JP2005293955A - 同軸形マイクロ波プラズマトーチ - Google Patents

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Abstract

【課題】 従来のものより小型でかつ高いエネルギー効率を有する同軸形マイクロ波プラズマトーチを提供する。
【解決手段】 円柱形状を有する外側導体1と、外側導体の一端面4側に形成された軸方向の孔2に挿入され、固定された円筒状の放電管3と、一端が、外側から外側導体の他端面に取り付けられた同軸ケーブル6を備える。同軸ケーブルの一端には、その内部導体8に電気的に接続されたアンテナ9が備えられ、アンテナは、外側導体の他端面5および軸方向の孔の底面の間を軸方向に貫通する貫通孔11を通って放電管内にのび、同軸ケーブルの外部導体7は外側導体に電気的に接続され、外側導体には、放電管内にガスを供給するガス導入管路13が設けられる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、マイクロ波プラズマトーチ、とりわけ、同軸形マイクロ波プラズマトーチに関するものである。
大気圧中においてプラズマを発生し得るマイクロ波プラズマトーチとしては、従来より、導波管形マイクロ波プラズマトーチが知られている(例えば特許文献1参照)。この従来の導波管形マイクロ波プラズマトーチは、スタブチューナ、導波管および反射板と大きく分けて3つの構成部分から構成され、さらには、大気圧中でプラズマを生成するために点火装置を必要とし、多数の構成部分を有している。そのため、装置の設計の自由度があまりなく、装置の小型化を図るには限界があるという問題を有していた。
この従来の導波管形プラズマトーチの欠点を解消するものとして、ヘリカル共振器の構造を引き継いだ構造を有する、同軸形マイクロ波プラズマトーチが提案されている(例えば特許文献2参照)。このマイクロ波プラズマトーチは、上端開口を蓋体によって閉じられた円筒状の外管からなる同軸形共振器と、この共振器の外管の上端寄りに外管に直角に連結された同軸線路とを備えている。そして、同軸線路の内部中央を通る導体が、外管内で上向きに蓋体方向に屈曲して蓋体の内端面に固定され、蓋体は、外管を通じ同軸線路の外部導体に接続され、さらに、蓋体の中央には、内部導体が固着され、内部導体は、棒状部と棒状部の先端に固着された電気伝導性をもつ電極からなり、外管の下方には、電極の周囲面に石英管が取付けられ、外管の周壁には、外側から電極に向けてガスを導入するガス導入口が設けられている。
このマイクロ波プラズマトーチにおいては、同軸線路に接続されたマイクロ波発振器によってマイクロ波が出力されると、マイクロ波は、同軸線路を通ることによって同軸モード(TEMモード)に変換されて伝送される。その後、マイクロ波は、同軸線路の内部中央を通る導体が共振器の外管内で蓋体方向に屈曲する部分で、一旦モード変換され、さらに、共振器内部で再び同軸モードに変換されて、内部導体によって電極に導かれ、電極の先端にはマイクロ波の電界が集中し、電界強度が最大となり、電極の先端からプラズマが発生するようになっている。
しかしながら、この構成によれば、共振器を使用するので、プラズマトーチをある程度の大きさに維持する必要があり、プラズマトーチを小型化することが困難であった。また、この構成によれば、マイクロ波は、同軸線路から共振器内に伝送される間に、同軸モードから一旦別のモードに変換された後、再び同軸モードに変換されるが、このようなモードの変換がなされると、それに対応してエネルギーの損失が生じ、エネルギー効率が低下するという問題があった。加えて、この構成では、大気圧中においてプラズマを点火させることは困難であった。
特開平9−295900号公報 特開平6−188094号公報
したがって、本発明の課題は、従来のものより小型でかつ高いエネルギー効率を有し、しかも、大気圧中で容易にプラズマを発生させることができる同軸形マイクロ波プラズマトーチを提供することにある。
上記課題を解決するため、第1発明は、円柱形状を有する外側導体と、前記外側導体の一端面側に形成された軸方向の孔に挿入され、固定された円筒状の放電管と、一端が、外側から前記外側導体の他端面に取り付けられた、マイクロ波伝送用の同軸ケーブルと、を備え、前記同軸ケーブルの一端には、その内部導体に電気的に接続されたアンテナが備えられ、前記外側導体には、その他端面側から前記軸方向の孔に向かって軸方向にのびる貫通孔が形成され、前記アンテナは、前記外側導体から電気的に絶縁された状態で前記貫通孔を通って前記放電管内にのび、前記同軸ケーブルの外部導体は前記外側導体に電気的に接続され、前記外側導体には、前記放電管内にガスを供給するガス導入管路が設けられていることを特徴とする同軸形マイクロ波プラズマトーチを構成したものである。
