JP2005303830A - 差動出力回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 差動出力のばらつきを抑え、かつ、回路構成の簡易化を図ることのできる差動出力回路を提供する。
【解決手段】 差動出力回路において、MOSトランジスタM1はゲートに増幅器OP1の出力が接続され、ドレインにSW2とSW4とが接続され、増幅器OP1は負端子に第1の固定電位が接続され、正端子に負荷R1と負荷R2とが接続され、MOSトランジスタMp11はゲートに増幅器OP11の出力が接続され、ドレインにSW1とSW3とが接続され、増幅器OP11は正端子に第2の固定電位が接続され、負端子に端子cが接続され、SW1とSW2の接続点に端子aと負荷R1とが接続され、SW3とSW4の接続点に端子bと負荷R2とが接続され、端子aはSW2およびSW3が導通したときに端子cに接続され、端子bはSW1およびSW4が導通したときに端子cに接続される。
【選択図】 図2
【解決手段】 差動出力回路において、MOSトランジスタM1はゲートに増幅器OP1の出力が接続され、ドレインにSW2とSW4とが接続され、増幅器OP1は負端子に第1の固定電位が接続され、正端子に負荷R1と負荷R2とが接続され、MOSトランジスタMp11はゲートに増幅器OP11の出力が接続され、ドレインにSW1とSW3とが接続され、増幅器OP11は正端子に第2の固定電位が接続され、負端子に端子cが接続され、SW1とSW2の接続点に端子aと負荷R1とが接続され、SW3とSW4の接続点に端子bと負荷R2とが接続され、端子aはSW2およびSW3が導通したときに端子cに接続され、端子bはSW1およびSW4が導通したときに端子cに接続される。
【選択図】 図2
Description
本発明は、差動出力回路に関し、特に、差動出力のばらつきを抑える差動出力回路に関する。
高速、低消費電力および低EMI(Electro Magnetic Interference)を特徴とする、LVDS(Low Voltage Differential Signaling)規格の差動伝送回路は、例えば、画像のデジタルデータを大量かつ高速に伝送することが要求される、ディジタルディスプレイのインタフェース回路などに用いられている。
従来の差動出力回路においては、LVDS構成の複数の出力回路にそれぞれ電流調整用MOSFETを付加し、そのひとつをダミー出力回路として用いて出力端子に終端抵抗を接続してハイレベルとローレベルを形成し、それを基準の出力ハイレベルとローレベルととそれぞれ比較して所望の出力レベルになるように上記電流調整用MOSFETの制御信号を形成するとともに、かかる制御信号を他の複数の出力回路の電流調整用MOSFETにそれぞれ供給して自動電流調整を行なう構成にしている(例えば、特許文献1参照)。
このような構成によって、低振幅信号を安定的に形成することができる出力回路を備えた差動出力回路を提供することができる。
特開2000−134082号公報
しかしながら、特許文献1記載の差動出力回路では、電流調整用のMOSFETおよび制御信号の発生回路が必要であり、また、複数の差動出力回路の1つをダミー出力回路として用いるため、回路構成が複雑化するという欠点があった。
そこで、本発明は、差動出力のばらつきを抑え、かつ、回路構成の簡易化を図ることのできる差動出力回路を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、この発明に係わる差動出力回路は、第1のMOSトランジスタと、第2のMOSトランジスタと、第1の増幅器と、第2の増幅器と、第1の負荷と、第2の負荷と、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第3のスイッチと、第4のスイッチと、第5のスイッチとを含み、第1のMOSトランジスタは、ゲートに第1の増幅器の出力が接続され、ドレインに第2のスイッチと、第4のスイッチとが接続され、第1の増幅器は、負の端子に第1の固定電位が接続され、正の端子に第1の負荷と、第2の負荷とが接続され、第2のMOSトランジスタは、ゲートに第2の増幅器の出力が接続され、ドレインに第1のスイッチと、第3のスイッチとが接続され、第2の増幅器は、正の端子に第2の固定電位が接続され、負の端子に第5のスイッチの第1の端子が接続され、第1のスイッチと、第2のスイッチとが第1のノードに接続され、第1のノードに、第5のスイッチの第2の端子と、第1の負荷とが接続され、第3のスイッチと、第4のスイッチとが第2のノードに接続され、第2のノードに、第5のスイッチの第3の端子と、第2の負荷とが接続され、第5のスイッチの第2の端子は、第2のスイッチおよび第3のスイッチが導通したときに第5のスイッチの第1の端子に接続され、第5のスイッチの第3の端子は、第1のスイッチおよび第4のスイッチが導通したときに第5のスイッチの第1の端子に接続される。
差動出力のばらつきを抑え、かつ、回路構成の簡易化を図ることができる。
まず、本実施の形態に係る差動出力回路との比較のために、従来から使用されていると想定される差動出力回路について図面を用いて説明する。
[構成]
図1は、従来から使用されていると想定される差動出力回路の構成を示す。同図を参照して、この差動出力回路は、NチャネルMOSトランジスタM1と、PチャネルMOSトランジスタMp1と、スイッチSW1と、スイッチSW2と、スイッチSW3と、スイッチSW4と、演算増幅器OP1と、負荷R1と、負荷R2と、外部負荷RLと、インバータ回路2と、定電圧回路3とを含む。
図1は、従来から使用されていると想定される差動出力回路の構成を示す。同図を参照して、この差動出力回路は、NチャネルMOSトランジスタM1と、PチャネルMOSトランジスタMp1と、スイッチSW1と、スイッチSW2と、スイッチSW3と、スイッチSW4と、演算増幅器OP1と、負荷R1と、負荷R2と、外部負荷RLと、インバータ回路2と、定電圧回路3とを含む。
NチャネルMOSトランジスタM1のゲートに演算増幅器OP1の出力が接続され、ソースに第3の固定電位(接地電位)が接続され、ドレインにスイッチSW2およびスイッチSW4が接続される。
PチャネルMOSトランジスタMp1のゲートに定電圧回路3が接続され、ソースに第4の固定電位Vddが接続され、ドレインにスイッチSW1およびスイッチSW3が接続される。
スイッチSW1およびスイッチSW2の接続点(第1のノード)に、負荷R1および出力端子OUT1が接続される。
スイッチSW3およびスイッチSW4の接続点(第2のノード)に、負荷R2および出力端子OUT2が接続される。
演算増幅器OP1の正端子に、負荷R1および負荷R2が接続される。
出力端子OUT1には出力電圧VOUT+が印加され、出力端子OUT2には出力電圧VOUT−が印加される。
外部負荷RLは、この差動出力回路に対する負荷であり、差動出力回路からの信号を受信する外部回路に配置され、外部負荷RLの一方に出力端子OUT1、他方に出力端子OUT2が接続され、外部負荷RLの両端に、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−(以下、これらをまとめて差動出力とする)に対応する電圧が供給される。
入力端子IN1は、入力信号VINを入力する。ここで、入力信号VINは、伝送する論理がハイのときは、第4の固定電位Vddに対応したレベル(以下、ハイレベルとする)となり、また、伝送する論理がローのときは、第3の固定電位(接地電位)に対応したレベル(以下、ローレベルとする)となる。
インバータ回路2は、入力信号VINがハイレベルである場合には、ローレベルの信号を出力し、入力信号VINがローレベルである場合には、ハイレベルを出力する。
スイッチSW1およびスイッチSW4は、入力信号VINに接続され、入力信号VINがハイレベルである場合には、オン状態となり、入力信号VINがローレベルである場合には、オフ状態となる。
スイッチSW2およびスイッチSW3は、インバータ回路2の出力に接続され、入力信号VINがローレベルである場合には、オン状態となり、入力信号VINがハイレベルである場合には、オフ状態となる。
定電圧回路3は、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が一定値となるように、PチャネルMOSトランジスタMp1のゲートに定電圧を供給する。
負荷R1および負荷R2は、演算増幅器OP1の正端子に出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧を供給するためのものであり、外部負荷RLに対して十分にインピーダンスが高い。したがって、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流は、負荷R1および負荷R2には、ほとんど流れない。
演算増幅器OP1は、正端子に出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧が入力され、負端子に所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)が入力される。ここで、演算増幅器OP1は、正端子に印加される電圧と負端子に印加される電圧とが等しい場合に、正の電圧を出力しており、正端子に印加される電圧が負端子に印加される電圧より大きいときは、出力電圧を増加し、また、正端子に印加される電圧が負端子に印加される電圧より小さいときは、出力電圧を減少させる。
