イスから構成されている。２つのデュアルポートＳＡＷ
デバイス３２及び３４から構成される第１のセットの素
子は、フィルタ３０の入力４０に結合されていて、かつ
、第２のセットの素子に結合されている。第２のセット
の素子は、２つのデュアルポートＳＡＷデバイス３６及
び３８から構成されているが、フィルタ３０の出力４２
に結合されている。もしもより高い周波数に対して、非
常に多くの数の極数を持ったフィルタが必要とされる場
合には基板３１上において配列されかつ、カスケード型
回路構成において結合された複数のセットのデュアルポ
ートＳ Ａ Ｗデバイスをフィルタ３０は含むことにな
るであろう。最大帯域幅よりも低い周波数におけるフィ
ルタに対して例えばキャパシタ４４のようないくつかの
キャパシタンスが中央の（ｃｅｎｔｅｒ）接合において
必要とされるであろう。これは基板上において付加的な
電極によって供給されうるであろう。フィルタ３０の入
力及び出力端子接ｇ （ｔｅｒｍｉｎａ ｔ ｉ ｏｎ
ｓ）は共通の接地点を持つ必要はなく、従って、結合ト
ランス（ｃｏｕｐ７！ｉｎｇ ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅ
ｒ ｓ） 少なくともワンボート（Ｏｎｅ ｐｏｒ
ｔ）であることが必要とされるであろう。
さらに第４図を参照すると、デバイス３２及び３４の出
力は互いに結合されていて、かつデバイス３６および３
８の出力もまた互いに結合されている。その２つのセッ
トの素子は、デバイス３４の１つの入力とデバイス３８
の１つの入力を互いに結合することによって、かつ、第
４図において図示されたように、デバイス３２．３４．
３６及び３８の出力を結合することによって、互いに電
気的に結合されている。４極フィルタに対して、第４図
におけるＳＡＷデバイスはデュアルポートの５ＡＷＩ−
ランスデューサか或いはデュアルポートのＳＡＷ共振器
をその構成要素として含むかもしれない。より高いオー
ダー（次元）のフィルタ設計に対しては、デュアルポー
トＳＡＷデバイスは並列に結合された複数のデュアルポ
ートのＳＡＷトランスデユーサをその構成要素として含
むかもしれない。
力は互いに結合されていて、かつデバイス３６および３
８の出力もまた互いに結合されている。その２つのセッ
トの素子は、デバイス３４の１つの入力とデバイス３８
の１つの入力を互いに結合することによって、かつ、第
４図において図示されたように、デバイス３２．３４．
３６及び３８の出力を結合することによって、互いに電
気的に結合されている。４極フィルタに対して、第４図
におけるＳＡＷデバイスはデュアルポートの５ＡＷＩ−
ランスデューサか或いはデュアルポートのＳＡＷ共振器
をその構成要素として含むかもしれない。より高いオー
ダー（次元）のフィルタ設計に対しては、デュアルポー
トＳＡＷデバイスは並列に結合された複数のデュアルポ
ートのＳＡＷトランスデユーサをその構成要素として含
むかもしれない。
重み付けされない（ｕｎｗｅｉｇｈｔｅｄ）ＳＡＷＩ−
ランスデューサを用いることに対しては、いくつかの問
題点が存在する。トランスデユーサのりアクタンスは相
対的に線型的に周波数とともに増加する。しかしながら
、等測的な抵抗分（ｅｒｅｓ ｉｓ ｔａｎｃｅ）は、
周波数の関数として、ゼロと上限値との間をサイクル的
に変化している。
ランスデューサを用いることに対しては、いくつかの問
題点が存在する。トランスデユーサのりアクタンスは相
対的に線型的に周波数とともに増加する。しかしながら
、等測的な抵抗分（ｅｒｅｓ ｉｓ ｔａｎｃｅ）は、
周波数の関数として、ゼロと上限値との間をサイクル的
に変化している。
その特性はフィルタ周波数応答において、リップルを生
ずることになる。この問題を図示するために、ゼロ（０
）ｄＢ或いはバターワース（Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈ）
設計が用いられており、従って、すべてのバスバンド（
通過帯域）リップルはトランスデユーサの変動によって
起因して生じている。２つのトランスデユーサの相対的
な周波数をわずかにシフトすることによって、通過帯域
（バスバンド）リップルを減少させることができるとい
うことが見出されてきた。
ずることになる。この問題を図示するために、ゼロ（０
）ｄＢ或いはバターワース（Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈ）
