JP2005306625A - セラミック多孔質板、その製造方法、および製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 平均細孔径が5nm〜200μmの細孔部を有し厚さが0.5mm以上のセラミック多孔質板であって、該細孔部内壁の少なくとも一部にALD法によって分子層または原子層レベルで膜厚制御された薄膜が形成されていることを特徴とするセラミック多孔質板を提供する。さらに、そのセラミック多孔質板の製造方法および製造装置、さらにはそのセラミック多孔質板を用いたフィルター、触媒担体およびガスセンサーを提供する。
【選択図】 図4
Description
気孔率=(飽和質量-乾燥質量)/(飽和質量-水中質量) ×100(%) (1)
また、全気孔率は以下の(2)式で求められる。
全気孔率=(1−嵩密度/真密度) ×100(%) (2)
さらに、嵩密度は次の式(3)で求められる。
嵩密度=全体の質量/ L×W×T (3)
尚ここで、飽和質量は完全に給水したときの質量を意味し、乾燥質量は乾燥時の質量を意味し、水中質量は水中での質量を意味し、真密度は重量密度を意味し、Lは多孔質板の縦方向の大きさを意味し、Wは横方向の大きさを意味し、Tは厚さを意味する。
D=−4γcosθ/P (4)
ここで、P は加える圧力(N/m2))、D は細孔径(直径)(m)、γは水銀の表面張力(0.48N/m)、θは水銀と細孔壁面の接触角で通常140度である。 γ、θは定数で、ウオッシュバーンの式(4)から、加えた圧力とP と細孔直径D の関係が求められ、その時の侵入容積を測定することにより、細孔径とその容積分布が導かれ、さらに平均細孔径が導かれる。
通常のアルミナ多孔質体の製造法、すなわちアルミナ粉末と分散媒をバインダー,分散剤,整泡剤,泡安定剤と共に混合して原料スラリーを作成し、これを攪拌して泡立てた後に、気泡を含む状態で板状に成形し、次いで乾燥した後、焼成して得られたアルミナ多孔質基板(厚さ1mm、気孔率30%、大きさ50mm×50mm)を、図4に示されるように、ALDの反応チャンバーにALDの原料となるガスの導入室と、排気ポンプを用いて排気される排気室とに完全に分離されるように配置した。このときチャンバーとセラミックス多孔質板とのすきまが完全にふさがるような、基板固定用治具がチャンバー内に設置された。そのアルミナ多孔質基板をそのように設置し、細孔内部にAl2O3薄膜を形成し、細孔径、気孔率等を調整した例を以下に示す。尚、実施例では、セラミックス多孔質板としてアルミナを用いたが、他の材質であっても良い。
さらに好ましい態様の実施例として、同様のアルミナ多孔質基板を用い、図6に記載の装置を用いてALD法による製膜が可能である。図6に示すように、原料ガス導入室と排気室の圧力を各々の圧力計Pin、Poutにてモニターし、差圧(P1−P2)を検出する。尚、その圧力としては、たとえば窒素パージ(パージラインを通さない工程)の安定した圧力をモニターする。測定した圧力の差圧の検出は成膜サイクルごとに行なう。差圧(P1−P2)は、セラミック多孔質板の気孔率、または成膜された膜厚による影響を受けることから、前もって把握しておいた、該差圧(P1−P2)と気孔率の関係から、所望の気孔率が得られた時点で成膜サイクルを停止できるようにする。それにより初期のセラミックス気孔質基板の気孔率に左右されることなく、インラインで気孔率の高精度な制御が可能となる。
Claims (18)
- 多孔質板の両面において開口部を有し該多孔質板を貫通した平均細孔径が5nm〜200μmの細孔部を有し厚さが0.5mm以上のセラミック多孔質板であって、該細孔部内壁の少なくとも一部にALD(Atomic Layer Deposition;原子層成長(以下同じ)) 法によって分子層または原子層レベルで膜厚制御された薄膜が形成されていることを特徴とする、セラミック多孔質板。
- 該厚さが0.5〜10mmである、請求項1に記載のセラミック多孔質板。
- 該薄膜が、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物および金属からなる群から選ばれる物のALD法による層のいずれか一層で、または同一あるいは異なる層が積層されて形成されたものである、請求項1または請求項2に記載のセラミック多孔質板。
- 該薄膜形成のための該金属の酸化物が、SiO2 、Al2O3 、TiO2、Ta2O5、ZnO、Y2O3、SnO2またはZrO2である、請求項3に記載のセラミック多孔質板。
- 該薄膜形成のための該金属の窒化物が、Si3 N4 、AlNまたはTiNである、請求項3に記載のセラミック多孔質板。
- 該薄膜形成のための該金属の酸窒化物が、SiON、AlON、TiON、TaONまたはSnONである、請求項3に記載のセラミック多孔質板。
- 該薄膜形成のための該金属が、銅、タングステンまたは白金である、請求項3に記載のセラミック多孔質板。
- 該セラミックが、SiO2 、Si3 N4 、Al2O3 、AlN、ZrO2、Y2O3およびMgOからなる群から選ばれる化合物のいずれかまたはその組合せを含む、請求項1に記載のセラミック多孔質板。
- 請求項1〜請求項8のいずれかに記載のセラミック多孔質板を用いて成る、フィルター。
- 請求項1〜請求項8のいずれかに記載のセラミック多孔質板を用いて成る、触媒担体。
- 請求項1〜請求項8のいずれかに記載のセラミック多孔質板を用いて成る、ガスセンサー。
- 細孔部内壁の少なくとも一部に分子層または原子層レベルで膜厚制御された薄膜を備えるセラミック多孔質板のALD法による製造方法であって、多孔質基板の両面において開口部を有し該多孔質基板を貫通した細孔部を有するセラミック多孔質基板の一方の表面側にALD法の原料ガスを供給し、該セラミック多孔質基板の他の表面側からガスを流出させて、該細孔部に該原料ガスを通過させることによって該薄膜を形成することを特徴とする、セラミック多孔質板の製造方法。
- 該セラミック多孔質基板における細孔部の平均細孔径が10nm〜200μmであり、該セラミック多孔質基板の厚さが0.5mm以上である、請求項12に記載のセラミック多孔質板の製造方法。