NチャネルMOSトランジスタM1は、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が増加した場合でも、増加した電流を流せるように、十分に駆動されている。
また、NチャネルMOSトランジスタM1は線形領域で動作し、ゲート・ソース間電圧が大きくなるとドレイン・ソース間の抵抗が小さくなり、ゲート・ソース間電圧が小さくなるとドレイン・ソース間の抵抗が大きくなり、また、いずれの場合にもPチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流を流せるように、十分に駆動されている。
したがって、外部負荷RLに流れる電流は、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン電流では制限されず、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流で決まる。
PチャネルMOSトランジスタMp1は飽和領域で動作する。
ここで、LVDS規格においては、外部負荷RLにおける電圧降下、すなわち、差動出力の振幅が所定の範囲内であり、外部負荷RLにおける差動出力の中間電圧が所定の範囲内であることが要求されている。
[動作]
次に、この差動出力回路の動作について説明する。
次に、この差動出力回路の動作について説明する。
入力端子IN1に入力信号VINが入力される。入力信号VINがハイレベルである場合には、スイッチSW1およびスイッチSW4は、オン状態となり、スイッチSW2およびスイッチSW3は、オフ状態となるから、出力端子OUT1から出力端子OUT2への方向に電流が流れ、出力電圧VOUT+の方が電圧が高くなり、出力電圧VOUT−の方が電圧が低くとなる(以下、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の、低い方の電圧を低出力側電圧とし、高い方の電圧を高出力側電圧とする)。
一方、入力信号VINがローレベルである場合には、スイッチSW1およびスイッチSW4は、オフ状態となり、スイッチSW2およびスイッチSW3は、オン状態となるから、出力端子OUT2から出力端子OUT1への方向に電流が流れ、出力電圧VOUT+が低出力側電圧となり、出力電圧VOUT−が高出力側電圧となる。
まず、入力信号VINがハイレベルである場合について説明する。
入力信号VINがハイレベルである場合は、上述のように、出力電圧VOUT+が高出力側電圧となり、出力電圧VOUT−が低出力側電圧となる。
出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧が、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)であると仮定すると、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン・ソース間抵抗と、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流から、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン・ソース間電圧が決まる。NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン・ソース間電圧と、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流から、NチャネルMOSトランジスタM1のゲート・ソース間電圧が決まり、演算増幅器OP1の帰還回路が成立する。
この差動出力回路を起動したとき、すなわち、この差動出力回路に各固定電位を供給し、動作を開始させたときの、演算増幅器OP1による帰還動作について説明する。以下の動作は、差動出力回路を起動した際の瞬時的な動作であり、実際は、演算増幅器OP1の応答速度が遅いため、緩やかな動作となる。
演算増幅器OP1は、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧が、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)よりも小さい場合は、出力電圧を小さくする。これにより、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン・ソース間の抵抗が大きくなり、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン・ソース間における電圧降下が大きくなり、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧を大きくし、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)に調整することができる。
また、演算増幅器OP1は、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧が、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)よりも大きい場合は、出力電圧を大きくする。これにより、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン・ソース間の抵抗が小さくなり、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン・ソース間における電圧降下が小さくなり、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧を小さくし、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)に調整することができる。
このように、従来から使用されていると想定される差動出力回路では、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧のばらつきを抑え、所望の値にすることができる。
ここで、温度条件や製造ばらつきにより、定電圧回路3の出力電圧が変動し、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が、所望の電流値から変動した場合の、この差動出力回路の動作について説明する。
定電圧回路3の出力電圧が小さくなり、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が、所望の電流値より大きくなると、外部負荷RLにおける電圧降下、すなわち、差動出力の振幅が大きくなる。また、定電圧回路3の出力電圧が大きくなり、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が、所望の電流値より小さくなると、外部負荷RLにおける電圧降下、すなわち、差動出力の振幅が小さくなる。
ここで、PチャネルMOSトランジスタMp1は、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が増加しても、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧が変動しないため、差動出力の振幅の変動を抑制するような動作をすることはできない。
次に、入力信号VINがローレベルである場合について説明する。
この場合は、上述のように、出力電圧VOUT+が低出力側電圧となり、出力電圧VOUT−が高出力側電圧となる。
入力信号VINがローレベルの場合でも、外部負荷RLに流れる電流の方向が逆になるだけで、NチャネルMOSトランジスタM1、PチャネルMOSトランジスタMp1および演算増幅器OP1の動作は、入力信号VINがハイレベルである場合と同様である。
このように、従来から使用されていると想定される差動出力回路では、温度条件や製造ばらつきにより、定電圧回路3の出力電圧が変動し、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流、すなわち、外部負荷RLに流れる電流が、所望の電流値から変動した場合に、差動出力のばらつきを抑えることができないという欠点があった。
次に、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
<第1の実施の形態>
本実施の形態は、従来から使用されていると想定される差動出力回路に、出力電圧VOUT+あるいは出力電圧VOUT−の低出力側電圧のレベルを検出する手段を備えた差動出力回路に関する。
本実施の形態は、従来から使用されていると想定される差動出力回路に、出力電圧VOUT+あるいは出力電圧VOUT−の低出力側電圧のレベルを検出する手段を備えた差動出力回路に関する。
[構成]
図2は、第1の実施の形態に係る差動出力回路の構成を示す。同図を参照して、この差動出力回路は、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路に対して、さらに、演算増幅器OP11と、スイッチSW11と、PチャネルMOSトランジスタMp11とを含む。
図2は、第1の実施の形態に係る差動出力回路の構成を示す。同図を参照して、この差動出力回路は、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路に対して、さらに、演算増幅器OP11と、スイッチSW11と、PチャネルMOSトランジスタMp11とを含む。
