JP2005340349A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体装置に組み込まれたヒューズを、所望の場所で溶断することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板11上に形成された第1のp型不純物領域14aと、第2のp型不純物領域14bと、n型不純物領域15との上に、ヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16を形成する。シリコン基板11上にコバルトシリサイド層16を形成したことにより、シリコン基板11表面の平坦な状態がコバルトシリサイド層16にも反映されて平坦な面の状態に形成される。よって、コバルトシリサイド層16の膜厚にバラツキが生じにくく、均一な膜厚に形成される。
【選択図】 図4
【解決手段】 シリコン基板11上に形成された第1のp型不純物領域14aと、第2のp型不純物領域14bと、n型不純物領域15との上に、ヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16を形成する。シリコン基板11上にコバルトシリサイド層16を形成したことにより、シリコン基板11表面の平坦な状態がコバルトシリサイド層16にも反映されて平坦な面の状態に形成される。よって、コバルトシリサイド層16の膜厚にバラツキが生じにくく、均一な膜厚に形成される。
【選択図】 図4
Description
本発明は、ヒューズを有する半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置は、製造工程で発生する欠陥によって不良となった回路を代替えするための冗長回路が予め組み込まれている。この冗長回路への代替えは、ヒューズ素子に電流を流して溶断するか、又はヒューズ素子にレーザ光を照射して溶断することにより行われる場合が多い。ヒューズ素子を溶断することで、不良となった回路を正常な回路に切り替えることが可能になる。
従来の半導体装置は、半導体基板の上部に、冗長回路に接続されたヒューズである、例えばアルミ配線が形成されている。アルミ配線上には、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜が形成され、その上には窒化シリコン層からなるパッシベーション膜(保護膜)が形成されている。レーザ光を照射してアルミ配線を切断するとき、パッシベーション膜によってレーザ光が反射されてしまうので、ヒューズであるアルミ配線の上に形成されたパッシベーション膜の一部を除去してから行っている。
しかしながら、アルミ配線の上は、パッシベーション膜を除去したことからシリコン酸化膜のみになり、シリコン酸化膜の膜厚の薄い所から水分などが浸入する恐れがあった。水分が浸入することによりアルミ配線が腐蝕することから、高抵抗になり導通不良を起こす問題があった。
しかしながら、アルミ配線の上は、パッシベーション膜を除去したことからシリコン酸化膜のみになり、シリコン酸化膜の膜厚の薄い所から水分などが浸入する恐れがあった。水分が浸入することによりアルミ配線が腐蝕することから、高抵抗になり導通不良を起こす問題があった。
そこで、半導体基板上に酸化物層を形成し、酸化物層上にポリシリコン層を形成し、ポリシリコン層上にヒューズとしてのシリサイド層を形成し、シリサイド層に電流を流すことにより溶断させている半導体装置が開示されている(特許文献1)。
これによれば、レーザ光を照射することによってシリサイド層を溶断するのではなく、電流を流すことにより溶断することができるので、保護膜を除去する必要もなく、水分などの浸入による腐蝕を防止することができる。
これによれば、レーザ光を照射することによってシリサイド層を溶断するのではなく、電流を流すことにより溶断することができるので、保護膜を除去する必要もなく、水分などの浸入による腐蝕を防止することができる。
しかしながら、上記従来の半導体装置は、図7に示されるように、シリコン基板111上に形成されたポリシリコン層112が多結晶シリコンであることから、ポリシリコン層112の表面が凸凹している。よって、ポリシリコン層112上に形成されているシリサイド層113は、ポリシリコン層112の表面の凸凹に反映した状態で形成されていることから、膜厚のバラツキが発生していた。従って、更に微細化したとき、溶断する位置によって正常な回路への切り替えを行っているヒューズは、シリサイド層113に電流を流したとき、膜厚の薄いところから先に切断され、所望の場所で切断されないという問題があった。
本発明は、半導体装置に組み込まれたヒューズを、所望の場所で溶断することのできる半導体装置を提供することにある。
上記問題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板に形成されたp型不純物領域と、前記p型不純物領域に接するように前記シリコン基板に形成されたn型不純物領域と、前記p型不純物領域と前記n型不純物領域との上に形成された、ヒューズの機能として用いられるシリサイド層とを有する。
