TWI791186B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明為了對包含僅側面之至少一部分露出之狀態之薄膜的積層構造體供給用於將薄膜選擇性地蝕刻去除之處理液而將薄膜高效率地蝕刻，而與蝕刻步驟並行地，對與處理液接觸狀態下之配置為將積層構造體夾於其間之一對電極施加交流電壓，而對積層構造體賦予交流電場；該蝕刻步驟對積層構造體供給包含將薄膜選擇性地蝕刻之蝕刻劑的處理液，而自薄膜之露出部位將薄膜予以蝕刻。
Description
本發明係關於一種將積層構造體所含之薄膜自側面進行濕式蝕刻之基板處理方法及基板處理裝置。
以下所示之日本申請案之說明書、圖式及申請專利範圍之揭示內容，作為參考而將其全部內容納入本說明書中：
日本發明專利申請2020-052159(2020年3月24日申請)。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等電子零件之製造步驟中，包含將基板部分地蝕刻去除而形成所期望之圖案之蝕刻步驟。例如於半導體裝置之製造中，在將形成於矽基材上之矽氧化膜(SiO2)進行蝕刻時，使用包含HF2 -
等之蝕刻劑之處理液(例如特開平9-22891號公報、特開平9-115875號公報)。
企圖藉由蝕刻而形成之圖案形狀有各種。特別是伴隨著圖案之細微化或電子零件之三維構造化，於蝕刻步驟中，存在下述情況，即：要求不僅形成具有比較寬之開口之先前尺寸之凹部，還要形成開口狹窄且較深形狀之細長尺寸之凹部。例如存在下述之狹窄部位蝕刻製程，即：對在基材之表面上重複地積層具有互不相同之組成之2種薄膜而形成之基板(相當於本發明之「積層構造體」之一例)供給處理液而僅將一種薄膜(以下稱為「被蝕刻薄膜」)予以蝕刻。此處，於蝕刻初始階段，處理液與被蝕刻薄膜之露出部位即側面接觸而進行蝕刻去除。藉此形成具有與被蝕刻薄膜之膜厚為同尺寸之小開口之凹部。然後，需要沿著被蝕刻薄膜、即於與薄膜之積層方向正交之方向上使上述蝕刻深度進行而形成所期望之細長尺寸之凹部。
然而，若被蝕刻薄膜之膜厚尺寸為10 nm以下，則上述狹窄部位蝕刻製程如將於後文中所詳述般較大地受到在凹部之內部產生之電雙層之影響。更具體而言，電雙層阻礙處理液所含之蝕刻劑企圖朝具有小開口之凹部之內部移動，若僅藉由單單對上述積層構造體供給處理液，則難以有效率地進行蝕刻劑對薄膜之蝕刻去除。其結果為存在下述問題，即：細長尺寸之凹部處之蝕刻速率大幅度地低於先前尺寸之凹部處之蝕刻速率，而無法獲得所期望之構造。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種對包含僅側面之至少一部分露出之狀態之薄膜之積層構造體供給用於將薄膜選擇性地蝕刻去除之處理液，而將薄膜高效率地蝕刻之基板處理方法及基板處理裝置。
本發明之一態樣係一種基板處理方法，其特徵在於包含：蝕刻步驟，其對包含僅側面之至少一部分露出之狀態之薄膜的積層構造體，供給包含將薄膜選擇性地蝕刻之蝕刻劑的處理液，而自薄膜之露出部位將薄膜予以蝕刻；及電場施加步驟，其與蝕刻步驟並行地，對與處理液接觸狀態下之配置為將積層構造體夾於其間之一對電極施加交流電壓，而對積層構造體賦予交流電場。
又，本發明之又一態樣係一種基板處理裝置，其特徵在於：對包含僅側面之至少一部分露出之狀態之薄膜的積層構造體進行蝕刻，且具備：保持機構，其水平地保持基板；供給噴嘴，其對水平地被保持之基板供給包含將薄膜選擇性地蝕刻之蝕刻劑的處理液；交流電壓供給機構，其在處理液被供給至基板之狀態下，對基板施加交流電壓；開路電壓測定機構，其測定基板之開路電壓；及控制機構，其相應於由開路電壓測定機構測定到之開路電壓之值，使施加於基板之交流電壓之值變化。
