JP2005332864A - パワースタック - Google Patents

Abstract

【課題】 ノイズが半導体モジュールの制御信号に及ぼす悪影響を抑制できるパワースタックを提供することを課題とする。
【解決手段】 パワースタック１は、複数の冷却管２と複数の半導体モジュール９４０、９５０とが交互に積層されてなり、半導体モジュール９４０、９５０の積層方向両面が冷却管２に面接触するパワースタック１であって、複数の半導体モジュール９４０、９５０は、制御タイミングの異なる複数のグループに分類可能であり、複数の半導体モジュール９４０、９５０は、グループ毎にまとめて配置されていることを特徴とする。
【選択図】 図７

Description

本発明は、例えば車両用回転電機の駆動装置などに用いられるパワースタックに関する。

例えば、特許文献１〜４には、冷却体と半導体素子とが交互に積層されて形成されたパワースタックが紹介されている。半導体素子は、積層方向両側に配置された一対の冷却体に間に、介装されている。通電に伴い発熱する半導体素子は、これら一対の冷却体により、冷却される。このため、特許文献１〜４のパワースタックによると、半導体素子の熱破壊を抑制することができる。
特開平１１−２１４５９９号公報 特公平７−３８４６号公報 特開平３−７６２５６号公報 実公平６−１０６９６号公報

しかしながら、特許文献１〜４には、パワースタックにおける半導体素子のレイアウトについて、何ら記載されていない。このため、特許文献１〜４のパワースタックによると、互いに制御タイミングの異なる複数の半導体素子が、無秩序にレイアウトされるおそれがある。半導体素子が無秩序にレイアウトされると、任意の制御タイミングで駆動する半導体素子の発生するノイズが、他の制御タイミングで駆動する半導体素子用の制御信号に、電磁気的な悪影響を及ぼすおそれがある。

本発明のパワースタックは上記課題に鑑みて完成されたものである。したがって、本発明は、ノイズが半導体モジュールの制御信号に及ぼす悪影響を抑制できるパワースタックを提供することを目的とする。

（１）上記課題を解決するため、本発明のパワースタックは、複数の冷却管と複数の半導体モジュールとが交互に積層されてなり、該半導体モジュールの積層方向両面が該冷却管に面接触するパワースタックであって、複数の前記半導体モジュールは、制御タイミングの異なる複数のグループに分類可能であり、複数の該半導体モジュールは、該グループ毎にまとめて配置されていることを特徴とする。

本発明のパワースタックによると、半導体モジュールが、制御タイミング毎にまとめて配置されている。このため、制御タイミングが異なる半導体モジュール同士を、比較的離間して配置することができる。したがって、任意のグループに属する半導体モジュールのノイズが、他のグループに属する半導体モジュール用の制御信号に及ぼす影響を、抑制することができる。つまり、半導体モジュールの動作を安定化することができる。

（２）好ましくは、前記グループは、前記半導体モジュールがスイッチング動作を行う電力変換器毎に分類されている構成とする方がよい。

電力変換器においては、浮遊静電容量がノイズの一因となる。浮遊静電容量は、半導体モジュールに対する入力電流経路、出力電流経路が長いほど、大きくなる。この点、仮に、異なる電力変換器に用いられる複数の半導体モジュールが、無秩序にレイアウトされると、入力電流経路、出力電流経路が長くなりやすい。このため、浮遊静電容量が大きくなるおそれがある。したがって、任意の電力変換器の浮遊静電容量に起因するノイズが、他の電力変換器用の半導体モジュール用の制御信号に、影響を及ぼすおそれがある。

これに対し、本構成によると、電力変換器毎に半導体モジュールがまとめて配置されている。このため、半導体モジュールに対する入力電流経路、出力電流経路を短くしやすい。したがって、浮遊静電容量を小さくすることができる。すなわち、任意の電力変換器の浮遊静電容量に起因するノイズが、他の電力変換器用の半導体モジュール用の制御信号に及ぼす影響を、抑制することができる。また、半導体モジュールに対する入力電流経路、出力電流経路を短くしやすいため、配線構造を簡略化しやすい。

（３）好ましくは、前記半導体モジュールおよび前記冷却管は、各々、積層方向に潰れた扁平形状を呈している構成とする方がよい。本構成によると、半導体モジュールと冷却管との接触面積つまり伝熱面積を大きく確保することができる。また、パワースタックの積層方向長さを短くすることができる。

