JP3304623B2 - 膜形成方法及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、固体撮像
素子等の製造に適用される膜形成方法、及びこの膜形成
方法を利用してスミアの低減を図った固体撮像素子の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば１インチ光学系のＨＤ（高品位）
ＴＶ用等のＣＣＤ固体撮像素子においては、垂直転送レ
ジスタに印加される転送クロックの伝搬遅延の防止を図
るために、シャント配線構造のＣＣＤ固体撮像素子が提
案されている。

【０００３】図１０及び図１１は、シャント配線構造を
有するＦＩＴ（フレームインターライントランスファ）
型ＣＣＤ固体撮像素子、特にその撮像部の一例を示す。
このＣＣＤ固体撮像素子１は、第１導電形例えばｎ形の
シリコン基板２上の第１の第２導電形即ちｐ形のウエル
領域３内に、ｎ形の不純物拡散領域４と、垂直転送レジ
スタ５を構成するｎ形転送チャネル領域６並びにｐ形の
チャネルストップ領域７が形成され、上記ｎ形の不純物
拡散領域４上にｐ形の正電荷蓄積領域８が、ｎ形の転送
チャネル領域６の直下に第２のｐ形ウエル領域９が夫々
形成されている。

【０００４】ここで、ｎ形の不純物拡散領域４とｐ形ウ
エル領域３とのｐｎ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換部）１０が構成される。この
受光部１０は画素となるもので複数の受光部１０がマト
リックス状に配列されている。

【０００５】垂直転送レジスタ５を構成する転送チャネ
ル領域６、チャネルストップ領域７及び読み出しゲート
部１１上にゲート絶縁膜１５を介して第１層及び第２層
の多結晶シリコンからなる複数の転送電極１６〔１６
Ａ，１６Ｂ〕が形成され、転送チャネル領域６、ゲート
絶縁膜１５及び転送電極１６により垂直転送レジスタ５
が構成される。転送電極１６は夫々水平方向に延長して
形成され、垂直方向に隣り合う受光部１０間の領域で
は、第１層多結晶シリコンの転送電極１６Ａと第２層多
結晶シリコンの転送電極１６Ｂとが重なって形成され
る。

【０００６】さらに、層間絶縁層１７を介して各垂直転
送レジスタ５上に垂直方向に延在するように、第１Ａｌ
層によるシャント配線層１８が形成され、各シャント配
線層１８が対応する転送電極１６に対しコンタクト部１
９を介して接続される。このシャント配線層１８には例
えば４相の転送クロックφＶ₁ 〜φＶ₄ が印加される。
この構成では、このＡｌシャント配線層１８がスミア低
減を図るためのＡｌ遮光層を兼用している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述した第１Ａｌ層を
各垂直転送レジスタ５上の遮光層とシャント配線層１８
に兼用したＣＣＤ固体撮像素子１では、各垂直方向に隣
り合う受光部１０間に入射する光については遮光できな
いため、この垂直方向に隣り合う受光部１０間に入射す
る光が垂直転送レジスタ５に漏れ込むことにより、スミ
ア抑圧比を十分に下げることが出来なかった。

【０００８】一方、本出願人は先に特願平５−１１４８
５９号において、更にスミアの低減を図ったＣＣＤ固体
撮像素子を提案した。

【０００９】このＣＣＤ固体撮像素子は、マトリックス
状に配列された複数の受光部と、各受光部列毎に配され
た転送電極を有する垂直転送レジスタと、垂直転送レジ
スタ上に転送電極に接続されたシャント配線層を有し、
シャント配線層を覆う層間絶縁層を介して受光部を囲う
ように遮光層を形成し、遮光層の受光部側にはり出すは
り出し部下には層間絶縁層を形成しないように構成され
る。