PチャネルMOSトランジスタMp11のゲートに演算増幅器OP11の出力が接続され、ソースに第4の固定電位Vddが接続され、ドレインにスイッチSW1と、スイッチSW3と、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレインとが接続される。
スイッチSW11は、端子aにスイッチSW1と、スイッチSW2と、負荷R1と、出力端子OUT1とが接続され、端子bにスイッチSW3と、スイッチSW4と、負荷R2と、出力端子OUT2とが接続され、端子cに演算増幅器OP11の負端子が接続される。
スイッチSW11は、入力端子IN1に接続され、入力信号VINがハイレベルである場合には、端子bと端子cとの間が導通し、また、端子aと端子cとの間が非導通となり、入力信号VINがローレベルである場合には、端子aと端子cとの間が導通し、また、端子bと端子cとの間が非導通となる。
演算増幅器OP11は、負端子に出力電圧VOUT+または出力電圧VOUT−が入力され、正端子に所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)が入力される。
ここで、演算増幅器OP11は、正端子に印加される電圧と負端子に印加される電圧とが等しい場合に、正の電圧を出力しており、正端子に印加される電圧が負端子に印加される電圧より大きいときは、出力電圧を増加し、また、正端子に印加される電圧が負端子に印加される電圧より小さいときは、出力電圧を減少させる。
これにより、演算増幅器OP11においては、低出力側電圧が、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)と等しく、差動出力が安定している場合にも、一定のPチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流が流れるため、低出力側電圧と所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)の大小により、PチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流を増減させることができる。
NチャネルMOSトランジスタM1は、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流およびPチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流が増加した場合でも、増加した電流を流せるように、十分に駆動されている。
また、NチャネルMOSトランジスタM1は線形領域で動作し、ゲート・ソース間電圧が大きくなるとドレイン・ソース間の抵抗が小さくなり、ゲート・ソース間電圧が小さくなるとドレイン・ソース間の抵抗が大きくなり、また、いずれの場合にもPチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流およびPチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流を流せるように、十分に駆動されている。
したがって、外部負荷RLに流れる電流は、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン電流では制限されず、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流およびPチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流で決まる。
PチャネルMOSトランジスタMp11は飽和領域で動作する。
その他の構成は、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路と同様である。
[動作]
次に、本実施の形態に係る差動出力回路の動作について説明する。
次に、本実施の形態に係る差動出力回路の動作について説明する。
この差動出力回路は、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路に対して、演算増幅器OP11による制御回路を追加したものであり、これ以外の動作については、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路と同様である。
まず、入力信号VINがハイレベルである場合について説明する。
入力信号VINがハイレベルである場合は、上述のように、出力電圧VOUT+が高出力側電圧となり、出力電圧VOUT−が低出力側電圧となる。また、スイッチSW11は、端子bと端子cとの間が導通し、また、端子aと端子cとの間が非導通となる。すなわち、低出力側電圧である、出力電圧VOUT−が演算増幅器OP11の負端子に入力される。
この差動出力回路を起動したときの、演算増幅器OP1による帰還動作および演算増幅器OP11による帰還動作について説明する。これは、差動出力回路を起動した際の瞬時的な動作であり、実際は、演算増幅器OP1および演算増幅器OP11の応答速度が遅いため、緩やかな動作となる。
演算増幅器OP11は、出力電圧VOUT−が、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)となるように、PチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流を調整する。
出力電圧VOUT−が、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)より大きい場合は、演算増幅器OP11による帰還動作が行なわれる。すなわち、演算増幅器OP11の出力電圧が小さくなり、PチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流が大きくなる。そうすると、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、出力電圧VOUT−が小さくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)に調整することができる。
出力電圧VOUT−が、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)より小さい場合は、演算増幅器OP11による帰還動作が行なわれる。すなわち、演算増幅器OP11の出力電圧が大きくなり、PチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流が小さくなる。そうすると、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、出力電圧VOUT−が大きくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)に調整することができる。
なお、演算増幅器OP1による帰還動作は、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路と同様である。
以上のような動作により、この差動出力回路は、差動出力の中間電圧を、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)とし、また、差動出力の低出力側電圧を、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)とすることができる。
ここで、中間電圧は、差動出力回路の低出力側電圧及び高出力側電圧の中間電圧であるから、所望の中間電圧と、所望の低出力側電圧あるいは所望の高出力側電圧とを得ることができれば、所望の振幅を得ることができる。
次に、温度条件や製造ばらつきにより、定電圧回路3の出力電圧が変動し、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が、所望の電流値から変動した場合の、この差動出力回路の動作について説明する。
定電圧回路3の出力電圧が大きくなり、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が、所望の電流値より小さくなると、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、差動出力の振幅が小さくなる。また、出力電圧VOUT−が大きくなる。
ここで、出力電圧VOUT−が大きくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)より大きくなると、上述のように、演算増幅器OP11による帰還動作が行なわれ、PチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流が大きくなり、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、差動出力の振幅が大きくなる。また、出力電圧VOUT−が小さくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)に調整することができる。
また、定電圧回路3の出力電圧が小さくなり、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が、所望の電流値より大きくなると、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、差動出力の振幅が大きくなる。また、出力電圧VOUT−が小さくなる。