この構成によれば、単結晶であるシリコン基板にヒューズとして機能するシリサイド層を形成したので、シリコン基板表面の平坦な状態がシリサイド層にも反映されて平坦な面の状態に形成される。よって、シリサイド層の膜厚にバラツキが生じにくく、均一な膜厚に形成される。従って、ヒューズカットの際、シリサイド層に電流を流したとき、p型不純物領域とn型不純物領域との接合部に逆バイアスがかっているため他の領域に電流が流れなくなり、シリサイド層に電流を集中させることが可能になる。これにより、シリサイド層が発熱し、シリサイド層の所定の位置を溶断することができる。また、シリサイド層が平坦な面の状態に形成されることにより膜厚が均一でありバラツキが小さいので、ヒューズの微細化が可能になる。これにより、シリサイド層に流す電流を小さくすることができる。
上記した本発明に係る半導体装置によれば、前記n型不純物領域は、前記p型不純物領域に挟まされて接していることが望ましい。
この構成によれば、それぞれのp型不純物領域に「+」、「−」の電位に影響されることなく電圧を印加させて、ヒューズを溶断させることができる。
上記した本発明に係る半導体装置によれば、前記シリサイド層は、前記p型不純物領域の上に形成された第1のシリサイド層と、n型不純物領域の上に形成された前記第1のシリサイド層より幅が細い第2のシリサイド層とを有することが望ましい。
この構成によれば、n型不純物領域の上に形成された第2のシリサイド層の幅を細く形成したので、抵抗を高くすることが可能になる。よって、ヒューズカットの際、シリサイド層に電流を流したとき、第2のシリサイド層に集中して発熱させることができるので、所定の位置で溶断しやすくすることが可能になる。
上記した本発明に係る半導体装置によれば、前記シリサイド層は、コバルトシリサイド層であることが望ましい。
この構成によれば、コバルトシリサイド層を用いたので凝集しにくく、ヒューズをより微細にすることが可能になる。
上記した本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、シリコン基板にp型不純物領域を形成する工程と、前記p型不純物領域に接するように前記シリコン基板にn型不純物領域を形成する工程と、前記p型不純物領域と前記n型不純物領域との上に、ヒューズの機能として用いられるシリサイド層を形成する工程と、前記シリサイド層に所定電位を印加して、前記シリサイド層の一部を溶断させる工程とを有する。
この構成によれば、単結晶であるシリコン基板にヒューズとして機能するシリサイド層を形成したので、シリコン基板表面の平坦な状態がシリサイド層にも反映されて平坦な面の状態に形成される。よって、シリサイド層の膜厚にバラツキが生じにくく、均一な膜厚に形成される。従って、ヒューズカットの際、シリサイド層に電流を流したとき、p型不純物領域とn型不純物領域との接合部に逆バイアスがかかっているため他の領域に電流が流れなくなり、シリサイド層に電流を集中させることが可能になる。これにより、シリサイド層が発熱し、シリサイド層の所定の位置を溶断することができる。また、シリサイド層の膜厚が均一でありバラツキが小さいので、ヒューズの微細化が可能になる。これにより、シリサイド層に流す電流を小さくすることができる。
以下、本発明に係る半導体装置の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1は、本実施形態の半導体装置の構成を示す断面図である。(a)は、半導体装置を正面からみた断面図であり、(b)は、半導体装置を側面からみた断面図である。以下、本実施形態の半導体装置の構成を、図1を参照しながら説明する。
図1は、本実施形態の半導体装置の構成を示す断面図である。(a)は、半導体装置を正面からみた断面図であり、(b)は、半導体装置を側面からみた断面図である。以下、本実施形態の半導体装置の構成を、図1を参照しながら説明する。
本実施形態の半導体装置1は、半導体基板であるシリコン基板11と、シリコン基板上の耐圧を確保するためのNウエル12と、Nウエル12の領域を確保するための浅溝分離領域(STI(Shallow Trench Isolation))13と、p型不純物領域14と、n型不純物領域15と、ヒューズとして用いられるシリサイド層であるコバルトシリサイド(CoSi2)層16と、層間絶縁膜17と、第1の電極18と、配線19と、第2の電極20と、保護膜として機能するパッシベーション膜21と、第1の端子22aと、第2の端子22bとを含んで構成される。シリコン基板11は、例えば、P型シリコン基板である。
図2〜図4は、本実施形態の半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図である。以下、本実施形態の半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
