JP2005347390A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体チップ間の伝熱を効果的に遮断あるいは抑制することにより、半導体装置を正常かつ安定に動作させる。
【解決手段】配線基板１上に第１の半導体チップ２を配置し、第１の半導体チップ２上に第２の半導体チップ３を配置し、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３との間に空洞１２を有する支柱４を配置し、支柱４の空洞１２によって伝熱方向を制御する。
【選択図】 図１

Description

本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に半導体チップが動作時に発生する熱による半導体装置の誤動作を低減する方法に関する。

近年、半導体集積回路装置の高集積化、高機能化及び高速化に伴って、１つのパッケージ内に複数の半導体チップを積層することで、高集積化、高機能化及び高速化を実現する技術が提案されている。

しかしながら、半導体チップを積層する場合、複数の半導体チップを高集積にパッケージ化しているために、パッケージ内の半導体チップの搭載数が多い分だけ、半導体装置全体の発熱量が多くなる傾向が強く、半導体チップから発せられた熱を、半導体装置の外部へ効率良く逃がすことができない。そのため、このことが原因となって電子回路の誤動作あるいは機能破壊を引き起こす。

そこで、熱伝導率の高い物質を利用して半導体チップに発生する熱を効率よくパッケージの外部に放散させる構成が提案されている。

しかしながら、１つのパッケージ内に複数の半導体チップを積層した場合、半導体チップを形成する金属シリコンの熱伝導率が高いため、上記放熱構成を備えていたとしても、上層または下層の半導体チップが動作した際に発生した熱が他方の半導体チップへ伝熱し、その結果、半導体チップは、自らが動作する際に発生する熱に加えて他方の半導体チップが発生する熱の影響をも受けてしまう。

半導体チップの温度は、このような理由により正常動作可能な温度を超え、誤動作あるいは機能破壊を引き起こす可能性がある。

そこで、積層した半導体チップ間に存在するもの、例えば電気絶縁性基板の熱伝導率を低くすることにより、積層した半導体チップ間の熱干渉を小さくする技術が提案されている。（特許文献１参照）
特開２００２−２１７３５５号公報。

しかしながら、半導体チップの高集積化、高速化が進み、積層した半導体チップ間に存在するもの、例えば電気絶縁性基板の熱伝導率を低くするだけでは効率的に熱干渉を制御することが難しくなってきている。

そこで、半導体チップを積層した場合に、上層の半導体チップが下層の半導体チップで発生した熱の影響を受ける、また逆に、下層の半導体チップが上層の半導体チップで発生した熱の影響を受けることによる誤動作あるいは機能破壊を引き起こすことがないように、効率の良い断熱構造により半導体チップの伝熱方向を制御し、半導体チップを長期間にわたり正常かつ安定に動作させることができる小型・高信頼性の半導体装置を提供することを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明に係る半導体装置は、半導体チップが発生する熱を他方の半導体チップへ伝播させないための伝熱方向を制御する構造を備えた半導体装置を提供する。具体的には、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間に断熱効果を持つ構造（空洞を有する支柱）を設けることにより、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間を効果的に断熱して、伝熱方向を制御する。

本発明に係る半導体装置は、第１の半導体チップと第２の半導体チップのどちらか一方が動作する際に発生した熱が、他方に伝熱することを効果的に遮断あるいは抑制することができる。そのため、両半導体チップともに、他方の半導体チップの熱の影響を受けない。その結果、両半導体チップとも、正常動作可能な温度を超えることがなくなる。これにより、誤動作あるいは機能破壊を起こさず、長期間にわたり正常かつ安定に動作する半導体装置を得ることができる。

以下、本発明の半導体装置およびその製造方法の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図であり、図２は、第１の実施形態に係わる半導体装置を上から見て示す模式図である。

本実施形態の半導体装置は、配線基板１と、第１の半導体チップ２と、第２の半導体チップ３とを備える。具体的には、半導体装置は、図１と図２に示すように、配線基板１に、第１の半導体チップ２がその回路形成面（外部接続電極形成面）を対向させて搭載され、第１の半導体チップ２のパッド電極（外部接続電極）５ａと、配線基板１の基板接続電極（外部接続電極）６とがバンプ８等を介して電気接続される。これにより、第１の半導体チップ２は、配線基板１にフリップチップ実装される。

