JP2005317603A - 熱電モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
熱電モジュールおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005317603A JP2005317603A JP2004130941A JP2004130941A JP2005317603A JP 2005317603 A JP2005317603 A JP 2005317603A JP 2004130941 A JP2004130941 A JP 2004130941A JP 2004130941 A JP2004130941 A JP 2004130941A JP 2005317603 A JP2005317603 A JP 2005317603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- thermoelectric
- thermoelectric module
- width
- wiring conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
【課題】本発明の熱電モジュールよれば、Pbを実質的に含まない半田を用いて素子と配線導体間の半田の幅を素子幅の80%以上に維持したことによって信頼性が高く、耐環境性に優れた熱電モジュールが提供できる
【解決手段】複数の熱電素子間をPbを実質的に含まない半田にて電気的に連結する配線導体が支持基板上に設けられ、該配線導体と電気的に連結された外部接続端子とを具備する熱電モジュールにおいて、熱電素子と配線導体間で接合する半田の幅が熱電素子の幅の80%以上で維持したことを特徴とする。
【選択図】図2
【解決手段】複数の熱電素子間をPbを実質的に含まない半田にて電気的に連結する配線導体が支持基板上に設けられ、該配線導体と電気的に連結された外部接続端子とを具備する熱電モジュールにおいて、熱電素子と配線導体間で接合する半田の幅が熱電素子の幅の80%以上で維持したことを特徴とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体等の発熱体の冷却等に好適に使用され、特に長期信頼性に優れる熱電モジュール及びその製造方法に関する。
従来より、ペルチェ効果を利用した熱電素子は、熱電モジュールとしてレーザーダイオードの温度制御、恒温槽あるいは冷蔵庫における冷却に多用されている。この室温付近で使用される冷却用熱電モジュールには、冷却特性が優れるという観点からA2B3型結晶(AはBi及び/又はSb、BはTe及び/又はSe)からなる熱電素子が一般的に用いられている。
さらに、熱電素子はp型およびn型を対にして用いる必要があり、p型にはBi2Te3とSb2Te3(テルル化アンチモン)との固溶体が、n型にはBi2Te3とBi2Se3(セレン化ビスマス)との固溶体が特に優れた性能を示すことから、このA2B3型結晶(AはBi及び/又はSb、BはTe及び/又はSe)が冷却用熱電モジュール用熱電素子として広く用いられている。
このA2B3型結晶は古くよりゾーンメルト法等の溶製法、一方向凝固などによって結晶粒子径の大きいインゴットあるいは単結晶として作製され、これをスライスしたものが用いられてきたが、熱電モジュールに使用される熱電素子は数mm角の大きさに切断する際に碧開面を持つこれら結晶の多くは素子エッジ部にチッピングを生じやすく、加工歩留まりが極めて低いという問題があった。そのため、近年では加工に対する強度を保たせるためにホットプレス等により作製された多結晶体が用いられている。
この多結晶体を熱電素子に用いた熱電モジュールにおいては、表面に存在する欠けの最大深さを50μm以下にすることで実際に熱電モジュールが使用される環境でのON/OFFの繰り返しにおける信頼性が向上できることが知られている(特許文献1参照)。
また、複数の熱電素子間を半田にて電気的に連結する配線導体が支持基板上に設けられ、該配線導体と電気的に連結された外部接続端子とを具備する熱電モジュールにおいて、該熱電モジュールの各熱電素子と配線導体間を接合する半田の幅は、熱電モジュールの外周に面した部分で、その反りのために幅が小さく、バラツキも大きくなりやすいことが知られている。
特開2003−197984号公報