本発明によると、ノイズが半導体モジュールの制御信号に及ぼす悪影響を抑制できるパワースタックを提供することができる。

以下、本発明のパワースタックの実施の形態について説明する。

＜第一実施形態＞
まず、本実施形態のパワースタックが用いられるＭＧ（Ｍｏｔｏｒ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）の駆動装置について説明する。図１に、同駆動装置の回路図を示す。図に示すように、駆動装置９は、バッテリ９０と平滑用コンデンサ９１、９２とＤＣ−ＤＣコンバータ９３と第一インバータ回路９４と第二インバータ回路９５とを備えている。第一インバータ回路９４、第二インバータ回路９５は、それぞれ本発明の電力変換器に含まれる。

ＤＣ−ＤＣコンバータ９３は、リアクトル９３０とコンバータ用スイッチングモジュール９３１とを備えている。リアクトル９３０の一端は、後述するハイサイド側のコンバータ用スイッチングモジュール９３１とローサイド側のコンバータ用スイッチングモジュール９３１との接続点に、接続されている。リアクトル９３０の他端は、低電位電源線ＶＬを介して、バッテリ９０の高電位端に接続されている。

コンバータ用スイッチングモジュール９３１は、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）９３１ａとフライホイルダイオード９３１ｂとを備えている。ＩＧＢＴ９３１ａに対して、フライホイルダイオード９３１ｂは、逆方向に並列接続されている。コンバータ用スイッチングモジュール９３１は、ハイサイド側、ローサイド側にそれぞれ三個ずつ、合計六個配置されている。このうち、ハイサイド側のコンバータ用スイッチングモジュール９３１は、高電位電源線ＶＨ１、ＶＨ２に接続されている。また、ローサイド側のコンバータ用スイッチングモジュール９３１は、接地されている。

第一インバータ回路９４は、第一スイッチングモジュール９４０を備えている。第一スイッチングモジュール９４０は、本発明の半導体モジュールに含まれる。第一スイッチングモジュール９４０は、ＩＧＢＴ９４０ａとフライホイルダイオード９４０ｂとを備えている。ＩＧＢＴ９４０ａに対して、フライホイルダイオード９４０ｂは、逆方向に並列接続されている。第一スイッチングモジュール９４０は、合計六個配置されている。

第二インバータ回路９５は、第二スイッチングモジュール９５０を備えている。第二スイッチングモジュール９５０は、本発明の半導体モジュールに含まれる。第二スイッチングモジュール９５０は、ＩＧＢＴ９５０ａとフライホイルダイオード９５０ｂとを備えている。ＩＧＢＴ９５０ａに対して、フライホイルダイオード９５０ｂは、逆方向に並列接続されている。第二スイッチングモジュール９５０は、合計十二個配置されている。

次に、本実施形態のパワースタックが用いられるＭＧの駆動装置の動きについて説明する。電動動作（力行動作）の場合は、ローサイド側のコンバータ用スイッチングモジュール９３１のＩＧＢＴ９３１ａを、ＰＷＭスイッチングする。当該ＩＧＢＴ９３１ａをオンにすると、リアクトル９３０に電磁エネルギが蓄積される。

この状態で、当該ＩＧＢＴ９３１ａをオフにすると、リアクトル９３０は電流状態を持続しようとする。このため、ハイサイド側のコンバータ用スイッチングモジュール９３１のフライホイルダイオード９３１ｂを介して、高電位電源線ＶＨ１、ＶＨ２に電流が流れる。この動作の繰り返しにより、持続的に、高電位電源線ＶＨ１、ＶＨ２に直流高電圧が印加される。

第一インバータ回路９４は、高電位電源線ＶＨ１の直流高電圧を三相交流電圧に変換して、ＭＧ９６ａの電機子コイル（図略）に印加する。同様に、第二インバータ回路９５は、高電位電源線ＶＨ２の直流高電圧を三相交流電圧に変換して、ＭＧ９６ｂの電機子コイル（図略）に印加する。