設計が用いられており、従って、すべてのバスバンド（
通過帯域）リップルはトランスデユーサの変動によって
起因して生じている。２つのトランスデユーサの相対的
な周波数をわずかにシフトすることによって、通過帯域
（バスバンド）リップルを減少させることができるとい
うことが見出されてきた。
この応答（レスポンス）は、第４図において、５００本
のフィンガ一対のＳＡＷトランスデユーサを用いる２極
（ｔｗｏ ｐｏｆｅ）格子型フィルタに対して示され
ている。１０００本のフィンガ一対のトランスデユーサ
を用いるフィルタにおいては、バスバンドリップルは実
質的に減少している。リチウムタンタルオキサイド（Ｌ
ｉＴａＯ：＋）上の１０００本のフィンガ一対トランス
デユーサを用いる４極カスケード型格子フィルタにおい
て、通過帯域（バスバンド）リップルは減少していた。
のフィンガ一対のＳＡＷトランスデユーサを用いる２極
（ｔｗｏ ｐｏｆｅ）格子型フィルタに対して示され
ている。１０００本のフィンガ一対のトランスデユーサ
を用いるフィルタにおいては、バスバンドリップルは実
質的に減少している。リチウムタンタルオキサイド（Ｌ
ｉＴａＯ：＋）上の１０００本のフィンガ一対トランス
デユーサを用いる４極カスケード型格子フィルタにおい
て、通過帯域（バスバンド）リップルは減少していた。
このような４極フィルタの設計において、２つの同等な
セクション（ｓｅｃｔｉｏｎｓ）、カスケード接続され
かつ２つのセクション（ｓｅｃｔｉｏｎ）の周波数をわ
ずかにくい違いに（Ｓｔａｇｇｅｒｉｎｇ）することに
よって、バスバンド（通過帯域）リップルはもつとも小
さ（することができる。
セクション（ｓｅｃｔｉｏｎｓ）、カスケード接続され
かつ２つのセクション（ｓｅｃｔｉｏｎ）の周波数をわ
ずかにくい違いに（Ｓｔａｇｇｅｒｉｎｇ）することに
よって、バスバンド（通過帯域）リップルはもつとも小
さ（することができる。
本発明の１つの実施例において、モノリシツクなＳＡＷ
フィルタは、次のパラメータとともに設計されていた。
フィルタは、次のパラメータとともに設計されていた。
すなわち、中心周波数１００ＭＨ２及び３ｄＢ帯域幅約
２ＭＨｚを存する２極バターワースフィルタ（ｔｗｏ
ｐｏｊｌ’ｅ Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈ ｆ １
ｆｆｔｅｒ）である。第２図において図示されたタイプ
のデュアルポートＳＡＷトランスデユーサが用いられて
いて、かつそれは、３６６回転されたＹカット（Ｙ
ｃｕｔ）を有するＬｉＴａＯ３基板上において製造され
ていた。１つのトランスデユーサ当り５００本フィンガ
一対が用いられ、各々のトランスデユーサは約６４０μ
ｍの開口寸法（ａｐｅｒａｔｕｒｅ）を有していた。Ｚ
ａトランスデユーサ（すなわちデバイス１２）の同期周
波数は約９８．９８ Ｍ Ｈｚであり、Ｚｂトランスデ
ューサ（すなわちデバイス１４）の同期周波数は約１０
０．２８ＭＨｚであった。端子間抵抗（ｔ ｅ ｒｍｉ
ｎａ ｔ ｉｎｇｒｅｓ ｉｓ ｔａｎｃｅ）は約１０
Ωであった。トランスデユーサは、スミス（Ｓｍｉｔｈ
）らによって、“、 ０ モー゛ルを いることによる
すだ−２−ンスー゛ユーサの”（Ａｎａｉ’ｓｉｓ
ｏｆ Ｉｎｔｅｒｄｉ ｉ １ｔａｆｆ
ＥＥ Ｔｒａｎｓ、ｏｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
Ｔｈｅｏｒｙ ＆ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ
Ｖ。
２ＭＨｚを存する２極バターワースフィルタ（ｔｗｏ
ｐｏｊｌ’ｅ Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈ ｆ １
ｆｆｔｅｒ）である。第２図において図示されたタイプ
のデュアルポートＳＡＷトランスデユーサが用いられて
いて、かつそれは、３６６回転されたＹカット（Ｙ
ｃｕｔ）を有するＬｉＴａＯ３基板上において製造され
ていた。１つのトランスデユーサ当り５００本フィンガ
一対が用いられ、各々のトランスデユーサは約６４０μ
ｍの開口寸法（ａｐｅｒａｔｕｒｅ）を有していた。Ｚ
ａトランスデユーサ（すなわちデバイス１２）の同期周
波数は約９８．９８ Ｍ Ｈｚであり、Ｚｂトランスデ
ューサ（すなわちデバイス１４）の同期周波数は約１０
０．２８ＭＨｚであった。端子間抵抗（ｔ ｅ ｒｍｉ