しかしながら、近年では、環境への配慮からPbを実質的に含まない半田が多用されており、更には熱電モジュールに要求される使用環境は、例えば電流の極性を反転させる反転通電など、より過酷な環境での用途が広がっており、より高い信頼性が要求されている。
このPbを実質的に含まない半田で接合された熱電モジュールは、反転通電における信頼性がPb半田品と比べると十分ではないという問題がある。
従って、本発明は、Pbを実質的に含まない半田を用いた、特に信頼性に優れる熱電モジュールを実現することを目的とする。
上記に鑑みて本発明は、複数の熱電素子間をPbを実質的に含まない半田にて電気的に連結する配線導体が支持基板上に設けられ、該配線導体と電気的に連結された外部接続端子とを具備する熱電モジュールにおいて、該熱電モジュールの外周に面した各熱電素子と配線導体間を接合する半田の幅が各熱電素子の幅の80%以上を維持したことを特徴とするものである。
また、前記熱電素子の表面に存在する欠けの最大深さが50μm以下であることを特徴とするものである。
また、上記半田の主成分が、Au−Sn系またはSn−Sb系であることを特徴とするものである。
また、上記配線導体が厚み30μm以上のCuからなることを特徴とするものである。
さらに、複数の熱電素子間をPbを実質的に含まない半田にて電気的に連結する配線導体が支持基板上に設けられ、該配線導体と電気的に連結された外部接続端子とを具備する熱電モジュールの製造方法において、支持基板の配線導体上における、熱電素子の載置面積に対して面積1mm2あたり体積0.04mm3以上の半田ペーストを印刷する工程と、前記印刷した半田ペーストを介して支持基板に対して10kPa以上の荷重を加えながら熱電素子と配線導体を接合させる工程と、半田ペーストが溶融を開始する温度よりも少なくとも10℃以上高い温度にて接合させる工程とを含むことを特徴とするものである。
本発明の熱電モジュールによれば、半田を起点とする長期信頼性の低下要因を低減し、結果、Pbを実質的に含まない半田仕様の熱電モジュールの信頼性を大幅に高めることが可能となる。
さらに大きな欠けに起因する熱電モジュールの破壊を抑えることができ、信頼性のばらつきを小さくできる。
さらにまた、熱電素子と電極の接合強度を高め、信頼性を更に高めることができる。
さらにまた、配線導体に発生する応力を低減し、信頼性を更に高めることができる。
また、半田の幅を素子幅の80%以上を維持するために十分な半田量が供給され、Pbを実質的に含まない半田の流動性が高まり、Pbを実質的に含まない半田を十分溶融させ、流動性を高められる。このような三つの工程を全て含むことによって熱電素子と配線導体間におけるPbを実質的に含まない半田の幅が素子幅の80%以上を維持した信頼性に特に優れたPbを実質的に含まない半田で接合された熱電モジュールが得られる。
図1および図2は本発明の熱電モジュールを示す斜視図である。
本発明の熱電モジュールは、図1に示すように、支持基板1a、1bの表面に、それぞれ配線導体2a、2bが形成され、熱電素子3が配線導体2a、2bによって挟持されるとともに、電気的に直列に連結されるように構成されている。
これらのN型熱電素子3a及びP型熱電素子3bは、交互に配列し、電気的に直列になるように配線導体2a、2bで接続され、さらに外部接続端子4に接続しており、外部から熱電素子3に直流電圧を印加することができ、その電流の向きに応じて吸熱あるいは発熱を生じせしめることが出来る。
上記の配線導体2a,2bは、大電流に耐え得るように、低抵抗な電極が用いられ、配線導体2a,2bに熱電素子3がPbを実質的に含まない半田5で接合されている。
本発明によれば、まず接合に使用する半田はPbを実質的に含まない半田に限定される。
Pbを実質的に含まない半田は公知のものであれば何でも使用でき、Bi−Sn系、Sn−Ag系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Sb系、Sn−In系、Au−Sn系などが使用できる。これらPbを実質的に含まない半田はPbを含まないために環境性に優れ、幅広い用途に使用できる。本発明によればこれらのPbを実質的に含まない半田を用いた熱電モジュールにおいて、外周に面した各熱電素子と配線導体間を接合する半田の幅(Ls)が熱電素子の幅(Le)の80%以上有していることが特に重要である。