第1発明の構成において、好ましくは、前記外側導体の軸方向の孔の周面および前記放電管の外周面の間には、円筒状のスペースが形成され、前記円筒状のスペースは、前記外側導体の内部において、半径方向に予め決定された長さだけのび、前記軸方向の孔の底面から軸方向に任意の長さだけのびている。
また、上記課題を解決するため、第2発明は、円筒状の外側導体およびその内側に半径方向に間隔をあけて配置された円筒状の放電管からなる二重管構造を有するトーチ本体を備え、前記トーチ本体の前記外側導体は、その一端開口を蓋によって閉じられ、前記放電管は、一端が前記蓋に固定され、他端が前記外側導体の他端開口から突出してのび、前記トーチ本体の前記外側導体の蓋には、外側から、マイクロ波伝送用の同軸ケーブルの一端が取り付けられ、前記同軸ケーブルの一端には、その内部導体に電気的に接続されたアンテナが備えられ、前記アンテナは、前記蓋から電気的に絶縁された状態で、前記蓋に形成された貫通孔を通って前記トーチ本体の前記放電管内に軸方向にのび、前記同軸ケーブルの外部導体は前記トーチ本体の前記外側導体に電気的に接続され、前記トーチ本体には、前記トーチ本体の前記放電管内にガスを供給するガス導入管路が設けられていることを特徴とする同軸形マイクロ波プラズマトーチを構成したものである。
第2発明の構成において、好ましくは、前記トーチ本体における前記外側導体および前記放電管の間に形成された円筒状スペース内には、円筒状の補助導体が前記外側導体の他端開口側から嵌め込まれ、前記補助導体は、前記外側導体の内周面との間および前記放電管の外周面との間にマイクロ波の漏れを生じさせることなく、かつ前記トーチ本体の前記外側導体と電気的に接触しつつ前記放電管の軸方向に沿ってスライド運動することによって、マイクロ波の位相を適当に変化させ得るようになっている。
また好ましくは、前記ガス導入管路は、前記トーチ本体の外側から、前記外側導体および前記蓋の両方またはいずれか一方を貫通して前記外側導体および前記放電管の間の円筒状スペース内にのびた後、前記放電管に接続され、前記放電管における前記アンテナの先端近傍領域に開口している。あるいは、前記トーチ本体の前記蓋は、円柱状の誘電体からなる、前記外側導体内に挿入される差込部を少なくとも有し、前記放電管の一端は前記差込部に固定され、前記ガス導入管路は、前記トーチ本体の外側から、前記トーチ本体の前記外側導体を貫通する電気絶縁性をもつ管部分と、前記管部分に接続され、前記蓋の差込部を貫通する第1管路部分と、前記第1管路部分に接続され、前記アンテナ内部を内側にのびた後、そこから前記アンテナ内部をその先端に向かって軸方向にのび、前記先端に開口する第2管路部分とからなっている。
第1および第2発明の構成において、好ましくは、前記アンテナは、前記同軸ケーブルの内部導体からなっている。
本発明によれば、プラズマトーチの全体が同軸構造を保持し、よって、従来のマイクロ波プラズマトーチとは異なり、共振器を備えていないので、同軸ケーブル中を伝送されるマイクロ波は、同軸モードのままでアンテナに供給され、アンテナの先端でプラズマが発生する。したがって、プラズマトーチのエネルギー効率が従来より格段に高くなり、また、大気圧中でも容易にプラズマを生成することができる。また、本発明によれば、従来の導波管形のプラズマトーチとは異なり、整合器や反射板を用いる必要がないので、より大きな設計の自由度が得られ、プラズマトーチを小型化することができる。
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例について説明する。図1は、本発明の1実施例による同軸形マイクロ波プラズマトーチを示したもので、(A)は側断面図でり、(B)は(A)の矢印A方向から見た平面図である。図1を参照して、本発明の同軸形マイクロ波プラズマトーチは、円柱形状を有する外側導体1と、外側導体1の一端面4側に形成された軸方向の孔2に挿入され、固定された円筒状の放電管3と、一端が、外側から外側導体1の他端面5に取り付けられた、マイクロ波伝送用の同軸ケーブル6を備えている。
この実施例では、外側導体1は、一端面4側の円柱状の第1部分1aと、他端面5側の円柱状の第2部分1bの2つの部分を接合したものからなっている。また、軸方向の孔2は、外側導体1の中心軸に沿ってのび、放電管3は外側導体1と同軸に配置されている。また、放電管3は、石英管およびアルミナ管等の誘電体から形成されている。
