JP2000164840A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
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- JP2000164840A JP2000164840A JP10340194A JP34019498A JP2000164840A JP 2000164840 A JP2000164840 A JP 2000164840A JP 10340194 A JP10340194 A JP 10340194A JP 34019498 A JP34019498 A JP 34019498A JP 2000164840 A JP2000164840 A JP 2000164840A
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- imaging
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 撮像装置において撮像領域の光学的特性を向
上できるようにすることを目的とする。 【解決手段】 シリコン基体１上に撮像領域３と配線領
域５を設けた撮像装置２において、撮像領域３を覆うパ
ッシベーション膜４１，４７と配線領域５を覆うパッシ
ベーション膜３８，４６を互いに異ならしめ、この撮像
領域を覆うパッシベーション膜による撮像領域３の光学
的特性を向上できるようにしたものである。
上できるようにすることを目的とする。 【解決手段】 シリコン基体１上に撮像領域３と配線領
域５を設けた撮像装置２において、撮像領域３を覆うパ
ッシベーション膜４１，４７と配線領域５を覆うパッシ
ベーション膜３８，４６を互いに異ならしめ、この撮像
領域を覆うパッシベーション膜による撮像領域３の光学
的特性を向上できるようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は撮像領域と配線領域
をシリコン基体上に設けた撮像装置に関する。
をシリコン基体上に設けた撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】先ず図７にシリコン基体１に形成した撮
像領域３および配線領域５とより撮像装置２の要部を構
成した例を示して説明する。なお図７に示した例におい
ては撮像領域３をＩＴ−ＣＣＤ（interline transfer-C
CD( インタライン転送ＣＣＤ））で構成している。
像領域３および配線領域５とより撮像装置２の要部を構
成した例を示して説明する。なお図７に示した例におい
ては撮像領域３をＩＴ−ＣＣＤ（interline transfer-C
CD( インタライン転送ＣＣＤ））で構成している。
【０００３】撮像領域３は垂直方向に配設した複数の受
光部で構成される複数の受光部列７，‥‥，７と、これ
ら複数の受光部列夫々の間においてこれら受光部列に添
ってこの垂直方向に配設したＣＣＤ構造の複数の垂直転
送レジスタ部９，‥‥，９と、複数の垂直転送レジスタ
部９，‥‥，９夫々の出力側において水平方向に配設し
た水平転送レジスタ部１１および出力部１３により構成
される。なお図７において点線で囲んで示した部分の夫
々はこのＩＴ−ＣＣＤ部の受光部を構成しているフォト
ダイオード（以下の説明ではフォトダイオードと称す
る）よりなる受光部である。
光部で構成される複数の受光部列７，‥‥，７と、これ
ら複数の受光部列夫々の間においてこれら受光部列に添
ってこの垂直方向に配設したＣＣＤ構造の複数の垂直転
送レジスタ部９，‥‥，９と、複数の垂直転送レジスタ
部９，‥‥，９夫々の出力側において水平方向に配設し
た水平転送レジスタ部１１および出力部１３により構成
される。なお図７において点線で囲んで示した部分の夫
々はこのＩＴ−ＣＣＤ部の受光部を構成しているフォト
ダイオード（以下の説明ではフォトダイオードと称す
る）よりなる受光部である。
【０００４】そしてこの垂直転送レジスタ部９，‥‥，
９の夫々は、複数の受光部列７，‥‥，７夫々の受光部
で生成した信号電荷を垂直転送し、水平転送レジスタ部
１１はこれら垂直転送レジスタ部９，‥‥，９の夫々で
垂直転送されたこの信号電荷を更に出力部１３に転送す
る。
９の夫々は、複数の受光部列７，‥‥，７夫々の受光部
で生成した信号電荷を垂直転送し、水平転送レジスタ部
１１はこれら垂直転送レジスタ部９，‥‥，９の夫々で
垂直転送されたこの信号電荷を更に出力部１３に転送す
る。
【０００５】出力部１３は増幅器１４を具備し、増幅器
１４の入力側は水平転送レジスタ部１１の出力側に接続