ｎａ ｔ ｉｎｇｒｅｓ ｉｓ ｔａｎｃｅ）は約１０
Ωであった。トランスデユーサは、スミス（Ｓｍｉｔｈ
）らによって、“、 ０ モー゛ルを いることによる
すだ−２−ンスー゛ユーサの”（Ａｎａｉ’ｓｉｓ
ｏｆ Ｉｎｔｅｒｄｉ ｉ １ｔａｆｆ
ＥＥ Ｔｒａｎｓ、ｏｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
Ｔｈｅｏｒｙ ＆ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ
Ｖ。
Ｎ、ＭＴＴ−１７、Ｎｏ、 １１．、Ｎｏｖ、 １
９６９、において提案されたような“クロスフィールド
” （“ｃｒｏｓｓ−ｆ １ｅｌｄ″）モデルを用いる
ことによって特徴づけられる。
９６９、において提案されたような“クロスフィールド
” （“ｃｒｏｓｓ−ｆ １ｅｌｄ″）モデルを用いる
ことによって特徴づけられる。
従って、非常に低い挿入減衰量（損）を有する、改善さ
れたモノリシツクな弾性表面波型（ＳＡＷ）帯域通過（
バンドパス）フィルタについて示され、記述されてきた
。このような設計とともに、多１ｉ （ｍｕｊ！ｔ ｉ
ｐＩ！ｅ−ｐｏｋｅ）フィルタが広い帯域幅の範囲にわ
たって構成されることができる。このような設計はまた
、フィルタにおいて必要とされる素子の数を最小化し、
かつ基板上において電気的なりロスオーバーのないモノ
リシツクなデバイスを提供することになる。このような
特徴はより高い周波数において重要性を増すことが可能
となるであろう。この特別の設計による簡単化（ｓｉｍ
ｐｌｉｃｉｔｙ）及びコンパクトさ（ｃｏｍｐａｃｔｎ
ｅｓｓ）は、セル方式の電話や市外無線電話（ｔｒｕｎ
ｋｅｄ ｒａｄｉｏｓ）に対するフィルタにとって新
しいものである。
れたモノリシツクな弾性表面波型（ＳＡＷ）帯域通過（
バンドパス）フィルタについて示され、記述されてきた
。このような設計とともに、多１ｉ （ｍｕｊ！ｔ ｉ
ｐＩ！ｅ−ｐｏｋｅ）フィルタが広い帯域幅の範囲にわ
たって構成されることができる。このような設計はまた
、フィルタにおいて必要とされる素子の数を最小化し、
かつ基板上において電気的なりロスオーバーのないモノ
リシツクなデバイスを提供することになる。このような
特徴はより高い周波数において重要性を増すことが可能
となるであろう。この特別の設計による簡単化（ｓｉｍ
ｐｌｉｃｉｔｙ）及びコンパクトさ（ｃｏｍｐａｃｔｎ
ｅｓｓ）は、セル方式の電話や市外無線電話（ｔｒｕｎ
ｋｅｄ ｒａｄｉｏｓ）に対するフィルタにとって新
しいものである。
本発明の望ましい実施例として今日考えられているもの
について示され、かつ記述されてきたが、添付された特
許請求の範囲によって定義されたような本発明の範囲か
ら逸脱することなしに、種々な変化及び変更がなされる
ことが可能であるのは、５業技術者にとっては当然のこ
とであろう。
について示され、かつ記述されてきたが、添付された特
許請求の範囲によって定義されたような本発明の範囲か
ら逸脱することなしに、種々な変化及び変更がなされる
ことが可能であるのは、５業技術者にとっては当然のこ
とであろう。
第１図は、素子Ｚａ及びｚｂを用いる格子型回路を図示
している。 第２図は、デュアルポートＳＡＷ （弾性表面波）トラ
ンスデユーサを図示している。 第３図は、本発明の教示する所に従って設計された２つ
のデュアルポートＳＡＷデバイスを有する格子型回路を
示している。 第４図は、本発明の教示する所に従う、デュアルポート
デバイスを用いる。４極（ｆｏｕｒ ｐｏｄｅ）カス
ケード（ｃａｓｃａｄｅｄ）フィルタを図示している。 第５図は、本発明の教示する所に従う、２極（ｔｗｏ
ｐｏｆｆｅ）格子型フィルタに対する周波数応答（レ
スポンス）を図示している。 第３図において、 １０はバンドパスフィルタ １１は圧電性基板 １２．１４はデュアルポートＳＡＷデバイス１６は入力 １８は出力 Ａ、 Ａ’は入力 Ｂ、Ｂ’は出力 第４図において、 ３０はバンドパスフィルタ ３１は基板 ３２．３４，３６．３８はデュアルポートＳＡＷデバイ
ス ４０は入力 ４２は出力 ４４はキャパシタンス 特許出願人 モトローラ・インコーボレーテッド代理人
弁理士 玉 蟲 久 五 部
している。 第２図は、デュアルポートＳＡＷ （弾性表面波）トラ
ンスデユーサを図示している。 第３図は、本発明の教示する所に従って設計された２つ
のデュアルポートＳＡＷデバイスを有する格子型回路を