同軸ケーブル6の一端には、その内部導体8に電気的に接続されたアンテナ9が備えられている。この実施例では、同軸ケーブル6の一端に同軸コネクタ10が取り付けられ、この同軸コネクタ10を介して同軸ケーブル6の内部導体8とアンテナ9が電気的に接続される。また、外側導体1には、その他端面5側から軸方向の孔2に向かって軸方向にのびる貫通孔11が形成され、アンテナ9が、外側導体1から電気的に絶縁された状態で貫通孔11を通って放電管3内に突出するようにして、同軸コネクタ10がボルト12によって外側導体1の他端面5に取り付けられる。この場合、ボルト12は、同軸コネクタ10を外側導体1に取付けるだけでなく、外側導体1の第1部分1aおよび第2部分1bを互いに接合するためにも使用される。同時に、同軸ケーブル6の外部導体7は同軸コネクタ10を介して外側導体1に電気的に接続される。
アンテナ9は、高い電気伝導性を有する材料から形成されている。そして、アンテナ9と外側導体1の貫通孔11とは半径方向に間隔をあけて配置され、それによって、アンテナ9および外側導体1は互いに電気的に絶縁されている。アンテナ9には、プラズマ発生時に、プラズマへの不純物の混入を防止すべく、適当な表面コーティングが施されていることが好ましい。アンテナ9は、この実施例では、同軸ケーブル6の内部導体8とは別個のものとして形成されているが、アンテナ9を内部導体8から形成してもよい。
外側導体1の軸方向の孔2は、当該孔2の底面から軸方向に任意の長さだけ(しかし、外側導体1の一端面4に達することはない)のび、その径が放電管3の外径より予め決定された長さだけ大きくなっており、この領域(外側導体1の内部)において、孔2の内周面および放電管3の外周面の間に、半径方向に予め決定された厚さを有し、任意の長さを有する円筒状のスペース14が形成される。
円筒状のスペース14は、伝送インピーダンスの整合をとるために使用される。伝送インピーダンスの整合は、同軸ケーブル6の内部導体8と外部導体7の径の比率と、アンテナ9の外径と外側導体1の内径の比率を一致させることによってなされる。この場合、外側導体1内部における円筒状のスペース14の半径方向の長さによって、外側導体1の内径が決定される。なお、外側導体1および放電管3の間に円筒状のスペース14を設ける必要がない場合もある。
外側導体1には、放電管3内にガスを供給するガス導入管路13が設けられている。ガス導入管路13は、石英管等の誘電体からなる管からなり、外側導体1の外側から、外側導体1に形成された半径方向の貫通孔を通って円筒状のスペース14内にのび、その一端が放電管3に接続され、放電管3内に開口している。
こうして、大気圧中において、同軸ケーブル6の他端に、(図示されない)マイクロ波発振器が接続され、マイクロ波発振器から所定の波長のマイクロ波が出力される。また、ガス導入管路13には、(図示されない)ガス供給源が接続される。そして、ガス供給源からガス導入管路13を通じて放電管9内にガスが導入されるとともに、マイクロ波発振器から出力されたマイクロ波が、同軸ケーブル6中を伝送され、同軸コネクタ10を介してアンテナ9に同軸モードで伝送される。そして、マイクロ波は、アンテナ9表面を伝わり、アンテナ9の先端で最も高い電界が生じ、プラズマが、アンテナ9の先端と放電管3の内壁との間において生成され、放電管3の先端開口から照射される。
本発明による同軸形マイクロ波プラズマトーチは、全体が同軸構造を保持していて、従来の同軸形共振器を使用したマイクロ波プラズマトーチのように共振器を備えていないので、同軸ケーブル中を伝送されるマイクロ波は、同軸モードのままでアンテナに供給され、プラズマが発生する。したがって、プラズマトーチのエネルギー効率が従来より格段に高くなり、また大気圧中でも容易に点火させてプラズマを維持することができる。また、本発明によれば、従来の導波管形のプラズマトーチのように整合器や反射板を用いる必要がなく、プラズマトーチの構成部品点数が少なくて済むので、より大きな設計の自由度が得られ、プラズマトーチを小型化することができる。
図2は、本発明の別の実施例による同軸形マイクロ波プラズマトーチを示したものであり、(A)は側断面図であり、(B)は(A)におけるX−X線に沿った断面図である。図2に示されるように、本発明の同軸形マイクロ波プラズマトーチは、円筒状の外側導体21と、その内側に半径方向に間隔をあけて配置された放電管22とからなる二重管構造を有するトーチ本体20を備えている。
