JP2005332925A - 固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 イメージセンサのPN接合フォトダイオード容量形成領域をシリコン基板に対して基板面方向に形成するだけでなく、基板の深さ方向にも形成することによって信号電荷蓄積部を拡大し、信号電荷蓄積部の実効面積を増加させる。また、基板の深さ方向に拡大した信号電荷蓄積部から信号電荷を読出し易くするために、信号電荷蓄積部の形状を転送ゲートを中心にした放射状としたり、転送ゲートの近くに形成したり、ポテンシャルに傾斜を付けるようにする。また、感度向上の目的に合わせて、最表面のP領域の深さを画素毎に変化させることで、画素毎の色感度を変化させる。
【選択図】 図1
Description
CCDイメージセンサは、画素に対応する光電変換素子(フォトダイオード)を2次元的に配列させ、光電変換素子によって電荷となった各画素の信号を、垂直転送CCD と水平転送CCDとを用いて順次読み出していくタイプのイメージセンサである。
一方、CMOSイメージセンサは、画素に対応する光電変換素子を2次元的に配列させる点ではCCDイメージセンサと同様であるが、信号の読み出しに垂直及び水平転送のCCDを使用せず、メモリデバイスのようにアルミ、銅線などで構成される選択線によって、画素毎に蓄えられた信号を、選択された画素から読み出すものである。
上記のようにCCDイメージセンサとCMOSイメージセンサは読出し方式などの異なる要素は多いが、双方ともにフォトダイオードは共通の構造である。
図示の例は、シリコン基板10の表層部に形成した素子分離部20の中間に、フォトダイオード部30を形成した状態を示しており、このフォトダイオード部30は、シリコン基板10の上面から深さ方向に順に、P+領域31、N+領域32、N−領域33、P−領域34の各不純物領域を形成した構造となっている(なお、ここで+及び−は、不純物濃度が他の領域と比較して濃いことと薄いことを表している)。
このような構造により、フォトダイオード部30のシリコン基板表面から発生する暗電流を低減させることができる(例えば特許文献1参照)。
そして、この領域に光を照射すれば、電子・正孔対が発生し、信号電荷(電子)は、P領域とN領域の接合部に蓄積される。
なお、蓄積できる信号電荷量の最大値を飽和信号電荷量(Qs)と呼ぶ。そして、高いQsを有するイメージセンサは、ダイナミックレンジやSN比が向上したものとなる。
したがって、イメージセンサの特性向上にとって、Qsの増加は非常に重要な要素となる。
しかし、フォトダイオード部の面積を増加させると、同じ画角(例えば2/3インチなど)で比較すると、フォトダイオード部の面積増加に伴い、イメージセンサの総画素数が減少する。
また、フォトダイオード部のPN接合容量を増加させるために、P領域とN領域の濃度を増加させると、暗電流も増加するため、PN接合容量を増加させるには限界がある。
そして、この基板の深さ方向に拡大した容量拡大部から信号電荷を読出し易くするために、転送ゲートを中心にして線状に形成した容量拡大部を放射状にレイアウトしたり、転送ゲートの近くに容量拡大部をレイアウトしたり、さらには、容量拡大部のポテンシャルに傾斜を付けるようにする。
また、感度向上の目的に合わせて、最表面のP領域の深さを画素毎に変化させることで、画素毎の色感度を変化させる。
図示のように、シリコン基板110の表層部には素子分離部120が形成され、その中間に本実施例の特徴となるフォトダイオード部130が形成されている。
このフォトダイオード部130は、図8に示す従来例と同様に、P+領域131、N+領域132、N−領域133、P−領域134の各不純物領域をシリコン基板110に形成したものであるが、各不純物領域の形状が図8の従来例と異なる。
すなわち、基本的には、シリコン基板110の上面から深さ方向に順に、P+領域131、N+領域132、N−領域133、P−領域134が配置されているが、最上層のP+領域131の中央部は、シリコン基板110の深さ方向に突出し、N+領域132の中央部に食い込む状態で形成されている。なお、このP+領域131の下方に食い込んだ部分はフォトダイオード部におけるPN接合容量を拡大するための容量拡大部として機能するものであるが、以下の説明では、便宜上、突出部131Aとして説明する。
このようなP+領域131の突出部131Aを設けたことにより、その下層のN+領域132は突出部131Aの外周に環状に形成されている。また、突出部131Aの下端は、N−領域133の上部に接する位置まで至っている。
図示のように、本例では、P+領域131に複数(図示の例では3つ)の半球状の突出部131Bを設けたものである。各突出部131Bは、それぞれN+領域132側に突出しており、突出部131Aと同様に、PN接合面の拡大に寄与することで、PN接合容量を増大させ、飽和信号電荷量(Qs)を増大させるものである。
図示のように、本例では、P+領域131に複数(図示の例では3つ)の棒状の突出部131Cを設けたものである。各突出部131Cは、それぞれN+領域132側に突出して貫通する状態で配置されており、突出部131Aと同様に、PN接合面の拡大に寄与することで、PN接合容量を増大させ、飽和信号電荷量(Qs)を増大させるものである。
なお、図1〜図3に示した例は、実際に作成するイメージセンサにおける各素子の構造やイオン注入等の加工技術の実情などに合わせて、都合のよい方を適宜選択して用いればよいものであり、また、図示の例以外の形状に形成することも可能である。