示している。 第４図は、本発明の教示する所に従う、デュアルポート
デバイスを用いる。４極（ｆｏｕｒ ｐｏｄｅ）カス
ケード（ｃａｓｃａｄｅｄ）フィルタを図示している。 第５図は、本発明の教示する所に従う、２極（ｔｗｏ
ｐｏｆｆｅ）格子型フィルタに対する周波数応答（レ
スポンス）を図示している。 第３図において、 １０はバンドパスフィルタ １１は圧電性基板 １２．１４はデュアルポートＳＡＷデバイス１６は入力 １８は出力 Ａ、 Ａ’は入力 Ｂ、Ｂ’は出力 第４図において、 ３０はバンドパスフィルタ ３１は基板 ３２．３４，３６．３８はデュアルポートＳＡＷデバイ
ス ４０は入力 ４２は出力 ４４はキャパシタンス 特許出願人 モトローラ・インコーボレーテッド代理人
弁理士 玉 蟲 久 五 部
Claims (17)
- １．モノリシックなビエゾエレクトリツク基板と、前
記基板上に配列され、かつ全格子型回路構成に結合され
た第１及び第２デュアルポートＳＡＷデバイスを具備し
、前記フィルタの入力の第１のリード線は、前記第１及
び第２のＳＡＷデバイスの第２の入力に結合され、前記
フィルタの入力の第２のリード線は、前記第１および第
２のデバイスの第１の入力に結合され、前記第１のデバ
イスの第１のデバイスの第１の出力は、前記第２のデバ
イスの第２の出力へ結合され、フィルタ出力の第１のリ
ード線（ｌｅａｄ）を形成し、かつ前記第２のデバイス
の第１の出力は、前記第１のデバイスの第２の出力へ結
合され、フィルタ出力の第２のリード線（ｌｅａｄ）を
形成する如く構成された帯域通過フィルタ。 - ２．前記デュアルポートＳＡＷデバイスは、デュアル
ポートＳＡＷトランスデューサから構成されている、特
許請求の範囲第１項記載の帯域通過フィルタ。 - ３．前記デュアルポートＳＡＷデバイスは、デュアル
ポートＳＡＷ共振器から構成されている、特許請求の範
囲第１項記載の帯域通過フィルタ。 - ４．前記第１のデュアルポートＳＡＷデバイスは、並
列に結合された２つのデュアルポート弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）トランスデューサによつて構成されている、特許請
求の範囲第１項記載の帯域通過フィルタ。 - ５．前記第１の弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスは、並
列に結合された複数のデュアルポート弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）トランスデューサから構成され、かつ前記第２の弾
性表面波（ＳＡＷ）デバイスが並列に結合された複数の
デュアルポート弾性表面波（ＳＡＷ）トランスデューサ
から構成されている、特許請求の範囲第１項に記載の帯
域通過フィルタ。 - ６．前記第２のデュアルポートＳＡＷデバイスは、２つ
のキャパシタから構成されている、特許請求の範囲第２
項に記載の帯域通過フィルタ。 - ７．前記フィルタの入力及び出力は、外部のプッシュブ
ル回路に結合されている、特許請求の範囲第１項記載の
帯域通過フィルタ。 - ８．前記フィルタは、バスバンド（通過帯域）リップル
を最小化するための周波数をシフトさせた４極フィルタ
である、特許請求の範囲第４項記載の帯域通過フィルタ
。 - ９．モノリシックなピエゾエレクトリツク（圧電性）基
板と、前記基板上において配列されかつカスケード回路
構成に結合され、前記素子の各セットの各々は、電気的
に互いに結合された第１及び第２のデュアルポートの弾
性表面波（ＳＡＷ）デバイスから構成され、前記第１の
セットの素子は前記フィルタの入力に結合され、かつ前
記第２のセットの素子に結合され、前記第２のセットの
素子は前記フィルタの出力に結合されている第１、第２
セットの素子、を具える帯域通過フィルタ。 - １０．各々、前記第１及び第２のセットの素子の前記第
１及び第２の弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスの出力は、
互いに結合されていて、かつ、前記第１及び第２のセッ
トの素子は、各々の前記第２の弾性表面波（ＳＡＷ）デ
バイスの１つの入力を結合することによつて、しかも前
記弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスの出力を結合すること
によつて電気的に結合されている、特許請求の範囲第９