ここで、出力電圧VOUT−が小さくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)より小さくなると、上述のように、演算増幅器OP11による帰還動作が行なわれ、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が小さくなり、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、差動出力の振幅が小さくなる。また、出力電圧VOUT−が大きくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)に調整することができる。
次に、入力信号VINがローレベルである場合について説明する。
この場合は、上述のように、出力電圧VOUT+が低出力側電圧となり、出力電圧VOUT−が高出力側電圧となる。また、端子aと端子cとの間が導通し、また、端子bと端子cとの間が非導通となる。すなわち、低出力側電圧である、出力電圧VOUT+が演算増幅器OP11の負端子に入力される。
入力信号VINがローレベルの場合でも、外部負荷RLに流れる電流の方向が逆になるだけで、NチャネルMOSトランジスタM1、PチャネルMOSトランジスタMp1、PチャネルMOSトランジスタMp11、演算増幅器OP1および演算増幅器OP11の動作は、入力信号VINがハイレベルである場合と同様である。
したがって、特許文献1記載の差動出力回路では、差動出力を安定化するために、差動出力回路とは別に制御回路およびダミー回路を設けるため、回路構成が複雑化するという欠点があるが、本実施の形態に係る差動出力回路では、差動出力回路の内部で帰還動作を行なうため、回路構成の簡易化を図ることができる。
また、図1に示す従来から使用されていると想定されている差動出力回路では、温度条件や製造ばらつきにより、外部負荷に流れる電流が変動した場合に、差動出力の振幅のばらつきを抑えることができないという欠点があるが、本実施の形態に係る差動出力回路では、低出力側電圧と所望の低出力側電圧値との差に応じて、外部負荷RLに流れる電流を増減させるため、常に所望の低出力側電圧値を得ることができ、差動出力の振幅のばらつきを抑え、高速伝送化および長距離伝送化を図ることができる。
また、本実施の形態に係る差動出力回路では、スイッチSW11の切替動作により、入力信号VINの論理がハイまたはローの、いずれの場合でも、演算増幅器OP11に低出力側電圧を供給することができ、常に差動出力のばらつきを抑え、高速伝送化および長距離伝送化を図ることができる。
<第2の実施の形態>
本実施の形態は、第1の実施の形態において、出力電圧VOUT+あるいは出力電圧VOUT−の高出力側電圧のレベルを検出する手段を備えた差動出力回路に関する。
本実施の形態は、第1の実施の形態において、出力電圧VOUT+あるいは出力電圧VOUT−の高出力側電圧のレベルを検出する手段を備えた差動出力回路に関する。
[構成]
図3は、第2の実施の形態に係る差動出力回路の構成を示す。同図を参照して、この差動出力回路は、第1の実施の形態に係る差動出力回路に対して、演算増幅器OP11の負端子の入力を、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)とした点で相違する。
図3は、第2の実施の形態に係る差動出力回路の構成を示す。同図を参照して、この差動出力回路は、第1の実施の形態に係る差動出力回路に対して、演算増幅器OP11の負端子の入力を、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)とした点で相違する。
スイッチSW11は、インバータ回路2の出力に接続され、入力信号VINがローレベルである場合には、端子bと端子cとの間が導通し、また、端子aと端子cとの間が非導通となり、入力信号VINがハイレベルである場合には、端子aと端子cとの間が導通し、また、端子bと端子cとの間が非導通となる。
演算増幅器OP11は、正端子に出力電圧VOUT+または出力電圧VOUT−が入力され、負端子に所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)が入力される。また、演算増幅器OP11の、正端子および負端子に入力される電圧と出力電圧の関係は、図2に示す第1の実施の形態に係る差動出力回路における演算増幅器OP11と同様である。
これにより、演算増幅器OP11においては、高出力側電圧が、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)と等しく、差動出力が安定している場合にも、一定のPチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流が流れるため、高出力側電圧と所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)の大小により、PチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流を増減させることができる。
他の構成は図1に示す第1の実施の形態に係る差動出力回路と同様である。
[動作]
本実施の形態に係る差動出力回路の動作について説明する。
本実施の形態に係る差動出力回路の動作について説明する。
この差動出力回路は、第1の実施の形態と同様に、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路に対して、演算増幅器OP11による制御回路を追加したものであり、これ以外の動作については、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路と同様である。
まず、入力信号VINがハイレベルである場合について説明する。
入力信号VINがハイレベルである場合は、上述のように、出力電圧VOUT+が高出力側電圧となり、出力電圧VOUT−が低出力側電圧となる。また、スイッチSW11は、端子aと端子cとの間が導通し、また、端子bと端子cとの間が非導通となる。すなわち、高出力側電圧である、出力電圧VOUT+が演算増幅器OP11の負端子に入力される。
この差動出力回路を起動したときの、演算増幅器OP11による帰還動作について説明する。これは、差動出力回路を起動した際の瞬時的な動作であり、実際は、演算増幅器OP11の応答速度が遅いため、緩やかな動作となる。
演算増幅器OP11は、出力電圧VOUT+が、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)となるように、PチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流を調整する。
出力電圧VOUT+が、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)より大きい場合は、演算増幅器OP11による帰還動作が行なわれる。すなわち、演算増幅器OP11の出力電圧が大きくなり、PチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流が小さくなる。そうすると、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、出力電圧VOUT+が小さくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)に調整することができる。
出力電圧VOUT+が、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)より小さい場合は、演算増幅器OP11による帰還動作が行なわれる。すなわち、演算増幅器OP11の出力電圧が小さくなり、PチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流が大きくなる。そうすると、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、出力電圧VOUT+が大きくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)に調整することができる。
なお、演算増幅器OP1による帰還動作は、図2に示す第1の実施の形態に係る差動出力回路と同様である。
以上のような動作により、この差動出力回路は、差動出力の中間電圧を、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)とし、また、差動出力の高出力側電圧を、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)とすることができる。
ここで、中間電圧は、差動出力回路の低出力側電圧及び高出力側電圧の中間電圧であるから、所望の中間電圧と、所望の低出力側電圧あるいは所望の高出力側電圧とを得ることができれば、所望の振幅を得ることができる。
次に、温度条件や製造ばらつきにより、定電圧回路3の出力電圧が変動し、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が、所望の電流値から変動した場合の、この差動出力回路の動作について説明する。
定電圧回路3の出力電圧が大きくなり、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が、所望の電流値より小さくなると、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、差動出力の振幅が小さくなる。また、出力電圧VOUT+が小さくなる。