され、増幅器１４の出力側はボンディングランド１５Ａ
に接続されている。そして水平転送レジスタ部１１のこ
の信号電荷出力を増幅器１４で所定レベル迄増幅し金属
配線パターン１５を通じてシリコン基体１の外部に出力
する。
１４の入力側は水平転送レジスタ部１１の出力側に接続
され、増幅器１４の出力側はボンディングランド１５Ａ
に接続されている。そして水平転送レジスタ部１１のこ
の信号電荷出力を増幅器１４で所定レベル迄増幅し金属
配線パターン１５を通じてシリコン基体１の外部に出力
する。
【０００６】また、配線領域５には金属配線パターン１
５および金属配線パターン１７が配設され、さらに撮像
領域３との信号送受、電源供給用等の為の信号線を接続
するボンディングランド１５Ａ，１７Ａが金属配線パタ
ーン１５，１７の夫々の要所に設けられている。金属配
線パターン１５，１７およびボンディングランド１５
Ａ，１７Ａの夫々は蒸着やスパッタ等の物理的手法でシ
リコン基体１の表面に形成した絶縁膜上の所定位置に形
成される。
５および金属配線パターン１７が配設され、さらに撮像
領域３との信号送受、電源供給用等の為の信号線を接続
するボンディングランド１５Ａ，１７Ａが金属配線パタ
ーン１５，１７の夫々の要所に設けられている。金属配
線パターン１５，１７およびボンディングランド１５
Ａ，１７Ａの夫々は蒸着やスパッタ等の物理的手法でシ
リコン基体１の表面に形成した絶縁膜上の所定位置に形
成される。
【０００７】次に、図８および図９を参照しながら、図
７と同一の部分には同一の符号を付与して詳細な説明を
省略して垂直転送レジスタ部９および配線領域５の構造
をさらに詳細に説明する。
７と同一の部分には同一の符号を付与して詳細な説明を
省略して垂直転送レジスタ部９および配線領域５の構造
をさらに詳細に説明する。
【０００８】図８は図７のＥ−Ｅ線上の断面を示し、図
９は図７のＦ−Ｆ線上の断面を示したものである。図８
及び図９に示されている如く、垂直転送レジスタ部９，
‥‥，９の夫々は第１層転送電極２３、第２層転送電極
２５、層間絶縁膜２７、遮光金属板２９およびパッシベ
ーション膜３１で構成され、第１層転送電極２３と第２
層転送電極２５をシリコン基体１の表面に形成した酸化
膜２１上において電荷転送方向に交互に繰り返して配列
して垂直転送レジスタ部９のチャンネル領域３３を生成
する。図９において点線で囲んで示した領域は図７に示
して説明したフォトダイオードよりなる受光部、遮光金
属板２９は垂直転送レジスタ部９に対して外部から光線
が入射するのを防止する遮光部材である。
９は図７のＦ−Ｆ線上の断面を示したものである。図８
及び図９に示されている如く、垂直転送レジスタ部９，
‥‥，９の夫々は第１層転送電極２３、第２層転送電極
２５、層間絶縁膜２７、遮光金属板２９およびパッシベ
ーション膜３１で構成され、第１層転送電極２３と第２
層転送電極２５をシリコン基体１の表面に形成した酸化
膜２１上において電荷転送方向に交互に繰り返して配列
して垂直転送レジスタ部９のチャンネル領域３３を生成
する。図９において点線で囲んで示した領域は図７に示
して説明したフォトダイオードよりなる受光部、遮光金
属板２９は垂直転送レジスタ部９に対して外部から光線
が入射するのを防止する遮光部材である。
【０００９】３５は互いに隣接する第２層転送電極２５
の間に設けた間隙、３６は互いに隣接する第１層転送電
極２３と第２層転送電極２５の間に設けた空隙で、これ
ら転送電極相互間の空隙の部分および遮光金属板２９と
第２層転送電極２５の間の空隙の部分に層間絶縁膜２７
を形成し、第１層転送電極２３、第２層転送電極２５お
よび遮光金属板２９の間を所定の位置関係に保つように
している。
の間に設けた間隙、３６は互いに隣接する第１層転送電
極２３と第２層転送電極２５の間に設けた空隙で、これ
ら転送電極相互間の空隙の部分および遮光金属板２９と
第２層転送電極２５の間の空隙の部分に層間絶縁膜２７
を形成し、第１層転送電極２３、第２層転送電極２５お
よび遮光金属板２９の間を所定の位置関係に保つように
している。
【００１０】そしてこのように構成されているシリコン
基体１上の撮像領域３および配線領域５を覆う形でパッ
シベーション膜３１が被着形成されている。
基体１上の撮像領域３および配線領域５を覆う形でパッ
シベーション膜３１が被着形成されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】シリコン基体１に形成
した撮像領域９および配線領域５を覆って形成している
パッシベーション膜３１には２つの機能が要求され、そ
の第１は配線領域５を外部環境から保護し金属配線部１
７の酸化による腐食等の支障発生を予防する機能であ