【００１０】即ち、図８に示すように、内部の各領域は
図示せざるも前述の図１１と同様の構成を採る半導体基
体２１上にゲート絶縁膜２２を介して多結晶シリコンに
よる転送電極２３〔２３Ａ，２３Ｂ〕を形成し、次い
で、例えばＳｉＯ₂ による平坦化膜２４を形成した後、
転送電極２３の所要位置にコンタクトホール２４を形成
し、全面にシャント用のＡｌ層を蒸着等で形成したの
ち、選択エッチングによるパターニングでシャントＡｌ
配線層２５を形成する。

【００１１】次に、全面に例えばＳｉＯ₂ 等による絶縁
膜を被着形成し、選択エッチングによるパターニングに
より、シャントＡｌ配線層２５を覆う層間絶縁膜２６を
形成する。

【００１２】次に、例えばＴｉＯＮ等の反射防止膜２７
及び遮光用のＡｌ膜を全面に形成した後、選択エッチン
グによりパターニングして、受光部１０を囲い且つ一部
受光部１０側にはり出すはり出し部２８ａを有するＡｌ
遮光層２８を形成する。しかる後、全面に絶縁膜による
上層保護膜２９を形成してＣＣＤ固体撮像素子３０を構
成する。

【００１３】かかる構成のＣＣＤ固体撮像素子３０によ
れば、シャントＡｌ配線層２５とＡｌ遮光層２８との層
間絶縁膜２６を受光部１０上ではエッチング除去されて
いるので、Ａｌ遮光層２８のはり出し部２８ａをより受
光部１０の表面に近付けて形成でき、更なるスミアの低
減化が可能になる。

【００１４】しかし乍ら、図８のＣＣＤ固体撮像素子３
０では、層間絶縁膜２６を形成する際の絶縁膜に対する
選択エッチングにおいて、転送電極２３の側壁部分に層
間絶縁膜がサイドウォール２６ａとして残り、実際の出
来上がりは、図９に示す構造となる。即ち、サイドウォ
ール２６ａ上を覆うように反射防止膜２７及びＡｌ遮光
層２８が形成される。

【００１５】この形状では、低スミア化のために、Ａｌ
遮光膜２８の下に反射防止膜２７を敷いた場合、サイド
ウォール２６ａの部分は反射防止膜２７の無効部分Ｌ₂
となり、はり出し部２８ａにおける反射防止膜２７の有
効部分Ｌ₁ が短くなってスミア低減効果が弱まってしま
うという問題点があった。

【００１６】また、サイドウォール２６ａを取り去るた
めに、オーバーエッチングで対応しようとすると、受光
部１０の表面の膜減りが問題となり、白点による歩留り
の低下が懸念される。

【００１７】本発明は、上述の点に鑑み、他に影響を与
えずにサイドウォールを除去し、サイドウォールのない
状態で上層膜の積層形成を可能にした膜形成方法を提供
するものである。

【００１８】本発明は、上記膜形成方法を用いて層間絶
縁膜のサイドウォールを除去し低スミア化を可能にした
固体撮像素子の製造方法を提供するものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る膜形成方法
は、図１及び図２に示すように、基板４１上に各膜を選
択的に形成するに際し、サイドウォールの発生し易い場
所に予め第１の材料膜４５を用いて第１のサイドウォー
ル４６ａを形成する工程と、第１のサイドウォール４６
ａを含んで全面に第２の材料膜４７を形成する工程と、
第２の材料膜４７を第１のサイドウォール４６ａに隣接
した位置にサイドウォールが残らないように選択エッチ
ングし、この位置以外の所定の位置に第２の材料膜４７
を残す工程と、第１のサイドウォール４６ａを除去した
後、第３の材料膜４８を形成する工程とを有する。

【００２０】本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、
図５〜図７に示すように、複数の受光部１０と各受光部
列毎に転送電極５３を有した垂直転送レジスタ５を形成
する工程と、第１の絶縁層５４を介してシャント配線用
の材料層５５′を形成する工程と、サイドウォール５
５′ａが残るように材料層５５′を選択エッチングして
転送レジスタ５上に転送電極５３と接続するシャント配
線層５５を形成する工程と、シャント配線層５５を含む
全面に第２の絶縁層５７を形成する工程と、第２の絶縁
層５７をサイドウォール５７ａが残らないように選択エ
ッチングしてシャント配線層５５を覆う層間絶縁層５７
を形成する工程と、材料層５５′のサイドウォール５
５′ａを除去する工程と、受光部１０側にはり出すはり
出し部５８ａを有し、下面に反射防止膜５９を有する遮
光層５８を形成する工程とを有する。