トーチ本体20の外側導体21は、その一端開口を蓋23によって閉じられている。この実施例では、蓋23は導電性を有する材料から形成されている。放電管22は、一端22aが蓋23に固定され、他端22bが外側導体21の他端開口21aから突出してのびている。放電管22は、石英管およびアルミナ管等の誘電体から形成されており、蓋23から電気的に絶縁されている。また、トーチ本体20の外側導体21の蓋23には、外側から、マイクロ波伝送用の同軸ケーブル24の一端が取り付けられ、同軸ケーブル24の一端にはその内部導体25に電気的に接続されたアンテナ28が備えられている。
この実施例では、同軸ケーブル24の一端に同軸コネクタ27が取り付けられ、この同軸コネクタ27を介して同軸ケーブル24の内部導体25とアンテナ28が電気的に接続される。そして、アンテナ28が、蓋23から電気的に絶縁された状態で、蓋23に形成された貫通孔29を通ってトーチ本体21の放電管22内に放電管22の軸方向に突出するようにして、同軸コネクタ27がボルト30によって蓋23に取り付けられる。この場合、ボルト30は、同軸コネクタ27を蓋23に取付けるだけでなく、蓋23を外側導体21に電気的に結合するためにも使用される。同時に、同軸ケーブル24の外部導体26は、同軸コネクタ27を介してトーチ本体20の外側導体21に電気的に接続される。
アンテナ28は、高い電気伝導性を有する材料から形成されている。そして、アンテナ28と蓋23の貫通孔29とは半径方向に間隔をあけて配置され、それによって、アンテナ28および蓋23は互いに電気的に絶縁されている。アンテナ28には、プラズマ発生時にプラズマへの不純物の混入を防止すべく、適当な表面コーティングが施されていることが好ましい。この実施例では、アンテナ28は同軸ケーブル24の内部導体25とは別個のものとして形成されているが、アンテナ28を内部導体25から形成してもよい。
また、アンテナ28の外径と外側導体1の内径の比率を、同軸ケーブル24の内部導体25と外部導体26の径の比率と一致させることにより、伝送インピーダンスの整合が行われる。
トーチ本体20には、トーチ本体20の放電管22内にガスを供給するガス導入管路32が設けられている。ガス導入管路32は、石英管等の誘電体からなる管からなり、外側導体21の外側から、外側導体21に形成された半径方向の貫通孔を通って、外側導体21および放電管22の間のスペース33内にのび、その一端が放電管22に接続され、放電管22におけるアンテナ28の先端近傍領域に開口している。
トーチ本体20における外側導体21および放電管22の間に形成された円筒状スペース33内には、円筒状の補助導体34が外側導体21の他端開口21a側から嵌め込まれる。さらに、補助導体34の外周面にはネジ山35が備えられ、一方、外側導体21の内周面には、補助導体34のネジ山35に係合するネジ溝36が備えられる。そして、補助導体34が放電管22のまわりに回転せしめられることによって、補助導体35は、外側導体21の内周面との間および放電管22の外周面との間にマイクロ波の漏れを生じさせることなく、かつトーチ本体20の外側導体21と電気的に接触しつつ、放電管22の軸方向に沿ってスライド運動しうるようになっている。なお、37は、補助導体35に結合された、補助導体35の回転操作を容易にするための操作つまみである。
この実施例では、補助導体34は、外側導体21とネジ係合されることによって、放電管22の軸方向に沿ってスライド運動可能となっているが、例えば、図3に示されるように、補助導体34の外周面が、外側導体21の内周面に接触し、内周面が放電管22の外周面に接触するように構成することによって、補助導体34を、ネジ係合によらずにスライド運動可能とすることもできる。
こうして、大気圧中において、同軸ケーブル24の他端に、(図示されない)マイクロ波発振器が接続され、マイクロ波発振器から所定の波長のマイクロ波が出力される。また、ガス導入管路32には、(図示されない)ガス供給源が接続される。そして、ガス供給源からガス導入管路32を通じて放電管22内にガスが導入されるとともに、マイクロ波発振器から出力されたマイクロ波が、同軸ケーブル24中を伝送され、同軸コネクタ27を介してアンテナ28に同軸モードで伝送される。そして、マイクロ波は、アンテナ28表面を伝わり、アンテナ28の先端で最も高い電界が生じ、プラズマがアンテナ28の先端と放電管22内壁との間において生成され、放電管22の先端開口から照射される。
この実施例においても図1の実施例と同様の効果が得られ、特にこの実施例では、放電管22内にプラズマを維持することによって、長いプラズマを生成することができる。