る。
した撮像領域９および配線領域５を覆って形成している
パッシベーション膜３１には２つの機能が要求され、そ
の第１は配線領域５を外部環境から保護し金属配線部１
７の酸化による腐食等の支障発生を予防する機能であ
る。
【００１２】その第２は撮像装置２の受光部を構成する
フォトダイオードの光学的特性、特に分光を決定する機
能である。即ち、パッシベーション膜３１の分光特性に
より受光部を構成するフォトダイオードの感度、分光等
の特性が決まることになる。勿論、パッシベーション膜
３１の分光特性だけでこれら特性の全てが決まる訳では
ないが、これら特性の最適値を求める上でパッシベーシ
ョン膜３１が大きな決定要因となっている。
フォトダイオードの光学的特性、特に分光を決定する機
能である。即ち、パッシベーション膜３１の分光特性に
より受光部を構成するフォトダイオードの感度、分光等
の特性が決まることになる。勿論、パッシベーション膜
３１の分光特性だけでこれら特性の全てが決まる訳では
ないが、これら特性の最適値を求める上でパッシベーシ
ョン膜３１が大きな決定要因となっている。
【００１３】ところが、これら第１及び第２の機能双方
を最適に発揮させる上でパッシベーション膜３１に求め
られる条件は相異なっているのが通例である。一例とし
てパッシベーション膜３１の膜厚をパラメータにとって
みた場合、配線領域５を外部環境から保護するという点
では、この膜厚は厚い程よい。一方撮像領域９の分光特
性の観点においてはこの膜厚に最適値が存在し、必ずし
もこの膜厚を厚くする程この特性が最適値に近づくもの
ではなく、かえってこの最適値から遠ざかってしまうこ
ともある。
を最適に発揮させる上でパッシベーション膜３１に求め
られる条件は相異なっているのが通例である。一例とし
てパッシベーション膜３１の膜厚をパラメータにとって
みた場合、配線領域５を外部環境から保護するという点
では、この膜厚は厚い程よい。一方撮像領域９の分光特
性の観点においてはこの膜厚に最適値が存在し、必ずし
もこの膜厚を厚くする程この特性が最適値に近づくもの
ではなく、かえってこの最適値から遠ざかってしまうこ
ともある。
【００１４】しかしながら従来の撮像装置においては、
ＣＶＤ（chemical film deposition）等の薄膜形成技術
を用い、図８，９に示して説明した如く撮像領域９のパ
ッシベーション膜及び配線領域５のパッシベーション膜
を同時に形成していた。
ＣＶＤ（chemical film deposition）等の薄膜形成技術
を用い、図８，９に示して説明した如く撮像領域９のパ
ッシベーション膜及び配線領域５のパッシベーション膜
を同時に形成していた。
【００１５】そのため、この従来のパッシベーション膜
の生成方法では、撮像領域３において分光特性を最適化
できるパッシベーション膜厚と配線領域５を外部環境か
ら保護する為に最適なパッシベーション膜厚を産業上で
利用可能な技術レベルで実現することができないという
問題があった。
の生成方法では、撮像領域３において分光特性を最適化
できるパッシベーション膜厚と配線領域５を外部環境か
ら保護する為に最適なパッシベーション膜厚を産業上で
利用可能な技術レベルで実現することができないという
問題があった。
【００１６】本発明は斯る点に鑑み、配線領域を覆うパ
ッシベーション膜のこの保護機能を損なうことなく、撮
像領域を覆うパッシベーション膜による撮像素子の光学
的特性、特に分光を決定する機能を向上できるようにな
すための手段を産業上で利用可能な技術レベルで実現す
ることを目的とする。
ッシベーション膜のこの保護機能を損なうことなく、撮
像領域を覆うパッシベーション膜による撮像素子の光学
的特性、特に分光を決定する機能を向上できるようにな
すための手段を産業上で利用可能な技術レベルで実現す
ることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明による撮像装置
は、撮像領域と配線領域をシリコン基体上に形成した撮
像装置において、この撮像領域を覆うパッシベーション
膜とこの配線領域を覆うパッシベーション膜を互いに異
ならしめ、配線領域を覆うパッシベーション膜の機能を
損なうことなく、撮像領域を覆うパッシベーション膜に
よるこの撮像領域の光学的特性、特に分光を決定する機
能を向上できるようにする。
は、撮像領域と配線領域をシリコン基体上に形成した撮
像装置において、この撮像領域を覆うパッシベーション
膜とこの配線領域を覆うパッシベーション膜を互いに異
ならしめ、配線領域を覆うパッシベーション膜の機能を
損なうことなく、撮像領域を覆うパッシベーション膜に