【００２１】

【作用】本発明に係る膜形成方法においては、サイドウ
ォールの発生し易い場所に予め第１の材料膜４５による
サイドウォール４６ａを残すことにより、このサイドウ
ォール４６ａを含んで全面に形成した第２の材料膜４７
を選択エッチング処理する際に、この第２の材料膜４７
のエッチング残り、所謂サイドウォール４７ａが極めて
小さくなる。従って、少ないオーバーエッチングによ
り、他部に影響を与えることなく第２の材料膜４７をサ
イドウォール４７ａが残らないように選択エッチング処
理ができる。即ち、所定の位置のみに第２の材料膜４７
のパターンが残るように選択エッチング処理することが
できる。

【００２２】そして、第２の材料膜４７をサイドウォー
ル４７ａが残らないように選択エッチング処理した後
に、第１の材料膜４５のサイドウォール４６ａを除去
し、その後、第３の材料膜４８を形成することにより、
エッチング残り（所謂サイドウォール）が完全に除去さ
れた状態で第３の材料膜４８がきれいに積層形成される
ことになる。

【００２３】本発明に係る固体撮像素子の製造方法にお
いては、転送電極５３の側壁部分にサイドウォール５
５′ａが残るようにシャント配線用の材料層５５′を選
択エッチングして転送電極５３と接続するシャント配線
層５５を形成した後、全面に第２の絶縁層５７を形成
し、この第２の絶縁層５７を選択エッチングすることに
より、上記サイドウォール５５′ａの側面に残る第２の
絶縁膜５７のエッチング残り（所謂サイドウォール）５
７ａは少ない。従って、少ないオーバーエッチングによ
り受光部１０上の膜５４に悪影響（膜減り）を与えるこ
となく、この第２の絶縁膜５７のエッチング残り５７ａ
を除去することができる。

【００２４】次いで、材料層のサイドウォール５５′ａ
をウエットエッチング等により除去した後、受光部１０
側にはり出すはり出し部５８ａを有し下面に反射防止膜
５９を有する遮光層５８を形成することにより、反射防
止膜５９は転送電極５３の側壁部分より、受光部１０側
に沿って形成され、反射防止膜５９の有効部分が長くな
り、スミア低減効果が強まる。

【００２５】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。

【００２６】図１及び図２は、本発明の膜形成方法の基
本的工程図である。図１Ａに示すように、基板例えば半
導体基板４１上に第１の膜例えば絶縁膜４２を介して選
択的に第２の膜例えば第１の電極パターン４３を形成
し、この電極パターン４３を含む全面に第３の膜例えば
絶縁膜４４を介して爾後、ウエットエッチング等損傷の
少ない処理で容易に除去できる材料よりなる第４の膜例
えばＡｌ膜４５を形成する。

【００２７】次に、図１Ｂに示すように、Ａｌ膜４５を
反応性イオンエッチング等のドライエッチングによりＡ
ｌ膜４５をパターニングして例えば電極パターン４３上
にＡｌによる第２の電極パターン４６を形成すると共
に、第１の電極パターン４３の側壁部分にＡｌのサイド
ウォール４６ａを残す。

【００２８】次に、図１Ｃに示すように、全面に第５の
膜例えば絶縁膜４７を被着形成する。

【００２９】次に、図１Ｄに示すように、絶縁膜４７を
ドライエッチングによりパターニングして第２の電極パ
ターン４３を覆う絶縁膜４７を残す。この絶縁膜４７を
ジャストエッチングした状態では、Ａｌのサイドウォー
ル４６ａの外側に絶縁膜４７のエッチング残り（所謂サ
イドウォール）４７ａが生ずる。しかし、このサイドウ
ォール４７ａはＡｌのサイドウォール４６ａが形成され
ているために、比較的小さい。