ここで、出力電圧VOUT+が小さくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)より小さくなると、上述のように、演算増幅器OP11による帰還動作が行なわれ、PチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流が大きくなり、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、差動出力の振幅が大きくなる。また、出力電圧VOUT+が大きくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)に調整することができる。
また、定電圧回路3の出力電圧が小さくなり、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレイン電流が、所望の電流値より大きくなると、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、差動出力の振幅が大きくなる。また、出力電圧VOUT+が大きくなる。
ここで、出力電圧VOUT+が大きくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)より大きくなると、上述のように、演算増幅器OP11による帰還動作が行なわれ、PチャネルMOSトランジスタMp11のドレイン電流が小さくなり、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、差動出力の振幅が小さくなる。また、出力電圧VOUT+が小さくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)に調整することができる。
次に、入力信号VINがローレベルである場合について説明する。
この場合は、上述のように、出力電圧VOUT+が低出力側電圧となり、出力電圧VOUT−が高出力側電圧となる。また、端子bと端子cとの間が導通し、また、端子aと端子cとの間が非導通となる。すなわち、高出力側電圧である、出力電圧VOUT−が演算増幅器OP11の正端子に入力される。
入力信号VINがローレベルの場合でも、外部負荷RLに流れる電流の方向が逆になるだけで、NチャネルMOSトランジスタM1、PチャネルMOSトランジスタMp1、PチャネルMOSトランジスタMp11、演算増幅器OP1および演算増幅器OP11の動作は、入力信号VINがハイレベルである場合と同様である。
したがって、特許文献1記載の差動出力回路では、差動出力を安定化するために、差動出力回路とは別に制御回路およびダミー回路を設けるため、回路構成が複雑化するという欠点があるが、本実施の形態に係る差動出力回路では、差動出力回路の内部で帰還動作を行なうため、回路構成の簡易化を図ることができる。
また、図1に示す従来から使用されていると想定されている差動出力回路では、温度条件や製造ばらつきにより、外部負荷に流れる電流が変動した場合に、差動出力の振幅のばらつきを抑えることができないという欠点があるが、本実施の形態に係る差動出力回路では、高出力側電圧と所望の高出力側電圧値との差に応じて、外部負荷RLに流れる電流を増減させるため、常に所望の高出力側電圧値を得ることができ、差動出力の振幅のばらつきを抑え、高速伝送化および長距離伝送化を図ることができる。
また、本実施の形態に係る差動出力回路では、スイッチSW11の切替動作により、入力信号VINの論理がハイまたはローの、いずれの場合でも、演算増幅器OP11に高出力側電圧を供給することができ、常に差動出力のばらつきを抑え、高速伝送化および長距離伝送化を図ることができる。
<第3の実施の形態>
本実施の形態は、図2に示す第1の実施の形態に係る差動出力回路における、差動出力の振幅を制御する演算増幅器OP11と、差動出力の中間電圧を制御する演算増幅器OP1の位置を入れ替えた差動出力回路に関する。
本実施の形態は、図2に示す第1の実施の形態に係る差動出力回路における、差動出力の振幅を制御する演算増幅器OP11と、差動出力の中間電圧を制御する演算増幅器OP1の位置を入れ替えた差動出力回路に関する。
[構成]
図4は、第3の実施の形態に係る差動出力回路の構成を示す。同図を参照して、この差動出力回路は、NチャネルMOSトランジスタM21と、NチャネルMOSトランジスタM22と、PチャネルMOSトランジスタMp21と、スイッチSW21と、スイッチSW22と、スイッチSW23と、スイッチSW24と、スイッチSW25と、演算増幅器OP21と、演算増幅器OP22と、負荷R21と、負荷R22と、外部負荷RLと、インバータ回路22と、定電圧回路23とを含む。
図4は、第3の実施の形態に係る差動出力回路の構成を示す。同図を参照して、この差動出力回路は、NチャネルMOSトランジスタM21と、NチャネルMOSトランジスタM22と、PチャネルMOSトランジスタMp21と、スイッチSW21と、スイッチSW22と、スイッチSW23と、スイッチSW24と、スイッチSW25と、演算増幅器OP21と、演算増幅器OP22と、負荷R21と、負荷R22と、外部負荷RLと、インバータ回路22と、定電圧回路23とを含む。
PチャネルMOSトランジスタMp21のゲートに演算増幅器OP21の出力が接続され、ソースに第4の固定電位Vddが接続され、ドレインにスイッチSW21と、スイッチSW23とが接続される。
NチャネルMOSトランジスタM21のゲートに定電圧回路23が接続され、ソースに第3の固定電位(接地電位)が接続され、ドレインにスイッチSW22、スイッチSW24およびNチャネルMOSトランジスタM22のドレインが接続される。
NチャネルMOSトランジスタM22のゲートに演算増幅器OP22の出力が接続され、ソースに第3の固定電位(接地電位)が接続され、ドレインにスイッチSW22、スイッチSW24およびNチャネルMOSトランジスタM21のドレインが接続される。
スイッチSW21およびスイッチSW22の接続点(第1のノード)に、負荷R21および出力端子OUT21が接続される。
スイッチSW23およびスイッチSW24の接続点(第2のノード)に、負荷R22および出力端子OUT22が接続される。
演算増幅器OP21の正端子に、負荷R21および負荷R22が接続される。
出力端子OUT21には出力電圧VOUT+が印加され、出力端子OUT22には出力電圧VOUT−が印加される。
外部負荷RLは、この差動出力回路に対する負荷であり、差動出力回路からの信号を受信する外部回路に配置され、外部負荷RLの一方に出力端子OUT21、他方に出力端子OUT22が接続され、外部負荷RLの両端に、差動出力が印加される。
入力端子IN21は、入力信号VINを入力する。
インバータ回路22は、入力信号VINを入力し、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路におけるインバータ回路2と同様の動作を行なう。
スイッチSW21およびスイッチSW24は、入力信号VINに接続され、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路におけるスイッチSW1およびスイッチSW4と同様の動作を行なう。
スイッチSW22およびスイッチSW23は、インバータ回路22の出力に接続され、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路におけるスイッチSW2およびスイッチSW3と同様の動作を行なう。
スイッチSW25は、端子aにスイッチSW21と、スイッチSW22と、負荷R21と、出力端子OUT21とが接続され、端子bにスイッチSW23と、スイッチSW24と、負荷R22と、出力端子OUT22とが接続され、端子cに演算増幅器OP22の正端子が接続される。
スイッチSW25は、入力端子IN21に接続され、図2に示す第1の実施の形態に係る差動出力回路におけるスイッチSW11と同様の動作を行なう。
定電圧回路23は、NチャネルMOSトランジスタM21のドレイン電流が一定値となるように、NチャネルMOSトランジスタM21のゲートに定電圧を供給する。
負荷R21および負荷R22は、演算増幅器OP21の正端子に出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧を供給するためのものであり、外部負荷RLに対して十分にインピーダンスが高い。したがって、PチャネルMOSトランジスタMp21のドレイン電流は、負荷R21および負荷R22には、ほとんど流れない。
演算増幅器OP21は、正端子に出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧が入力され、負端子に所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)が入力される。また、演算増幅器OP21の、入力電圧に対する出力電圧の関係は、図1に示す従来から使用されていると想定される差動出力回路における演算増幅器OP1と同様である。
演算増幅器OP22は、正端子に出力電圧VOUT+または出力電圧VOUT−が入力され、負端子に所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)が入力される。また、演算増幅器OP22の、正端子および負端子に入力される電圧と出力電圧の関係は、図2に示す第1の実施の形態に係る差動出力回路における演算増幅器OP11と同様である。
