JP2005346749A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005346749A JP2005346749A JP2004161539A JP2004161539A JP2005346749A JP 2005346749 A JP2005346749 A JP 2005346749A JP 2004161539 A JP2004161539 A JP 2004161539A JP 2004161539 A JP2004161539 A JP 2004161539A JP 2005346749 A JP2005346749 A JP 2005346749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- input
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/18—Bit line organisation; Bit line lay-out
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/005—Transfer gates, i.e. gates coupling the sense amplifier output to data lines, I/O lines or global bit lines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
- G11C7/065—Differential amplifiers of latching type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】 電圧転送スイッチ221,222及び電圧入出力回路231,232がメモリセルアレイ200の複数のコラムに共用されるように相補バス線対BUS,NBUS上に設けられ、相補ビット線対BIT0,NBIT0が所定の電圧にプリチャージされた後、同一コラムに属する全てのメモリセル201,202のうちのいずれかがワード線によって選択される前に、正転ビット線BIT0の電圧と反転ビット線NBIT0の電圧とを交換する。これにより、同一コラムに属する全メモリセル201,202中のアクセストランジスタのオフリーク電流の総和が、1個のドライブトランジスタのオン電流(ドライブ電流)に匹敵するほど大きくても、センスアンプ250の起動時に相補ビット線対BIT0,NBIT0の間に所要の大きさの電位差が確保される。
【選択図】 図7
Description
K. Agawa et al., "A Bit-Line Leakage Compensation Scheme for Low-Voltage SRAM's", IEEE 2000 Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers, pp.70-71
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示している。ここでは、多数のトライステートバッファが、共通の信号配線であるバス線に接続されているものとする。
図4は、本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示している。図4の半導体集積回路は、m及びnを1以上の整数とするとき、m+1個のロウとn+1個のコラムとを持つSRAMメモリセルアレイ200を有するものである。ただし、図面の簡略化のため、各々前述の6トランジスタ構成を持つ4個のメモリセル201,202,203,204のみが図示されている。第1及び第2のメモリセル201,202はコラム0の相補ビット線対BIT0,NBIT0に、第3及び第4のメモリセル203,204はコラムnの相補ビット線対BITn,NBITnにそれぞれ接続されている。また、第1及び第3のメモリセル201,203はロウ0のワード線WL0に、第2及び第4のメモリセル202,204はロウmのワード線WLmにそれぞれ接続されている。VDDは電源電圧、VSSは接地電圧である。なお、以下の説明では必要に応じて、相補ビット線対BIT0,NBIT0のうちの一方(BIT0)を正転ビット線と呼び、他方(NBIT0)を反転ビット線と呼ぶこととする。
図13は、本発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示している。図13の半導体集積回路は、第1の実施形態におけるプリチャージ電圧調整手法を第2の実施形態に係る半導体メモリに適用したものである。図13中のメモリセル201〜204、センスアンプ250及び出力バッファ260は、各々図4中の対応回路ブロックと同じものである。
2,4 NチャネルMOSドライブトランジスタ
5,6 NチャネルMOSアクセストランジスタ
11 PチャネルMOSドライブトランジスタ
12 NチャネルMOSドライブトランジスタ
13,16 インバータ回路
14 PチャネルMOSスイッチングトランジスタ
15 NチャネルMOSスイッチングトランジスタ
101,102 メモリマクロ
111,112 トライステートバッファ
121 バス線
122 ダミーバス線
130 プリチャージ回路
140 センスアンプ
150 電圧入出力回路(VIO)
160 電圧転送スイッチ
170 出力バッファ
200 SRAMメモリセルアレイ
201〜204 メモリセル
210,211 プリチャージ回路
221〜224 電圧転送スイッチ
231〜234 電圧入出力回路(VIO)
241,242 コラムスイッチ
250 センスアンプ
260 出力バッファ
311,312 プリチャージ回路
321,322 電圧転送スイッチ
331,332 電圧入出力回路(VIO)
341,342 書き込み回路(WT)
BIT0,NBIT0 相補ビット線対
BITn,NBITn 相補ビット線対
BUS,NBUS 相補バス線対
CA0,CAn コラム選択信号
DA,DB データ信号
DBIT0,DBITn ダミービット線
DIN0,DINn 書き込み信号
DOUT データ出力信号
NVSW 反転スイッチ制御信号
OE1,OE2 出力イネーブル信号
PCG プリチャージ信号
SAE センスアンプイネーブル信号
VBUS バス線の電圧
VDBUS ダミーバス線の電圧
VDD,VDD2 電源電圧
VIN 入力電圧
VOUT 出力電圧
Vset バイアス設定電圧
VSS 接地電圧
VSW スイッチ制御信号
WE ライトイネーブル信号
WL0,WLm ワード線
Claims (20)
- 第1及び第2の信号配線と、
各々のドレインが前記第1の信号配線に接続された複数のトランジスタと、