【００３０】そこで、この絶縁膜４７のパターニングに
際し、図２Ｅに示すように、サイドウォール４７ａが残
らないようにオーバーエッチングしてパターニングす
る。このオーバーエッチングは、第１の電極パターン４
６が形成されていない他部の基板上の絶縁膜４４上の膜
減りを生じさせることのない程度の少ないオーバーエッ
チングで可能となる。

【００３１】次に、図２Ｆに示すように、Ａｌのサイド
ウォール４６ａを例えばウエットエッチング等により除
去する。これによって、第１の電極パターン４６の側壁
部分にはサイドウォールがない状態となる。次に、図２
Ｇに示すように、さらに全面に第６の膜４８を被着形成
する。

【００３２】かかる膜形成方法によれば、第５の膜であ
る例えば絶縁膜４７の選択エッチングに際し、絶縁膜４
７のサイドウォール４７ａの除去のためのオーバーエッ
チング処理を最小限にとどめることができ、選択的に形
成した第２の膜である例えば第１の電極パターン４３が
形成されてない基板４１上の第２の膜である例えば絶縁
膜４４を過度にオーバーエッチングすることがない。即
ち膜減りさせることがない。

【００３３】そして、予め残した第４の膜である例えば
Ａｌのサイドウォール４６ａをウエットエッチング等で
除去した後、第６の膜４８を被着形成することにより、
第１の電極パターン４３の側壁部分にサイドウォールが
無い状態で第６の膜の形成が可能となる。

【００３４】尚、第１の膜４２、第２の膜４３、第３の
膜４４、第４の膜４５、第５の膜４７及び第６の膜４８
は、具体的材料として上例に限らず、他の任意の材料膜
を適用することが可能である。

【００３５】次に、本発明に係る固体撮像素子の製造方
法の実施例を説明する。

【００３６】図３及び図４は、本発明をＦＩＴ型のＣＣ
Ｄ固体撮像素子に適用した場合の平面図及びそのＢ−Ｂ
線上の断面図である。

【００３７】このＣＣＤ固体撮像素子５１は、第１導電
型例えばｎ形のシリコン基板２上の第１の第２導電形即
ちｐ形のウエル領域３内にｎ形の不純物拡散領域４と、
垂直転送レジスタ５を構成するｎ形転送チャネル領域６
並びにｐ形のチャネルストップ領域７が形成され、上記
ｎ形の不純物拡散領域４上にｐ形の正電荷蓄積領域８
が、またｎ形のチャネル領域６の真下に第２のｐ形ウエ
ル領域９が夫々形成される。

【００３８】ここで、ｎ形の不純物拡散領域４とｐ形ウ
エル領域３とのｐｎ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換部）１０が構成される。この
受光部１０は画素となるもので、複数の受光部１０がマ
トリックス状に配列される。

【００３９】そして、この各領域が形成された半導体基
体５２の垂直転送レジスタ５を構成する転送チャネル領
域６、読み出しゲート部１１及びチャネルストップ領域
７上にゲート絶縁膜１５を介して第１層目及び第２層目
の多結晶シリコンからなる転送電極５３〔５３Ａ，５３
Ｂ〕が形成され、転送チャネル領域６、ゲート絶縁膜１
５及び転送電極５３により垂直転送レジスタ５が構成さ
れる。

【００４０】この垂直転送レジスタ５は各受光部列の一
側に形成される。各転送電極５３は水平方向に帯状に形
成され、垂直転送レジスタ５上では垂直方向に順次配列
されるも、垂直方向に隣り合う受光部１０間では第１層
目及び第２層目の多結晶シリコンによる転送電極５３Ａ
及び５３Ｂが重なるように形成される。