発電動作（回生動作）の場合は、ハイサイド側のコンバータ用スイッチングモジュール９３１のＩＧＢＴ９３１ａを、ＰＷＭスイッチングする。当該ＩＧＢＴ９３１ａをオンにすると、高電位電源線ＶＨ１、ＶＨ２からバッテリ９０に、当該ＩＧＢＴ９３１ａ、リアクトル９３０を介して、電流が流れる。このため、リアクトル９３０に電磁エネルギが蓄積される。

この状態で、当該ＩＧＢＴ９３１ａをオフすると、リアクトル９３０は電流状態を持続しようとする。このため、ローサイド側のコンバータ用スイッチングモジュール９３１のフライホイルダイオード９３１ｂを介して、バッテリ９０に電流が流れる。この動作の繰り返しにより、持続的に、バッテリ９０に直流電圧が印加される。

次に、本実施形態のパワースタックの構成について説明する。図２に、本実施形態のパワースタックの部分分解斜視図を示す。図３に、同パワースタックの合体斜視図を示す。図４に、同パワースタックの冷却管の部分断面斜視図を示す。図５に、同パワースタックの第一スイッチングモジュールの分解斜視図を示す。図６に、同パワースタックの積層方向断面図を示す。

これらの図に示すように、本実施形態のパワースタック１は、冷却管２と第一スイッチングモジュール９４０と第二スイッチングモジュール９５０と導入管４と導出管５と制御基板８とを備えている。

冷却管２は、アルミニウム製であって、積層方向に潰れた角筒状を呈している。冷却管２の長手方向両端部には、導入口２０と導出口２１とが開設されている。これら導入口２０と導出口２１とは、冷却管２内部に区画された冷却通路２２により連通している。冷却通路２２は、長手方向に延びる複数の冷却リブ２３により仕切られている。冷却管２は、合計十枚、互いに略平行に配置されている。

導入管４は、導入本管４０と導入連通管４１とを備えている。導入連通管４１は、アルミニウム製であって短軸円筒状を呈している。導入連通管４１は、互いに隣接する冷却管２の導入口２０同士を連結している。導入連通管４１は、合計九個、略一直線に並んで配置されている。

導入本管４０は、アルミニウム製であって導入連通管４１よりも長軸の円筒状を呈している。導入本管４０の一端は、積層方向一端の冷却管２の導入口２０を覆っている。導入本管４０を介して、放熱装置１０から冷却管２に、ＬＬＣ（Ｌｏｎｇ Ｌｉｆｅ Ｃｏｏｌａｎｔ）が導入される。

導出管５は、導出本管５０と導出連通管５１とを備えている。導出連通管５１は、アルミニウム製であって短軸円筒状を呈している。導出連通管５１は、互いに隣接する冷却管２の導出口２１同士を連結している。導出連通管５１は、合計九個、略一直線に並んで配置されている。

導出本管５０は、アルミニウム製であって円筒状を呈している。導出本管５０は、導入本管４０に対して、略平行に配置されている。導出本管５０の一端は、積層方向一端の冷却管２の導出口２１を覆っている。導出本管５０を介して、冷却管２から放熱装置１０に、熱交換後のＬＬＣが導出される。

第一スイッチングモジュール９４０は、前記ＩＧＢＴ９４０ａ（図５において点線で示す）と前記フライホイルダイオード９４０ｂ（図５において点線で示す）と電極端子９４０ｃと信号端子９４０ｄと絶縁板９４０ｅと樹脂モールド９４０ｆとを備えている。樹脂モールド９４０ｆは、絶縁樹脂製であって、積層方向に潰れた矩形板状を呈している。ＩＧＢＴ９４０ａとフライホイルダイオード９４０ｂとは、樹脂モールド９４０ｆ内部に封入されている。電極端子９４０ｃは、銅製であって短冊状を呈している。電極端子９４０ｃは、樹脂モールド９４０ｆの上面から、突設されている。電極端子９４０ｃは、合計二つ配置されている。このうち、一方の電極端子９４０ｃは、バスバー（リード端子、図略）を介して、ＩＧＢＴ９４０ａとフライホイルダイオード９４０ｂとからなる並列回路（前出図１参照）の高電位側に接続されている。また、他方の電極端子９４０ｃは、バスバーを介して、同並列回路の低電位側に接続されている。信号端子９４０ｄは、銅製であってピン状を呈している。信号端子９４０ｄは、樹脂モールド９４０ｆの下面から、突設されている。信号端子９４０ｄは、合計五つ配置されている。信号端子９４０ｄは、制御基板８に区画された接続部８０に接続されている。なお、制御基板８には、全ては図示しないが、六個の第一スイッチングモジュール９４０用、十二個の第二スイッチングモジュール９５０用、合計十八個の接続部８０が区画されている。信号端子９４０ｄを介して、制御基板８からＩＧＢＴ９４０ａに、ゲート・エミッタ信号、カレントミラー信号などが入力される。絶縁板９４０ｅは、セラミック製であって矩形板状を呈している。絶縁板９４０ｅは、樹脂モールド９４０ｆの積層方向両面に、合計二枚配置されている。