このような半田の幅にすることによって信頼性が向上する原因は次のように考えられる。Pbを実質的に含まない半田はPb半田と比較して濡れ広がりが悪く、半田が接合界面で広がらないことが多い。そのような半田では、配線導体あるいは熱電素子表面と半田の接合界面に濡れ角が生じやすい。従って本発明によれば、接合後の半田の幅が素子幅の80%よりも小さい場合には、半田と接合界面にわずかながら濡れ角が発生し、通電させたときの電解の集中がその接合界面で発生し、通電を反転させた繰り返し試験において、応力が集中し、破壊の起点になりやすく、結果信頼性を低下させてしまう。このような応力集中は熱電モジュールの外周部に発生するために、熱電モジュールの外周部の接合部全てにおいて、半田の幅が素子幅に対して80%以上あることが特に重要である。この半田の幅は、好ましくは素子幅の90%以上、より好ましくは95%以上、特に好ましくは99%以上である。このような半田の幅を持たせるには、半田には流動性が高い半田ペーストを使用し、十分な量の半田を用いて、更に半田接合時に支持基板に十分な荷重を加えながら接合させることで素子幅に対して80%以上の半田の幅にすることができる。
次に、本発明で用いられる熱電素子は、表面に存在する欠けの深さが最大で50μm以下にすることがまず重要である。熱電素子が、熱電素子を挟持するように支持基板及び冷却基板を熱電素子に接合させ熱電モジュールに組み込まれて用いられる場合、熱電素子に通電すると、冷却基板と支持基板との温度差が60℃以上に達するため、熱電素子自体が歪みやすく、熱電素子の熱膨張率と冷却基板や支持基板の熱膨張率との差が大きいため、熱電素子が変形する。特にこの変形は、電流を反転させた場合には変形の方向も逆になるため大きな歪が発生する。
即ち、モジュールの上下面に反りが発生し、その結果素子には大きな歪みが生じる。この応力はわずかではあるが、粒子が脱粒した欠陥部においては応力集中が起こるため、通電を繰り返すことによってクラックが進展する。また、電流を流したときの障壁(ギャップ)になるためにショートなどの原因にもなりやすい。
そのため、欠けが大きい熱電素子や欠けの多い熱電素子を用いると、初期的な特性は優れるものの、レーザーダイオードの冷却など長時間にわたってON−OFFの冷却を繰り返すモジュールにおいては好ましくない。
また、本発明によれば、熱電モジュールに使用されるN型、P型素子のうちいずれも最大欠陥深さが50μm以下であることが望ましいが、このとき、N型、P型いずれかの素子の最大欠陥が小さければ、全ての素子の最大欠陥を小さくした場合と同じ効果を期待できる。例えば、N型素子の最大欠陥がすべて50μmであってもP型素子の最大欠陥がすべて10μm以下であれば、N型、P型全ての素子の最大欠陥を10μmにした場合と同じ長期信頼性を確保できる。これはモジュールに使用される素子の半数の最大欠陥を小さくすることによって全体の変形量を小さくすることができるためである。
また、本発明によれば、最大深さは小さい方が信頼性を高める上で好ましいが、加工コストを抑制するため、最大深さの下限値は0.5μm、特に1μm、更には2μmであることが好ましく、上限値は高特性、高信頼性を得るため20μm、更には15μm、より好適には10μmであることが好ましい。
上記変形による特性の変化は、熱電素子に含まれる欠けからクラックが徐々に進展するため、電流の流れる面積が実質的に小さくなって起こるものであり、加工時の傷とともに、加工時の脱粒が原因となっている。この脱粒による欠陥は、モジュール組み立て時の歩留まりを低下させると共に、ON−OFFの通電中に欠陥が成長し、信頼性を低下させる。
従って、平均粒径を小さくすることによって、粒子の脱落を少なくし、欠けの最大深さを小さくすることに寄与でき、特に50μm以下、更に38μm以下、より好ましくは20μm以下とするが好ましく、これにより欠けの最大深さをそれぞれ50μm以下、38μm以下、20μm以下にすることが容易となる。50μmより大きいと粒子が脱落した際に50μm以上の深さを生じやすく好ましくない。
熱電素子の形状は制限されるものではないが、熱電モジュールへの搭載を考慮すると、長尺状形状であることが好ましい。これは四角形状の基板に素子を直列に配列させるときに、素子載置面積が四角である方がより高い載置面積が確保され、それに伴い吸熱量も増大できるためである。