これにより、演算増幅器OP22においては、低出力側電圧が、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)と等しく、差動出力が安定している場合にも、一定のNチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流が流れるため、低出力側電圧と所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)の大小により、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流を増減させることができる。
PチャネルMOSトランジスタMp21は、NチャネルMOSトランジスタM21のドレイン電流およびNチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流が増加した場合でも、これらの電流を流せるように、十分に駆動されている。
また、PチャネルMOSトランジスタMp21は線形領域で動作し、ゲート・ソース間電圧が大きくなるとドレイン・ソース間の抵抗が大きくなり、ゲート・ソース間電圧が小さくなるとドレイン・ソース間の抵抗が小さくなり、また、いずれの場合にもNチャネルMOSトランジスタM21のドレイン電流およびNチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流を流せるように、十分に駆動されている。
したがって、外部負荷RLに流れる電流は、PチャネルMOSトランジスタMp21のドレイン電流では制限されず、NチャネルMOSトランジスタM21のドレイン電流およびNチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流で決まる。
NチャネルMOSトランジスタM21およびNチャネルMOSトランジスタM22は、飽和領域で動作する。
[動作]
次に、この差動出力回路の動作について説明する。
次に、この差動出力回路の動作について説明する。
出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧が、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)であると仮定すると、PチャネルMOSトランジスタMp21のドレイン・ソース間抵抗と、PチャネルMOSトランジスタMp21のドレイン電流から、PチャネルMOSトランジスタMp21のドレイン・ソース間電圧が決まる。PチャネルMOSトランジスタMp21のドレイン・ソース間電圧と、PチャネルMOSトランジスタMp21のドレイン電流から、PチャネルMOSトランジスタMp21のゲート・ソース間電圧が決まり、演算増幅器OP21の帰還回路が成立する。
まず、入力信号VINがハイレベルである場合について説明する。
入力信号VINがハイレベルである場合は、上述のように、出力電圧VOUT+が高出力側電圧となり、出力電圧VOUT−が低出力側電圧となる。また、スイッチSW25は、端子bと端子cとの間が導通し、また、端子aと端子cとの間が非導通となる。すなわち、低出力側電圧である、出力電圧VOUT−が演算増幅器OP22の正端子に入力される。
この差動出力回路を起動したときの、演算増幅器OP21による帰還動作および演算増幅器OP22による帰還動作について説明する。これは、差動出力回路を起動した際の瞬時的な動作であり、実際は、演算増幅器OP21および演算増幅器OP22の応答速度が遅いため、緩やかな動作となる。
演算増幅器OP22は、出力電圧VOUT−が、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)となるように、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流を調整する。
出力電圧VOUT−が、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)より大きい場合は、演算増幅器OP22による帰還動作が行なわれる。すなわち、演算増幅器OP22の出力電圧が大きくなり、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流が大きくなる。そうすると、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、出力電圧VOUT−が小さくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)に調整することができる。
また、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧が、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)よりも小さい場合は、演算増幅器OP21による帰還動作が行なわれる。すなわち、演算増幅器OP21の出力電圧が小さくなり、PチャネルMOSトランジスタMp21のドレイン・ソース間の抵抗が小さくなり、PチャネルMOSトランジスタMp21のドレイン・ソース間における電圧降下が小さくなり、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧が大きくなり、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)に調整することができる。
出力電圧VOUT−が、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)より小さい場合は、演算増幅器OP22による帰還動作が行なわれる。すなわち、演算増幅器OP22の出力電圧が小さくなり、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流が小さくなる。そうすると、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、出力電圧VOUT−が大きくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)に調整することができる。
また、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧が、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)よりも大きい場合は、演算増幅器OP21による帰還動作が行なわれる。すなわち、演算増幅器OP21の出力電圧が大きくなり、PチャネルMOSトランジスタMp21のドレイン・ソース間の抵抗が大きくなり、PチャネルMOSトランジスタMp21のドレイン・ソース間における電圧降下が大きくなり、出力電圧VOUT+および出力電圧VOUT−の中間電圧が小さくなり、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)に調整することができる。
以上のような動作により、この差動出力回路は、差動出力の中間電圧を、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)とし、また、差動出力の低出力側電圧を、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)とすることができる。
次に、温度条件や製造ばらつきにより、定電圧回路23の出力電圧が変動し、NチャネルMOSトランジスタM21のドレイン電流が、所望の電流値から変動した場合の、この差動出力回路の動作について説明する。
定電圧回路23の出力電圧が小さくなり、NチャネルMOSトランジスタM21のドレイン電流が、所望の電流値より小さくなると、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、差動出力の振幅が小さくなる。また、出力電圧VOUT−が大きくなる。
ここで、出力電圧VOUT−が大きくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)より大きくなると、上述のように、演算増幅器OP22による帰還動作が行なわれ、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流が大きくなり、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、差動出力の振幅が大きくなる。また、出力電圧VOUT−が小さくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)に調整することができる。
また、定電圧回路23の出力電圧が大きくなり、NチャネルMOSトランジスタM21のドレイン電流が、所望の電流値より大きくなると、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、差動出力の振幅が大きくなる。また、出力電圧VOUT−が小さくなる。
ここで、出力電圧VOUT−が小さくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)より小さくなると、上述のように、演算増幅器OP22による帰還動作が行なわれ、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流が小さくなり、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、差動出力の振幅が小さくなる。また、出力電圧VOUT−が大きくなり、所望の低出力側電圧Vref_L(第2の固定電位A)に調整することができる。