なお、第一スイッチングモジュール９４０の構成と第二スイッチングモジュール９５０の構成とは、同様である。したがって、第二スイッチングモジュール９５０の構成については、説明を割愛する。

これら六個の第一スイッチングモジュール９４０、および十二個の第二スイッチングモジュール９５０は、隣り合う冷却管２同士の間に、二個ずつ介装されている。第一スイッチングモジュール９４０および第二スイッチングモジュール９５０のレイアウトについては後述する。

次に、本実施形態のパワースタックにおけるＬＬＣの流れについて説明する。図６に示すように、ＬＬＣは、放熱装置１０から導入本管４０に供給される。そして、ＬＬＣは、導入本管４０から、直接あるいは導入連通管４１を介して、十枚の冷却管２各々の冷却通路２２に、導入される。ところで、前述した電動動作、発電動作により、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０は、発熱している。これら第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０の熱は、冷却管２の管壁を介して、冷却通路２２を流れるＬＬＣに伝達される。第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０の熱を受け昇温したＬＬＣは、冷却通路２２から、直接あるいは導出連通管５１を介して、導出本管５０に流れ込む。導出本管５０にて合流したＬＬＣは、放熱装置１０に導出される。放熱装置１０により再冷却されたＬＬＣは、再び導入本管４０に導入される。すなわち、ＬＬＣは、放熱装置１０→導入管４→冷却管２（冷却通路２２）→導出管５→再び放熱装置１０という経路で、放熱装置１０とパワースタック１との間を循環している。そして、ＬＬＣは、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０の温度を、各々の許容温度以下になるように、保持している。

次に、本実施形態のパワースタックにおける第一スイッチングモジュール、第二スイッチングモジュールのレイアウトについて説明する。図７に、本実施形態のパワースタックの上面模式図を示す。

図に示すように、六個の第一スイッチングモジュール９４０（説明の便宜上、右上がりハッチングを施す）と、十二個の第二スイッチングモジュール９５０（説明の便宜上、左上がりハッチングを施す）とは、積層方向に別々に配置されている。

具体的には、導入本管４０および導出本管５０に近接して、第一スイッチングモジュール９４０が三列（一つの列に二つの第一スイッチングモジュール９４０が二つ配置されている）まとめて配置されている。また、導入本管４０および導出本管５０から離間して、第二スイッチングモジュール９５０が六列（一つの列に二つの第二スイッチングモジュール９５０が二つ配置されている）まとめて配置されている。

次に、本実施形態のパワースタックの作用効果について説明する。本実施形態のパワースタック１によると、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０が、各々、まとめて配置されている。このため、第一スイッチングモジュール９４０および第二スイッチングモジュール９５０のうち、積層方向に隣り合っているのは、積層方向三列目の二個の第一スイッチングモジュール９４０と、積層方向四列目の二個の第二スイッチングモジュール９５０とだけである。すなわち、わずか二対の第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０のみである。したがって、第一スイッチングモジュール９４０のスイッチングノイズが第二スイッチングモジュール９５０の信号端子に与える電磁気的な悪影響を、抑制することができる。並びに、第二スイッチングモジュール９５０のスイッチングノイズが第一スイッチングモジュール９４０の信号端子９４０ｄに与える電磁気的な悪影響を、抑制することができる。つまり、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０の動作を安定化することができる。