また、図5は図1に示す例におけるフォトダイオード部130と転送ゲート(TG)150との配置関係を示す平面図である。一般に、CMOSイメージセンサでは、図示のように、各画素140毎に転送ゲート150を配置し、フォトダイオード部130に蓄積した信号電荷を図示しないフローティングデフュージョン(FD)部に転送する。
そして、本例のフォトダイオード部130では、P+領域131に上述した各形状による突出部131A、131B、131Cを設けたことから、信号電荷蓄積部が基板の深部に形成されているため、できるだけ効率よく転送ゲート150によって信号電荷を転送できるようにすることが好ましい。
そこで、例えば、複数の突出部をそれぞれ基板面に沿った線状に形成し、これらを転送ゲートを中心にして放射状にレイアウトしたり、転送ゲートの近くに突出部をレイアウトしたりすることが有効である。また、突出部のポテンシャルに傾斜を付けるようにすることも有効である。
図6は一例として、複数の突出部161をそれぞれ基板面に沿った線状に形成して、その長手方向が転送ゲート150に向くように配置するとともに、各突出部161のポテンシャルを矢印aに示す方向に徐々に大きくなるように傾斜させることで、フォトダイオード部で生成した信号電荷(電子)が容易に転送ゲートに流れるようにする。
本実施例2は、フォトダイオード部の最上部のP+領域の深さを色感度に合わせて変化させたものである。図7において、各フォトダイオード部の上には、例えば多層配線層を介してカラーフィルタ及び集光用のマイクロレンズが設けられており、入射光はカラーフィルタによって青、赤、緑の色成分に分光されて、各画素のフォトダイオード部に入射される。
また、フォトダイオード部230、240は、それぞれP+領域231、241、N+領域232、242、N−領域233、243、P−領域234、244の各不純物領域をシリコン基板210に形成したものであるが、両者のP+領域231、241は、深さが異なっている。例えば、赤色光は、シリコン基板210の深部3μm付近の領域で最も吸収されるため、この付近に電荷蓄積部を形成するように、P+領域241を深い位置に形成することにより、色感度特性を向上させることができる。
なお、本実施例においても、各フォトダイオード部230、240のP+領域231、241には突出部231A、241Aが形成されており、PN接合容量の増大を図っている。
Claims (12)
- 半導体基板に基板の上面から深さ方向に順に、P型不純物領域とN型不純物領域を設けた光電変換素子を有し、
前記光電変換素子は、P型不純物領域がN型不純物領域側に突出して基板面方向及び深さ方向の3次元方向のPN接合面を形成する容量拡大部を有している、
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記P型不純物領域は高濃度のP+型不純物領域であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記N型不純物領域が上層に形成される高濃度のN+型不純物領域と下層に形成される低濃度のN−型不純物領域を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記N型不純物領域の下層にさらに低濃度のP−型不純物領域を設けたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記容量拡大部が半導体基板の深さ方向に略球面状に突出した突出部を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記容量拡大部が半導体基板の深さ方向に略棒状に突出した突出部を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記容量拡大部が半導体基板の深さ方向に突出し、かつ、半導体基板面に沿って線状に形成された突出部を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 1つの前記光電変換素子について複数の容量拡大部を設けたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記複数の容量拡大部が光電変換部の信号電荷を読み出すための転送ゲートに対して放射状に配置されていることを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子。
- 前記容量拡大部のポテンシャルが光電変換部の信号電荷を読み出すための転送ゲートに向かって傾斜していることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記容量拡大部が光電変換部の信号電荷を読み出すための転送ゲートに近接して配置されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記フォトダイオード部は複数の色成分に対応して複数配置され、前記フォトダイオード部のP型不純物領域は前記色成分の特性に対応して異なる形状を有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
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