図2に示される工程1では、シリコン基板11上に浅溝分離領域13(工程3参照)を形成するためのレジストパターン32を形成する。まず、シリコン基板11上にシリコン窒化酸化膜(SiON)31を形成する。次に、シリコン窒化酸化膜31の上にレジスト膜を塗布する。次に、レジスト膜を露光、現像することにより、レジストパターン32を形成する。レジストパターン32の形成は、浅溝分離領域13の領域を除いた領域に形成されている。
図2に示される工程1では、シリコン基板11上に浅溝分離領域13(工程3参照)を形成するためのレジストパターン32を形成する。まず、シリコン基板11上にシリコン窒化酸化膜(SiON)31を形成する。次に、シリコン窒化酸化膜31の上にレジスト膜を塗布する。次に、レジスト膜を露光、現像することにより、レジストパターン32を形成する。レジストパターン32の形成は、浅溝分離領域13の領域を除いた領域に形成されている。
工程2では、シリコン基板11に浅溝分離領域13を形成するための溝13aを形成する。まず、レジストパターン32をマスクとして、公知のフォトエッチングを行う。これにより、浅溝分離領域13を一定の深さに除去し、浅溝分離領域13の溝13aを形成する。これにより、ヒューズ領域も形成される。
工程3では、シリコン基板11に浅溝分離領域13を形成する。まず、レジストパターン32を公知の方法により剥離する。次に、高密度プラズマCVD(HDP(High Density Plasma)CVD)法により、浅溝分離領域13の溝13aにシリコン酸化膜を堆積させて、浅溝分離領域13を形成する。次に、余分に堆積したシリコン酸化膜と、シリコン窒化酸化膜31とをCMP技術により研磨して除去する。
工程4では、Nウエル12を形成する。まず、図示しないレジストパターンをマスクとして、シリコン基板11のNウエル形成領域にイオン種の一つであるN型不純物をイオン注入する。N型不純物は、例えば、リン(P)を用いる。次に、シリコン基板11に熱拡散を施すことにより、Nウエル形成領域の不純物を拡散させる。その結果、シリコン基板11にNウエル12が形成される。
図3に示される工程5では、Nウエル12上に、例えば、第1のp型不純物領域14aと、第2のp型不純物領域14bを形成する。まず、第1、第2のp型不純物領域14a,14b以外の領域に、公知の方法でレジストパターン33を形成する。次に、レジストパターン33をマスクとしてp型不純物をイオン注入する。p型不純物は、例えば、ボロン(B)を用いる。
次に、シリコン基板11に熱拡散を施すことにより、Nウエル12にイオン注入された不純物を拡散させる。その結果、Nウエル12に第1のp型不純物領域14aと、第2のp型不純物領域14bとを形成する。なお、第1、第2のp型不純物領域14a,14bは、高濃度のp型不純物領域になっている。
次に、シリコン基板11に熱拡散を施すことにより、Nウエル12にイオン注入された不純物を拡散させる。その結果、Nウエル12に第1のp型不純物領域14aと、第2のp型不純物領域14bとを形成する。なお、第1、第2のp型不純物領域14a,14bは、高濃度のp型不純物領域になっている。
工程6では、Nウエル12にn型不純物領域15を形成する。n型不純物領域15は、例えば、上記した第1、第2のp型不純物領域14a,14bに挟まれた状態に形成する。まず、工程5における第1、第2のp型不純物領域14a,14bを形成するときに用いたレジストパターン33を公知の方法で除去する。次に、Nウエル12のn型不純物領域15以外の領域に、公知の方法でレジストパターン34を形成する。次に、レジストパターン34をマスクとしてN型不純物をイオン注入する。N型不純物は、例えば、リン(P)を用いる。
次に、シリコン基板11に熱拡散を施すことにより、Nウエル12の不純物を拡散させる。その結果、Nウエル12の第1、第2のp型不純物領域14a,14bとの間に、n型不純物領域15が形成される。なお、n型不純物領域15は、Nウエル12の濃度と比較して、高濃度のn型不純物領域15になっている。
次に、シリコン基板11に熱拡散を施すことにより、Nウエル12の不純物を拡散させる。その結果、Nウエル12の第1、第2のp型不純物領域14a,14bとの間に、n型不純物領域15が形成される。なお、n型不純物領域15は、Nウエル12の濃度と比較して、高濃度のn型不純物領域15になっている。
工程7では、シリコン基板11上にヒューズであるコバルトシリサイド層16を形成するためにコバルト層35を形成する。まず、工程6におけるn型不純物領域15を形成するときに用いたレジストパターン34を公知の方法で除去する。コバルト層35の形成方法は、例えば、スパッタ法を用いる。まず、シリコン基板11をコバルト層35を形成するためのチャンバ(図示せず)に投入する。次に、チャンバ内を高真空にして、ターゲットとなるコバルト材料に、高エネルギーのイオン化した原子を衝突させる。このとき飛び出してくるコバルトの原子をシリコン基板11に付着させてコバルト層35を形成する。