また、本実施形態のパワースタック１によると、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０が、各々、まとめて配置されているため、電極端子９４０ｃに接続されるバスバーの長さを短縮しやすい。すなわち、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０に対する入力電流経路、出力電流経路を短縮しやすい。このため、第一インバータ回路９４、第二インバータ回路９５各々の浮遊静電容量を小さくすることができる。したがって、第一インバータ回路９４の浮遊静電容量に起因するノイズが、第二スイッチングモジュール９５０の信号端子に与える電磁気的な悪影響を、抑制することができる。並びに、第二インバータ回路９５の浮遊静電容量に起因するノイズが、第一スイッチングモジュール９４０の信号端子９４０ｄに与える電磁気的な悪影響を、抑制することができる。つまり、この点においても、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０の動作を安定化することができる。並びに、バスバーの長さを短縮しやすいため、配線構造を簡略化できる。

また、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０、冷却管２は、各々、積層方向に潰れた扁平形状を呈している。このため、第一スイッチングモジュール９４０と冷却管２との伝熱面積、および第二スイッチングモジュール９５０と冷却管２との伝熱面積が、比較的大きい。また、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０、冷却管２が扁平形状を呈しているため、パワースタック１の積層方向長さが短い。

＜第二実施形態＞
本実施形態と第一実施形態との相違点は、第一スイッチングモジュール、第二スイッチングモジュールのレイアウトのみである。したがって、ここでは相違点についてのみ説明する。

図８に、本実施形態のパワースタックの上面模式図を示す。なお、図７と対応する部位については、同じ符号、同じハッチングで示す。図に示すように、六個の第一スイッチングモジュール９４０と、十二個の第二スイッチングモジュール９５０とは、積層方向に別々に配置されている。

具体的には、導入本管４０および導出本管５０に近接して、第二スイッチングモジュール９５０が六列まとめて配置されている。また、導入本管４０および導出本管５０から離間して、第一スイッチングモジュール９４０が三列まとめて配置されている。本実施形態のパワースタック１は、第一実施形態のパワースタックと同様の作用効果を有する。

＜第三実施形態＞
本実施形態と第一実施形態との相違点は、パワースタックに、前出図１のリアクトル９３０、コンバータ用スイッチングモジュール９３１が配置されている点である。したがって、ここでは相違点についてのみ説明する。

図９に、本実施形態のパワースタックの部分分解斜視図を示す。図２と対応する部位については同じ符号で示す。図１０に、同パワースタックの合体斜視図を示す。図３と対応する部位については同じ符号で示す。図１１に、同パワースタックの積層方向断面図を示す。図６と対応する部位については同じ符号で示す。

例えば、図１１と前出図６とを比較して判るように、本実施形態のパワースタック１の導入本管４０、導出本管５０は、第一実施形態の導入本管、導出本管よりも、長軸である。導入本管４０の長軸部分と導出本管５０の長軸部分との間には、アルミニウム製であって、矩形箱状のリアクトルケース９３０ａが架設されている。具体的には、リアクトルケース９３０ａの長手方向両端部には、導入本管用孔９３０ｂと導出本管用孔９３０ｃとが開設されている。導入本管用孔９３０ｂに導入本管４０が、導出本管用孔９３０ｃに導出本管５０が、それぞれ挿通されることにより、リアクトルケース９３０ａは、導入本管４０の長軸部分と導出本管５０の長軸部分との間に、介装されている。図１１に示すように、導入本管４０における導入本管用孔９３０ｂ収容部分、導出本管５０における導出本管用孔９３０ｃ収容部分には、それぞれ直線区間Ｓが確保されている。リアクトル９３０は、このリアクトルケース９３０ａに固定されている。

リアクトル９３０と協動するコンバータ用スイッチングモジュール９３１は、第一スイッチングモジュール９４０および第二スイッチングモジュール９５０と共に、隣り合う冷却管２同士の隙間に、介装されている。コンバータ用スイッチングモジュール９３１は、本発明の半導体モジュールに含まれる。また、ＤＣ−ＤＣコンバータ９３（前出図１参照）は、本発明の電力変換器に含まれる。コンバータ用スイッチングモジュール９３１の構成は、前出図５に示す第一スイッチングモジュール９４０の構成と同様である。したがって、ここでは説明を割愛する。前出図１に示すように、コンバータ用スイッチングモジュール９３１は、合計六個配置されている。このため、第一実施形態において合計十枚配置されていた冷却管２は、合計十三枚に増設されている。

図１２に、本実施形態のパワースタックの上面模式図を示す。なお、図７と対応する部位については、同じ符号、同じハッチングで示す。図に示すように、六個の第一スイッチングモジュール９４０と、十二個の第二スイッチングモジュール９５０と、六個のコンバータ用スイッチングモジュール９３１（説明の便宜上、横ハッチングを施す）とは、積層方向に別々に配置されている。