前記第1及び第2の信号配線を第1の電圧にプリチャージするプリチャージ回路と、
前記プリチャージの完了後に前記複数のトランジスタのオフリーク電流に起因して前記第1の信号配線の電圧が第2の電圧に変化したとき、前記複数のトランジスタのうちのいずれかの実動作前に前記第2の信号配線の電圧を前記第2の電圧に調整するための電圧調整手段と、
前記複数のトランジスタのうちのいずれかの実動作時に前記第1及び第2の信号配線間の電位差を増幅する差動増幅回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
前記複数のトランジスタは、複数のトライステートバッファの各々が有するPチャネルMOSドライブトランジスタ及びNチャネルMOSドライブトランジスタであり、
前記第2の信号配線は、前記第1の信号配線とほぼ等しい配線容量を持つダミー配線であって、
前記電圧調整手段は、前記複数のトライステートバッファの出力が全てハイインピーダンス状態であるときに前記第2の信号配線の電圧調整を実行するように構成されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2記載の半導体集積回路において、
前記プリチャージ回路は、電源電圧よりも低くかつ接地電圧よりも高い中間電圧に前記第1及び第2の信号配線をプリチャージすることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2記載の半導体集積回路において、
前記プリチャージ回路は、前記第2の信号配線の電圧調整が実行された後、前記複数のトライステートバッファのうちいずれかが選択される前に、前記第1及び第2の信号配線のうち前記第1の信号配線のみを前記第1の電圧に再度プリチャージするように構成されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項4記載の半導体集積回路において、
前記再度のプリチャージの解除から前記差動増幅回路の起動までの時間の長さは、前記第2の信号配線の電圧調整前に前記オフリーク電流に起因した前記第1の信号配線の電圧変化が許容される時間の長さと一致するように設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2記載の半導体集積回路において、
前記電圧調整手段は、
入力された電圧を取り込み、かつ当該取り込んだ電圧と等しい電圧を出力する機能を有する電圧入出力回路と、
前記第1の信号配線の電圧が前記第2の電圧に変化した時点で当該第2の電圧を前記電圧入出力回路に入力電圧として与えた後、前記複数のトライステートバッファのうちいずれかが選択される前に前記電圧入出力回路から出力された電圧を前記第2の信号配線へ供給する電圧転送スイッチとを有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
前記複数のトランジスタは、複数のメモリセルの各々が有するMOSアクセストランジスタであり、
前記第1及び第2の信号配線は、前記複数のメモリセルに接続された相補ビット線対であって、
前記電圧調整手段は、前記複数のメモリセルが全て非選択状態であるときに前記第1及び第2の信号配線の電圧交換を実行するように構成されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項7記載の半導体集積回路において、
前記プリチャージ回路は、前記複数のメモリセルの電源電圧と同じ電圧に前記第1及び第2の信号配線をプリチャージすることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項7記載の半導体集積回路において、
前記プリチャージ回路は、前記複数のメモリセルの電源電圧よりも低くかつ接地電圧よりも高い中間電圧に前記第1及び第2の信号配線をプリチャージすることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項7記載の半導体集積回路において、
前記電圧調整手段は、
各々入力された電圧を取り込み、かつ当該取り込んだ電圧と等しい電圧を出力する機能を有する第1及び第2の電圧入出力回路と、
前記第1の信号配線の電圧を前記第1の電圧入出力回路に入力電圧として与えた後、前記複数のメモリセルのうちいずれかが選択される前に前記第2の電圧入出力回路から出力された電圧を前記第1の信号配線へ供給する第1の電圧転送スイッチと、
前記第2の信号配線の電圧を前記第2の電圧入出力回路に入力電圧として与えた後、前記複数のメモリセルのうちいずれかが選択される前に前記第1の電圧入出力回路から出力された電圧を前記第2の信号配線へ供給する第2の電圧転送スイッチとを有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項10記載の半導体集積回路において、
前記第1及び第2の電圧入出力回路による前記第1及び第2の信号配線の駆動の解除から前記差動増幅回路の起動までの時間の長さは、前記第1及び第2の信号配線の電圧交換前に前記オフリーク電流に起因した前記第1及び第2の信号配線の電圧変化が許容される時間の長さと一致するように設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項10記載の半導体集積回路において、
前記複数のメモリセルは1つのメモリセルアレイのうちの1つのコラムに属し、
前記第1及び第2の電圧入出力回路並びに前記第1及び第2の電圧転送スイッチは、前記メモリセルアレイの1コラム毎に個別に設けられたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項10記載の半導体集積回路において、
前記複数のメモリセルは1つのメモリセルアレイのうちの1つのコラムに属し、
前記第1及び第2の電圧入出力回路並びに前記第1及び第2の電圧転送スイッチは、前記メモリセルアレイの複数のコラムに共用されることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項10記載の半導体集積回路において、
前記プリチャージ回路は、前記第1及び第2の電圧入出力回路を介して前記第1及び第2の信号配線をプリチャージするように構成されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
前記複数のトランジスタは、複数のメモリセルの各々が有するMOSアクセストランジスタであり、
前記第1の信号配線は、前記複数のメモリセルに接続された相補ビット線対のうちの1本のビット線であり、
前記第2の信号配線は、前記ビット線とほぼ等しい配線容量を持つダミービット線であって、