【００４１】そして、例えばＳｉＯ₂ による絶縁膜（平
坦化膜）５４を介して各垂直転送レジスタ５上に沿って
第１のＡｌ層によるシャント用配線層５５が形成され、
図３に示すように、各シャント用配線層５５がコンタク
ト部５６を介して対応する転送電極５３に接続される。
各転送電極５３には、このシャント用配線層を介して例
えば４相の転送クロックφＶ₁ ，φＶ₂ ，φＶ₃ 及びφ
Ｖ₄ が印加される。

【００４２】尚、図示せざるも、コンタクト部５６にお
いてＡｌと多結晶シリコンが接触することにより発生す
るポテンシャルシフトを防止するためにシャント用配線
層５５下に之に沿うように層間絶縁層を介してバッファ
用多結晶シリコンを形成し、このバッファ用多結晶シリ
コンとシャント用配線層５５を第１の位置で接続し、バ
ッファ用多結晶シリコン層と転送電極５５とを上記第１
の位置とは異なる第２の位置で接続するようになすこと
もできる。

【００４３】このシャント用配線層５５上を覆って且つ
受光部１０上を除くように例えばプラズマＳｉＮ系によ
る層間絶縁層５７が形成され、この層間絶縁層５７上及
び一部受光部１０側の絶縁層上にはり出すように例えば
ＴｉＯＮ，ＴｉＮ等の反射防止膜５９及びその上の第２
のＡｌ層からなる遮光層５８が形成される。５８ａは遮
光層５８の受光部１０側へのはり出し部である。

【００４４】尚、遮光層５８としては、Ａｌの他、Ｗ，
Ｍｏ，ＷＳｉ，ＭｏＳｉ等により形成することも可能で
ある。

【００４５】さらに、全面に例えばプラズマＳｉＮ系又
はプラズマＳｉＯ系等による絶縁保護膜６０が被着形成
される。

【００４６】このＣＣＤ固体撮像素子５１によれば、第
１のＡｌ層によるシャント用配線層５５上を覆う層間絶
縁層５７を介して受光部１０を除く垂直転送レジスタ５
上及び垂直方向に隣り合う受光部１０間の領域上に第２
のＡｌ層による遮光層５８が形成されることにより、垂
直転送レジスタ５及び垂直方向の受光部１０間の遮光を
行うことができる。

【００４７】しかも、上記層間絶縁層５７の受光部１０
に対応する部分は選択的に除去され、遮光層５８の受光
部１０側へのはり出し部５８ａが下層の薄い絶縁層５４
上に形成されるので、遮光がより確実になり、また反射
防止膜５７により、はり出し部５８ａ下の絶縁層内に入
射した光の多重反射５９が低減し、スミア成分を低減で
きる。

【００４８】次に、図５〜図７を用いて本発明による上
記ＣＣＤ固体撮像素子５１の製造方法の実施例を説明す
る。各工程順の図は、図３のＢ−Ｂ線上の断面に対応す
る。また各工程順の図において、半導体基体５２は、内
部の各領域は図示せざるも前述の図４と同様の構成を採
る。

【００４９】先ず、図５Ａに示すように、半導体基体５
２上にゲート絶縁膜１５を介して多結晶シリコンによる
転送電極５３〔５３Ａ，５３Ｂ〕を形成し、次いで全面
に例えばＳｉＯ₂ による絶縁膜５４を形成し、この絶縁
膜５４に対しシャント用配線層の所要の接続部に対応す
る位置にコンタクトホール５４ａを形成した後、全面に
シャント用配線層となる第１の金属膜、例えばＡｌ，
Ｗ、本例ではＡｌ膜５５′を被着形成する。

【００５０】次に、図５Ｂに示すように、この第１のＡ
ｌ膜５５′をパターニングし、即ち例えばドライエッチ
ングにより選択的にエッチングして転送電極５３上にコ
ンタクトホール５４ａを介して接続されたシャント用配
線層５５を形成すると共に、転送電極５３の側壁部分に
Ａｌのサイドウォール５５′ａを残す。