- 該一方の表面側の圧力(P1)および該他の表面側の圧力(P2)の圧力差(P1−P2)を検知し、該圧力差(P1−P2)に基づいて該ALD法による薄膜形成サイクルを制御する、請求項12または請求項13に記載のセラミック多孔質板の製造方法。
- 該薄膜が形成されたセラミック多孔質板を加熱処理する工程をさらに含む、請求項12〜請求項14のいずれかに記載のセラミック多孔質板の製造方法。
- ALD法のための原料ガスの導入室および排気室を含むチャンバーと、該原料ガスの導入手段と、ガスの排気手段とを備えた、細孔部内壁の少なくとも一部に分子層または原子層レベルで膜厚制御された薄膜を備えるセラミック多孔質板のALD法による製造装置であって、多孔質基板の両面に開口部を有し該多孔質基板を貫通した細孔部を有するセラミック多孔質基板を介して該導入室および該排気室を具備したことを特徴とする、セラミック多孔質板の製造装置。
- 該セラミック多孔質基板における細孔部の平均細孔径が10nm〜200μmであり、該セラミック多孔質基板の厚さが0.5mm以上である、請求項16に記載のセラミック多孔質板の製造装置。
- 該導入室における圧力(P1)および該排気室における圧力(P2)の圧力差(P1−P2)を検出する手段と、該圧力差(P1−P2)によってALD法による該薄膜形成のサイクルを制御するための制御手段をさらに備えた、請求項16または請求項17に記載のセラミック多孔質板の製造装置。
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008172244A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Korea Electronics Telecommun | 電子素子用ZnO半導体膜の形成方法及び前記半導体膜を含む薄膜トランジスタ |
JP2008200558A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 化学気相析出法を用いた水素透過膜製造装置 |
WO2011037831A3 (en) * | 2009-09-22 | 2011-06-23 | 3M Innovative Properties Company | Articles including a porous substrate having a conformal layer thereon |
CN102491777A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-06-13 | 南京工业大学 | 一种对陶瓷膜孔径进行连续精密调节的方法 |
US8460526B2 (en) | 2008-04-07 | 2013-06-11 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Gas sensor and process for producing the same |
WO2017095185A1 (ko) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 인천대학교 산학협력단 | 기능성 필터 및 그 제조방법 |
KR20180106870A (ko) * | 2017-03-17 | 2018-10-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 원자 층 증착에 의한 다공성 바디의 내플라즈마성 코팅 |
CN110314449A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 日本碍子株式会社 | 陶瓷多孔体和集尘用过滤器 |
EP3677563A1 (en) * | 2019-01-04 | 2020-07-08 | United Technologies Corporation | Method for producing a ceramic matrix composite component |
JP2020524748A (ja) * | 2017-07-12 | 2020-08-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 多孔性基材の表面コーティング装置及び方法 |
JP2020168625A (ja) * | 2015-02-13 | 2020-10-15 | インテグリス・インコーポレーテッド | 基材物品および装置の特性および性能を増強するためのコーティング |
JP2021007144A (ja) * | 2019-06-06 | 2021-01-21 | ピコサン オーワイPicosun Oy | 流体透過性材料のコーティング |
US11111578B1 (en) | 2020-02-13 | 2021-09-07 | Uchicago Argonne, Llc | Atomic layer deposition of fluoride thin films |
US11326255B2 (en) * | 2013-02-07 | 2022-05-10 | Uchicago Argonne, Llc | ALD reactor for coating porous substrates |
DE102022106876A1 (de) | 2022-03-23 | 2023-09-28 | Technische Universität Dresden, Körperschaft des öffentlichen Rechts | Filterstruktur sowie deren Herstellung und Verwendung |
US11901169B2 (en) | 2022-02-14 | 2024-02-13 | Uchicago Argonne, Llc | Barrier coatings |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110055529A (zh) * | 2019-04-01 | 2019-07-26 | 沈阳富创精密设备有限公司 | 一种制备双层陶瓷层的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001234345A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Denso Corp | 薄膜の形成方法 |