図4は、本発明のさらに別の好ましい実施例による同軸形マイクロ波プラズマトーチの側断面図である。図4に示した実施例は、図2の実施例と、基本的に、蓋の構成およびガス導入管路の構成が相違しているだけである。したがって、図4中、図2の構成要素と同一の構成要素には同一番号を付し、説明を省略する。
図3を参照して、トーチ本体20の40蓋は、円柱状の誘電体からなる、外側導体21内に挿入される差込部42と、差込部42の一端に設けられた導体からなるフランジ部41とから形成されている。そして、放電管22の一端は差込部42に固定されている。
この実施例では、ガス導入管路は、トーチ本体20の外側から、トーチ本体20の外側導体21を半径方向に貫通する電気絶縁性をもつ管部分43と、管部分43に接続され、蓋40の差込部42を半径方向に貫通する第1管路部分44と、第1管路部分44に接続され、アンテナ45内部を半径方向内側にのびた後、そこからアンテナ45内部をその先端に向かって軸方向にのび、当該先端に開口する第2管路部分45とからなっている。
こうして、この実施例では、アンテナ45の先端から放電管22内にガスが導入される。この実施例の場合にも、図2の実施例と同様の効果が得られる。
本発明によれば、大気圧中において、容易にプラズマを発生させることができる、非常に小型でエネルギー効率の高い同軸形マイクロ波プラズマトーチを提供することができる。そして、本発明によるマイクロ波プラズマトーチは、エッチング装置、CVD装置、表面処理装置、表面改質装置および材料改質装置等において、従来の導波管形マイクロ波プラズマトーチの代わりに使用することができる。
本発明の1実施例による同軸形マイクロ波プラズマトーチを示したもので、(A)は側断面図でり、(B)は(A)の矢印A方向から見た平面図である。 本発明の別の実施例による同軸形マイクロ波プラズマトーチを示したものであり、(A)は側断面図であり、(B)は、(A)におけるX−X線に沿った断面図である。 図2の実施例の変形例を示した側断面図である。 本発明のさらに別の実施例による同軸形マイクロ波プラズマトーチの側断面図である。
符号の説明
1 外側導体
2 軸方向の孔
3 放電管
4 一端面
5 他端面
6 同軸ケーブル
7 外部導体
8 内部導体
9 アンテナ
10 同軸コネクタ
11 貫通孔
12 ボルト
13 ガス導入管路
14 円筒状のスペース

Claims (7)

  1. 円柱形状を有する外側導体と、
    前記外側導体の一端面側に形成された軸方向の孔に挿入され、固定された円筒状の放電管と、
    一端が、外側から前記外側導体の他端面に取り付けられた、マイクロ波伝送用の同軸ケーブルと、を備え、
    前記同軸ケーブルの一端には、その内部導体に電気的に接続されたアンテナが備えられ、前記外側導体には、その他端面側から前記軸方向の孔に向かって軸方向にのびる貫通孔が形成され、前記アンテナは、前記外側導体から電気的に絶縁された状態で前記貫通孔を通って前記放電管内にのび、前記同軸ケーブルの外部導体は前記外側導体に電気的に接続され、前記外側導体には、前記放電管内にガスを供給するガス導入管路が設けられていることを特徴とする同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
  2. 前記外側導体の軸方向の孔の周面および前記放電管の外周面の間には、円筒状のスペースが形成され、前記円筒状のスペースは、前記外側導体の内部において、半径方向に予め決定された長さだけのび、前記軸方向の孔の底面から軸方向に任意の長さだけのびていることを特徴とする請求項1に記載の同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
  3. 円筒状の外側導体およびその内側に半径方向に間隔をあけて配置された円筒状の放電管からなる二重管構造を有するトーチ本体を備え、
    前記トーチ本体の前記外側導体は、その一端開口を蓋によって閉じられ、前記放電管は、一端が前記蓋に固定され、他端が前記外側導体の他端開口から突出してのび、前記トーチ本体の前記外側導体の蓋には、外側から、マイクロ波伝送用の同軸ケーブルの一端が取り付けられ、前記同軸ケーブルの一端には、その内部導体に電気的に接続されたアンテナが備えられ、前記アンテナは、前記蓋から電気的に絶縁された状態で、前記蓋に形成された貫通孔を通って前記トーチ本体の前記放電管内に軸方向にのび、前記同軸ケーブルの外部導体は前記トーチ本体の前記外側導体に電気的に接続され、前記トーチ本体には、前記トーチ本体の前記放電管内にガスを供給するガス導入管路が設けられていることを特徴とする同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