この状態で、基板とチップとの隙間に充填されたチップ固定用樹脂９により配線基板１と第１の半導体チップ２とは接着固定されており、基板とチップとの間の隙間はチップ固定用樹脂９により封止される。チップ固定用樹脂９は、エポキシ樹脂等から構成され、含有される他の成分の材質や含有量を制御することで、熱伝導率が調整される。

第１の半導体チップ２の上面に、第２の半導体チップ３が積層配置される。第２の半導体チップ３は、第１の半導体チップ２と同じかそれより若干小さい平面上の大きさ（平面サイズ）を有する。第２の半導体チップ３は、支柱４を介在させて、第１の半導体チップ２上に配置される。第２の半導体チップ３は、回路形成面（外部接続電極形成面）を上にして、その裏面を配線基板１に対向させた状態で第１の半導体チップ２上に搭載される。

支柱４はその内部に空洞１２を有する。本実施形態では、支柱４は、全周を囲む矩形の枠４ａと、その対角それぞれを連結する平面視X字状の内壁４ｂとを備えており、枠４ａと内壁４ｂとの間に空洞１２が形成される。空洞１２は支柱４の高さ方向（両半導体チップの対向方向）に沿って貫通して形成される。空洞１２は第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３との間の断熱を確保するために形成される。支柱４の高さ寸法は十分なる前記断熱性能を発揮できる容量を有する空洞１２が形成される寸法に設定される。このような支柱４の高さ寸法の一例としては１００μｍ程度を挙げることができる。この寸法は、空洞１２を真空状態にした場合における最適な寸法の一例である。支柱４は上記したように、空洞１２により断熱性能を発揮するものであるため、その材質は断熱性能の高いものが要求される。好適には、具体的には例えば、セラミックガラスやアクリル系の樹脂が用いられる。

なお、支柱４の形状は、全周を囲む枠状でなくともよく、その周形状の一部が欠けていてもよい。要は、内部に空洞１２が形成される形状であればよい。支柱４は、断熱性能の高い接着剤１３（図示省略）により、第１の半導体チップ２の天面もしくは第２の半導体チップ３の下面に載置固定される。このとき、支柱４は次の向きに配置される。すなわち、第１の半導体チップ２の上部、もしくは第２の半導体チップ３の下部に空洞１２が配置され、空洞１２を介して第１、第２の半導体チップ２、３の表面が露出する向きに支柱４は配置される。なお、支柱４は、第１の半導体チップ２または第２の半導体チップ３に一体に成形されていてもよい。

第２の半導体チップ３は、回路形成面（外部接続電極形成面）の裏面を第１の半導体チップ２に対向させた向きに載置されているため、第２の半導体チップ３のパッド電極（外部接続電極）５ｂは、配線基板１の基板接続電極６にボンディングワイヤ７を介して電気接続される。このようにして第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３とが実装された配線基板１の基板実装面が封止用樹脂１０により封止される。封止用樹脂１０は、配線基板１より熱伝導率が低い樹脂材料から構成される。このような封止用樹脂１０の熱伝導率の設定は、第１の半導体チップ２や第２の半導体チップ３で生じた熱を優先的に配線基板１に伝熱させるために実施される。封止用樹脂１０は例えば、エポキシ樹脂から構成される。また、チップ固定用樹脂９は、封止用樹脂１０より熱伝導率が高く樹脂材料から構成される。このような熱伝導率の設定は、第１の半導体チップ２や第２の半導体チップ３で生じた熱を効率よく配線基板１に伝熱させるために実施される。