また、熱電素子は、押出し成形により成形体を焼成し、それを切断、機械加工したり、焼結体を鍛造法で加工しても良く、また、成形時に長尺状にしていても良いが、ホットプレス、パルス通電焼結法などダイス中で焼結により作製する場合、好適には焼結体の切断加工により得られる。さらに、R加工やC面加工によって端部に発生した欠けを除去することも有効である。
なお、本発明において表面に存在する欠けとは、熱電モジュールにおいて支持基体や冷却用基板とに接合する面を除いた面であり、例えば長尺状の直方体形状であれば、長手方向に面する4面からなる側面を意味し、基板に電極を介して接合される両端部は含めない。
本発明の熱電素子はBi、Sb、Te、Seのうち少なくとも2種を含むことが好ましく、特にA2B3型金属間化合物からなることが好ましい。ここで、AがBi及び/又はSb、BがTe及び/又はSeからなる半導体結晶であって、特に組成比B/Aが1.4〜1.6であることが、室温における熱電特性を高めることができる。
A2B3型金属間化合物としては、公知であるBi2Te3、Sb2Te3、Bi2Se3の少なくとも1種であることが好ましく、固溶体としてBi2Te3とBi2Se3の固溶体であるBi2Te3−xSex(x=0.05〜0.25)、又はBi2Te3とSb2Te3の固溶体であるBixSb2−xTe3(x=0.1〜0.6)等を例示できる。
また、上記の金属間化合物を効率よく半導体化するために、不純物をドーパントとして添加することができる。例えば、原料粉末にI、Cl及びBr等のハロゲン元素を含む化合物を含有せしめることにより、n型半導体を製造することができる。
このような化合物として、AgI、CuBr、SbI3、SbCl3、SbBr3、HgBr2等を例示でき、これらを加えることにより、金属間化合物半導体中のキャリア濃度を調整することができ、その結果、熱電特性を高めることが可能となる。上記のハロゲン元素は、効率的な半導体化の点で、0.01〜5重量%、特に0.1〜4重量%の割合で含むことが好ましい。
さらに、p型半導体を製造する場合には、キャリア濃度調整のためにTeを添加することができ、n型半導体と同様に、熱電特性を高めることができる。
なお、本発明における欠けの最大深さは、傷又は粒子の脱落部分により形成された焼結体表面の平坦部と凹部との差をさす。最大深さは顕微鏡などで観察した粒子脱落部分を、直接SEM等で観察して測定するか、あるいは非接触型の表面粗さ測定器で測定することにより得られるいずれかの大きい値である。測定点は粒子脱落の状態によるが1mm2あたり2点以上測定しその最大値を求めることで得られる。
また次に、本発明によれば、Pbを実質的に含まない半田の中でAu−Sn系、特に80質量%Au−20質量%Snが、またSn−Sb系、特に95質量%Sn−5質量%Sbが半田の強度、耐熱性が高く、熱電モジュールの信頼性を高める上で好ましい。
次に本発明によれば、配線導体には厚み30μm以上のCuの電極を使用することが好ましい。Cuは抵抗が低く、熱電モジュールに通電したときのジュール発熱を低減できる。さらに、厚みは30μm以上、好ましくは50μm以上、より好ましくは70μm以上にすることが通電したときの歪を緩和でき、長期使用時における電極と支持基板界面からの破壊を低減することができる。30μm未満の場合、電極の接着密度が低下し、そのことによって反転通電時の信頼性を低下させるため好ましくない。
次に、本発明の熱電モジュールの製造方法について説明する。
まず、原料粉末を準備する。用いる原料粉末は、溶製法等によりインゴットを作製し、粒子径の大きい市販粉末を分級しても良いが、例えば比較的安価で粒子径の不揃いな市販粉末を所望の組成に調合し、有機溶媒を加えて粉砕することで、本発明で使用する粉末を容易に得ることができる。
上記の原料粉末を焼成する前に予め水素気流中で熱処理することが好ましい。この熱処理は、水素気流中で加熱するものであり、原料粉末表面の不純物酸素が水素ガスによって還元除去され、比抵抗の高い酸化物が少なくなるため、焼成によって得られた焼結体の比抵抗を低下することができる。
水素中熱処理を行った原料粉末を焼成型に充填して焼成するが、焼成時に加圧することが緻密体を得るために好ましい。例えば、パルス通電焼結法(PECS)、ホットプレス法(HP)、ガス圧焼結法(GPS)、熱間等方加圧焼結法(HIP)等を用いることが出来る。