  4. 前記トーチ本体における前記外側導体および前記放電管の間に形成された円筒状スペース内には、円筒状の補助導体が前記外側導体の他端開口側から嵌め込まれ、前記補助導体は、前記外側導体の内周面との間および前記放電管の外周面との間にマイクロ波の漏れを生じさせることなく、かつ前記トーチ本体の前記外側導体と電気的に接触しつつ前記放電管の軸方向に沿ってスライド運動することによって、マイクロ波の位相を適当に変化させ得るようになっていることを特徴とする請求項3に記載の同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
  5. 前記ガス導入管路は、前記トーチ本体の外側から、前記外側導体および前記蓋の両方またはいずれか一方を貫通して前記外側導体および前記放電管の間の円筒状スペース内にのびた後、前記放電管に接続され、前記放電管における前記アンテナの先端近傍領域に開口していることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
  6. 前記トーチ本体の前記蓋は、円柱状の誘電体からなる、前記外側導体内に挿入される差込部を少なくとも有し、前記放電管の一端は前記差込部に固定され、前記ガス導入管路は、前記トーチ本体の外側から、前記トーチ本体の前記外側導体を貫通する電気絶縁性をもつ管部分と、前記管部分に接続され、前記蓋の差込部を貫通する第1管路部分と、前記第1管路部分に接続され、前記アンテナ内部を内側にのびた後、そこから前記アンテナ内部をその先端に向かって軸方向にのび、前記先端に開口する第2管路部分とからなっていることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
  7. 前記アンテナは、前記同軸ケーブルの内部導体からなっていることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007157535A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Aet Inc 進行波形マイクロ波プラズマ発生装置
JP2009032545A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Md Luminous Kk マイクロ波プラズマニードル発生装置
JP2009070586A (ja) * 2007-09-10 2009-04-02 Imagineering Kk プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ生成装置用キャビティー及び計測装置
JP2010056063A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation 低電力携帯用マイクロ波プラズマ発生器
CN102238794A (zh) * 2010-04-27 2011-11-09 嘉兴江林电子科技有限公司 接触式等离子体放电笔
JP2012094367A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Ihi Corp プラズマ発生装置
KR101830007B1 (ko) * 2016-11-11 2018-02-19 한국기초과학지원연구원 동축 케이블 연결형 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
CN109119314A (zh) * 2017-06-23 2019-01-01 日新离子机器株式会社 等离子体源
JP7475084B1 (ja) 2023-01-11 2024-04-26 株式会社アドテックプラズマテクノロジー 同軸型マイクロ波プラズマトーチ

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8800482B2 (en) * 2005-12-29 2014-08-12 Exatec Llc Apparatus and method of dispensing conductive material with active Z-axis control
