JP2005294289A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェハ1及び対向電極2は、処理槽4に容れられた溶液5に浸漬されている。溶液5は一部あるいは大部分が水酸基OH-にイオン化されており、さらにエッチングマスクとなる微粒子6が混入されている。ウェハ1には、溶液5中で対向配置された対向電極2との間で、パルス電源7によりパルス電圧が印加される。ウェハ1に印加される電圧は、参照電極3を用いて制御電源8により制御される。この電圧はパルス状であり、電圧が正の期間と電圧が負の期間とが交互に印加される。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1に係る基板処理装置100を示す模式図である。この基板処理装置100は、多結晶シリコン(ポリシリコン)からなる太陽電池用基板であるウェハ1の表面に微細な凹凸を与えて粗面化するためのものである。
実施の形態1においては、パルス電源7によるパルス電圧を用いるが、パルス電圧に代えて高周波電源による交流電圧を用いてもよい。
実施の形態1,2に係るウェハ1は多結晶シリコンからなるが、その表面は金属層で覆われていてもよい。
Claims (10)
- 処理対象となる基板表面に付着させた微粒子をマスクとし、処理液により前記基板表面をエッチングする基板処理装置であって、
正電位に帯電させた前記微粒子を混在したOH-イオンを含む溶液を入れて前記溶液中に前記基板および前記基板に対向配置された対向電極を浸漬させる処理槽と、
時間的に正負に変化する電圧を前記基板と前記対向電極との間に与える電源と
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記基板に与える電圧はパルス状に正負に変化する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記基板に与える電圧が正負に変化する一周期において、正の期間は、前記基板に与える電圧が負の期間より短い
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記基板に与える電圧が正の期間において、前記基板には櫛状に繰り返す短い正のパルス電圧と短い負のパルス電圧とが与えられる
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記基板に与える電圧が正の期間において、前記短い負のパルス電圧のパルス幅は可変する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記電源からの電圧はブロッキングコンデンサを介して前記基板に与えられる
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板は多結晶シリコン基板である
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板はその表面に金属層を有する
ことを特徴とする基板処理装置。 - OH-イオンを含み、且つ正電位に帯電された微粒子が混在させられた溶液中に、基板と対向電極とを浸漬させる工程と、
前記基板に負電圧を与えることにより前記基板に前記微粒子を付着させる工程と、
前記基板に正電圧を与えることにより前記微粒子をマスクとして前記基板を前記OH-イオンでエッチングするエッチング工程と
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項9に記載の基板処理方法であって、
前記エッチング工程の後に、前記基板に正電圧を与えながら前記溶液中から前記基板を取り出す工程
をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
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