根據如此般構成之發明，可藉由對積層構造體賦予交流電場而抑制電雙層對於薄膜之蝕刻之影響，使蝕刻劑在薄膜內有效率地移動而將薄膜高效率地蝕刻。
上述之本發明之各態樣所具有之複數個構成要素並非全部為必須者，為了解決上述課題之一部分或全部，或者，為了達成本說明書所記載之效果之一部分或全部，而可適當對於前述複數個構成要素之一部分構成要素進行其變更、削除、與新的其他構成要素之替換、限定內容之一部分之削除。另外，為了解決上述課題之一部分或全部，或者，為了達成本說明書所記載之效果之一部分或全部，亦可將上述之本發明之一態樣所包含之技術性特徵之一部分或全部與上述之本發明之另一態樣所包含之技術性特徵之一部分或全部予以組合，而形成為本發明之獨立之一形態。
圖1係顯示使用本發明之基板處理方法之一實施形態對積層構造體所含之薄膜進行蝕刻去除之基板處理裝置之一例之示意圖，相當於本發明之基板處理裝置之一實施形態。又，圖2係顯示圖1所示之基板處理裝置之剖面結構之圖。此處，作為蝕刻去除之對象之薄膜12係形成於矽基材11之表面之厚度10 nm以下之矽氧化膜。又，於薄膜12上，多晶矽層13於積層方向Z上積層。於該多晶矽層13，設置複數個例如內徑60 nm之貫通孔131。如此般，於本實施形態中，由具有互不相同之組成之矽基材11、薄膜12、多晶矽層13按照該順序積層而成之基板1相當於本發明之「積層構造體」之一例。
基板1係由電極21自下方予以支持。又，於由電極21支持之基板1之表面、即多晶矽層13之表面中央部上載置中空構造之框體3。因此，藉由基板1之表面與框體3之內壁面而形成盒狀之空間5，於上述空間5可儲存用於將薄膜12選擇性地蝕刻去除之處理液、於本實施形態中為稀氫氟酸(dHF：Diluted Hydrofluoric acid)4。
若對上述空間5供給稀氫氟酸4並將其儲存，則一部分經由形成於多晶矽層13之貫通孔131供給至薄膜12，藉由稀氫氟酸中所含之蝕刻劑(HF2 -
)將薄膜12中之面向貫通孔131之區域予以蝕刻。其結果為，薄膜12之側面中之露出於貫通孔131之露出部位與經由貫通孔131被供給之處理液接觸。因此，隨著進一步之時間經過而處理液經由開口(即矽基材11與多晶矽層13間之間隙部分)侵入由矽基材11與多晶矽層13夾著之細微區域14，即自與薄膜12之膜厚相同尺寸之開口侵入在與積層方向Z正交之方向上延伸之區域。藉此，進行薄膜12之蝕刻。
然而，由於薄膜12之膜厚為10 nm以下，因此在由處理液充滿之細微區域14形成電雙層。即，如之後之圖3所示般，於細微區域14(圖3)與矽基材11之界面附近、以及細微區域14(圖3)與多晶矽層13之界面附近形成電雙層。特別是，於矽基材11與多晶矽層13之間隔(即相當於薄膜12之厚度)比較寬之例如50 nm左右之情形下，兩個電雙層充分地分開，而離子可於其間自由地移動。然而，業界告知在上述間隔為10 nm左右時，兩個電雙層相互接近而重疊(參照A. Okuyama, et al., Solid State Phenomena, 2015, 219, 115)。本申請案發明人考察因該電雙層之影響而離子之移動受到限制，而抑制蝕刻劑(HF2 -
)朝細微區域14之侵入。
因此，於本實施形態中，藉由對細微區域14施加交流電場Eac而抑制電雙層之影響，提高蝕刻劑(HF2 -
)朝細微區域14之侵入。更詳細而言，如圖1及圖2所示般，鉑製之電極22之前端部浸漬於在空間5儲存之稀氫氟酸4中。又，電極21、22與交流電源6連接。而且，與由稀氫氟酸4執行之蝕刻步驟並行地相應於來自對裝置整體進行控制之控制部100之指令而自交流電源6將交流電壓施加於電極21、22之間。
圖3係示意性地顯示與朝一對電極之電壓施加對應的電雙層之變化之模型圖，於該圖之(a)欄顯示施加直流電壓時之電雙層之樣態，於該圖之(b)欄顯示施加直流電壓時之電雙層之樣態。該圖中之於圓圈符號中標註有+文字之記號表示陽離子(H+
)，於圓圈符號中標註有-文字之記號表示陰離子(HF2 -
)。此處，首先說明不對電極21、22之間施加電壓之情形。然後，說明在一對電極21、22之間連接直流電源而將在開路電壓(Open Circuit Potential；OCP)上疊加電壓V1之直流電壓施加於電極21、22之情形。然後說明對電極21、22之間將以OCP為中心以電壓±V2振盪之交流電壓施加於一對電極21、22之情形。
於不對電極21、22施加電壓之即先前技術中，於矽基材11與多晶矽層13之表面附近排列有陽離子。將如此之成為陽離子之分佈中心之面稱為外亥姆霍玆面(Outer Helmholtz plane，OHP)，於圖3中以虛線表示。如該圖所示般，位於細微區域14之靠近矽基材11之外亥姆霍玆面與靠近多晶矽層13之外亥姆霍玆面隨著矽基材11與多晶矽層13之間隔、即薄膜12之膜厚變小而相互接近。當薄膜12之膜厚為10 nm以下時，可侵入兩個外亥姆霍玆面之間之陰離子、即薄膜12之蝕刻劑(HF2 -
)之數目少，而細微區域14之蝕刻劑濃度維持為較低之狀態。因此，考量藉由先前技術難以有效率地進行薄膜12之蝕刻。
此處，如圖3之(a)欄所示般，藉由在電極21、22之間施加直流電壓而於細微區域14與積層方向Z平行地產生直流電場Edc。藉此，於矽基材11及多晶矽層13之表面附近，陽離子朝矽基材11及多晶矽層13之一側(於該圖中為多晶矽層13側)偏移，該偏移狀態在電壓施加過程中亦被維持。即，兩個外亥姆霍玆面(圖3中於細微區域14標註之實線)在維持該等之間隔不變下單單朝多晶矽層13側偏移(參照圖3之(a)欄中之中空箭頭)。因此，即便施加了直流電壓，但仍原樣不變地留有電雙層之影響，可侵入兩個外亥姆霍玆面之間之蝕刻劑(HF2 -
)之數目依然較少。因此，考量藉由直流電場Edc之施加難以謀求蝕刻效率之提高。又，如之後之比較例2中所說明般藉由直流電壓(V1=OCP+0.1 V)之施加未確認到蝕刻量之提高。
另一方面，如圖3之(b)欄所示般，當在電極21、22之間施加交流電壓(OCP±V2)時，於細微區域14與積層方向Z平行地產生交流電場Eac。藉此，於矽基材11及多晶矽層13之表面附近，陽離子相應於交流電場Eac之方向之變化而朝向矽基材11側及多晶矽層13側交替地移動。即，兩個外亥姆霍玆面(圖3中於細微區域14標註之實線)伴隨著時間經過而在細微區域14內振動(參照圖3之(b)欄中之中空箭頭)。如此般於本實施形態中，執行與蝕刻步驟並行地施加交流電場Eac之即本發明之「電場施加步驟」之一例而使細微區域14電性振動。考量藉此電雙層之影響受到抑制，而可促進蝕刻劑(HF2 -
)朝細微區域14之侵入，從而可提高蝕刻效率。關於此點，在之後將說明之實施例中亦進行確認。
再者，於蝕刻步驟中，基板之OCP值變動。如後述之實施例所示般，於蝕刻步驟中，理想的是配合基板之OCP值之變動而對交流電場Eac進行調整。
如以上所述般，根據本實施形態，可藉由對作為本發明之「積層構造體」之一例之基板1賦予交流電場Eac而抑制電雙層對於薄膜12之蝕刻之影響，其結果為，可使蝕刻劑在細微區域14有效率地移動而將薄膜12高效率地蝕刻。如此般於本實施形態中，多晶矽層13相當於本發明之「第1膜」之一例。
再者，本發明並非限定於上述之實施形態，在不脫離其主旨之範圍內，除了上述之實施形態以外還可進行各種變更。例如，於上述實施形態中，對將矽基材11、薄膜(矽氧化膜)12及多晶矽層13積層而成之基板(積層構造體)1供給作為本發明之處理液之稀氫氟酸4而對薄膜12進行蝕刻，但關於積層構造體之構成或處理液之種類等並不限定於上述實施形態。例如於三維NAND型非揮發性半導體裝置之製造步驟中，包含如下述之狹窄部位蝕刻製程，即，對具有將具有互不相同之組成的2種薄膜重複地積層而形成之多層膜之基板(積層構造體)供給處理液，而僅將一種薄膜自該薄膜之側面蝕刻去除。對於該狹窄部位蝕刻製程亦可應用本發明。
又，於上述實施形態中，對於在藉由將框體3載置於基板1之表面而形成之空間5中儲存稀氫氟酸4而進行基板處理的基板處理裝置應用本發明，但亦可對具有其他構成之基板處理裝置應用本發明。例如如圖5所示般，對於將水平姿勢之基板1之周緣部一面藉由導電性卡盤23予以保持、一面將稀氫氟酸4供給至基板1之表面而進行蝕刻之基板處理裝置，亦可應用本發明。
圖5係示意性地顯示本發明之基板處理裝置之又一實施形態之剖面結構圖。該基板處理裝置與圖1及圖2所示之裝置較大之相異點為稀氫氟酸4之供給態樣。亦即，於本實施形態中，如圖5所示般，於藉由作為本發明之「電極」發揮功能之導電性卡盤23以水平姿勢予以保持之基板1之上方位置，配置有供給噴嘴24。於供給噴嘴24，連接有處理液供給部25。而且，根據來自對裝置整體進行控制之控制部100之供給指令，處理液供給部25將作為處理液之稀氫氟酸4朝供給噴嘴24壓送，而自供給噴嘴24之噴出口241將稀氫氟酸4朝基板1之表面噴出。藉此，於基板1之表面形成稀氫氟酸4之液膜41，遍及基板1之表面整體進行蝕刻步驟。
又，如圖5所示般，如上述般在供給噴嘴24之噴出口241之附近配設有鉑製之電極22。於該電極22與導電性卡盤23之間連接有交流電源6。而且，藉由將來自控制部100之電壓施加指令賦予至交流電源6，而與以稀氫氟酸4執行之蝕刻步驟並行地自交流電源6將交流電壓施加於電極22與導電性卡盤23之間。藉此，對基板1賦予交流電場，抑制電雙層之影響，而可將基板1之薄膜12(參照圖2) 高效率地蝕刻。
又，如圖5所示般，於蝕刻步驟中配合基板之OCP值之變動而對交流電場Eac進行調整。亦即，電壓穩定器P具有：工作電極(Working Electrode)WE、相對電極CE(Counter Electrode)、及參考電極(Reference Electrode)RE，參考電極RE與形成於基板1表面之稀氫氟酸4之液膜接觸。且，電壓穩定器P檢測參考電極RE與工作電極WE之間產生之電壓之值、即藉由稀氫氟酸4予以蝕刻處理之基板1之OCP，並將該檢測結果賦予至控制部100。另一方面，控制部100配合基板1之OCP值之變動控制交流電源6而使交流電壓變化。由於如此般對交流電場進行調整，因此可將基板1之薄膜12(參照圖2)進一步高效率且穩定地蝕刻。
如此般於圖5所示之實施形態中，交流電源6相當於本發明之「交流電壓供給機構」之一例。又，導電性卡盤23相當於本發明之「保持機構」之一例。又，電壓穩定器P相當於本發明之「開路電壓測定機構」之一例。進而，控制部100相當於本發明之「控制機構」之一例。
[實施例]
以下，對於本發明之較佳之態樣，一面參照實施例一面更具體地進行說明。惟，本發明當然並不受下述實施例限制。因此，當然可在符合前後文之主旨之範圍內適當地施加變更地進行實施，該些亦均包含於本發明之技術性範圍內。
此處，準備基板1，該基板1如圖2之局部放大圖所示般係將矽基材11、薄膜(矽氧化膜)12及多晶矽層13積層而成。作為薄膜12之膜厚，準備5 nm與10 nm之2種。又，準備將HF(46～48%)與DIW(去離子水：deionized water)以1：50混合而成之稀氫氟酸4作為本發明之「處理液」。此處，所謂「HF(46～48%)」意指濃度為46～48%之氫氟酸。
又，如表1所示般，單獨地執行蝕刻步驟(比較例1)，與蝕刻步驟並行地對電極21、22施加直流電壓(比較例2)，與蝕刻步驟並行地一面將振盪及頻率多階段地變更一面對電極21、22施加交流電壓(實施例1～實施例6)。然後，驗證電壓追隨、膜厚5 nm之薄膜12之蝕刻量(圖2中之符號EM)、膜厚10 nm之薄膜12之蝕刻量(圖2中之符號EM)、及該等之比(表1中之「5 nm/10 nm」)，並將該等之結果匯總於表1。此處，按照下述運作而事先求得OCP。
[表1]
| 處理液 | 電壓施加 | 頻率 (kHz) | 時間(sec) | 電壓追隨 | 5 nm厚度下之蝕刻量(nm) | 10 nm厚度下之蝕刻量(nm) | 5 nm/10 nm | |
| 比較例1 | HF:DIW=1:50 | 無 | 600 | 21.43 | 44.45 | 0.48 | ||
| 比較例2 | HF:DIW=1:50 | OCP+0.1 V | 600 | ○ | 20.64 | 47.63 | 0.43 | |
| 實施例1 | HF:DIW=1:50 | OCP+0.05 V±0.05 V | 1 | 600 | 20.90 | 43.26 | 0.48 | |
| 實施例2 | HF:DIW=1:50 | OCP+0.05 V±0.05 V | 0.1 | 600 | 33.50 | 50.40 | 0.66 | |
| 實施例3 | HF:DIW=1:50 | OCP+0.05 V±0.05 V | 1 | 600 | ○ | 75.41 | 88.50 | 0.85 |
| 實施例4 | HF:DIW=1 :50 | OCP+0.05 V±0.05 V | 0.1 | 600 | ○ | 33.14 | 39.39 | 0.84 |
| 實施例5 | HF:DIW=1 :50 | OCP±0.1 V | 1 | 600 | ○ | 20.88 | 41.37 | 0.50 |
| 實施例6 | HF:DIW=1 :50 | OCP±0.1 V | 0.1 | 600 | ○ | 44.55 | 55.66 | 0.80 |
OCP之測定係在即將進行蝕刻步驟之前利用電壓穩定器或恒電流儀等電性化學測定裝置進行。此處，對使用電壓穩定器測定OCP之方法進行說明。
圖2所示之電壓穩定器P具有：工作電極WE、相對電極CE、及參考電極RE。工作電極WE與自成為與基板1電性連通狀態之電極21延伸之配線6b連接。相對電極CE與自配置於基板1之上方之電極22延伸之配線6a連接。參考電極RE接觸於在空間5內儲存之稀氫氟酸4中。電壓穩定器P顯示在參考電極RE與工作電極WE之間產生之電壓之值。該值係藉由稀氫氟酸4進行蝕刻處理之基板1之OCP。
又，表1中之「電壓追隨」意指在蝕刻步驟中OCP變動時，以施加電壓與OCP之差成為一定之方式使施加電壓之值變動。此處，所謂施加電壓意指在圖2之裝置中，電極22與電極21之間之電壓值。於圖2之基板處理裝置中，控制部100以相應於由電壓穩定器P測定到之OCP之值，將OCP之值之變動予以抵消之方式使施加電壓之值變動。再者，於對基板1進行之蝕刻處理中，可預先實驗性地求得OCP之時間變化，將經預先進行的測定資料作為OCP值進行參照，而取代在蝕刻處理過程中對OCP進行測定。關於此點，於圖5所示之實施形態中亦同樣。
如表1所示般，於與蝕刻步驟並行地施加直流電場Edc之比較例2中，與先前技術(比較例1)無較大之變化，即便施加直流電場Edc亦無法期待蝕刻效率之提高。
相對於此，於實施例2中，藉由與蝕刻步驟並行地施加交流電場Eac，從而蝕刻效率提高。此與藉由使亥姆霍玆面振動而促進蝕刻劑(HF2 -
)朝細微區域14侵入之假設相符。為了使亥姆霍玆面以允許蝕刻劑(HF2 -
)朝細微區域14侵入般之振盪及頻率振動，僅藉由施加交流電壓並不夠，需要將交流電壓之施加電壓之值配合蝕刻條件而調整為適切之值。
於實施例1～6中調查各種條件下之蝕刻效率。
於實施例1～6中之實施例2、3、4、6中，15 nm厚度下之蝕刻量相對於10 nm厚度下之蝕刻量之比率增大。
於實施例3中，5 nm厚度下之蝕刻量、與10 nm厚度下之蝕刻量均增大。於實施例6中，5 nm厚度下之蝕刻量增大。
於實施例3中，5 nm厚度下之蝕刻量、10 nm厚度下之蝕刻量、15 nm厚度下之蝕刻量相對於10 nm厚度下之蝕刻量之比率均增大。如此般，如自實施例6可知，除了與蝕刻步驟並行地施加交流電壓以外，藉由進行電壓追隨，進而將施加電壓及交流頻率調整為適切之值，而可使蝕刻效率提高，且可抑制蝕刻之膜厚依存性。
再者，雖然於表1中未顯示，但即便在與蝕刻步驟並行地執行電場施加步驟時，若不在OCP基準下進行電壓施加時，如圖4所示般，出現矽基材11發生損傷11a之情況。亦即，理想的是於電場施加步驟中在OCP基準下設定交流電壓。
以上根據特定之實施例對本發明說進行了說明，但本說明並非意圖以限定之意思被解釋者。若參照本發明之說明，則與本發明之其他實施形態同樣地，精通本技術者當應清楚明瞭已揭示之實施形態之各種變化例。因此可認為，附加之申請專利範圍在不脫離本發明之真正範圍之範圍內包含該變化例或實施形態。
本發明可應用於對積層構造體所含之薄膜自側面進行濕式蝕刻之所有基板處理方法及基板處理裝置。
1:基板(積層構造體)
3:框體
4:稀氫氟酸(處理液)
5:空間
6:交流電源(交流電壓供給機構)
6a,6b:配線
11:矽基材
11a:損傷
12:薄膜(矽氧化膜)
13:多晶矽層(第1膜)
14:細微區域
21,22:(一對)電極
23:導電性卡盤(電極、保持機構)
24:供給噴嘴
25:處理液供給部
41:(稀氫氟酸之)液膜
100:控制部(控制機構)
131:貫通孔
241:噴出口
CE:相對電極
Eac:交流電場
Edc:直流電場
EM:薄膜之蝕刻量
OCP:開路電壓
P:電壓穩定器(開路電壓測定機構)
RE:參考電極
V1,V2:電壓
WE:工作電極
Z:積層方向
圖1係顯示使用本發明之基板處理方法之一實施形態對積層構造體所含之薄膜進行蝕刻去除之基板處理裝置之一例之示意圖。
圖2係顯示圖1所示之基板處理裝置之剖面結構之圖。
圖3(a)、(b)係示意性地顯示與朝一對電極之電壓施加對應的電雙層之變化之模型圖。
圖4係示意性地顯示不在OCP基準下進行電壓設定時對矽基材帶來之損傷之圖。