具体的には、導入本管４０および導出本管５０に最も近接して、第一スイッチングモジュール９４０が三列まとめて配置されている。また、導入本管４０および導出本管５０から最も離間して、コンバータ用スイッチングモジュール９３１が三列まとめて配置されている。また、第一スイッチングモジュール９４０三列とコンバータ用スイッチングモジュール９３１三列との間に、第二スイッチングモジュール９５０が六列まとめて配置されている。

本実施形態のパワースタック１は、第一実施形態のパワースタックと同様の作用効果を有する。また、本実施形態のパワースタック１によると、第一スイッチングモジュール９４０のスイッチングノイズ、第二スイッチングモジュール９５０のスイッチングノイズが、コンバータ用スイッチングモジュール９３１の信号端子に与える電磁気的な悪影響を、抑制することができる。並びに、コンバータ用スイッチングモジュール９３１のスイッチングノイズが、第一スイッチングモジュール９４０の信号端子、第二スイッチングモジュール９５０の信号端子に与える電磁気的な悪影響を、抑制することができる。つまり、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０、コンバータ用スイッチングモジュール９３１の動作を安定化することができる。

また、本実施形態のパワースタック１によると、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０、コンバータ用スイッチングモジュール９３１が、各々、まとめて配置されているため、電極端子に接続されるバスバーの長さを短縮しやすい。すなわち、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０、コンバータ用スイッチングモジュール９３１に対する入力電流経路、出力電流経路を短縮しやすい。このため、第一インバータ回路９４、第二インバータ回路９５、ＤＣ−ＤＣコンバータ、各々の浮遊静電容量を小さくすることができる。したがって、第一インバータ回路９４の浮遊静電容量に起因するノイズ、第二インバータ回路９５の浮遊静電容量に起因するノイズが、コンバータ用スイッチングモジュール９３１の信号端子に与える電磁気的な悪影響を、抑制することができる。並びに、ＤＣ−ＤＣコンバータの浮遊静電容量に起因するノイズが、第一スイッチングモジュール９４０の信号端子９４０ｄ、第二スイッチングモジュール９５０の信号端子に与える電磁気的な悪影響を、抑制することができる。つまり、この点においても、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０、コンバータ用スイッチングモジュール９３１の動作を安定化することができる。

また、本実施形態のパワースタック１によると、リアクトル９３０が、導入本管４０と冷却管２と導出本管５０とにより、コ字状に囲われている。このため、リアクトル９３０を冷却することができる。

なお、リアクトル９３０が配置されているコ字状空間の冷却能力は、第一スイッチングモジュール９４０や第二スイッチングモジュール９５０やコンバータ用スイッチングモジュール９３１が配置されている冷却管２同士の間の冷却能力よりも、劣る。

しかしながら、リアクトル９３０の発熱量は、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０、コンバータ用スイッチングモジュール９３１の発熱量よりも、小さい。加えて、リアクトル９３０の許容温度は、第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０、コンバータ用スイッチングモジュール９３１の許容温度よりも、高い。このため、コ字状空間の冷却能力により、充分にリアクトル９３０の熱破壊を抑制することができる。このように、本実施形態のパワースタック１によると、導入管４の分流前区間と導出管５の合流後区間との間のスペースを、有効に利用することができる。したがって、別途、リアクトル９３０専用の設置スペースを確保する場合と比較して、設置スペースを小さくできる。また、別途、リアクトル９３０専用の冷却装置を配置する場合と比較して、部品点数が少なくて済む。

また、本実施形態のパワースタック１によると、導入本管４０における導入本管用孔９３０ｂ収容部分、導出本管５０における導出本管用孔９３０ｃ収容部分に、それぞれ直線区間Ｓが確保されている（前出図１１参照）。

このため、十三枚の冷却管２に分流する前におけるＬＬＣの流れを、整流することができる。したがって、分流前におけるＬＬＣの流れに、乱流が発生するのを抑制することができる。並びに、十三枚の冷却管２から合流した後におけるＬＬＣの流れを、整流することができる。したがって、合流後におけるＬＬＣの流れに、乱流が発生するのを抑制することができる。本実施形態のパワースタック１によると、ＬＬＣの循環量が大きくなる。すなわち、各冷却管２の冷却通路２２におけるＬＬＣの流量が大きくなる。したがって、ＬＬＣによる冷却管２からの単位時間あたりの熱の持ち出し量が大きくなる。