項記載の帯域通過フィルタ。 - １１．前記フィルタが、前記基板上に配列されかつカス
ゲート型回路構成に結合された複数のセットのデュアル
ポート弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを含んでいる、特
許請求の範囲第１０項記載の帯域通過フィルタ。 - １２．前記デュアルポート弾性表面波（ＳＡＷ）デバイ
スは、デュアルポート弾性表面波（ＳＡＷ）トランスデ
ューサから構成されている、特許請求の範囲第１０項に
記載の帯域通過フィルタ。 - １３．前記デュアルポート弾性表面波（ＳＡＷ）デバイ
スデュアルポート弾性表面波（ＳＡＷ）共振器から構成
されている、特許請求の範囲第１０項に記載の帯域通過
フィルタ。 - １４．前記第１のデュアルポート弾性表面波（ＳＡＷ）
デバイスは、並列に結合された２つのデュアルポート弾
性表面波（ＳＡＷ）トランスデューサから構成されてい
る、特許請求の範囲第１０項記載の帯域通過（バンドパ
ス）フィルタ。 - １５．前記第１の弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスは、並
列に結合された複数のデュアルポート弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）トランスデューサから構成され、かつ前記第２の弾
性表面波（ＳＡＷ）デバイスが並列された複数のデュア
ルポート弾性表面波（ＳＡＷ）トランスデューサから構
成されている、特許請求の範囲第１０項記載の帯域通過
フィルタ。 - １６．前記カスケード接続された第１及び第２のセット
の素子の間にキヤパシテイブな（容量性の）素子が含ま
れている、特許請求の範囲第１０項に記載の帯域通過フ
ィルタ。 - １７．前記フィルタは前記２つのセットの素子において
、通過帯域リップルを最小化するためにシフトされた周
波数を有する４極フィルタである、特許請求の範囲第１
４項記載の帯域通過フィルタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/139,419 US4785270A (en) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | Monolithic lattice saw filter |
| US139,419 | 1987-12-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208010A true JPH01208010A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=22486562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63330749A Pending JPH01208010A (ja) | 1987-12-30 | 1988-12-27 | モノリシツクな格子型弾性表面波フイルタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4785270A (ja) |
| EP (1) | EP0322622A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01208010A (ja) |
| CA (1) | CA1289206C (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093638A (en) * | 1990-11-05 | 1992-03-03 | Motorola, Inc. | Unbalanced saw filter |
| USRE40036E1 (en) | 1991-10-28 | 2008-01-29 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter |
| JP2800905B2 (ja) | 1991-10-28 | 1998-09-21 | 富士通株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| US5305109A (en) * | 1992-09-08 | 1994-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Parallel untuned video if amplifiers supplied signals from TV 1st detector via respective input filters |