JP2001247970A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Japan Fine Ceramics Center | 多孔質複合材料の製造方法 |
JP2002166177A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-11 | Inax Corp | 光触媒担持体 |
JP2002211984A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-31 | National Institute For Materials Science | SiC又はC繊維/SiC複合材料の製造方法 |
JP2003055063A (ja) * | 2001-06-07 | 2003-02-26 | Osamu Yamada | セラミックス系多孔質材料の製造方法 |
-
2004
- 2004-04-16 JP JP2004122072A patent/JP4534565B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001234345A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Denso Corp | 薄膜の形成方法 |
JP2001247970A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Japan Fine Ceramics Center | 多孔質複合材料の製造方法 |
JP2002166177A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-11 | Inax Corp | 光触媒担持体 |
JP2002211984A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-31 | National Institute For Materials Science | SiC又はC繊維/SiC複合材料の製造方法 |
JP2003055063A (ja) * | 2001-06-07 | 2003-02-26 | Osamu Yamada | セラミックス系多孔質材料の製造方法 |
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4616359B2 (ja) * | 2007-01-09 | 2011-01-19 | 韓國電子通信研究院 | 電子素子用ZnO半導体膜の形成方法及び前記半導体膜を含む薄膜トランジスタ |
JP2008172244A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Korea Electronics Telecommun | 電子素子用ZnO半導体膜の形成方法及び前記半導体膜を含む薄膜トランジスタ |
JP2008200558A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 化学気相析出法を用いた水素透過膜製造装置 |
US8460526B2 (en) | 2008-04-07 | 2013-06-11 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Gas sensor and process for producing the same |
CN102782179A (zh) * | 2009-09-22 | 2012-11-14 | 3M创新有限公司 | 包括在其上具有保形层的多孔基底的制品 |
KR20120073280A (ko) * | 2009-09-22 | 2012-07-04 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 다공성 비세라믹 기판상에 원자층 증착 코팅을 도포하는 방법 |
JP2013505368A (ja) * | 2009-09-22 | 2013-02-14 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 多孔性非セラミック基材上に原子層堆積コーティングを適用する方法 |
US8859040B2 (en) | 2009-09-22 | 2014-10-14 | 3M Innovative Properties Company | Method of applying atomic layer deposition coatings onto porous non-ceramic substrates |
CN102782179B (zh) * | 2009-09-22 | 2015-11-25 | 3M创新有限公司 | 包括在其上具有保形层的多孔基底的制品 |
KR101714814B1 (ko) | 2009-09-22 | 2017-03-09 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 다공성 비세라믹 기판상에 원자층 증착 코팅을 도포하는 방법 |
WO2011037831A3 (en) * | 2009-09-22 | 2011-06-23 | 3M Innovative Properties Company | Articles including a porous substrate having a conformal layer thereon |
CN102491777A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-06-13 | 南京工业大学 | 一种对陶瓷膜孔径进行连续精密调节的方法 |
US11326255B2 (en) * | 2013-02-07 | 2022-05-10 | Uchicago Argonne, Llc | ALD reactor for coating porous substrates |
