JP2005311105A - 薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 130
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 20
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 11
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 103
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000282866 Euchlaena mexicana Species 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
- H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
Abstract
【解決手段】 基板に対して形成される絶縁性アンダーコート層と、該絶縁性アンダーコート層の上に形成される多結晶シリコンからなる半導体活性層と、該半導体活性層上に絶縁して形成されるゲート電極とを備え、該絶縁性アンダーコート層は、テトラエトキシシランを材料とし、プラズマCVDで形成されたシリコン酸化膜層である薄膜トランジスタである。該シリコン酸化膜層の炭素原子濃度は6×1019/cm3〜1×1020/cm3の範囲内であることが好ましく、また窒素原子濃度は3×1019/cm3以下であることが好ましい。
【選択図】 図1
Description
該シリコン酸化膜層の上に非晶質シリコン膜層を形成する工程と、
該非晶質シリコン膜層に対してレーザー照射を行い、多結晶シリコンからなる半導体活性層を形成する工程と、
該半導体活性層の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜によって該半導体活性層と絶縁されたゲート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、薄膜トランジスタの製造方法に関する。
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例)
ガラス基板上に、シリコン窒化膜層を厚み50nmで、絶縁性アンダーコート層としてのシリコン酸化膜層を厚み200nmで、それぞれ平行平板型RFプラズマCVDにより形成した後、同じく平行平板型RFプラズマCVDにより非晶質シリコン膜層を厚み50nmで形成した。本実施例においては、シリコン酸化膜からなる絶縁性アンダーコート層および非晶質シリコン膜層の材料としてTEOSを用いた。続いて、窒素雰囲気下で加熱処理を行なって膜中の水素を脱気した後、非晶質シリコン膜にXeClエキシマレーザーを照射してシリコン多結晶膜とした。
シリコン酸化膜層の材料としてSiH4を用いた他は実施例と同様の方法で薄膜トランジスタを作製した。
SIMS(二次イオン質量分析)を用いた深さ方向分析により、実施例および比較例において絶縁性アンダーコート層として形成したシリコン酸化膜層内部の組成分析を行なった。該シリコン酸化膜層内部の炭素および窒素の濃度を表1に示す。なお各濃度の値は、シリコン酸化膜層の領域における測定値のばらつきを反映させ、(最小値〜最大値)として示している。
実施例および比較例において作製した薄膜トランジスタについて閾値電圧を測定した。図2は、シリコン酸化膜層の材料としてTEOS系ガスを用いた実施例に係る薄膜トランジスタの閾値電圧を示す図である。また図3は、シリコン酸化膜層の材料としてSiH4系ガスを用いた比較例に係る薄膜トランジスタの閾値電圧を示す図である。図2および図3より算出した閾値電圧を表2に示す。なお、nチャネル多結晶薄膜トランジスタとしたときの閾値電圧をVth(n)、pチャネル多結晶薄膜トランジスタとしたときの閾値電圧をVth(p)として表している。
Claims (6)
- 基板に対して形成される絶縁性アンダーコート層と、前記絶縁性アンダーコート層の上に形成される多結晶シリコンからなる半導体活性層と、前記半導体活性層の上に絶縁して形成されるゲート電極とを備えた薄膜トランジスタであって、前記絶縁性アンダーコート層が、テトラエトキシシランを材料とし、プラズマCVDで形成されたシリコン酸化膜層からなることを特徴とする、薄膜トランジスタ。
- 前記シリコン酸化膜層の炭素原子濃度が6×1019/cm3〜1×1020/cm3の範囲内であることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記シリコン酸化膜層の窒素原子濃度が3×1019/cm3以下であることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記シリコン酸化膜層の炭素原子濃度が6×1019/cm3〜1×1020/cm3の範囲内で、かつ窒素原子濃度が3×1019/cm3以下であることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 基板に対して、テトラエトキシシランを材料とし、プラズマCVDでシリコン酸化膜層を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜層の上に非晶質シリコン膜層を形成する工程と、
前記非晶質シリコン膜層に対してレーザー照射を行い、多結晶シリコンからなる半導体活性層を形成する工程と、
前記半導体活性層の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜によって前記半導体活性層と絶縁されたゲート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記シリコン酸化膜層を形成する工程の前に、基板上にシリコン窒化膜層を形成する工程が設けられることを特徴とする、請求項5に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004126690A JP4222966B2 (ja) | 2004-04-22 | 2004-04-22 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
TW094110725A TWI278118B (en) | 2004-04-22 | 2005-04-04 | Thin-film transistor and method of fabricating the same |
KR1020050032758A KR100735850B1 (ko) | 2004-04-22 | 2005-04-20 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US11/109,852 US20050239239A1 (en) | 2004-04-22 | 2005-04-20 | Thin-film transistor and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004126690A JP4222966B2 (ja) | 2004-04-22 | 2004-04-22 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005311105A true JP2005311105A (ja) | 2005-11-04 |
JP4222966B2 JP4222966B2 (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=35137005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004126690A Expired - Fee Related JP4222966B2 (ja) | 2004-04-22 | 2004-04-22 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050239239A1 (ja) |
JP (1) | JP4222966B2 (ja) |
KR (1) | KR100735850B1 (ja) |
TW (1) | TWI278118B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007302283A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Kirin Brewery Co Ltd | ガスバリア性プラスチック容器、その容器用のプリフォーム及びその容器の製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013197187A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
EP2905637A1 (en) * | 2014-02-07 | 2015-08-12 | ASML Netherlands B.V. | EUV optical element having blister-resistant multilayer cap |
CN104241140A (zh) * | 2014-09-25 | 2014-12-24 | 上海和辉光电有限公司 | 形成多晶硅薄膜的方法及薄膜晶体管制造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5403762A (en) * | 1993-06-30 | 1995-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a TFT |
JP3672639B2 (ja) * | 1995-09-16 | 2005-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6858898B1 (en) * | 1999-03-23 | 2005-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6875674B2 (en) * | 2000-07-10 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device with fluorine concentration |
JP4377640B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2009-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
-
2004
- 2004-04-22 JP JP2004126690A patent/JP4222966B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-04 TW TW094110725A patent/TWI278118B/zh active
- 2005-04-20 KR KR1020050032758A patent/KR100735850B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-04-20 US US11/109,852 patent/US20050239239A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007302283A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Kirin Brewery Co Ltd | ガスバリア性プラスチック容器、その容器用のプリフォーム及びその容器の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050239239A1 (en) | 2005-10-27 |
TWI278118B (en) | 2007-04-01 |
KR100735850B1 (ko) | 2007-07-04 |
TW200603409A (en) | 2006-01-16 |
JP4222966B2 (ja) | 2009-02-12 |
KR20060047273A (ko) | 2006-05-18 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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