圖5係示意性地顯示本發明之基板處理裝置之又一實施形態之剖面結構圖。
11:矽基材
13:多晶矽層(第1膜)
14:細微區域
131:貫通孔
Eac:交流電場
Edc:直流電場
OCP:開路電壓
V1,V2:電壓
Z:積層方向
Claims (6)
- 一種基板處理方法，其特徵在於具備：蝕刻步驟，其對包含僅側面之至少一部分露出之狀態之薄膜的積層構造體，供給包含將前述薄膜選擇性地蝕刻之蝕刻劑的處理液，而自前述薄膜之露出部位將前述薄膜予以蝕刻；及電場施加步驟，其與前述蝕刻步驟並行地，對與前述處理液接觸狀態下之配置為將前述積層構造體夾於其間之一對電極施加交流電壓，而對前述積層構造體賦予交流電場；前述積層構造體係將與前述薄膜不同之組成之基材、前述薄膜、及與前述薄膜不同之組成之第1膜積層而成者，前述電場施加步驟中，以在前述基材、前述薄膜及第1膜之積層方向上將前述積層構造體夾於其間之方式配置前述一對電極，與前述積層方向平行地賦予前述交流電場。
- 一種基板處理方法，其特徵在於具備：蝕刻步驟，其對包含僅側面之至少一部分露出之狀態之薄膜的積層構造體，供給包含將前述薄膜選擇性地蝕刻之蝕刻劑的處理液，而自前述薄膜之露出部位將前述薄膜予以蝕刻；及電場施加步驟，其與前述蝕刻步驟並行地，對與前述處理液接觸狀態下之配置為將前述積層構造體夾於其間之一對電極施加交流電壓，而對前述積層構造體賦予交流電場；前述積層構造體具有多層膜，該多層膜係將與前述薄膜不同之組成 之第1膜與前述薄膜交替地積層而成，前述電場施加步驟中，以在前述第1膜與前述薄膜之積層方向上將前述積層構造體夾於其間之方式配置前述一對電極，與前述積層方向平行地賦予前述交流電場。
- 如請求項1或2之基板處理方法，其中前述電場施加步驟將以前述一對電極之間之開路電壓為中心而振盪之前述交流電壓施加於前述一對電極。
- 如請求項1或2之基板處理方法，其具備：計測前述基板之開路電壓之步驟，及追隨經計測到之前述開路電壓之變動而使前述交流電壓變化。
- 一種基板處理裝置，其特徵在於：對基材、與前述基材不同之組成之僅側面之至少一部分露出之狀態之薄膜、及與前述薄膜不同之組成之第1膜積層而成的積層構造體進行蝕刻，且具備：保持機構，其水平地保持前述基板；供給噴嘴，其對前述水平地被保持之基板供給包含對前述薄膜選擇性地蝕刻之蝕刻劑的處理液；交流電壓供給機構，其在前述處理液被供給至基板之狀態下，以在前述基材、前述薄膜及前述第1膜之積層方向上將前述積層構造體夾於其間之方式，與前述積層方向平行地對前述基板施加交流電壓；開路電壓測定機構，其測定前述基板之開路電壓；及 控制機構，其相應於由前述開路電壓測定機構測定到之開路電壓之值，使施加於前述基板之交流電壓之值變化。
- 一種基板處理裝置，其特徵在於：對包含僅側面之至少一部分露出之狀態之薄膜、及與前述薄膜不同之組成之第1膜交互積層而成之多層膜的積層構造體進行蝕刻，且具備：保持機構，其水平地保持前述基板；供給噴嘴，其對前述水平地被保持之基板供給包含對前述薄膜選擇性地蝕刻之蝕刻劑的處理液；交流電壓供給機構，其在前述處理液被供給至基板之狀態下，以在前述薄膜及前述第1膜之積層方向上將前述積層構造體夾於其間之方式，與前述積層方向平行地對前述基板施加交流電壓；開路電壓測定機構，其測定前述基板之開路電壓；及控制機構，其相應於由前述開路電壓測定機構測定到之開路電壓之值，使施加於前述基板之交流電壓之值變化。
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