前記電圧調整手段は、前記複数のメモリセルが全て非選択状態であるときに前記第2の信号配線の電圧調整を実行するように構成されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項15記載の半導体集積回路において、
前記プリチャージ回路は、前記複数のメモリセルの電源電圧よりも低くかつ接地電圧よりも高い中間電圧に前記第1及び第2の信号配線をプリチャージすることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項15記載の半導体集積回路において、
前記プリチャージ回路は、前記第2の信号配線の電圧調整が実行された後、前記複数のメモリセルのうちいずれかが選択される前に、前記第1及び第2の信号配線のうち前記第1の信号配線のみを前記第1の電圧に再度プリチャージするように構成されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項17記載の半導体集積回路において、
前記再度のプリチャージの解除から前記差動増幅回路の起動までの時間の長さは、前記第2の信号配線の電圧調整前に前記オフリーク電流に起因した前記第1の信号配線の電圧変化が許容される時間の長さと一致するように設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項15記載の半導体集積回路において、
前記電圧調整手段は、
入力された電圧を取り込み、かつ当該取り込んだ電圧と等しい電圧を出力する機能を有する電圧入出力回路と、
前記第1の信号配線の電圧が前記第2の電圧に変化した時点で当該第2の電圧を前記電圧入出力回路に入力電圧として与えた後、前記複数のメモリセルのうちいずれかが選択される前に前記電圧入出力回路から出力された電圧を前記第2の信号配線へ供給する電圧転送スイッチとを有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項19記載の半導体集積回路において、
前記複数のメモリセルは1つのメモリセルアレイのうちの1つのコラムに属し、
前記電圧入出力回路及び前記電圧転送スイッチは、前記メモリセルアレイの1コラム毎に個別に設けられたことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004161539A JP4272592B2 (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 半導体集積回路 |
US11/114,165 US7161859B2 (en) | 2004-05-31 | 2005-04-26 | Semiconductor integrated circuit |
CNB2005100733291A CN100367501C (zh) | 2004-05-31 | 2005-05-31 | 半导体集成电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004161539A JP4272592B2 (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005346749A true JP2005346749A (ja) | 2005-12-15 |
JP4272592B2 JP4272592B2 (ja) | 2009-06-03 |
Family
ID=35425021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004161539A Expired - Fee Related JP4272592B2 (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 半導体集積回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7161859B2 (ja) |
JP (1) | JP4272592B2 (ja) |
CN (1) | CN100367501C (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7376032B2 (en) * | 2006-06-01 | 2008-05-20 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for a dummy SRAM cell |
US8027207B2 (en) * | 2009-12-16 | 2011-09-27 | International Business Machines Corporation | Leakage compensated reference voltage generation system |
GB2508221B (en) * | 2012-11-26 | 2015-02-25 | Surecore Ltd | Low-Power SRAM Cells |
US9123430B2 (en) * | 2013-06-14 | 2015-09-01 | Sandisk 3D Llc | Differential current sense amplifier and method for non-volatile memory |
US9698795B1 (en) * | 2013-07-03 | 2017-07-04 | Altera Corporation | Supporting pseudo open drain input/output standards in a programmable logic device |
CN106486143B (zh) * | 2015-08-26 | 2019-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 灵敏放大器 |
CN106169441B (zh) * | 2016-08-22 | 2020-06-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 改善bito断裂的阵列基板及其制作方法与液晶显示面板 |
CN110619903B (zh) * | 2018-06-19 | 2021-09-07 | 华邦电子股份有限公司 | 存储装置及其测试读写方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08125152A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Canon Inc | 半導体装置、それを用いた相関演算装置、ad変換器、da変換器、信号処理システム |
JP4024975B2 (ja) * | 2000-01-07 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | データ伝送回路 |