【００５１】次に、図５Ｃに示すように、垂直転送レジ
スタ５及び受光部１０上を含む全面に層間絶縁層５７を
被着形成する。

【００５２】次に、図６Ｄに示すように、層間絶縁層５
７を例えばドライエッチングにより選択的にエッチング
し、シャント用配線層５５を覆う部分を残し、他の受光
部１０上の層間絶縁層５７を除去する。層間絶縁層５７
をジャストエッチングした状態では、転送電極５３の側
壁部分に層間絶縁層５７のエッチング残り（所謂サイド
ウォール）５７ａが生ずる。この層間絶縁層５５の選択
エッチングは前述の図９の場合と同じ条件で行うが、本
実施例の場合、転送電極５３の側壁部分にＡｌのサイド
ウォール５５′ａが形成されているため、層間絶縁層の
エッチング残り５７ａは、図９に比して少ない。

【００５３】そこで、図６Ｅに示すように、この層間絶
縁層５７のパターニングに際し、サイドウォール５７ａ
が残らないようにオーバーエッチングしてパターニング
する。このときのオーバーエッチングは、少ないオーバ
ーエッチングで可能となり、受光部１０上の絶縁膜５４
に対して膜減り等の悪影響を実質的に与えない。

【００５４】次に、図６Ｆに示すように、ウエットエッ
チングによりＡｌのサイドウォール５５′ａを除去す
る。

【００５５】次に、図７Ｇに示すように、全面に例えば
ＴｉＯＮ，ＴｉＮ等の反射防止膜５９及び第２のＡｌ膜
を順次被着形成して後、選択エッチングによって受光部
１０上のＡｌ膜及び反射防止膜を除去し、下面に反射防
止膜５９を有し且つ一部受光部側にはり出したはり出し
部５８ａを有するＡｌ遮光層５８を形成する。

【００５６】しかる後、図７Ｈに示すように、全面に例
えばプラズマＳｉＮ系又はプラズマＳｉＯ系等による絶
縁保護膜６０を形成して、目的のＣＣＤ固体撮像素子５
１を得る。

【００５７】上述のＣＣＤ固体撮像素子５１の製造方法
によれば、図５Ｂの第１のＡｌ膜５５′の選択エッチン
グにおいて、転送電極５３の側壁部分にＡｌのサイドウ
ォール５５′ａを残すことにより、その後の絶縁膜５７
の選択エッチングでＡｌサイドウォール５５′ａの外側
に残る絶縁膜５７のサイドウォール５７ａは小さくな
る。従って、図６Ｅの工程でこのサイドウォール５７ａ
を残さないように、オーバーエッチングぎみの選択エッ
チングを行うとき、前述した図９のサイドウォール２６
ａを除く場合より少ないオーバーエッチングによりサイ
ドウォール５７ａの除去が可能となる。このように絶縁
膜５７のサイドウォール５７ａを除去するためのオーバ
ーエッチングを最小限にとどめることができるので、受
光部１０上の絶縁膜５４が膜減りするようなことはな
く、実質的に絶縁膜５４に影響を与えない。

【００５８】次いで、図６Ｆの工程でＡｌサイドウォー
ル５５′ａを除去することにより、転送電極５３の側壁
部分には何らサイドウォールが存在せず、この状態で反
射防止膜５９及びＡｌ遮光層５８を形成することによ
り、Ａｌ遮光層５８のはり出し部５８ａ下の反射防止膜
５９は無効部分はなく、全て有効部分Ｌ₃ となる。従っ
て、ＣＣＤ固体撮像素子の低スミア化が実現可能にな
る。

【００５９】尚、上例では、Ａｌ遮光層５８の下面に反
射防止膜５９を形成したが、反射防止膜５９を省略した
ＣＣＤ固体撮像素子の製造にも適用できる。

【００６０】また、上例では、ＦＩＴ型のＣＣＤ固体撮
像素子について説明したが、その他、ＩＴ（インターラ
イントランスファ）型のＣＣＤ固体撮像素子にも適用で
きる。