焼成によって得られた焼結体は、ダイシングソーなどで切断加工し、更にラッピングやポリッシングによって表面を研磨し、ウェハーを作製する。次に、ウェハーをメッキ処理する。メッキ処理は、熱電素子との密着強度を高める上でNi/Auの無電解メッキが好適に用いられる。次にメッキされたウェハーをダイシングソーで切断加工する。この際、粒子脱粒を抑えるために、ダイヤモンドソーの刃を薄いものにすること、切断速度を遅くすること等の手法が欠けを少なくし、欠けの深さを小さくするために有効である。
このように作製した熱電素子は、表面に存在する欠けの最大深さが50μm以下の高い信頼性を示す本発明の熱電素子を得ることができる。
次にCu電極が配線された支持基板を準備する。基板材質としては、耐振動及び衝撃性に優れ、配線導体の密着強度が大きく、また、放熱面や冷却面としての熱抵抗が小さいものが好ましい。具体的には、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素の少なくとも1種からなる焼結体を例示できる。特にコストの点からアルミナ焼結体を、熱伝導率が高く、熱抵抗が小さい点で窒化アルミニウム焼結体を、強度及び熱伝導率の点で炭化珪素焼結体を、衝撃性や強度の点で窒化珪素焼結体を好適に使用できる。
支持基板の曲げ強度は、200MPa以上、特に250MPa以上、更には300MPa以上にすることが、配線導体の形成や半田層の形成に伴う応力集中に対しても支持基板の破損を防止する効果を高め、より高い信頼性を得る点において好ましい。Cu電極はメッキによって配線される。このとき、支持基板のメタライズ法としては公知の方法で作製できるが、電極の密着強度を高める上でMo−Mnを印刷し焼成した面にNiをメッキし、Cuをメッキして得られるMo−Mn法が望ましい。Cu電極の厚みは30μm以上になるようにメッキの時間を制御する。
次に熱電素子と支持基板を半田接合する。この接合方法も公知の方法で接合できるが、本発明によれば、Pbを実質的に含まない半田ペースト、例えばAu−SnあるいはSn−Sb半田ペーストをスクリーン法で印刷する際の半田の体積が重要である。この半田体積は、フラックス等の揮発成分を除去した純粋な半田による体積を指し、この体積を接合させる熱電素子の半田接合面の載置面積に対して面積1mm2あたり体積0.04mm3以上となるような量に調整することが重要である。この半田重量の調整はスクリーン印刷時の版の目開きの大きさ及び厚み、印刷条件などで調整できる。この半田量は、半田の幅を素子幅の80%以上にするために特に重要で、好ましくは0.05mm3/mm2以上、より好ましくは0.06mm3/mm2以上である。面積1mm2あたり体積0.04mm3より少ない量の場合、半田の幅を素子幅の80%以上にすることが困難になる。
さらに、本発明の製造方法によれば、熱電素子を高精度な冶具を用いて整列配置したのち、ゴムパッドなどで荷重をかけながらリフロー炉あるいはホットプレート上で加熱して接合する方法を用いて接合させるが、熱電素子と半田を接触させて溶融接合させる際に、接触部に半田の厚みを短くするような応力を発生させるように支持基板に対して10kPa以上の荷重を加えながら接合させることが重要である。この応力は、半田の流動性を高めるために必要で、好ましくは応力30kPa以上、より好ましくは50kPa以上である。この荷重が10kPaよりも小さいと半田の流動性を高められずに半田の幅が素子幅の80%以上になりにくい。このとき半田の酸化による性能低下を抑える目的で半田接合は非酸化性雰囲気、例えば窒素、アルゴンガス中で行うことが望ましい。
さらに本発明の製造方法によれば、半田接合させる際の温度を半田が溶融を開始する温度に対して10℃以上高めることが重要である。半田が溶融を開始する温度はあらかじめ半田を印刷した基板を接合させるときと同じ条件で加熱し表面を観察することで確認できる。ここで溶融されるとは、形状が変化し始める温度を指し、通常は融点付近である。
本発明によれば、上記半田の体積と支持基板の荷重および接合温度全ての条件を本発明の範囲内で満足させることが、素子幅の80%以上の半田の幅を有する熱電モジュールを得るうえで必要である。
半田の幅は熱電モジュールの外周部を顕微鏡などで観察することで容易に判別できるが、より詳細には、樹脂埋めして切断し、SEM等で観察することで詳細な幅を確認できる。
次に熱電素子が上下の支持基板で接合されたら、外部電極に電流を導入するリード線あるいは電極を接合して熱電モジュールが得られる。