次に、入力信号VINがローレベルである場合について説明する。
この場合は、上述のように、出力電圧VOUT+が低出力側電圧となり、出力電圧VOUT−が高出力側電圧となる。また、端子aと端子cとの間が導通し、また、端子bと端子cとの間が非導通となる。すなわち、低出力側電圧である、出力電圧VOUT+が演算増幅器OP22の正端子に入力される。
入力信号VINがローレベルの場合でも、外部負荷RLに流れる電流の方向が逆になるだけで、NチャネルMOSトランジスタM21、NチャネルMOSトランジスタM22、PチャネルMOSトランジスタMp21、演算増幅器OP21および演算増幅器OP22の動作は、入力信号VINがハイレベルである場合と同様である。
したがって、特許文献1記載の差動出力回路では、差動出力を安定化するために、差動出力回路とは別に制御回路およびダミー回路を設けるため、回路構成が複雑化するという欠点があるが、本実施の形態に係る差動出力回路では、差動出力回路の内部で帰還動作を行なうため、回路構成の簡易化を図ることができる。
また、図1に示す従来から使用されていると想定されている差動出力回路では、温度条件や製造ばらつきにより、外部負荷に流れる電流が変動した場合に、差動出力の振幅のばらつきを抑えることができないという欠点があるが、本実施の形態に係る差動出力回路では、低出力側電圧と所望の低出力側電圧値との差に応じて、外部負荷RLに流れる電流を増減させるため、常に所望の低出力側電圧値を得ることができ、差動出力の振幅のばらつきを抑え、高速伝送化および長距離伝送化を図ることができる。
また、本実施の形態に係る差動出力回路では、スイッチSW25の切替動作により、入力信号VINの論理がハイまたはローの、いずれの場合でも、演算増幅器OP22に低出力側電圧を供給することができ、常に差動出力のばらつきを抑え、高速伝送化および長距離伝送化を図ることができる。
<第4の実施の形態>
本実施の形態は、第3の実施の形態において、出力電圧VOUT+あるいは出力電圧VOUT−の高出力側電圧のレベルを検出する手段を備えた差動出力回路に関する。
本実施の形態は、第3の実施の形態において、出力電圧VOUT+あるいは出力電圧VOUT−の高出力側電圧のレベルを検出する手段を備えた差動出力回路に関する。
[構成]
図5は、第4の実施の形態に係る差動出力回路の構成を示す。同図を参照して、この差動出力回路は、第3の実施の形態に係る差動出力回路に対して、演算増幅器OP22の正端子の入力を、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)とした点で相違する。
図5は、第4の実施の形態に係る差動出力回路の構成を示す。同図を参照して、この差動出力回路は、第3の実施の形態に係る差動出力回路に対して、演算増幅器OP22の正端子の入力を、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)とした点で相違する。
スイッチSW25は、インバータ回路22の出力に接続され、入力信号VINがローレベルである場合には、端子bと端子cとの間が導通し、また、端子aと端子cとの間が非導通となり、入力信号VINがハイレベルである場合には、端子aと端子cとの間が導通し、また、端子bと端子cとの間が非導通となる。
演算増幅器OP22は、負端子に出力電圧VOUT+または出力電圧VOUT−が入力され、正端子に所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)が入力される。また、演算増幅器OP22の、正端子および負端子に入力される電圧と出力電圧の関係は、図2に示す第1の実施の形態に係る差動出力回路における演算増幅器OP11と同様である。
これにより、演算増幅器OP22においては、高出力側電圧が、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)と等しく、差動出力が安定している場合にも、一定のNチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流が流れるため、高出力側電圧と所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)の大小により、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流を増減させることができる。
他の構成は第3の実施の形態に係る差動出力回路と同様である。
[動作]
本実施の形態に係る差動出力回路の動作について説明する。
本実施の形態に係る差動出力回路の動作について説明する。
この差動出力回路は、演算増幅器OP22による帰還動作以外は、図4に示す第3の実施の形態に係る差動出力回路と同様である。
まず、入力信号VINがハイレベルである場合について説明する。
入力信号VINがハイレベルである場合は、上述のように、出力電圧VOUT+が高出力側電圧となり、出力電圧VOUT−が低出力側電圧となる。また、スイッチSW25は、端子aと端子cとの間が導通し、また、端子bと端子cとの間が非導通となる。すなわち、高出力側電圧である、出力電圧VOUT+が演算増幅器OP22の負端子に入力される。
この差動出力回路を起動したときの、演算増幅器OP22による帰還動作について説明する。これは、差動出力回路を起動した際の瞬時的な動作であり、実際は、演算増幅器OP22の応答速度が遅いため、緩やかな動作となる。
演算増幅器OP22は、出力電圧VOUT+が、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)となるように、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流を調整する。
出力電圧VOUT+が、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)より大きい場合は、演算増幅器OP22による帰還動作が行なわれる。すなわち、演算増幅器OP22の出力電圧が小さくなり、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流が小さくなる。そうすると、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、出力電圧VOUT+が小さくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)に調整することができる。
出力電圧VOUT+が、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)より小さい場合は、演算増幅器OP22による帰還動作が行なわれる。すなわち、演算増幅器OP22の出力電圧が大きくなり、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流が大きくなる。そうすると、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、出力電圧VOUT+が大きくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)に調整することができる。
なお、演算増幅器OP21による帰還動作は、図4に示す第3の実施の形態に係る差動出力回路と同様である。
以上のような動作により、この差動出力回路は、差動出力の中間電圧を、所望の中間電圧Vref_CM(第1の固定電位)とし、また、差動出力の高出力側電圧を、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)とすることができる。
次に、温度条件や製造ばらつきにより、定電圧回路3の出力電圧が変動し、NチャネルMOSトランジスタM21のドレイン電流が、所望の電流値から変動した場合の、この差動出力回路の動作について説明する。
定電圧回路3の出力電圧が小さくなり、NチャネルMOSトランジスタM21のドレイン電流が、所望の電流値より小さくなると、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、差動出力の振幅が小さくなる。また、出力電圧VOUT+が小さくなる。
ここで、出力電圧VOUT+が小さくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)より小さくなると、上述のように、演算増幅器OP11による帰還動作が行なわれ、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流が大きくなり、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、差動出力の振幅が大きくなる。また、出力電圧VOUT+が大きくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)に調整することができる。
また、定電圧回路3の出力電圧が大きくなり、NチャネルMOSトランジスタM21のドレイン電流が、所望の電流値より大きくなると、外部負荷RLに流れる電流が大きくなり、差動出力の振幅が大きくなる。また、出力電圧VOUT+が大きくなる。