工程8では、ヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16を形成する。コバルトシリサイド層16の形成方法は、例えば、公知の方法であるランプアニール(ランプ加熱)法を用いる。ランプアニール法により、コバルト層35のコバルトと、シリコン基板11中のシリコンとが合金化し、コバルトシリサイド層16を形成する。ランプアニール法による熱処理は、例えば、シリコン基板11の温度を850℃に加熱して行う。
図4に示される工程9では、コバルト層35のうち、コバルトシリサイド層16が形成された以外の未反応分のコバルト層35aを除去する。残ったコバルト層35aを除去することにより、ヒューズとしてのコバルトシリサイド層16が完成する。
本実施形態では、単結晶であるシリコン基板11中に形成された、第1、第2のp型不純物領域14a,14bとn型不純物領域15との上に、ヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16を形成した。これにより、シリコン基板11の表面は、ポリシリコンのように凸凹でなく平坦であるので、その上に形成されたコバルトシリサイド層16の膜厚のバラツキが抑制され、膜厚の均一なヒューズを形成することができる。
以下、ヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16に電流を流して、コバルトシリサイド層16の一部を溶断させる方法を説明する。
以下、ヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16に電流を流して、コバルトシリサイド層16の一部を溶断させる方法を説明する。
工程10では、ヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16に電流を流してコバルトシリサイド層の一部16dを溶断する。まず、第1の端子22aと第2の端子22bに電圧をかける(図1参照)。例えば、第1の端子22aに「−」の電圧、第2の端子22bに「+」の電圧を印加する。これにより、第1の電極18,18、配線19,19、第2の電極20,20を介してコバルトシリサイド層16に電流が流れる。流れる電流は、例えば、1〜2mAである。第1のp型不純物領域14aとn型不純物領域15との接合部である第1のpn接合部36aには、逆方向電圧(以下、逆バイアスという)がかかっているため他の領域に電流が流れず、コバルトシリサイド層16に電流が集中して発熱する。これにより、コバルトシリサイド層の一部16dが溶断する。
本実施形態では、コバルトシリサイド層16は、起伏が少なく膜厚にバラツキの少ない一定の膜厚になっている。よって、ヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16に電流を流したときに、コバルトシリサイド層の所望の位置(第1のpn接合部36a)で安定した溶断が可能になる。また、膜厚が均一でありバラツキが小さいので、ヒューズの微細化が可能になり、ヒューズ領域に流す電流を小さくすることが可能なる。
次に、コバルトシリサイド層16を含むシリコン基板11上に、層間絶縁膜17を形成する(図1参照)。層間絶縁膜17は、例えば、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成する。層間絶縁膜17の上面は、必要に応じてCMP研磨を行い平坦化する。
次に、層間絶縁膜17の中に、第2の電極20(図1参照)を形成する。まず、層間絶縁膜17の所望領域に、第2の電極20を形成するためのホールを形成する。ホールは、例えば、プラズマによるエッチング処理やレーザ加工によって形成する。次に、ホール内に、例えば、公知のプラズマCVD法によって第2の電極20としてのタングステンプラグを形成する。
次に、層間絶縁膜17上に配線19(図1参照)を形成する。配線19は、例えば、アルミや銅によって構成され、公知のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程によって形成する。
次に、層間絶縁膜17上にパッシベーション膜21(図1参照)を形成する。パッシベーション膜21は、例えば、シリコン窒化膜である。パッシベーション膜21は、例えば、公知のプラズマCVD法によって形成する。
次に、配線19の上に、第1の電極18(図1参照)を形成する。第1の電極18は、例えば、第2の電極20と同様に形成される。まず、パッシベーション膜21の所望領域(配線19上)に、第1の電極18を形成するためのホールを形成する。ホールは、例えば、プラズマによるエッチング処理やレーザ加工によって形成する。次に、ホール内に、例えば、公知のプラズマCVD法によって第1の電極18としてのタングステンプラグを形成する。
次に、第1の電極18上に第1の端子22a、第2の端子22b(図1参照)をそれぞれ形成する。2つの端子22a,22bは、例えば、タングステンで形成されている。2つの端子22a,22bは、公知のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程によって形成する。