よるこの撮像領域の光学的特性、特に分光を決定する機
能を向上できるようにする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下図１〜図６を参照しながら、
図７〜図９と同一の部分には同一の符号を付与して詳細
な説明を省略して本発明の撮像装置の実施の形態の一例
について説明する。なお、図１〜図６において点線で示
した領域は図７に示して説明したフォトダイオードより
なる受光部である。
図７〜図９と同一の部分には同一の符号を付与して詳細
な説明を省略して本発明の撮像装置の実施の形態の一例
について説明する。なお、図１〜図６において点線で示
した領域は図７に示して説明したフォトダイオードより
なる受光部である。
【００１９】先ず図２にパッシベーション膜を形成する
前の状態を示す。この状態は図９に示して説明した例に
おいてパッシベーション膜３１を被着生成する前の状態
に相当する。
前の状態を示す。この状態は図９に示して説明した例に
おいてパッシベーション膜３１を被着生成する前の状態
に相当する。
【００２０】次に、図２に示した状態の撮像領域３およ
び配線領域５の全面にＣＶＤ等の薄膜形成の技術により
第１のパッシベーション膜３８を被着する。この場合の
第１のパッシベーション膜３８の被着厚３９は、第２の
パッシベーション膜４１の被着厚４３とこの被着厚３９
との合計厚が配線領域パッシベーション膜の最適厚４５
となるようにこの第１のパッシベーション膜３８を被着
して、図３に示すごとく撮像領域３および配線領域５の
全面がこの被着厚３９を有する第１のパッシベーション
膜３８で覆われた形状とする。
び配線領域５の全面にＣＶＤ等の薄膜形成の技術により
第１のパッシベーション膜３８を被着する。この場合の
第１のパッシベーション膜３８の被着厚３９は、第２の
パッシベーション膜４１の被着厚４３とこの被着厚３９
との合計厚が配線領域パッシベーション膜の最適厚４５
となるようにこの第１のパッシベーション膜３８を被着
して、図３に示すごとく撮像領域３および配線領域５の
全面がこの被着厚３９を有する第１のパッシベーション
膜３８で覆われた形状とする。
【００２１】次に、フォトリソグラフィ（foto lithogr
aphy）等の標準的なレジストパターン形成技術を用いて
配線領域５の部分の第１のパッシベーション膜３８にレ
ジストパターンを形成して後、撮像領域３に形成した第
１のパッシベーション膜３８をエッチング装置を用いて
除去し、その後にこのレジストパターンを除去して、図
４に示す如く配線領域５の部分のみが第１のパッシベー
ション膜３８で覆われた状態とする。
aphy）等の標準的なレジストパターン形成技術を用いて
配線領域５の部分の第１のパッシベーション膜３８にレ
ジストパターンを形成して後、撮像領域３に形成した第
１のパッシベーション膜３８をエッチング装置を用いて
除去し、その後にこのレジストパターンを除去して、図
４に示す如く配線領域５の部分のみが第１のパッシベー
ション膜３８で覆われた状態とする。
【００２２】次に、第１のパッシベーション膜３８で覆
われた配線領域５の部分および第１のパッシベーション
膜３８が除去された撮像領域３の部分に、ＣＶＤ等の薄
膜形成の技術により、第２のパッシベーション膜４１を
被着し、図１に示す如く撮像領域３が第２のパッシベー
ション膜４１のみで覆われ、配線領域５が第１のパッシ
ベーション膜３８および第２のパッシベーション膜４１
で覆われた状態とする。
われた配線領域５の部分および第１のパッシベーション
膜３８が除去された撮像領域３の部分に、ＣＶＤ等の薄
膜形成の技術により、第２のパッシベーション膜４１を
被着し、図１に示す如く撮像領域３が第２のパッシベー
ション膜４１のみで覆われ、配線領域５が第１のパッシ
ベーション膜３８および第２のパッシベーション膜４１
で覆われた状態とする。
【００２３】すなわち本例によれば、第２のパッシベー
ション膜４１のみにより撮像領域３を覆うようにしたの
で、この受光部を構成するフォトダイオードの光学的特
性、特に分光を決定する機能の向上を図ることのできる
最適厚となるように撮像領域３を覆うパッシベーション
膜４１を生成する為には、第２のパッシベーション膜４
１の被着厚４３がこの最適厚となるように配線領域５お
よび撮像領域３全面にパッシベーション膜を被着すれば
よい。
ション膜４１のみにより撮像領域３を覆うようにしたの
で、この受光部を構成するフォトダイオードの光学的特
性、特に分光を決定する機能の向上を図ることのできる
最適厚となるように撮像領域３を覆うパッシベーション
膜４１を生成する為には、第２のパッシベーション膜４
１の被着厚４３がこの最適厚となるように配線領域５お
よび撮像領域３全面にパッシベーション膜を被着すれば
よい。
【００２４】また本例によれば、配線領域５を第１のパ
ッシベーション膜３８および第２のパッシベーション膜
４１で覆う構成としたので、第２のパッシベーション膜
４１の被着厚４３をこのような最適値にした場合におい
ても、第１のパッシベーション膜３８の被着厚３９と第
２のパッシベーション膜４１の被着厚４３を合わせた被
着厚４５の値を、第１のパッシベーション膜３８の被着
厚３９により容易に最適値に設定することができ、よっ
て本例によれば撮像領域３と配線領域５を夫々最適な被
着厚を有するパッシベーション膜で覆うことができる。
ッシベーション膜３８および第２のパッシベーション膜
４１で覆う構成としたので、第２のパッシベーション膜
４１の被着厚４３をこのような最適値にした場合におい
ても、第１のパッシベーション膜３８の被着厚３９と第
２のパッシベーション膜４１の被着厚４３を合わせた被
着厚４５の値を、第１のパッシベーション膜３８の被着
厚３９により容易に最適値に設定することができ、よっ
て本例によれば撮像領域３と配線領域５を夫々最適な被
着厚を有するパッシベーション膜で覆うことができる。
【００２５】また、図１〜図４に示して説明した例にお
いては、遮光金属板２９をシリコン基体１側に接地し
て、撮像領域３がこの外部環境から受けるストレスを配
線領域５が受けるストレスより少なくなるように構成
し、第２のパッシベーション膜４１の被着厚４３の値を
被着厚４５の値より小さくしても外部環境から受けるス
トレスにより問題を生じないないように構成している。
いては、遮光金属板２９をシリコン基体１側に接地し
て、撮像領域３がこの外部環境から受けるストレスを配
線領域５が受けるストレスより少なくなるように構成
し、第２のパッシベーション膜４１の被着厚４３の値を
被着厚４５の値より小さくしても外部環境から受けるス
トレスにより問題を生じないないように構成している。
【００２６】次に図５，図６を参照しながら、図１〜図
４と同一の部分には同一の符号を付与して詳細な説明を
省略して本発明の撮像装置の他の実施の形態の一例につ
いて説明する。
４と同一の部分には同一の符号を付与して詳細な説明を
省略して本発明の撮像装置の他の実施の形態の一例につ
いて説明する。
【００２７】図１〜図４に示した本発明の撮像装置の実
施の形態の一例においては、撮像領域３を覆う第２のパ
ッシベーション膜４１の膜厚値４３と配線領域５を覆う
第１のパッシベーション膜３８と第２のパッシベーショ
ン膜４１を合計した膜厚値４５を異ならしめて、夫々の
領域を最適な膜厚値を具備したパッシベーション膜で覆
うようにした。
施の形態の一例においては、撮像領域３を覆う第２のパ
ッシベーション膜４１の膜厚値４３と配線領域５を覆う
第１のパッシベーション膜３８と第２のパッシベーショ
ン膜４１を合計した膜厚値４５を異ならしめて、夫々の
領域を最適な膜厚値を具備したパッシベーション膜で覆
うようにした。
【００２８】しかしながら本発明においては、このよう
に単に膜厚値を異ならしめることのみに限られることな
く、図５に示した如く更に配線領域５を覆う第１のパッ
シベーション膜４６と配線領域５および撮像領域３の双
方を覆う第２のパッシベーション膜４７夫々の膜の種
類、膜の材質を相互に異ならしめるようにして本発明の
目的を達成するようにしてもよい。
に単に膜厚値を異ならしめることのみに限られることな
く、図５に示した如く更に配線領域５を覆う第１のパッ
シベーション膜４６と配線領域５および撮像領域３の双
方を覆う第２のパッシベーション膜４７夫々の膜の種
類、膜の材質を相互に異ならしめるようにして本発明の
目的を達成するようにしてもよい。
【００２９】或いは図６に示した如く、図５に示して説
明したた如く第１のパッシベーション膜４６と第２のパ
ッシベーション膜４７夫々を被着して後、配線領域５を
覆う部分の第２のパッシベーション膜４７を選択的に除
去しめることにより本発明の目的を達成するようにして
もよい。
明したた如く第１のパッシベーション膜４６と第２のパ
ッシベーション膜４７夫々を被着して後、配線領域５を
覆う部分の第２のパッシベーション膜４７を選択的に除
去しめることにより本発明の目的を達成するようにして
もよい。
【００３０】さらにまた本発明においては、第１のパッ
シベーション膜３８，４６と第２のパッシベーション膜
４１，４７の夫々を種類、材質を異にする複数の膜より
なる複合膜で構成することにより本発明の目的を達成す
るようにしてもよい。
シベーション膜３８，４６と第２のパッシベーション膜
４１，４７の夫々を種類、材質を異にする複数の膜より
なる複合膜で構成することにより本発明の目的を達成す
るようにしてもよい。
【００３１】また本例においては、撮像領域３をＩＴ−
ＣＣＤで構成した例で本例を説明したが、本発明におい
ては撮像領域３をＩＴ−ＣＣＤで構成した例に限定され
ることなく、ＦＦ−ＣＣＤ（full frame CCD）、ＦＴ−
ＣＣＤ（frame transfer-CCD）、ＦＩＴ−ＣＣＤ（fram
e interline transfer-CCD）或いは全画素読み出しＩＴ
−ＣＣＤ等各種のタイプのＣＣＤ素子でこの領域を構成
した場合にも本発明を適用し得る。
ＣＣＤで構成した例で本例を説明したが、本発明におい
ては撮像領域３をＩＴ−ＣＣＤで構成した例に限定され
ることなく、ＦＦ−ＣＣＤ（full frame CCD）、ＦＴ−
ＣＣＤ（frame transfer-CCD）、ＦＩＴ−ＣＣＤ（fram
e interline transfer-CCD）或いは全画素読み出しＩＴ
−ＣＣＤ等各種のタイプのＣＣＤ素子でこの領域を構成
した場合にも本発明を適用し得る。
【００３２】さらにまた本発明においては、この領域を
これら各種タイプのＣＣＤ素子で構成した場合に限定さ
れることなく、ＭＯＳ型撮像素子等ＣＣＤ素子以外のタ
イプの固体撮像素子でこの領域を構成した場合にも本発
明を適用し得る。
これら各種タイプのＣＣＤ素子で構成した場合に限定さ
れることなく、ＭＯＳ型撮像素子等ＣＣＤ素子以外のタ
イプの固体撮像素子でこの領域を構成した場合にも本発
明を適用し得る。
【００３３】さらにまた本発明においては、この受光部
の前面にマイクロレンズを配設している場合にも本発明
を適用し得、またこの受光部の前面側にカラーフィルタ
を配設した場合にも本発明を適用し得る。
の前面にマイクロレンズを配設している場合にも本発明
を適用し得、またこの受光部の前面側にカラーフィルタ
を配設した場合にも本発明を適用し得る。
【００３４】さらにまた本発明においては、この受光部
の前面側にカラーフィルタを配設しさらにこのフィルタ
の前面側にマイクロレンズを配設した場合にも本発明を
適用し得る。
の前面側にカラーフィルタを配設しさらにこのフィルタ
の前面側にマイクロレンズを配設した場合にも本発明を
適用し得る。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、撮像領域と配線領域を
シリコン基体上に形成した撮像装置において、この撮像
領域を覆うパッシベーション膜とこの配線領域を覆うパ
ッシベーション膜を互いに異ならしめることにより、撮
像領域を覆うパッシベーション膜による撮像領域の光学
的特性、特に分光を決定する機能を容易に向上すること
ができる。
シリコン基体上に形成した撮像装置において、この撮像
領域を覆うパッシベーション膜とこの配線領域を覆うパ
ッシベーション膜を互いに異ならしめることにより、撮
像領域を覆うパッシベーション膜による撮像領域の光学
的特性、特に分光を決定する機能を容易に向上すること
ができる。
【図１】本発明による撮像領域と配線領域の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】これら領域の形成過程の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図３】これら領域のさらに他の形成過程の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】これら領域のさらに他の形成過程の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明による撮像領域と配線領域の他の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】本発明による撮像領域と配線領域の更に他の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図７】従来の固体撮像素子の撮像領域および配線領域
の要部の説明図である。
の要部の説明図である。
【図８】図７にＥ−Ｅで示した部分の断面図である。
【図９】図７にＦ−Ｆで示した部分の断面図である。
１‥‥シリコン基体、２‥‥撮像装置、３‥‥撮像領
域、５‥‥配線領域、３８，４６‥‥第１のパッシベー
ション膜、４１，４７‥‥第２のパッシベーション膜
域、５‥‥配線領域、３８，４６‥‥第１のパッシベー
ション膜、４１，４７‥‥第２のパッシベーション膜
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA12 BA13 CA33 CA34 FA06 5C024 AA01 CA31 FA01 GA01 GA11 GA15 GA16 GA17 GA31
Claims (6)
- 【請求項１】 撮像領域と配線領域をシリコン基体上に
設けた撮像装置において、上記撮像領域を覆うパッシベ
ーション膜と上記配線領域を覆うパッシベーション膜を
互いに異ならしめ、前記撮像領域を覆うパッシベーショ
ン膜による前記撮像領域の光学的特性を向上できるよう
にしたことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項２】 上記撮像領域を覆うパッシベーション膜
と上記配線領域を覆うパッシベーション膜の種類を互い
に異ならしめるようにして上記撮像領域を覆うパッシベ
ーション膜と上記配線領域を覆うパッシベーション膜を
互いに異ならしめるようにしたことを特徴とする請求項
１に記載の撮像装置。 - 【請求項３】 上記撮像領域を覆うパッシベーション膜
と上記配線領域を覆うパッシベーション膜の材質を互い
に異ならしめるようにして上記撮像領域を覆うパッシベ
ーション膜と上記配線領域を覆うパッシベーション膜を
互いに異ならしめたことを特徴とする請求項１に記載の
撮像装置。 - 【請求項４】 上記撮像領域を覆うパッシベーション膜
と上記配線領域を覆うパッシベーション膜の膜厚を互い
に異ならしめるようにして上記撮像領域を覆うパッシベ
ーション膜と上記配線領域を覆うパッシベーション膜を
互いに異ならしめたことを特徴とする請求項１に記載の
撮像装置。 - 【請求項５】 上記撮像領域を覆うパッシベーション膜
と上記配線領域を覆うパッシベーション膜のうちの何れ
か一方を複数の膜よりなる複合膜として上記撮像領域を
覆うパッシベーション膜と上記配線領域を覆うパッシベ
ーション膜を互いに異ならしめたことを特徴とする請求
項１に記載の撮像装置。 - 【請求項６】 上記撮像領域を覆うパッシベーション膜
と上記配線領域を覆うパッシベーション膜の双方を相互
に複合数の異なる複数の膜よりなる複合膜として上記撮
像領域を覆うパッシベーション膜と上記配線領域を覆う
パッシベーション膜を互いに異ならしめたことを特徴と
する請求項１に記載の撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34019498A JP4427829B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34019498A JP4427829B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164840A true JP2000164840A (ja) | 2000-06-16 |
| JP4427829B2 JP4427829B2 (ja) | 2010-03-10 |
Family
ID=18334619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34019498A Expired - Fee Related JP4427829B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4427829B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340258A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2006032967A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP34019498A patent/JP4427829B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340258A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP4569169B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2010-10-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法 |
| JP2006032967A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
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| JP4427829B2 (ja) | 2010-03-10 |
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