なお、図における符号１１は、配線基板１の裏面に設けられた外部接続端子であって、例えば半田バンブから構成される。

本実施形態の構造では、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３との間に形成された空洞１２によって伝熱方向を制御することで、熱による半導体装置の誤動作を低減することができる。具体的には、第１の半導体チップ２の駆動で生じる熱は、空洞１２の断熱効果により、上側の第２の半導体チップ３に伝熱しにくくなる。その結果、第１の半導体チップ２で生じる熱は、チップ固定用樹脂９を介して配線基板１に伝熱され、さらに配線基板１を介して外部に放散される。そのため、第２の半導体チップ３では、自身の発熱に加えて第１の半導体チップ２から伝熱される熱の相乗作用に起因する誤動作が生じにくい。反対に第２の半導体チップ３の駆動で生じる熱は、空洞１２の断熱効果により、下側の第１の半導体チップ２に伝熱しにくくなる。その結果、第２の半導体チップ３で生じる熱は、封止用樹脂１０を介して外部に放散される。そのため、第１の半導体チップ２では、自身の発熱に加えて第２の半導体チップ３から伝熱される熱の相乗作用に起因する誤動作が生じにくい。なお、第１の半導体チップ２は、封止用樹脂１０にも接しているため、第１の半導体チップ２の熱が封止用樹脂１０を介して第２の半導体チップ３に伝熱される可能性がある。そのような熱伝導を抑制するためには、チップ固定用樹脂９や配線基板１は、封止用樹脂１０より熱伝導率の高い材料が用いられている。これにより、第１の半導体チップ２の熱は、配線基板１に優先的に伝熱されて封止用樹脂１０にはほとんど伝熱されることがなくなる。

（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図であり、図４は、本発明の第２の実施形態に係わる半導体装置を上から見て示す模式図である。

本実施形態の半導体装置の構成は基本的に第１の実施形態の構造と同様の構成を備えている。そのため、同一ないし同様の構成には同一の符号を付し、それらに付いての説明は省略する。

本実施形態が、第１の実施形態と異なるのは、第１の半導体チップ２をボンディングワイヤ７を介して配線基板１に電気接続している点である。そのため、第１の半導体チップ２は、その回路形成面（外部電極形成面）を上にし、その裏面を配線基板１に対向させた向きで配線基板１上に配置される。さらには、第１の半導体チップ２のパッド電極５ａに接続されたボンディングワイヤ７を引き回す領域を確保するために、第２の半導体チップ３の平面的な大きさ（平面サイズ）は、第１の半導体チップ２より一回り小さくされる。本実施形態では、第１の半導体チップ２のパッド電極５ａは、第１の半導体チップ２の回路形成面の周縁に沿って配置されている。そのため、第２の半導体チップ３の外周縁は、パッド電極５ａの形成領域（第１の半導体チップ２の回路形成面の周縁）より平面的に内側なる（平面サイズが小さくなる）。

本実施形態の作用効果は第１の実施形態と同様となる。ただし、第１の半導体チップ２の外部接続電極形成面が、第２の半導体チップ３側となるため、第１の半導体チップ２で生じる熱は第２の半導体チップ３に伝熱しやすい。そのため、支柱４を設けることで第１の半導体チップ２の熱を第２の半導体チップ３に伝熱しにくくする本発明の構成は、より効果を発揮する。

（第３の実施形態）
図５は、本発明の第３の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図であり、図６は、本発明の第３の実施形態に係わる半導体装置を上から見て示す模式図である。

本実施形態の構成は、基本的に第２の実施形態の構成と同様である。ただし、以下の点で、第２の実施の形態と異なる。第２の実施形態では、第２の半導体チップ３の平面的な大きさ（平面サイズ）を、第１の半導体チップ２より一回り小さくすることで、第１の半導体チップ２のパッド電極５ａに接続されたボンディングワイヤ７を引き回す領域を確保していた。これに対して、本実施形態では、支柱４の高さ寸法をより大きくすることで、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３との間の離間間隔を十分に大きくし、これにより、パッド電極５ａに接続されたボンディングワイヤ７の引き回し領域を確保している。この場合、支柱４の平面的な大きさ（平面サイズ）４ａ（図６参照）は、第１の半導体チップ２の外部接続電極形成面におけるパッド電極５ａの形成領域５ｃ（図６参照）より一回り小さく設定される。

このようにしてボンディングワイヤ７の引き回し領域を確保するため第２の半導体チップ３の平面的な大きさ（平面サイズ）に課されていた制限を、本実施形態はなくすことができ、第１の半導体チップ２と同様もしくはそれ以上にすることが可能となる。