ここで、出力電圧VOUT+が大きくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)より大きくなると、上述のように、演算増幅器OP11による帰還動作が行なわれ、NチャネルMOSトランジスタM22のドレイン電流が小さくなり、外部負荷RLに流れる電流が小さくなり、差動出力の振幅が小さくなる。また、出力電圧VOUT+が小さくなり、所望の高出力側電圧Vref_H(第2の固定電位B)に調整することができる。
次に、入力信号VINがローレベルである場合について説明する。
この場合は、上述のように、出力電圧VOUT+が低出力側電圧となり、出力電圧VOUT−が高出力側電圧となる。また、端子bと端子cとの間が導通し、また、端子aと端子cとの間が非導通となる。すなわち、高出力側電圧である、出力電圧VOUT−が演算増幅器OP22の負端子に入力される。
入力信号VINがローレベルの場合でも、外部負荷RLに流れる電流の方向が逆になるだけで、NチャネルMOSトランジスタM21、NチャネルMOSトランジスタM22、PチャネルMOSトランジスタMp21、演算増幅器OP21および演算増幅器OP22の動作は、入力信号VINがハイレベルである場合と同様である。
したがって、特許文献1記載の差動出力回路では、差動出力を安定化するために、差動出力回路とは別に制御回路およびダミー回路を設けるため、回路構成が複雑化するという欠点があるが、本実施の形態に係る差動出力回路では、差動出力回路の内部で帰還動作を行なうため、回路構成の簡易化を図ることができる。
また、図1に示す従来から使用されていると想定されている差動出力回路では、温度条件や製造ばらつきにより、外部負荷に流れる電流が変動した場合に、差動出力の振幅のばらつきを抑えることができないという欠点があるが、本実施の形態に係る差動出力回路では、高出力側電圧と所望の高出力側電圧値との差に応じて、外部負荷RLに流れる電流を増減させるため、常に所望の高出力側電圧値を得ることができ、差動出力の振幅のばらつきを抑え、高速伝送化および長距離伝送化を図ることができる。
また、本実施の形態に係る差動出力回路では、スイッチSW25の切替動作により、入力信号VINの論理がハイまたはローの、いずれの場合でも、演算増幅器OP22に高出力側電圧を供給することができ、常に差動出力のばらつきを抑え、高速伝送化および長距離伝送化を図ることができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
M1,M21,M22 NチャネルMOSトランジスタ、Mp1,Mp11,Mp21 PチャネルMOSトランジスタ、SW1,SW2,SW3,SW4,SW11,SW25 スイッチ、OP1,OP11,OP21,OP22 演算増幅器、R1,R2,R21,R22 負荷、RL 外部負荷、2,22 インバータ回路、3,23 定電圧回路、a,b,c 端子、IN1,IN21 入力端子、OUT1,OUT2,OUT21,OUT22 出力端子。
Claims (4)
- 第1のMOSトランジスタと、第2のMOSトランジスタと、第1の増幅器と、第2の増幅器と、第1の負荷と、第2の負荷と、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第3のスイッチと、第4のスイッチと、第5のスイッチとを含み、
前記第1のMOSトランジスタは、ゲートに前記第1の増幅器の出力が接続され、ドレインに前記第2のスイッチと、前記第4のスイッチとが接続され、
前記第1の増幅器は、負の端子に第1の固定電位が接続され、正の端子に前記第1の負荷と、前記第2の負荷とが接続され、
前記第2のMOSトランジスタは、ゲートに前記第2の増幅器の出力が接続され、ドレインに前記第1のスイッチと、前記第3のスイッチとが接続され、
前記第2の増幅器は、正の端子に第2の固定電位が接続され、負の端子に前記第5のスイッチの第1の端子が接続され、
前記第1のスイッチと、前記第2のスイッチとが第1のノードに接続され、
前記第1のノードに、前記第5のスイッチの第2の端子と、前記第1の負荷とが接続され、
前記第3のスイッチと、前記第4のスイッチとが第2のノードに接続され、
前記第2のノードに、前記第5のスイッチの第3の端子と、前記第2の負荷とが接続され、
前記第5のスイッチの前記第2の端子は、前記第2のスイッチおよび前記第3のスイッチが導通したときに前記第5のスイッチの前記第1の端子に接続され、
前記第5のスイッチの前記第3の端子は、前記第1のスイッチおよび前記第4のスイッチが導通したときに前記第5のスイッチの前記第1の端子に接続される、差動出力回路。 - 第1のMOSトランジスタと、第2のMOSトランジスタと、第1の増幅器と、第2の増幅器と、第1の負荷と、第2の負荷と、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第3のスイッチと、第4のスイッチと、第5のスイッチとを含み、
前記第1のMOSトランジスタは、ゲートに前記第1の増幅器の出力が接続され、ドレインに前記第2のスイッチと、前記第4のスイッチとが接続され、
前記第1の増幅器は、負の端子に第1の固定電位が接続され、正の端子に前記第1の負荷と、前記第2の負荷とが接続され、
前記第2のMOSトランジスタは、ゲートに前記第2の増幅器の出力が接続され、ドレインに前記第1のスイッチと、前記第3のスイッチとが接続され、
前記第2の増幅器は、正の端子に前記第5のスイッチの第1の端子が接続され、負の端子に第2の固定電位が接続され、
前記第1のスイッチと、前記第2のスイッチとが第1のノードに接続され、
前記第1のノードに、前記第5のスイッチの第2の端子と、前記第1の負荷とが接続され、
前記第3のスイッチと、前記第4のスイッチとが第2のノードに接続され、
前記第2のノードに、前記第5のスイッチの第3の端子と、前記第2の負荷とが接続され、
前記第5のスイッチの前記第2の端子は、前記第1のスイッチおよび前記第4のスイッチが導通したときに前記第5のスイッチの前記第1の端子に接続され、
前記第5のスイッチの前記第3の端子は、前記第2のスイッチおよび前記第3のスイッチが導通したときに前記第5のスイッチの前記第1の端子に接続される、差動出力回路。 - 第1のMOSトランジスタと、第2のMOSトランジスタと、第1の増幅器と、第2の増幅器と、第1の負荷と、第2の負荷と、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第3のスイッチと、第4のスイッチと、第5のスイッチとを含み、
前記第1のMOSトランジスタは、ゲートに前記第1の増幅器の出力が接続され、ドレインに前記第1のスイッチと、前記第3のスイッチとが接続され、
前記第1の増幅器は、正の端子に前記第1の負荷と、前記第2の負荷とが接続され、負の端子に第1の固定電位が接続され、
前記第2のMOSトランジスタは、ゲートに前記第2の増幅器の出力が接続され、ドレインに前記第2のスイッチと、前記第4のスイッチとが接続され、
前記第2の増幅器は、正の端子に前記第5のスイッチの第1の端子が接続され、負の端子に第2の固定電位が接続され、
前記第1のスイッチと、前記第2のスイッチとが第1のノードに接続され、
前記第1のノードに、前記第5のスイッチの第2の端子と、前記第1の負荷とが接続され、
前記第3のスイッチと、前記第4のスイッチとが第2のノードに接続され、
前記第2のノードに、前記第5のスイッチの第3の端子と、前記第2の負荷とが接続され、
前記第5のスイッチの前記第2の端子は、前記第2のスイッチおよび前記第3のスイッチが導通したときに前記第5のスイッチの前記第1の端子に接続され、
前記第5のスイッチの前記第3の端子は、前記第1のスイッチおよび前記第4のスイッチが導通したときに前記第5のスイッチの前記第1の端子に接続される、差動出力回路。 - 第1のMOSトランジスタと、第2のMOSトランジスタと、第1の増幅器と、第2の増幅器と、第1の負荷と、第2の負荷と、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第3のスイッチと、第4のスイッチと、第5のスイッチとを含み、
前記第1のMOSトランジスタは、ゲートに前記第1の増幅器の出力が接続され、ドレインに前記第1のスイッチと、前記第3のスイッチとが接続され、
前記第1の増幅器は、正の端子に前記第1の負荷と、前記第2の負荷とが接続され、負の端子に第1の固定電位が接続され、
前記第2のMOSトランジスタは、ゲートに前記第2の増幅器の出力が接続され、ドレインに前記第2のスイッチと、前記第4のスイッチとが接続され、
前記第2の増幅器は、正の端子に第2の固定電位が接続され、負の端子に前記第5のスイッチの第1の端子が接続され、
前記第1のスイッチと、前記第2のスイッチとが第1のノードに接続され、
前記第1のノードに、前記第5のスイッチの第2の端子と、前記第1の負荷とが接続され、
前記第3のスイッチと、前記第4のスイッチとが第2のノードに接続され、
前記第2のノードに、前記第5のスイッチの第3の端子と、前記第2の負荷とが接続され、
前記第5のスイッチの前記第2の端子は、前記第1のスイッチおよび前記第4のスイッチが導通したときに前記第5のスイッチの前記第1の端子に接続され、
前記第5のスイッチの前記第3の端子は、前記第2のスイッチおよび前記第3のスイッチが導通したときに前記第5のスイッチの前記第1の端子に接続される、差動出力回路。
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