【００６１】

【発明の効果】本発明に係る膜形成方法によれば、サイ
ドウォールの発生しやすい場所でのエッチング残り（所
謂サイドウォール）を他部上の膜に影響を与えずに除去
することができ、且つサイドウォールを無くした状態で
上層膜の形成を可能にする。

【００６２】本発明に係る固体撮像素子の製造方法によ
れば、少ないオーバーエッチングにより層間絶縁膜のサ
イドウォールの除去が可能になり、従って、遮光層の受
光部側へのはり出し部下の反射防止膜の有効部分が大き
く取れ、更なるスミア成分の低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ａ 本発明に係る膜形成方法の工程図である。 Ｂ 本発明に係る膜形成方法の工程図である。 Ｃ 本発明に係る膜形成方法の工程図である。 Ｄ 本発明に係る膜形成方法の工程図である。

【図２】Ｅ 本発明に係る膜形成方法の工程図である。 Ｆ 本発明に係る膜形成方法の工程図である。 Ｇ 本発明に係る膜形成方法の工程図である。

【図３】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の要部の平面
図である。

【図４】図３のＢ−Ｂ線上の断面図である。

【図５】Ａ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方
法の実施例を示す製造工程図である。 Ｂ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の実施
例を示す製造工程図である。 Ｃ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の実施
例を示す製造工程図である。

【図６】Ｄ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方
法の実施例を示す製造工程図である。 Ｅ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の実施
例を示す製造工程図である。 Ｆ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の実施
例を示す製造工程図である。

【図７】Ｇ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方
法の実施例を示す製造工程図である。 Ｈ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の実施
例を示す製造工程図である。

【図８】シャント構造を有する固体撮像素子の断面図で
ある。

【図９】図８の固体撮像素子の問題点を示す断面図であ
る。

【図１０】従来の固体撮像素子の要部の平面図である。

【図１１】図１０のＡ−Ａ線上の断面図である。

【符号の説明】

５ 垂直転送レジスタ １０ 受光部 １１ 読み出しゲート部 １５ ゲート絶縁膜 ５１ ＣＣＤ固体撮像素子 ５３〔５３Ａ，５３Ｂ〕 転送電極 ５４ 絶縁膜 ５５ シャント用配線層 ５５′ Ａｌ膜 ５７ 層間絶縁層 ５５′ａ，５７ａ サイドウォール ５８ Ａｌ遮光層 ５８ａ はり出し部 ５９ 反射防止膜 ６０ 絶縁保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 27/148 G01J 1/02 H01L 21/768 H04N 5/335

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に各膜を選択的に形成するに際
   し、サイドウォールの発生し易い場所に予め第１の材料
   膜を用いて第１のサイドウォールを形成する工程と、前記第１のサイドウォールを含んで全面に第２の材料膜
   を形成する工程と、 前記第２の材料膜を前記第１のサイドウォールに隣接し
   た位置にサイドウォールが残らないように選択エッチン
   グし、該位置以外の所定の位置に前記第２の材料膜を残
   す工程と、 前記第１のサイドウォールを除去した後、第３の材料膜
   を形成する工程とを有することを特徴とする膜形成方
   法。
2. 【請求項２】 複数の受光部と各受光部列毎に転送電極
   を有した垂直転送レジスタを形成する工程と、 第１の絶縁層を介してシャント配線用の材料層を形成す
   る工程と、 サイドウォールが残るように前記材料層を選択エッチン
   グして前記垂直転送レジスタ上に前記転送電極と接続す
   るシャント配線層を形成する工程と、 前記シャント配線層を含む全面に第２の絶縁層を形成す
   る工程と、 前記第２の絶縁層をサイドウォールが残らないように選
   択エッチングして前記シャント配線層を覆う層間絶縁層
   を形成する工程と、 前記材料層のサイドウォールを除去する工程と、 前記受光部側にはり出すはり出し部を有し、下面に反射
   防止膜を有する遮光層を形成する工程とを有することを
   特徴とする固体撮像素子の製法。