このように、本実施形態では、第１の半導体チップ２のボンディングワイヤ７が第２の半導体チップ３に触れないようにするスペーサの役割を支柱４が果たす。

（第４の実施形態）
図７は、本発明の第４の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図であり、本発明の第１の実施形態の変形例である。

図７に示すように、支柱中の空洞１２を真空室１２ａにしている。これにより、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３との間の伝熱を真空室１２ａによって可能な限り遮断することで伝熱方向を制御しており、これにより、熱による半導体装置の誤動作をさらに効率よく低減している。

（第５の実施形態）
図８は、本発明の第５の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図であり、本発明の第１の実施形態の変形例である。

図８に示すように、支柱中の空洞１２に断熱材１２ｂを挿入することにより、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３との間の伝熱を断熱材１２ｂによりできる限り遮断することで伝熱方向を制御しており、これにより、熱による半導体装置の誤動作をさらに効率よく低減している。断熱材１２ｂとしては、例えば、支柱４より熱膨張率が低く断熱性の高い液体ゲル材を用いることができる。

（第６の実施形態）
図９は、本発明の第６の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図であり、図１０は、本発明の第６の実施形態に係わる半導体装置を上から見て示す模式図であり、本発明の第１の実施形態の変形例である。

図９と図１０に示すように、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３とのうち発熱が顕著な半導体チップにおいて、その発熱が最も高い所に、空洞１２が配置されるように支柱４の形状を形成したうえで、さらに空洞１２がその位置になるように支柱４を配置する。この状態で、支柱４の外側で半導体チップに挟まれた残りの箇所に接着剤１３を充填する。これにより、空洞１２をその効果を発揮するうえで最適な位置に配置することができ、かつ、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３の接着効果を向上させることができる。ここで、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３とにおいて発熱が最も高い所とは、半導体チップの全領域の中で、活性度合いが他の領域より高い、換言すれば、消費電力が他の領域より高くて活性化率が他の領域より高い領域をいう。なお、空洞１２を配置する位置としては上記のほか、次の位置でもよい。すなわち、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３とのうち一方の発熱の影響を受ける他方の半導体チップにおいて、その発熱の影響が最も大きい所に、空洞１２が配置されるように支柱４の形状を形成したうえで、さらに空洞１２がその位置になるように支柱４を配置する。ここで、発熱の影響がもっとも大きい所とは、半導体チップの全領域の中で、他の領域より動作条件に敏感で、そのために、外部からの熱の影響を受けやすい領域をいう。

（第１の実施形態の半導体装置の製造方法）
図１１は、本発明の第１の実施形態に係わる半導体装置の製造工程について示すフローチャートである。

図１１に示すように、
・配線基板１と第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３とを準備する（ステップＳ１０１）。
・第１の半導体チップ２のパッド電極５上にバンプ８を形成する（ステップＳ１０２）。
・第１の半導体チップ２の回路形成面を配線基板１に対向させて、第１の半導体チップ２を配線基板１に実装して両者を電気接続する（ステップＳ１０３）。
・第１の半導体チップ２と配線基板１の隙間にチップ固定用樹脂９を充填して固定する（ステップＳ１０４）。
・空洞１２を有する支柱４を準備する（ステップＳ１０５）。
・第１の半導体チップ２と支柱４とを接着剤１３で接着する（ステップＳ１０６）。
・第２の半導体チップ３の回路形成面を上にして、第２の半導体チップ３を支柱４に接着剤１３で接着する（ステップＳ１０７）。
・第２の半導体チップ３のパッド電極５と配線基板１の基板接続電極６とをボンディングワイヤ７で接続する（ステップＳ１０８）。
・第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３とを実装した配線基板１を封止用樹脂１０で封止する（ステップＳ１０９）。
・配線基板１に半田バンプ等からなる外部接続端子１１を形成することで、半導体装置を完成させる（ステップＳ１１０、Ｓ１１１）。

（第２、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法）
図１２は、本発明の第２および第３の実施形態に係わる半導体装置の製造工程について示すフローチャートである。この製造方法は、図１１を参照して説明した第１の実施の形態の半導体装置の製造方法と同様であり、同一ないし同一の工程には、同一のステップ番号を付しており、それらの工程についての説明は省略する。