実際に熱電モジュールを冷却に用いる場合には、熱電素子の支持基板と反対側の面に冷却用基板を設ける必要がある。この冷却用基板は、熱電素子の上に電極を介して接合され、冷却基板の上に発熱体や冷却するデバイス等を載置して用いられる。
本発明の熱電モジュールは、信頼性が高くばらつきが小さい。ここでの信頼性とは、例えば、放熱面をヒートシンクに接着させるなどして60度に制御した状態で、電流を印加して温度差が最大になる最大電流を7.5秒おきに反転させながら印加する、反転通電試験において、1万回のサイクル試験後に、熱電モジュールの抵抗変化率が8%以下、特に6%以下、更には5%以下を示す。このように、1万回の反転サイクル試験後に抵抗の変化が小さいと、レーザーダイオードの冷却用途として長時間好適に使用することができる。
以下に本発明の具体的な製造方法を示すが、本発明の製造方法は以下の方法に限定されない。
まず、支持基板1として長さ8.2mm、幅6.0mm、厚み0.375mmの熱電素子3が46個(23対)配置される配線導体がCuからなり、Cu電極厚みが異なるアルミナ基板を複数準備した。
また、熱電素子3として、N型にはBi2Te2.85Se0.15組成の熱電素子3を、P型にはBi0.4Sb1.6Te3組成のホットプレスで作製された焼結型多結晶熱電インゴットを準備した。インゴットは厚み0.9mmにスライス後、Ni及びAuメッキを施し、幅0.65mmになるようにダイシングソーで切断し、縦0.65mm、横0.65mm、高さ0.90mmの寸法のN型及びP型熱電素子3を得た。この際、ダイシングソーのブレード材質、ブレード厚み、切断速度、回転速度等を変化させ、加工断面の表面状態を変化させた。
次に各切断条件で得られた素子を、200pcsずつ走査型電子顕微鏡(SEM)にて熱電素子の側面の端部を観察して写真を撮影し、欠けの大きさを測定し、最大の大きさ(R1)を選出するとともに、表面粗さ計で表面粗さ(Rmax)を求め、R1とRmaxとの平均の大きい方を欠けの最大深さとした。熱電モジュールに使用するN型、P型熱電素子のうち最大深さが小さい方をそのモジュールの最大深さとしても求めた。
次にアルミナ基配線基板上にスクリーン印刷法にて半田印刷した。使用した半田は、フラックス成分がほぼ同質の以下の5種類である。
それぞれの半田は印刷後溶融試験を行い溶融開始温度を確認したところ80質量%Au−20質量%Sn(溶融開始温度283℃)、95質量%Sn−5質量%Sb(溶融開始温度235℃)、63質量%Sn−37質量%Pb(溶融開始温度186℃)、96.5質量%Sn−3.5質量%Ag(溶融開始温度225℃)、96.5質量%Sn−3質量%Ag−0.5質量%Cu(溶融開始温度220℃)であった。
半田印刷はフォトレジスト法で作製されたナイロン製の印刷枠を使用してスクリーン印刷した。印刷枠の開口部の大きさ、厚みをかえることで半田重量を変化させた。半田の体積は、印刷前後の重量変化を測定し、フラックス成分を除いた真密度から素子面積あたりの半田体積を算出した。
次に整列冶具を使用してN型熱電素子とP型熱電素子を印刷した基板上に配置し、加熱して半田と素子を仮止めした後、もう片方の基板を加熱後装着し、上基板をばね式の重しで荷重を加えながら、窒素雰囲気中のホットプレート上で半田接合した。接合温度は溶融開始温度より5〜60℃高い温度とし、接合温度、荷重をいくつか変化させ接合半田の幅を変化させ接合後、リード線を半田こてで接合し、フラックス洗浄を施し、熱電モジュールを得た。
熱電モジュールは表1に示す各条件で20個ずつ作製し、まず半田の幅を外周部の素子22個について光学顕微鏡を用いて測定し、その平均を素子幅(0.65mm)との比で求めた。
次に、放熱面温度を27℃にヒートシンクにて固定した状態でリード線に通電し、冷却面温度が最も低くなる温度において放熱面と冷却面の最大温度差(ΔTmax)を求めた。
その後、窒素雰囲気中で放熱面と冷却面に窒素ガスを吹き付けた状態で電流を7.5秒おきに反転させる反転通電処理を行った。
反転通電は、冷却面温度を25℃、放熱面温度が75℃となるように電流値と吹きつける窒素ガスの流量を調整し行った。全てのモジュールは、反転通電で5000サイクルおきにΔTmaxを測定し、20個中、1個でもΔTmaxが5℃以上の低下が見られたサイクル数を破壊サイクル数とした。