2つの端子22a,22bは、半導体装置1が完成したあと、ヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16を溶断させるとき、コバルトシリサイド層16に電流を流すために用いられる。ヒューズカットの際、コバルトシリサイド層16には、2つの端子22a,22bと、第1の電極18,18と、配線19,19と、第2の電極20,20とを介して、電圧が印加される。
2つの端子22a,22bは、半導体装置1が完成したあと、ヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16を溶断させるとき、コバルトシリサイド層16に電流を流すために用いられる。ヒューズカットの際、コバルトシリサイド層16には、2つの端子22a,22bと、第1の電極18,18と、配線19,19と、第2の電極20,20とを介して、電圧が印加される。
図5は、ヒューズであるコバルトシリサイド層16を、第1のp型不純物領域14aと、第2のp型不純物領域14bと、n型不純物領域15とに対応させて示した平面図である。以下、コバルトシリサイド層16の構成を説明する。
コバルトシリサイド層16は、第1のp型不純物領域14aの上に形成された第1のシリサイド層16aと、n型不純物領域15の上に形成された第2のシリサイド層16bと、第2のp型不純物領域14bの上に形成された第3のシリサイド層16cとを含んで構成される。第1のシリサイド層16aと第2のシリサイド層16bとの接合部を第1のpn接合部36aとし、第2のシリサイド層16bと第3のシリサイド層16cとの接合部を第2のpn接合部36bとする。第2のシリサイド層16bの幅W1は、例えば、0.2μmである。
コバルトシリサイド層16は、第1のp型不純物領域14aの上に形成された第1のシリサイド層16aと、n型不純物領域15の上に形成された第2のシリサイド層16bと、第2のp型不純物領域14bの上に形成された第3のシリサイド層16cとを含んで構成される。第1のシリサイド層16aと第2のシリサイド層16bとの接合部を第1のpn接合部36aとし、第2のシリサイド層16bと第3のシリサイド層16cとの接合部を第2のpn接合部36bとする。第2のシリサイド層16bの幅W1は、例えば、0.2μmである。
ヒューズカットのとき、2つの端子22a,22bに電圧を印加すると、第1のpn接合部36aと第2のpn接合部36bには逆バイアスがかかっているため、他の領域に電流が流れなくなり、コバルトシリサイド層16に電流を集中させることが可能になる。さらに、第2のシリサイド層16bの幅W1を、第1および第3のシリサイド層16a,16cと比較して細くしたことから、第2のシリサイド層16bの抵抗が増大する。よって、コバルトシリサイド層16のうち第1のpn接合部36a付近、又は第2のpn接合部36b付近のどちらかが、温度上昇によって溶断する。
本実施形態では、第1の端子22aに「−」、第2の端子22bに「+」の電圧を印加することにより、第1のpn接合部36aに対応するコバルトシリサイド層の一部16dを溶断する。
本実施形態では、第1の端子22aに「−」、第2の端子22bに「+」の電圧を印加することにより、第1のpn接合部36aに対応するコバルトシリサイド層の一部16dを溶断する。
コバルトシリサイド層16の膜厚にバラツキが生じている場合、所望の位置である第1のpn接合部36a、又は第2のpn接合部36bに関係なく、膜厚の薄い所から溶断する。コバルトシリサイド層16が所望の位置でない部分で溶断すると、コバルトシリサイド層16の一部がなくなった分、高抵抗になるだけなので、電気的に遮断されたヒューズとしての機能を果たさなくなる。
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
(1)本実施形態によれば、シリコン基板11上にヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16を形成したので、シリコン基板表面の平坦な状態がコバルトシリサイド層16にも反映されて平坦な面の状態に形成される。よって、コバルトシリサイド層16の膜厚にバラツキが生じにくく、均一な膜厚に形成される。従って、コバルトシリサイド層16に電流を流したとき、膜厚のバラツキによる影響を受けにくく、所定の位置で溶断させることができる。また、コバルトシリサイド層16の膜厚が均一でありバラツキが小さいので、ヒューズの微細化が可能になる。これにより、コバルトシリサイド層16に流す電流を小さくすることができる。
(1)本実施形態によれば、シリコン基板11上にヒューズとして機能するコバルトシリサイド層16を形成したので、シリコン基板表面の平坦な状態がコバルトシリサイド層16にも反映されて平坦な面の状態に形成される。よって、コバルトシリサイド層16の膜厚にバラツキが生じにくく、均一な膜厚に形成される。従って、コバルトシリサイド層16に電流を流したとき、膜厚のバラツキによる影響を受けにくく、所定の位置で溶断させることができる。また、コバルトシリサイド層16の膜厚が均一でありバラツキが小さいので、ヒューズの微細化が可能になる。これにより、コバルトシリサイド層16に流す電流を小さくすることができる。