図１２に示すように、
・第１の半導体チップ２のパッド電極５上にバンプ８を形成し（ステップＳ１０２）、
・第１の半導体チップ２の回路形成面を配線基板１に対向させて、第１の半導体チップ２を配線基板１に実装して両者を電気接続する（Ｓ１０３）に替わり、第１の半導体チップ２の回路形成面を上にしその裏面を第１の半導体チップ２に対向させて、第１の半導体チップ２を配線基板１の上に配置する。（ステップＳ２０１）、
・第１の半導体チップ２と配線基板１との隙間にチップ固定用樹脂９を充填して固定した後で（ステップＳ１０４）、
・第１の半導体チップ２のパッド電極５ａと配線基板１の基板接続電極６とをボンディングワイヤ７で接続する（ステップＳ２０２）。

（第４の実施形態の半導体装置の製造方法）
図１３は、本発明の第４の実施形態に係わる半導体装置の製造工程について示すフローチャートである。この製造方法は、図１１を参照して説明した第１の実施の形態の半導体装置の製造方法と同様であり、同一ないし同一の工程には、同一のステップ番号を付しており、それらの工程についての説明は省略する。

図１３に示すように、
・第１の半導体チップ２と支柱４とを接着剤１３で接着した後（ステップＳ１０６）、
・一体化した配線基板１、第１の半導体チップ２、支柱４と、第２の半導体チップ３とを、真空室内に収納したのち、真空装置を真空抜きする（ステップＳ３０１）。
・この状態で、第２の半導体チップ３の回路形成面を上にして、第２の半導体チップ３を接着剤で支柱４に接着することで、支柱内の空洞１２を真空室１２ａにする（ステップＳ１０７）。

（第５の実施形態の半導体装置の製造方法）
図１４は、本発明の第５の実施形態に係わる半導体装置の製造工程について示すフローチャートである。この製造方法は、図１１を参照して説明した第１の実施の形態の半導体装置の製造方法と同様であり、同一ないし同一の工程には、同一のステップ番号を付しており、それらの工程についての説明は省略する。

図１４に示すように、
・第１の半導体チップ２と支柱４を接着剤１３で接着した後で（ステップＳ１０６）、
・支柱４内の空洞１２に断熱材１２ｂを充填する（ステップＳ４０１）。

（第６の実施形態の半導体装置の製造方法）
図１５は、本発明の第６の実施形態に係わる半導体装置の製造工程について示すフローチャートである。この製造方法は、図１１を参照して説明した第１の実施の形態の半導体装置の製造方法と同様であり、同一ないし同一の工程には、同一のステップ番号を付しており、それらの工程についての説明は省略する。

図１５に示すように、
・第１の半導体チップ２と支柱４を接着剤１３で接着した後（ステップＳ１０６）、
・支柱４の外側で第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３に挟まれた箇所に接着剤１３を充填する（ステップＳ５０１）。

以上説明したように、本発明は、半導体チップを積層した半導体装置おいて、半導体チップが動作時に発生する熱による半導体装置の誤動作を低減する方法等に有用である。

第１の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図。 第１の実施形態に係わる半導体装置を上から見て示す模式図。 第２の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図。 第２の実施形態に係わる半導体装置を上から見て示す模式図。 第３の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図。 第３の実施形態に係わる半導体装置を上から見て示す模式図。 第４の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図。 第５の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図。 第６の実施形態に係わる半導体装置を一部断面にして示す模式図。 第６の実施形態に係わる半導体装置を上から見て示す模式図。 第1の実施形態の半導体装置の製造工程を示すフローチャート。 第２、第３の実施形態の半導体装置の製造工程を示すフローチャート。 第４の実施形態の半導体装置の製造工程を示すフローチャート。 第５の実施形態の半導体装置の製造工程を示すフローチャート。 第６の実施形態の半導体装置の製造工程を示すフローチャート。