WO2008013112A1 (fr) * 2006-07-28 2008-01-31 Tokyo Electron Limited Source de plasma à micro-ondes et appareil de traitement plasma
WO2009088864A1 (en) 2007-12-31 2009-07-16 Exatec, Llc Apparatus and method for printing three-dimensional articles
FR2952786B1 (fr) * 2009-11-17 2012-06-08 Centre Nat Rech Scient Torche a plasma et procede de stabilisation d'une torche a plasma
US10477665B2 (en) * 2012-04-13 2019-11-12 Amastan Technologies Inc. Microwave plasma torch generating laminar flow for materials processing
KR101614028B1 (ko) * 2013-05-27 2016-04-20 가부시키가이샤 아도테쿠 프라즈마 테쿠노로지 마이크로파 플라즈마 발생장치의 공동 공진기
PE20141732A1 (es) * 2013-09-17 2014-11-30 Amador Fernando Enrique Valencia Reactor de digestion por sumidero de energia
US10167556B2 (en) * 2014-03-14 2019-01-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Apparatus and method for depositing a coating on a substrate at atmospheric pressure
US9345121B2 (en) * 2014-03-28 2016-05-17 Agilent Technologies, Inc. Waveguide-based apparatus for exciting and sustaining a plasma
CN105136749B (zh) * 2015-08-20 2017-12-22 浙江全世科技有限公司 一种微波等离子体炬原子发射光谱仪
ES2609511B1 (es) * 2015-10-14 2018-01-24 Universidad de Córdoba Dispositivo y método para la síntesis de grafeno en polvo a partir de una fuente de carbono
US10710313B2 (en) 2016-11-07 2020-07-14 Iftikhar Ahmad Near-field microwave heating system and method
WO2018134502A1 (fr) 2017-01-23 2018-07-26 Rhodia Operations Procédé de préparation d'un oxyde mixte
EP3366647A1 (en) 2017-02-23 2018-08-29 Rhodia Operations Plasma synthesis of particles comprising a chalcogenide comprising a rare earth element
DE202017103165U1 (de) 2017-05-24 2017-06-22 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasma- oder Radikalstrahles
DE102017115438A1 (de) * 2017-06-06 2018-12-06 Fricke Und Mallah Microwave Technology Gmbh Vorrichtung zum erzeugen eines plasmastrahls im mhz- und ghzbereich mit tem- und hohlleitermoden
JP6579587B2 (ja) * 2017-09-20 2019-09-25 住友理工株式会社 プラズマ処理装置
KR101930726B1 (ko) * 2017-09-27 2018-12-19 포항공과대학교 산학협력단 전력 전달 효율이 향상된 마이크로파 플라즈마 발생기