＜第四実施形態＞
本実施形態と第三実施形態との相違点は、第一スイッチングモジュール、第二スイッチングモジュール、コンバータ用スイッチングモジュールのレイアウトのみである。したがって、ここでは相違点についてのみ説明する。

図１３に、本実施形態のパワースタックの上面模式図を示す。なお、図１２と対応する部位については、同じ符号、同じハッチングで示す。図に示すように、六個の第一スイッチングモジュール９４０と、十二個の第二スイッチングモジュール９５０と、六個のコンバータ用スイッチングモジュール９３１とは、積層方向に別々に配置されている。

具体的には、導入本管４０および導出本管５０に最も近接して、コンバータ用スイッチングモジュール９３１が三列まとめて配置されている。また、導入本管４０および導出本管５０から最も離間して、第二スイッチングモジュール９５０が六列まとめて配置されている。また、コンバータ用スイッチングモジュール９３１三列と第二スイッチングモジュール９５０六列との間に、第一スイッチングモジュール９４０が三列まとめて配置されている。

本実施形態のパワースタック１は、第一実施形態のパワースタックと同様の作用効果を有する。また、本実施形態のパワースタック１によると、リアクトル９３０とコンバータ用スイッチングモジュール９３１とが近接して配置されている。このため、コンバータ用スイッチングモジュール９３１のバスバーの長さを、より一層短縮しやすい。したがって、ＤＣ−ＤＣコンバータ９３（前出図１参照）の浮遊静電容量を、さらに小さくすることができる。

＜第五実施形態＞
本実施形態と第一実施形態との相違点は、第一スイッチングモジュールの一列、および第二スイッチングモジュールの一列が、各々三個のスイッチングモジュールにより構成されている点である。したがって、ここでは相違点についてのみ説明する。

図１４に、本実施形態のパワースタックの上面模式図を示す。なお、図７と対応する部位については、同じ符号、同じハッチングで示す。図に示すように、本実施形態のパワースタック１によると、冷却管２長手方向に延びる第一スイッチングモジュール９４０の一列が、合計三個の第一スイッチングモジュール９４０により構成されている。並びに、冷却管２長手方向に延びる第二スイッチングモジュール９５０の一列が、合計三個の第二スイッチングモジュール９５０により構成されている。

第一スイッチングモジュール９４０は、導入本管４０および導出本管５０に近接して、二列まとめて配置されている。第二スイッチングモジュール９５０は、導入本管４０および導出本管５０から離間して、四列まとめて配置されている。

本実施形態のパワースタック１は、第一実施形態のパワースタックと同様の作用効果を有する。また、本実施形態のパワースタック１によると、一列に三個のスイッチングモジュールが配置されている分、積層方向長さを短縮できる。並びに、冷却管２の枚数が少なくて済む。

＜第六実施形態＞
本実施形態と第五実施形態との相違点は、第一スイッチングモジュールと第二スイッチングモジュールとが同じ列に配置されている点である。したがって、ここでは相違点についてのみ説明する。

図１５に、本実施形態のパワースタックの上面模式図を示す。なお、図１４と対応する部位については、同じ符号、同じハッチングで示す。図に示すように、本実施形態のパワースタック１によると、冷却管２におけるＬＬＣの流れ方向に沿って、各列の最上流側に、第一スイッチングモジュール９４０が配置されている。また、各列の流れ方向中央、最下流側に、第二スイッチングモジュール９５０が配置されている。

本実施形態のパワースタック１は、第一実施形態のパワースタックと同様の作用効果を有する。また、本実施形態のパワースタック１によると、一列に三個のスイッチングモジュールが配置されている分、積層方向長さを短縮できる。並びに、冷却管２の枚数が少なくて済む。

＜その他＞
以上、本発明のパワースタックの実施の形態について説明した。しかしながら、実施の形態は上記形態に特に限定されるものではない。当業者が行いうる種々の変形的形態、改良的形態で実施することも可能である。