符号の説明

１ 配線基板
２ 第１の半導体チップ
３ 第２の半導体チップ
４ 支柱
５ａ、５ｂ パッド電極
６ 基板接続電極
７ ボンディングワイヤ
８ バンプ
９ チップ固定用樹脂
１０ 封止用樹脂
１１ 外部接続端子
１２ 空洞
１２ａ 真空室
１２ｂ 断熱材
１３ 接着剤

Claims (11)

1. 配線基板と、
   前記配線基板上に配置された第１の半導体チップと、
   前記第１の半導体チップ上に配置された第２の半導体チップと、
   前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの間に配置されるとともに、内部に空洞を有する支柱と、
   を備えることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記空洞は、両半導体チップの対向方向に沿って貫通する形状を有する、
   ことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２に記載の半導体装置において、
   前記配線基板の両半導体チップ配置面を、前記第１、第２の半導体チップとともに封止する封止用樹脂を有し、当該封止用樹脂は、前記配線基板より熱伝導率が低い、
   ことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３に記載の半導体装置において、
   前記第１の半導体チップと前記配線基板との間の隙間は、チップ固定用樹脂により充填されており、当該チップ固定用樹脂は、前記封止用樹脂より熱伝導率が高い、
   ことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置において、
   前記第１の半導体チップは前記配線基板にフリップチップ実装されており、
   前記第２の半導体チップは外部接続電極形成面の裏面を前記第１の半導体チップに対向させて配置されており、
   前記第２の半導体チップの外部接続電極形成面に設けられた外部接続電極と、前記配線基板の基板接続電極とは、ワイヤボンディングにより電気接続されている、
   ことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置において、
   前記第１の半導体チップはその外部接続電極形成面の裏面を前記配線基板に対向させて配置されており、
   前記第２の半導体チップはその外部接続電極形成面の裏面を前記第１の半導体チップに対向させて配置されており、
   前記第１、第２の半導体チップの外部接続電極形成面に設けられた外部接続電極それぞれと前記配線基板の基板接続電極とは、ワイヤボンディングにより電気接続されており、
   前記第２の半導体チップは、前記第１の半導体チップの外部接続電極形成領域より小さい平面サイズを有する、
   ことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置において、
   前記第１の半導体チップはその外部接続電極形成面の裏面を前記配線基板に対向させて配置されており、
   前記第２の半導体チップはその外部接続電極形成面の裏面を前記第１の半導体チップに対向させて配置されており、
   前記第１、第２の半導体チップの外部接続電極形成面に設けられた外部接続電極それぞれと、前記配線基板の基板接続電極とは、ワイヤボンディングにより電気接続されており、
   前記支柱は、前記第１の半導体チップの外部接続電極と前記配線基板の基板接続電極とを電気接続するワイヤの引き回し領域が十分に確保される高さ寸法を有する、
   ことを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置において、
   前記支柱の空洞を真空にする、
   ことを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置において、
   前記支柱の空洞に、前記配線基板、前記チップ固定用樹脂及び前記封止樹脂より熱伝導率の低い断熱材を設ける、
   ことを特徴とする半導体装置。
10. 請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置において、
    前記第１、第２の半導体チップの発熱が最も大きい領域に前記空洞が対向するように前記支柱を配置する、ことを特徴とする半導体装置。
11. 第１の半導体チップと第２の半導体チップとが配線基板に積層配置されてなる半導体装置の製造方法であって、
    前記第１の半導体チップを前記配線基板に配置するとともに、前記第１の半導体チップの外部接続電極と前記配線基板の基板接続電極とを電気接続する工程と、
    前記第１の半導体チップと前記配線基板とをチップ固定用樹脂で固定するとともに、前記第１の半導体チップと前記配線基板との間の隙間を前記チップ固定用樹脂で封止する工程と、
    内部に空洞を有する支柱を用意したうえで、当該支柱を前記第１の半導体チップ上に配置する工程と、
    前記第２の半導体チップを前記支柱を介在させて前記第１の半導体チップ上に積層配置する工程と、
    前記第２の半導体チップの外部接続電極と前記配線基板の基板接続電極とを電気接続する工程と、
    前記配線基板の両半導体チップ配置面を、前記第１、第２の半導体チップとともに、封止用樹脂で封止する工程と、
    とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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