AU2000268134A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-21 | Mosaid Technologies Incorporated | A method and apparatus for accelerating signal equalization between a pair of signal lines |
KR100370164B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2003-01-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 비트라인의 누설전류 보상이 가능한 풀업회로 |
US6608786B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-08-19 | Intel Corporation | Apparatus and method for a memory storage cell leakage cancellation scheme |
JP4313986B2 (ja) * | 2002-06-05 | 2009-08-12 | パナソニック株式会社 | 半導体集積回路とその製造方法 |
-
2004
- 2004-05-31 JP JP2004161539A patent/JP4272592B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-26 US US11/114,165 patent/US7161859B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-31 CN CNB2005100733291A patent/CN100367501C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7161859B2 (en) | 2007-01-09 |
JP4272592B2 (ja) | 2009-06-03 |
US20050265095A1 (en) | 2005-12-01 |
CN100367501C (zh) | 2008-02-06 |
CN1705127A (zh) | 2005-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7558134B2 (en) | Semiconductor memory device and its operation method | |
US7298660B2 (en) | Bit line sense amplifier control circuit | |
US6771550B2 (en) | Semiconductor memory device with stable precharge voltage level of data lines | |
US7161859B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US20110007590A1 (en) | Semiconductor storage device and method of controlling word line potential | |
US9208831B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US7852694B2 (en) | Semiconductor memory device for reducing precharge time | |
JP5741965B2 (ja) | データ伝送回路及びそれを備えた半導体記憶装置 | |
US7426150B2 (en) | Sense amplifier overdriving circuit and semiconductor device using the same | |
KR100318321B1 (ko) | 반도체 메모리의 비트 라인 균등화 신호 제어회로 | |
US6859409B2 (en) | Semiconductor memory having sense amplifier architecture | |
JP2004152363A (ja) | 半導体記憶装置 | |
TW526603B (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US7864610B2 (en) | Sense amplifier controlling circuit and controlling method | |
JP2005339590A (ja) | 半導体集積回路 | |
US7940589B2 (en) | Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and control method thereof | |
US6212116B1 (en) | Semiconductor memory device | |
KR100574950B1 (ko) | 고속 반도체 메모리에서의 빠른 데이터 기록을 위한 감지증폭기 회로 | |
US8004916B2 (en) | Semiconductor circuit | |
JP3192709B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100407382B1 (ko) | 반도체 메모리의 컬럼 선택 회로 | |
JP3238481B2 (ja) | 半導体読み出し専用記憶装置 | |
KR100699825B1 (ko) | 비트 라인 누설 전류에 따라 감지 증폭 타이밍을 제어하는반도체 메모리 장치 및 그 구동 방법 | |
KR100562662B1 (ko) | 반도체 기억 소자의 저전압용 센스 앰프 및 그의 구동 방법 | |
JP2009037690A (ja) | 半導体回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051006 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081202 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090203 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |