JPH10107239A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
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- JPH10107239A JPH10107239A JP8256626A JP25662696A JPH10107239A JP H10107239 A JPH10107239 A JP H10107239A JP 8256626 A JP8256626 A JP 8256626A JP 25662696 A JP25662696 A JP 25662696A JP H10107239 A JPH10107239 A JP H10107239A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ遮光膜をウェットエッチングにて形成す
る場合のＳｉ残渣による感度ムラを防止し、ドライエッ
チングにて形成する場合の保護膜の膜減りによる白点の
発生を低減する固体撮像素子およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】 Ｓｉ基板上にＰｏｌｙ−Ｓｉ電極９を形
成した後、酸化膜１０を介してＰＳＧ保護膜１２を堆積
させる。その後、Ｓｉを添加したＡｌをスパッタリング
等により蒸着し、レジスト膜１３をパターニング形成す
る。次に、Ａｌ開口部形成のための１次エッチングをド
ライエッチングにてＡｌ遮光膜８の膜厚の９０％程度ま
で行う。これにより、Ｓｉ残渣の低減を図り感度ムラを
防止する。更に、２次エッチングをウェットエッチング
にて行い残りの１０％を除去する。これにより、ＰＳＧ
保護膜の膜減りを原因とする白点の発生が抑えられる。
る場合のＳｉ残渣による感度ムラを防止し、ドライエッ
チングにて形成する場合の保護膜の膜減りによる白点の
発生を低減する固体撮像素子およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】 Ｓｉ基板上にＰｏｌｙ−Ｓｉ電極９を形
成した後、酸化膜１０を介してＰＳＧ保護膜１２を堆積
させる。その後、Ｓｉを添加したＡｌをスパッタリング
等により蒸着し、レジスト膜１３をパターニング形成す
る。次に、Ａｌ開口部形成のための１次エッチングをド
ライエッチングにてＡｌ遮光膜８の膜厚の９０％程度ま
で行う。これにより、Ｓｉ残渣の低減を図り感度ムラを
防止する。更に、２次エッチングをウェットエッチング
にて行い残りの１０％を除去する。これにより、ＰＳＧ
保護膜の膜減りを原因とする白点の発生が抑えられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばカメラ一体
型ＶＴＲ等に用いられる固体撮像素子およびその製造方
法に関し、更に詳しくは、Ａｌ遮光膜のエッチング方法
を改良して、Ｓｉ残渣による感度ムラや白点の発生によ
る生産効率の低下を排除した固体撮像素子およびその製
造方法に関する。
型ＶＴＲ等に用いられる固体撮像素子およびその製造方
法に関し、更に詳しくは、Ａｌ遮光膜のエッチング方法
を改良して、Ｓｉ残渣による感度ムラや白点の発生によ
る生産効率の低下を排除した固体撮像素子およびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤなどの固体撮像素子は、例えばカ
メラ一体型ＶＴＲ用の撮像素子として広く用いられてい
る。図１は本発明に係わる固体撮像素子の概略を示す平
面図であり、図における固体撮像素子は、入射光を光電
変換するフォトセンサ１、フォトセンサ１の垂直列毎に
配列され、読み出しゲートを介して読み出された信号電
荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ２などによっ
て撮像領域３を形成している。撮像領域３の周囲には配
線領域やＯＰＢ（オプティカルブラック：図示省略）が
後述するＡｌ遮光膜によって形成されている。
メラ一体型ＶＴＲ用の撮像素子として広く用いられてい
る。図１は本発明に係わる固体撮像素子の概略を示す平
面図であり、図における固体撮像素子は、入射光を光電
変換するフォトセンサ１、フォトセンサ１の垂直列毎に
配列され、読み出しゲートを介して読み出された信号電
荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ２などによっ
て撮像領域３を形成している。撮像領域３の周囲には配
線領域やＯＰＢ（オプティカルブラック：図示省略）が
後述するＡｌ遮光膜によって形成されている。
【０００３】そして、フォトセンサ１を介して垂直転送
レジスタ２に読み出された信号電荷は、１走査線毎に水
平転送レジスタ４に転送される。水平転送レジスタ４で
は、垂直転送レジスタ２から転送された１走査線分の信
号電荷を水平方向に転送する。水平転送レジスタ４の出
力端には水平転送レジスタ４によって転送された信号電
荷を電圧信号として導出する出力部５が形成されてい
る。
レジスタ２に読み出された信号電荷は、１走査線毎に水
平転送レジスタ４に転送される。水平転送レジスタ４で
は、垂直転送レジスタ２から転送された１走査線分の信
号電荷を水平方向に転送する。水平転送レジスタ４の出
力端には水平転送レジスタ４によって転送された信号電
荷を電圧信号として導出する出力部５が形成されてい
る。
【０００４】次に、図２を参照して垂直転送レジスタ近
傍の配線構造を説明する。図２は本発明に係わるイメー
ジ部の製造工程途中における拡大平面図である。
傍の配線構造を説明する。図２は本発明に係わるイメー
ジ部の製造工程途中における拡大平面図である。
【０００５】図２で示されるような固体撮像素子は、例
えばＮ形のシリコン（Ｓｉ）基板上にフォトダイオード
によって形成されたフォトセンサ１が多数マトリクス状
に配置され、列方向には垂直転送レジスタ２が配列され
ている。フォトセンサ１の垂直方向に隣り合う受光部間
や周囲の配線領域には、垂直・水平転送レジスタを駆動
するための第１層Ｐｏｌｙ−Ｓｉ（多結晶シリコン）電
極６および第２層Ｐｏｌｙ−Ｓｉ電極７が重なりあって
形成されている。各電極および周囲配線部上には、遮光
効果強化のためのＳｉを含んだ第１層目のＡｌ遮光膜８
がフォトセンサ１を開口して形成されている。
えばＮ形のシリコン（Ｓｉ）基板上にフォトダイオード
によって形成されたフォトセンサ１が多数マトリクス状
に配置され、列方向には垂直転送レジスタ２が配列され
ている。フォトセンサ１の垂直方向に隣り合う受光部間
や周囲の配線領域には、垂直・水平転送レジスタを駆動
するための第１層Ｐｏｌｙ−Ｓｉ（多結晶シリコン）電
極６および第２層Ｐｏｌｙ−Ｓｉ電極７が重なりあって
形成されている。各電極および周囲配線部上には、遮光
効果強化のためのＳｉを含んだ第１層目のＡｌ遮光膜８
がフォトセンサ１を開口して形成されている。
【０００６】更に、図３を参照して本発明に係わる固体
撮像素子の垂直転送レジスタの断面構造を説明する。図
３は図２におけるＡ−Ａ線上の断面図である。
撮像素子の垂直転送レジスタの断面構造を説明する。図
３は図２におけるＡ−Ａ線上の断面図である。
【０００７】図３の断面形状において、Ｓｉ基板に多結
晶シリコン層によるＰｏｌｙ−Ｓｉ電極９が形成され、
その上部には酸化膜１０を介して、電極の段差を緩和
し、上部に敷かれるＡｌのステップカバレージを改善す
る、電極と後述するＡｌ遮光膜との絶縁材の役割を果
たす等の目的により、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）
保護膜１２が３００ｎｍ程度の膜厚にて形成されてい
る。
晶シリコン層によるＰｏｌｙ−Ｓｉ電極９が形成され、
その上部には酸化膜１０を介して、電極の段差を緩和
し、上部に敷かれるＡｌのステップカバレージを改善す
る、電極と後述するＡｌ遮光膜との絶縁材の役割を果
たす等の目的により、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）
保護膜１２が３００ｎｍ程度の膜厚にて形成されてい
る。
【０００８】ＰＳＧ保護膜１２上には、前述のＳｉを含
むＡｌによるＡｌ遮光膜８が形成されている。なお、こ
の工程後にはフォトセンサ部の開口を形成する第２層目
のＡｌ遮光膜や上層保護膜、色フィルタおよびマイクロ
集光レンズ等が形成されるが、図３で示す断面図におい
ては簡単のため省略するものとする。
むＡｌによるＡｌ遮光膜８が形成されている。なお、こ
の工程後にはフォトセンサ部の開口を形成する第２層目
のＡｌ遮光膜や上層保護膜、色フィルタおよびマイクロ
集光レンズ等が形成されるが、図３で示す断面図におい
ては簡単のため省略するものとする。
【０００９】引き続き、本発明の課題を明らかにするた
め、図３を参照してＡｌ遮光膜８の形成方法を説明す
る。先ず、処理済ウエハにスパッタリング処理を行い、
Ｓｉを添加したＡｌをウエハ全面に蒸着する。その後、
フォトセンサ等のＡｌ不要部分をエッチング除去してＡ
ｌ遮光膜８を形成する。その際のエッチング処理をウェ
ットエッチングにて行う場合、Ａｌに添加されたＳｉの
除去が充分行われずにエッチング部に残ってしまう。こ
のＳｉ残渣がセンサ開口部に多く残ると、固体撮像素子
の感度ムラの原因となる場合がある。
め、図３を参照してＡｌ遮光膜８の形成方法を説明す
る。先ず、処理済ウエハにスパッタリング処理を行い、
Ｓｉを添加したＡｌをウエハ全面に蒸着する。その後、
フォトセンサ等のＡｌ不要部分をエッチング除去してＡ
ｌ遮光膜８を形成する。その際のエッチング処理をウェ
ットエッチングにて行う場合、Ａｌに添加されたＳｉの
除去が充分行われずにエッチング部に残ってしまう。こ
のＳｉ残渣がセンサ開口部に多く残ると、固体撮像素子
の感度ムラの原因となる場合がある。
【００１０】また、垂直転送レジスタ上やセンサ開口部
周辺にＳｉが残ると、後工程にてＡｌをスパッタリング
処理する際、Ａｌが残っているＳｉ粒子を包み込んでＡ
ｌ形成高さが局部的に高くなる場合がある。そして、こ
の部分で入射光が阻害されて感度ムラとなる虞れがあ
る。更に、近年の電子機器の小型・高性能化の要請に応
じて固体撮像素子の光学系は１／３、１／４インチと小
さくなる傾向にある。其れに伴い、フォトセンサ開口部
も益々縮小化されているため、このようなＳｉ残渣によ
る感度ムラの影響が無視できないレベルとなりつつあ
る。
周辺にＳｉが残ると、後工程にてＡｌをスパッタリング
処理する際、Ａｌが残っているＳｉ粒子を包み込んでＡ
ｌ形成高さが局部的に高くなる場合がある。そして、こ
の部分で入射光が阻害されて感度ムラとなる虞れがあ
る。更に、近年の電子機器の小型・高性能化の要請に応
じて固体撮像素子の光学系は１／３、１／４インチと小
さくなる傾向にある。其れに伴い、フォトセンサ開口部
も益々縮小化されているため、このようなＳｉ残渣によ
る感度ムラの影響が無視できないレベルとなりつつあ
る。
【００１１】このような問題を解決するため、不要部分
のＡｌエッチングをドライエッチングにより行い、Ａｌ
とＳｉとを同時にエッチング除去する方法も考えられる
が、このようなエッチング方法では、エッチングレート
等のプロセス的ばらつきを考慮して、Ａｌ遮光膜８の膜
厚を越えてエッチング処理を行わなくてはならない。
のＡｌエッチングをドライエッチングにより行い、Ａｌ
とＳｉとを同時にエッチング除去する方法も考えられる
が、このようなエッチング方法では、エッチングレート
等のプロセス的ばらつきを考慮して、Ａｌ遮光膜８の膜
厚を越えてエッチング処理を行わなくてはならない。
【００１２】しかしながら、周知のようにＡｌ遮光膜８
の下に形成されているＰＳＧ保護膜１２は、Ａｌ遮光膜
５のエッチング処理の際、Ａｌとのエッチング選択比が
充分でない場合に膜減りを起こす。ＰＳＧ保護膜１２が
膜減りを起こして充分確保されないと、白点が発生する
という問題が起こり、固体撮像素子の生産効率を低下さ
せるばかりか、固体撮像素子の生産歩留の低下を招くと
いう問題点がある。
の下に形成されているＰＳＧ保護膜１２は、Ａｌ遮光膜
５のエッチング処理の際、Ａｌとのエッチング選択比が
充分でない場合に膜減りを起こす。ＰＳＧ保護膜１２が
膜減りを起こして充分確保されないと、白点が発生する
という問題が起こり、固体撮像素子の生産効率を低下さ
せるばかりか、固体撮像素子の生産歩留の低下を招くと
いう問題点がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる問題点
に鑑みてなされたもので、その課題は、固体撮像素子に
おけるＡｌ遮光膜を、ウェットエッチングにて形成する
場合にＳｉが開口部に残って感度ムラとなることを防止
し、また、Ａｌ遮光膜をドライエッチングにて形成する
場合の保護膜の膜減りによる白点の発生を低減して、生
産効率の向上を図った固体撮像素子およびその製造方法
を提供することである。
に鑑みてなされたもので、その課題は、固体撮像素子に
おけるＡｌ遮光膜を、ウェットエッチングにて形成する
場合にＳｉが開口部に残って感度ムラとなることを防止
し、また、Ａｌ遮光膜をドライエッチングにて形成する
場合の保護膜の膜減りによる白点の発生を低減して、生
産効率の向上を図った固体撮像素子およびその製造方法
を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに本発明の固体撮像素子の製造方法は、ＰＳＧ保護膜
を形成する工程と、そのＰＳＧ保護膜上にＳｉを添加し
たＡｌを蒸着した後、Ａｌ開口部および配線部をパター
ニング・エッチング処理してＡｌ遮光膜を形成する工程
とを、少なくとも有する固体撮像素子の製造方法におい
て、Ａｌ遮光膜の形成工程におけるＡｌ開口部および配
線部のエッチング処理に際して、Ａｌ遮光膜の膜厚の、
例えば９０％をドライエッチングにて処理を行うことに
よりＡｌ遮光膜のＳｉ残渣を抑える１次工程と、Ａｌ遮
光膜の残りの膜厚１０％をウェットエッチングにて処理
を行うことによりＡｌ遮光膜直下に形成されたＰＳＧ保
護膜の膜減りを抑える２次工程とを含むものである。
めに本発明の固体撮像素子の製造方法は、ＰＳＧ保護膜
を形成する工程と、そのＰＳＧ保護膜上にＳｉを添加し
たＡｌを蒸着した後、Ａｌ開口部および配線部をパター
ニング・エッチング処理してＡｌ遮光膜を形成する工程
とを、少なくとも有する固体撮像素子の製造方法におい
て、Ａｌ遮光膜の形成工程におけるＡｌ開口部および配
線部のエッチング処理に際して、Ａｌ遮光膜の膜厚の、
例えば９０％をドライエッチングにて処理を行うことに
よりＡｌ遮光膜のＳｉ残渣を抑える１次工程と、Ａｌ遮
光膜の残りの膜厚１０％をウェットエッチングにて処理
を行うことによりＡｌ遮光膜直下に形成されたＰＳＧ保
護膜の膜減りを抑える２次工程とを含むものである。
【００１５】従って、本発明の固体撮像素子の製造方法
では、Ｓｉを添加したＡｌ遮光膜のエッチング処理を１
次ドライエッチングと２次ウェットエッチングの２段階
にて行うようにしたため、固体撮像素子の感度ムラやＡ
ｌ遮光膜直下のＰＳＧ保護膜の膜減りを防ぐことができ
る。すなわち、１次のドライエッチングによってＡｌ遮
光膜のＳｉ残渣を抑えた処理を行うことにより、Ｓｉが
センサ開口部等に残って感度ムラを起こすのを防ぐこと
が出来るとともに、２次のウェットエッチングにて残り
のＡｌ遮光膜をエッチング除去するため、Ａｌ遮光膜下
のＰＳＧ保護膜（酸化膜等）の膜減りを防ぐことができ
る。
では、Ｓｉを添加したＡｌ遮光膜のエッチング処理を１
次ドライエッチングと２次ウェットエッチングの２段階
にて行うようにしたため、固体撮像素子の感度ムラやＡ
ｌ遮光膜直下のＰＳＧ保護膜の膜減りを防ぐことができ
る。すなわち、１次のドライエッチングによってＡｌ遮
光膜のＳｉ残渣を抑えた処理を行うことにより、Ｓｉが
センサ開口部等に残って感度ムラを起こすのを防ぐこと
が出来るとともに、２次のウェットエッチングにて残り
のＡｌ遮光膜をエッチング除去するため、Ａｌ遮光膜下
のＰＳＧ保護膜（酸化膜等）の膜減りを防ぐことができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態につき添付図面を参照して説明する。
態につき添付図面を参照して説明する。
【００１７】図４のセンサ開口部のプロセス図および図
５の周囲配線部のプロセス図を参照しつつ、本発明の固
体撮像素子の製造工程を並行して説明する。
５の周囲配線部のプロセス図を参照しつつ、本発明の固
体撮像素子の製造工程を並行して説明する。
【００１８】ここで、図４は本発明の固体撮像素子にお
けるセンサ開口部（図２のＡ−Ａ部）の製造プロセス図
であり、図５は本発明の固体撮像素子における配線部の
製造プロセス図である。図４、図５それぞれ同一工程を
示す（ａ）は、Ａｌスパッタリングおよびパターニング
後の工程断面図でり、（ｂ）は、Ａｌドライエッチング
後の工程断面図であり、（ｃ）は、Ａｌウェットエッチ
ングおよびレジスト剥離後の工程断面図を示すものであ
る。なお、上記で示した事項と共通する部分には同一の
参照符号を付すものとする。
けるセンサ開口部（図２のＡ−Ａ部）の製造プロセス図
であり、図５は本発明の固体撮像素子における配線部の
製造プロセス図である。図４、図５それぞれ同一工程を
示す（ａ）は、Ａｌスパッタリングおよびパターニング
後の工程断面図でり、（ｂ）は、Ａｌドライエッチング
後の工程断面図であり、（ｃ）は、Ａｌウェットエッチ
ングおよびレジスト剥離後の工程断面図を示すものであ
る。なお、上記で示した事項と共通する部分には同一の
参照符号を付すものとする。
【００１９】先ず、図４（ａ）に示すように、例えばＮ
形のＳｉ基板上に転送電極となるＰｏｌｙ−Ｓｉ電極９
を形成した後、パターニングを行う。次に、酸化膜１０
を介して全面にＰＳＧ保護膜１２をＣＶＤ法などで堆積
させ、リフローして形成する。その後、Ｓｉを添加した
Ａｌをスパッタリング等により蒸着してＡｌ遮光膜８を
形成する。更に、Ａｌ開口部形成のためのレジスト膜１
３をパターニング形成する。
形のＳｉ基板上に転送電極となるＰｏｌｙ−Ｓｉ電極９
を形成した後、パターニングを行う。次に、酸化膜１０
を介して全面にＰＳＧ保護膜１２をＣＶＤ法などで堆積
させ、リフローして形成する。その後、Ｓｉを添加した
Ａｌをスパッタリング等により蒸着してＡｌ遮光膜８を
形成する。更に、Ａｌ開口部形成のためのレジスト膜１
３をパターニング形成する。
【００２０】同様に、図５（ａ）に示すように、撮像領
域の周囲に形成されるフィールド酸化膜１１を形成した
後、ＰＳＧ保護膜１２を形成する。次に、Ｓｉを添加し
たＡｌをスパッタリング等により蒸着してＡｌ遮光膜８
を形成する。次に、配線部形成のためのレジスト膜１３
をパターニング形成する。
域の周囲に形成されるフィールド酸化膜１１を形成した
後、ＰＳＧ保護膜１２を形成する。次に、Ｓｉを添加し
たＡｌをスパッタリング等により蒸着してＡｌ遮光膜８
を形成する。次に、配線部形成のためのレジスト膜１３
をパターニング形成する。
【００２１】図４（ｂ）に移り、Ａｌ開口部形成のため
の１次エッチングをドライエッチングにて行う。この際
のドライエッチングは、スパッタリング形成されている
Ａｌ遮光膜８の膜厚よりも少なく、例えばＡｌ遮光膜８
の膜厚の９０％程度まで（Ｓｉを添加したＡｌ遮光膜８
が１０％程度残るように）エッチングを行う。
の１次エッチングをドライエッチングにて行う。この際
のドライエッチングは、スパッタリング形成されている
Ａｌ遮光膜８の膜厚よりも少なく、例えばＡｌ遮光膜８
の膜厚の９０％程度まで（Ｓｉを添加したＡｌ遮光膜８
が１０％程度残るように）エッチングを行う。
【００２２】図５（ｂ）においても同様に、配線部とな
る部分を残し、それ以外のＡｌ遮光膜８を例えばＡｌ遮
光膜８の膜厚の９０％程度までドライエッチングを行
う。
る部分を残し、それ以外のＡｌ遮光膜８を例えばＡｌ遮
光膜８の膜厚の９０％程度までドライエッチングを行
う。
【００２３】その後、パターニング用のレジスト膜１３
を付けたまま、或いはレジスト膜１３を剥離後再びパタ
ーニングを行った後、２次エッチングをウェットエッチ
ングにて行い、残りの１０％のＡｌ遮光膜８を除去す
る。その後、レジスト膜１３の剥離を行い、Ａｌ開口部
を有するＡｌ遮光膜８（図４（ｃ）参照）および配線部
を有するＡｌ遮光膜８（図５（ｃ）参照）を形成し、図
示を省略したフォトセンサ開口部を形成する第２層目の
Ａｌ遮光膜を配置して本発明の固体撮像素子を得る。
を付けたまま、或いはレジスト膜１３を剥離後再びパタ
ーニングを行った後、２次エッチングをウェットエッチ
ングにて行い、残りの１０％のＡｌ遮光膜８を除去す
る。その後、レジスト膜１３の剥離を行い、Ａｌ開口部
を有するＡｌ遮光膜８（図４（ｃ）参照）および配線部
を有するＡｌ遮光膜８（図５（ｃ）参照）を形成し、図
示を省略したフォトセンサ開口部を形成する第２層目の
Ａｌ遮光膜を配置して本発明の固体撮像素子を得る。
【００２４】かかる本発明の固体撮像素子の製造方法に
よれば、Ｓｉを添加したＡｌ遮光膜８のエッチング処理
を２段階にて行うようにしたため、固体撮像素子の感度
ムラやＡｌ遮光膜８直下のＰＳＧ保護膜１２の膜減りを
防ぐことができる。すなわち、１次のドライエッチング
処理においてＡｌ遮光膜８のＳｉ残渣を殆ど抑えたエッ
チング処理を行うことにより、Ｓｉがセンサ開口部に残
って感度ムラを起こすのを防ぐことが出来る。また、２
次のウェットエッチング処理にて残りのＡｌ遮光膜８を
除去するようにしたため、Ａｌ遮光膜８下のＰＳＧ保護
膜１２（酸化膜等）の膜減りを防ぐことができる。つま
り、ウェットエッチングは選択比が大きいため、直下の
ＰＳＧ保護膜１２の膜減りを防ぐことができる。
よれば、Ｓｉを添加したＡｌ遮光膜８のエッチング処理
を２段階にて行うようにしたため、固体撮像素子の感度
ムラやＡｌ遮光膜８直下のＰＳＧ保護膜１２の膜減りを
防ぐことができる。すなわち、１次のドライエッチング
処理においてＡｌ遮光膜８のＳｉ残渣を殆ど抑えたエッ
チング処理を行うことにより、Ｓｉがセンサ開口部に残
って感度ムラを起こすのを防ぐことが出来る。また、２
次のウェットエッチング処理にて残りのＡｌ遮光膜８を
除去するようにしたため、Ａｌ遮光膜８下のＰＳＧ保護
膜１２（酸化膜等）の膜減りを防ぐことができる。つま
り、ウェットエッチングは選択比が大きいため、直下の
ＰＳＧ保護膜１２の膜減りを防ぐことができる。
【００２５】これにより、ＰＳＧ保護膜１２の膜減りを
原因とする白点が発生することがなく、固体撮像素子の
生産効率を向上することができる。また特に、エッチン
グ処理にドライエッチングを組み合わることにより、微
細パターンのエッチング処理にも対応できるようにな
り、センサ開口部の縮小化に容易に対応できる。以下の
工程は従来から用いられている方式と同一であるため説
明を省略する。
原因とする白点が発生することがなく、固体撮像素子の
生産効率を向上することができる。また特に、エッチン
グ処理にドライエッチングを組み合わることにより、微
細パターンのエッチング処理にも対応できるようにな
り、センサ開口部の縮小化に容易に対応できる。以下の
工程は従来から用いられている方式と同一であるため説
明を省略する。
【００２６】本発明は上記実施の形態例に限定されず、
種々の実施形態を採ることができる。例えば、上記実施
の形態例ではインタライン・トランスファ方式（ＩＴ）
のＣＣＤ固体撮像素子を例示したが、フレーム・インタ
ライン・トランスファ方式（ＦＩＴ）等その他の固体撮
像素子にも適宜応用が可能であることは言うまでもな
い。
種々の実施形態を採ることができる。例えば、上記実施
の形態例ではインタライン・トランスファ方式（ＩＴ）
のＣＣＤ固体撮像素子を例示したが、フレーム・インタ
ライン・トランスファ方式（ＦＩＴ）等その他の固体撮
像素子にも適宜応用が可能であることは言うまでもな
い。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
素子およびその製造方法においては、Ｓｉを添加したＡ
ｌ遮光膜のエッチング処理において、１次のドライエッ
チング処理にてＡｌ遮光膜のＳｉ残渣を抑えた処理を行
うことにより、Ｓｉがセンサ開口部に残って感度ムラと
なることを防止する。また、２次のウェットエッチング
処理にて残りのＡｌ遮光膜を除去することにより、Ａｌ
遮光膜直下のＰＳＧ保護膜の膜減りを防ぐ。これによ
り、ＰＳＧ保護膜の膜減りを原因とする白点の発生が抑
えられ、固体撮像素子の生産効率を向上でき、それに伴
う固体撮像素子の生産歩留の向上する効果がある。
素子およびその製造方法においては、Ｓｉを添加したＡ
ｌ遮光膜のエッチング処理において、１次のドライエッ
チング処理にてＡｌ遮光膜のＳｉ残渣を抑えた処理を行
うことにより、Ｓｉがセンサ開口部に残って感度ムラと
なることを防止する。また、２次のウェットエッチング
処理にて残りのＡｌ遮光膜を除去することにより、Ａｌ
遮光膜直下のＰＳＧ保護膜の膜減りを防ぐ。これによ
り、ＰＳＧ保護膜の膜減りを原因とする白点の発生が抑
えられ、固体撮像素子の生産効率を向上でき、それに伴
う固体撮像素子の生産歩留の向上する効果がある。
【図１】 本発明に係わる固体撮像素子の概略を示す平
面図である。
面図である。
【図２】 本発明に係わるイメージ部の製造工程途中に
おける拡大平面図である。
おける拡大平面図である。
【図３】 図２におけるＡ−Ａ線上の断面図である。
【図４】 本発明の固体撮像素子におけるセンサ開口部
の製造プロセス図であり、（ａ）はＡｌスパッタリング
およびパターニング後の工程断面図、（ｂ）はＡｌドラ
イエッチング後の工程断面図、（ｃ）はＡｌウェットエ
ッチングおよびレジスト剥離後の工程断面図である。
の製造プロセス図であり、（ａ）はＡｌスパッタリング
およびパターニング後の工程断面図、（ｂ）はＡｌドラ
イエッチング後の工程断面図、（ｃ）はＡｌウェットエ
ッチングおよびレジスト剥離後の工程断面図である。
【図５】 本発明の固体撮像素子における配線部の製造
プロセス図であり、（ａ）はＡｌスパッタリングおよび
パターニング後の工程断面図、（ｂ）はＡｌドライエッ
チング後の工程断面図、（ｃ）はＡｌウェットエッチン
グおよびレジスト剥離後の工程断面図である。
プロセス図であり、（ａ）はＡｌスパッタリングおよび
パターニング後の工程断面図、（ｂ）はＡｌドライエッ
チング後の工程断面図、（ｃ）はＡｌウェットエッチン
グおよびレジスト剥離後の工程断面図である。
１…フォトセンサ、２…垂直転送レジスタ、３…撮像領
域、４…水平転送レジスタ、５…出力部、６…第１層Ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ電極、７…第２層Ｐｏｌｙ−Ｓｉ電極、８
…Ａｌ遮光膜、９…Ｐｏｌｙ−Ｓｉ電極、１０…酸化
膜、１１…フィールド酸化膜、１２…ＰＳＧ保護膜、１
３…レジスト膜
域、４…水平転送レジスタ、５…出力部、６…第１層Ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ電極、７…第２層Ｐｏｌｙ−Ｓｉ電極、８
…Ａｌ遮光膜、９…Ｐｏｌｙ−Ｓｉ電極、１０…酸化
膜、１１…フィールド酸化膜、１２…ＰＳＧ保護膜、１
３…レジスト膜
Claims (4)
- 【請求項１】 ＰＳＧ保護膜を形成する工程と、 前記ＰＳＧ保護膜上にＳｉを添加したＡｌを蒸着後、Ａ
ｌ開口部および配線部をエッチング処理してＡｌ遮光膜
を形成する工程とを、少なくとも有する固体撮像素子の
製造方法において、 前記Ａｌ遮光膜の形成工程におけるＡｌ開口部および配
線部のエッチング処理に際し、 前記Ａｌ遮光膜の膜厚の所定量をドライエッチングにて
行うことにより、前記Ａｌ遮光膜のＳｉ残渣を抑える１
次工程と、 前記Ａｌ遮光膜の残りの所定量をウェットエッチングに
て行うことにより、前記Ａｌ遮光膜直下に形成されたＰ
ＳＧ保護膜の膜減りを抑える２次工程とを含むことを特
徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記１次工程の膜厚の所定量は、少なく
とも前記Ａｌ遮光膜の膜厚以下であるとともに、残りの
所定量は、前記２次工程によって処理されることを特徴
とする請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記１次工程の膜厚の所定量は、前記Ａ
ｌ遮光膜の膜厚の９０％であるとともに、前記２次工程
の残りの所定量は、前記Ａｌ遮光膜の残りの１０％であ
ることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子の製
造方法。 - 【請求項４】 前記請求項１ないし請求項３の何れか１
項記載の固体撮像素子の製造方法によって製造されたこ
とを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256626A JPH10107239A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256626A JPH10107239A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107239A true JPH10107239A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17295232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8256626A Pending JPH10107239A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107239A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011145292A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Fei Co | 放射線検出器 |
| CN104810279A (zh) * | 2014-01-23 | 2015-07-29 | 北大方正集团有限公司 | 一种铝刻蚀方法及装置 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP8256626A patent/JPH10107239A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011145292A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Fei Co | 放射線検出器 |
| CN104810279A (zh) * | 2014-01-23 | 2015-07-29 | 北大方正集团有限公司 | 一种铝刻蚀方法及装置 |
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