表1から明らかなように、本発明の範囲外である試料No.3はPb半田を使用しているため耐環境性が悪い。また、半田の幅が素子幅の80%未満である試料No.8、10、12は反転通電の破壊サイクルが20000サイクル以下であり、信頼性が著しく低下していた。
1 支持基板
2 配線導体
3 熱電素子
3a N型熱電素子
3b P型熱電素子
4 外部接続端子
5 Pbを実質的に含まない半田
Le 熱電素子の幅
Ls 半田の幅
Lc 配線導体の厚み
2 配線導体
3 熱電素子
3a N型熱電素子
3b P型熱電素子
4 外部接続端子
5 Pbを実質的に含まない半田
Le 熱電素子の幅
Ls 半田の幅
Lc 配線導体の厚み
Claims (5)
- 複数の熱電素子間をPbを実質的に含まない半田にて電気的に連結する配線導体が支持基板上に設けられ、該配線導体と電気的に連結された外部接続端子とを具備する熱電モジュールにおいて、該熱電モジュールの外周に面した各熱電素子と配線導体間を接合する半田の幅が各熱電素子の幅の80%以上を維持したことを特徴とする熱電モジュール。
- 前記熱電素子の表面に存在する欠けの最大深さが50μm以下であることを特徴とする請求項1記載の熱電モジュール
- 前記半田の主成分が、Au−Sn系またはSn−Sb系であることを特徴とする請求項1または2に記載の熱電モジュール。
- 前記配線導体が厚み30μm以上のCuからなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の熱電モジュール。
- 複数の熱電素子間をPbを実質的に含まない半田にて電気的に連結する配線導体が支持基板上に設けられ、該配線導体と電気的に連結された外部接続端子とを具備する熱電モジュールの製造方法において、支持基板の配線導体上における、熱電素子の載置面積に対して面積1mm2あたり体積0.04mm3以上の半田ペーストを印刷する工程と、前記印刷した半田ペーストを介して支持基板に対して10kPa以上の荷重を加えながら熱電素子と配線導体を接合させる工程と、半田ペーストが溶融を開始する温度よりも少なくとも10℃以上高い温度にて接合させる工程とを含むことを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004130941A JP2005317603A (ja) | 2004-04-27 | 2004-04-27 | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004130941A JP2005317603A (ja) | 2004-04-27 | 2004-04-27 | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005317603A true JP2005317603A (ja) | 2005-11-10 |
Family
ID=35444735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004130941A Pending JP2005317603A (ja) | 2004-04-27 | 2004-04-27 | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005317603A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010108958A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Kyocera Corp | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
WO2018021540A1 (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社 東芝 | 熱電材料、熱電材料の製造方法、熱電変換素子、および熱電変換モジュール |
-
2004
- 2004-04-27 JP JP2004130941A patent/JP2005317603A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010108958A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Kyocera Corp | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
