JP2005340258A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素部および配線部には、窒化シリコンあるいは窒化酸化シリコンからなる保護膜10a,10bが形成されている。画素部における保護膜10bの膜厚が、配線部における保護膜10aの膜厚に比べて薄く形成されていることから、例えば、保護膜10bによる近紫外から青色可視光の波長領域の光の吸収を小さくすることができる。すなわち当該波長領域の光の透過率を向上させることができる。従って、上記の波長領域の光を受光する受光部へ導かれる光量を増加させることができ、受光部に入射する光量の増加に伴って、光電変換により発生する信号電荷が増大する。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施形態に係るCCD固体撮像装置の要部断面図であり、(a)は画素部における要部断面図であり、(b)は配線部における要部断面図である。
以上により、図2に示す構造が形成される。
図4は、本実施形態に係るCCD固体撮像装置の要部断面図であり、(a)は画素部における要部断面図であり、(b)は配線部における要部断面図である。なお、第1実施形態と同様の構成要素には同じ符号を付しており、その説明は省略する。
図5は、本実施形態に係るCCD固体撮像装置の要部断面図であり、(a)は画素部における要部断面図であり、(b)は配線部における要部断面図である。なお、第1実施形態と同様の構成要素には同じ符号を付しており、その説明は省略する。
図8は、本実施形態に係るCCD固体撮像装置の要部断面図であり、(a)は画素部における要部断面図であり、(b)は配線部における要部断面図である。なお、第1実施形態と同様の構成要素には同じ符号を付しており、その説明は省略する。
本実施形態では、CCD固体撮像装置を例に説明したが、CMOS固体撮像装置に本発明を適用することもできる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (6)
- 基板に複数の受光部が形成された画素部と、
前記基板に形成され、前記画素部に電圧を供給する配線部と、
前記画素部および前記配線部を保護する、窒化シリコンあるいは窒化酸化シリコンを含む保護膜とを有し、
前記画素部における保護膜の膜厚が、前記配線部における保護膜の膜厚に比べて薄く形成されている
固体撮像装置。 - 前記画素部は、互いに異なる波長領域の光を受光する複数の受光部を有し、
青色可視光の波長以下の波長領域の光を受光する受光部上の前記保護膜の膜厚が、前記配線部における前記保護膜の膜厚に比べて薄く形成されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記保護膜は、
前記配線部を保護する第1保護膜と、
前記画素部および前記配線部を保護する第2保護膜と
を有する請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第2保護膜は、前記第1保護膜に比べて青色可視光の波長以下の波長領域の光の透過率が大きい
請求項3記載の固体撮像装置。 - 前記保護膜は、
前記画素部における青色可視光の波長以下の波長領域の光を受光する受光部、および前記配線部を保護する第1保護膜と
前記画素部および前記配線部を保護する第2保護膜と
を有する請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第2保護膜は、前記第1保護膜に比べて青色可視光の波長以下の波長領域の光の透過率が大きい
請求項5記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP (1) | JP4569169B2 (ja) |
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