US12018382B2 (en) | 2015-02-13 | 2024-06-25 | Entegris, Inc. | Coatings for enhancement of properties and performance of substrate articles and apparatus |
JP7506530B2 (ja) | 2015-02-13 | 2024-06-26 | インテグリス・インコーポレーテッド | 基材物品および装置の特性および性能を増強するためのコーティング |
JP2020168625A (ja) * | 2015-02-13 | 2020-10-15 | インテグリス・インコーポレーテッド | 基材物品および装置の特性および性能を増強するためのコーティング |
WO2017095185A1 (ko) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 인천대학교 산학협력단 | 기능성 필터 및 그 제조방법 |
KR20180106858A (ko) * | 2017-03-17 | 2018-10-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 원자 층 증착에 의한 다공성 바디의 내플라즈마성 코팅 |
JP2018162205A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 原子層堆積による多孔質体の耐プラズマ性コーティング |
JP2018168472A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-11-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 原子層堆積による多孔質体の耐プラズマ性コーティング |
KR20180106870A (ko) * | 2017-03-17 | 2018-10-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 원자 층 증착에 의한 다공성 바디의 내플라즈마성 코팅 |
KR102593334B1 (ko) * | 2017-03-17 | 2023-10-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 원자 층 증착에 의한 다공성 바디의 내플라즈마성 코팅 |
KR102592883B1 (ko) * | 2017-03-17 | 2023-10-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 원자 층 증착에 의한 다공성 바디의 내플라즈마성 코팅 |
JP7296698B2 (ja) | 2017-03-17 | 2023-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 原子層堆積による多孔質体の耐プラズマ性コーティング |
JP7093192B2 (ja) | 2017-03-17 | 2022-06-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 原子層堆積による多孔質体の耐プラズマ性コーティング |
JP7066960B2 (ja) | 2017-07-12 | 2022-05-16 | エルジー・ケム・リミテッド | 多孔性基材の表面コーティング装置及び方法 |
JP2020524748A (ja) * | 2017-07-12 | 2020-08-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 多孔性基材の表面コーティング装置及び方法 |
CN110314449B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-03-11 | 日本碍子株式会社 | 陶瓷多孔体和集尘用过滤器 |
CN110314449A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 日本碍子株式会社 | 陶瓷多孔体和集尘用过滤器 |
EP3677563A1 (en) * | 2019-01-04 | 2020-07-08 | United Technologies Corporation | Method for producing a ceramic matrix composite component |
JP7029192B2 (ja) | 2019-06-06 | 2022-03-03 | ピコサン オーワイ | 流体透過性材料のコーティング |
TWI725867B (zh) * | 2019-06-06 | 2021-04-21 | 芬蘭商皮寇桑公司 | 反應器組件及其用途、塗覆方法及塗覆物品 |
JP2021007144A (ja) * | 2019-06-06 | 2021-01-21 | ピコサン オーワイPicosun Oy | 流体透過性材料のコーティング |
US11111578B1 (en) | 2020-02-13 | 2021-09-07 | Uchicago Argonne, Llc | Atomic layer deposition of fluoride thin films |
US11901169B2 (en) | 2022-02-14 | 2024-02-13 | Uchicago Argonne, Llc | Barrier coatings |
DE102022106876A1 (de) | 2022-03-23 | 2023-09-28 | Technische Universität Dresden, Körperschaft des öffentlichen Rechts | Filterstruktur sowie deren Herstellung und Verwendung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4534565B2 (ja) | 2010-09-01 |
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