(2)本実施形態によれば、第1のp型不純物領域14aの上に形成された第1のシリサイド層16a、および、第2のp型不純物領域14bの上に形成された第3のシリサイド層16cと比較して、n型不純物領域15の上に形成された第2のシリサイド層16bの幅W1を細く形成したので、第2のシリサイド層16bの抵抗を高くすることが可能になる。よって、コバルトシリサイド層16に電流が流れたとき、第1のpn接合部36a又は第2のpn接合部36b付近で溶断することができる。
なお、本実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
(変形例1)前記実施形態では、所定の位置をより溶断しやすくするために、n型不純物領域15に対応する第2のシリサイド層16bの幅W1を、p型不純物領域14a,14bに対応する第1、第3のシリサイド層16a,16cと比較して細く形成していた。これを、図6に示されるように、前記実施形態の構成に加えて、p型不純物領域114a,114bと接合しているn型不純物領域115との境であるA,B部を、幅W1と比較して更に細く形成するようにしてもよい。これによれば、A,B部の抵抗を更に高くすることができるので、より所望の位置で溶断させることができる。
(変形例1)前記実施形態では、所定の位置をより溶断しやすくするために、n型不純物領域15に対応する第2のシリサイド層16bの幅W1を、p型不純物領域14a,14bに対応する第1、第3のシリサイド層16a,16cと比較して細く形成していた。これを、図6に示されるように、前記実施形態の構成に加えて、p型不純物領域114a,114bと接合しているn型不純物領域115との境であるA,B部を、幅W1と比較して更に細く形成するようにしてもよい。これによれば、A,B部の抵抗を更に高くすることができるので、より所望の位置で溶断させることができる。
(変形例2)前記実施形態では、ヒューズをコバルトシリサイド層16で構成していた。これを、ニッケルシリサイド層に代えて構成するようにしてもよい。
1…半導体装置、11…シリコン基板、12…Nウエル、13…浅溝分離領域(STI)、14a…p型不純物領域の1つである第1のp型不純物領域、14b…p型不純物領域の1つである第2のp型不純物領域、15…n型不純物領域、16…ヒューズとしてのコバルトシリサイド層、16a…第1のシリサイド層、16b…第2のシリサイド層、16c…第3のシリサイド層、17…層間絶縁膜、18…第1の電極、19…配線、20…第2の電極、21…パッシベーション膜、22a…第1の端子、22b…第2の端子。
Claims (5)
- シリコン基板と、
前記シリコン基板に形成されたp型不純物領域と、
前記p型不純物領域に接するように前記シリコン基板に形成されたn型不純物領域と、
前記p型不純物領域と前記n型不純物領域との上に形成された、ヒューズの機能として用いられるシリサイド層と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記n型不純物領域は、前記p型不純物領域に挟まされて接していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記シリサイド層は、前記p型不純物領域の上に形成された第1のシリサイド層と、n型不純物領域の上に形成された前記第1のシリサイド層より幅が細い第2のシリサイド層と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記シリサイド層は、コバルトシリサイド層であることを特徴とする半導体装置。 - シリコン基板にp型不純物領域を形成する工程と、
前記p型不純物領域に接するように前記シリコン基板にn型不純物領域を形成する工程と、
前記p型不純物領域と前記n型不純物領域との上に、ヒューズの機能として用いられるシリサイド層を形成する工程と、
前記シリサイド層に所定電位を印加して、前記シリサイド層の一部を溶断させる工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2004154641A JP2005340349A (ja) | 2004-05-25 | 2004-05-25 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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- 2004-05-25 JP JP2004154641A patent/JP2005340349A/ja not_active Withdrawn
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