WO2018021540A1 (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社 東芝 | 熱電材料、熱電材料の製造方法、熱電変換素子、および熱電変換モジュール |
JPWO2018021540A1 (ja) * | 2016-07-28 | 2019-05-23 | 株式会社東芝 | 熱電材料、熱電材料の製造方法、熱電変換素子、および熱電変換モジュール |
JP6991973B2 (ja) | 2016-07-28 | 2022-01-13 | 株式会社東芝 | 熱電材料、熱電材料の製造方法、熱電変換素子、および熱電変換モジュール |
US11957052B2 (en) | 2016-07-28 | 2024-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermoelectric material, manufacturing method of thermoelectric material, thermoelectric conversion element, and thermoelectric conversion module |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004031696A (ja) | 熱電モジュール及びその製造方法 | |
US20050241690A1 (en) | Thermoelectric Module | |
US11145615B2 (en) | Solder material for semiconductor device | |
JP5186719B2 (ja) | セラミックス配線基板、その製造方法及び半導体モジュール | |
JP2005161318A (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2004031697A (ja) | 熱電モジュール | |
JP2003318454A (ja) | 熱電変換素子及び熱電モジュール | |
JP5713526B2 (ja) | 熱電変換モジュールならびに冷却装置、発電装置および温度調節装置 | |
JP5866075B2 (ja) | 接合材の製造方法、接合方法、および電力用半導体装置 | |
JP2003197981A (ja) | 熱電モジュール | |
JP2005317603A (ja) | 熱電モジュールおよびその製造方法 | |
JP3548560B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP2004235367A (ja) | 熱電モジュール | |
CN101232071A (zh) | 热电换能模块及其封装 | |
JP3588355B2 (ja) | 熱電変換モジュール用基板及び熱電変換モジュール | |
JP2005217055A (ja) | 熱電モジュールの製造方法 | |
JP4005937B2 (ja) | 熱電モジュールのパッケージ | |
JP2006041243A (ja) | 熱電モジュール及びその製造方法並びに冷却装置 | |
JP2004303872A (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP3935062B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP5247531B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2005161397A (ja) | はんだおよびその製造方法 | |
JPS62216251A (ja) | 高熱伝導性基板 | |
JP2005050863A (ja) | 熱電モジュール | |
JP2018067589A (ja) | 熱電変換モジュールの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070608 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071127 |