例えば、上記実施形態の第一スイッチングモジュール９４０、第二スイッチングモジュール９５０、コンバータ用スイッチングモジュール９３１は、いずれもＩＧＢＴとフライホイルダイオードとを備えている。しかしながら、半導体素子の種類は、これらＩＧＢＴ、フライホイルダイオードに特に限定するものではない。例えば、パワーＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、ＧＴＯ（Ｇａｔｅ Ｔｕｒｎ−ｏｆｆ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）などであってもよい。また、一つの半導体モジュールにおける半導体素子の配置数も特に限定するものではない。例えば、一つの半導体モジュールに一つのパワーＭＯＳを配置してもよい。

また、例えば、第一実施形態においては、六個の第一スイッチングモジュール９４０からなるグループと、十二個の第二スイッチングモジュール９５０からなるグループとに、スイッチングモジュールを分類した。しかしながら、各グループにおける半導体モジュールの個数は特に限定するものではない。例えば、単一の半導体モジュールからなるグループがあってもよい。

また、第三実施形態、第四実施形態においては、導入本管４０と冷却管２と導出本管５０とによりリアクトル９３０を冷却したが、これらの部材のうち少なくとも一つの部材により、リアクトル９３０を冷却すればよい。また、冷却管２長手方向一列の半導体モジュールの配置数も特に限定するものではない。

第一実施形態のパワースタックが用いられるＭＧの駆動装置の回路図である。 同パワースタックの部分分解斜視図である。 同パワースタックの合体斜視図である。 同パワースタックの冷却管の部分断面斜視図である。 同パワースタックの第一スイッチングモジュールの分解斜視図である。 同パワースタックの積層方向断面図である。 同パワースタックの上面模式図である。 第二実施形態の同パワースタックの上面模式図である。 第三実施形態のパワースタックの部分分解斜視図である。 同パワースタックの合体斜視図である。 同パワースタックの積層方向断面図である。 同パワースタックの上面模式図である。 第四実施形態のパワースタックの上面模式図である。 第五実施形態のパワースタックの上面模式図である。 第六実施形態のパワースタックの上面模式図である。

符号の説明

１：パワースタック、２：冷却管、２０：導入口、２１：導出口、２２：冷却通路、２３：冷却リブ、４：導入管、４０：導入本管、４１：導入連通管、５：導出管、５０：導出本管、５１：導出連通管、８：制御基板、８０：接続部、９：駆動装置、９０：バッテリ、９１：平滑用コンデンサ、９２：平滑用コンデンサ、９３：ＤＣ−ＤＣコンバータ（電力変換器）、９３０：リアクトル、９３０ａ：リアクトルケース、９３０ｂ：導入本管用孔、９３０ｃ：導出本管用孔、９３１：コンバータ用スイッチングモジュール（半導体モジュール）、９３１ａ：ＩＧＢＴ、９３１ｂ：フライホイルダイオード、９４：第一インバータ回路（電力変換器）、９４０：第一スイッチングモジュール（半導体モジュール）、９４０ａ：ＩＧＢＴ、９４０ｂ：フライホイルダイオード、９４０ｃ：電極端子、９４０ｄ：信号端子、９４０ｅ：絶縁板、９４０ｆ：樹脂モールド、９５：第二インバータ回路（電力変換器）、９５０：第二スイッチングモジュール（半導体モジュール）、９５０ａ：ＩＧＢＴ、９５０ｂ：フライホイルダイオード、９６ａ：ＭＧ、９６ｂ：ＭＧ、９７：ダミーモジュール、１０：放熱装置、Ｓ：直線区間、ＶＬ：低電位電源線、ＶＨ１：高電位電源線、ＶＨ２：高電位電源線。

Claims (3)

1. 複数の冷却管と複数の半導体モジュールとが交互に積層されてなり、該半導体モジュールの積層方向両面が該冷却管に面接触するパワースタックであって、
   複数の前記半導体モジュールは、制御タイミングの異なる複数のグループに分類可能であり、
   複数の該半導体モジュールは、該グループ毎にまとめて配置されていることを特徴とするパワースタック。
2. 前記グループは、前記半導体モジュールがスイッチング動作を行う電力変換器毎に分類されている請求項１に記載のパワースタック。
3. 前記半導体モジュールおよび前記冷却管は、各々、積層方向に潰れた扁平形状を呈している請求項１または請求項２に記載のパワースタック。

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