| DE69323163T2 (de) * | 1992-12-01 | 1999-06-02 | Japan Radio Co Ltd | Akustischer Oberflächenwellenfilter und mobiles Kommunikationssystem mit solchem Filter |
| GB2280807B (en) * | 1993-08-04 | 1997-10-22 | Advanced Saw Prod Sa | Saw filter |
| GB2280806B (en) * | 1993-08-04 | 1997-10-08 | Advanced Saw Prod Sa | Saw filter |
| US5847626A (en) * | 1994-02-22 | 1998-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Balanced-type surface acoustic wave lattice filter |
| EP0668655B1 (en) * | 1994-02-22 | 2000-05-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Balanced-type surface acoustic wave filter |
| JP3244386B2 (ja) * | 1994-08-23 | 2002-01-07 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
| GB2296614B (en) * | 1994-12-23 | 1999-09-15 | Advanced Saw Prod Sa | Saw filter |
| US6023122A (en) * | 1999-04-15 | 2000-02-08 | Nortel Networks Corporation | Surface wave devices with tapered transducers |
| DE10007178A1 (de) * | 2000-02-17 | 2001-08-23 | Epcos Ag | Oberflächenwellenfilter mit Reaktanzelementen |
| FR2821997B1 (fr) * | 2001-03-06 | 2003-05-30 | Thomson Csf | Filtre a ondes acoustiques de surface |
| DE10163462A1 (de) * | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Epcos Ag | Symmetrisch arbeitendes Reaktanzfilter |
| US7498883B2 (en) * | 2005-10-07 | 2009-03-03 | University Of Rochester | Distributed amplifier with built-in filtering functions |
| DE102007028291B4 (de) * | 2007-06-20 | 2013-04-25 | Epcos Ag | Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Transversalfilter |
| JP2014504827A (ja) * | 2011-01-24 | 2014-02-24 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 表面音響波フィルタ |
| US9787415B2 (en) * | 2013-03-14 | 2017-10-10 | Analog Devices, Inc. | Transmitter LO leakage calibration scheme using loopback circuitry |
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