US11330698B2 (en) 2017-12-04 2022-05-10 Postech Academy-Industry Foundation Method for expanding sheath and bulk of plasma by using double radio frequency
CN108449858A (zh) * 2018-05-18 2018-08-24 四川大学 基于同轴结构和终端压缩的等离子体射流发生器
JP7396508B2 (ja) * 2020-09-15 2023-12-12 株式会社島津製作所 ラジカル発生装置及びイオン分析装置
CN112996209B (zh) * 2021-05-07 2021-08-10 四川大学 一种微波激发常压等离子体射流的结构和阵列结构
CN114189973B (zh) * 2021-12-09 2023-12-29 浙江大学湖州研究院 一种具有双微波谐振腔的微波等离子体炬装置及其使用方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2533397A2 (fr) * 1982-09-16 1984-03-23 Anvar Perfectionnements aux torches a plasma
US5053678A (en) * 1988-03-16 1991-10-01 Hitachi, Ltd. Microwave ion source
JPH03222298A (ja) * 1990-01-26 1991-10-01 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ極微量元素分析装置
US5389153A (en) * 1993-02-19 1995-02-14 Texas Instruments Incorporated Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method
JPH07321096A (ja) * 1994-05-20 1995-12-08 Daihen Corp マイクロ波プラズマ処理装置
EP0727504A3 (en) * 1995-02-14 1996-10-23 Gen Electric Plasma coating process for improved adhesive properties of coatings on objects
DE19814812C2 (de) * 1998-04-02 2000-05-11 Mut Mikrowellen Umwelt Technol Plasmabrenner mit einem Mikrowellensender
KR19990068381A (ko) * 1999-05-11 1999-09-06 허방욱 마이크로웨이브플라즈마버너
JP3687484B2 (ja) * 1999-06-16 2005-08-24 株式会社村田製作所 セラミック基板の製造方法および未焼成セラミック基板
JP3497147B2 (ja) 2001-09-19 2004-02-16 株式会社エー・イー・ティー・ジャパン 超小形マイクロ波電子源
JP4746844B2 (ja) * 2003-10-03 2011-08-10 三井化学株式会社 放電プラズマ発生方法及び装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007157535A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Aet Inc 進行波形マイクロ波プラズマ発生装置
JP2009032545A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Md Luminous Kk マイクロ波プラズマニードル発生装置
JP2009070586A (ja) * 2007-09-10 2009-04-02 Imagineering Kk プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ生成装置用キャビティー及び計測装置
JP2010056063A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation 低電力携帯用マイクロ波プラズマ発生器
CN102238794A (zh) * 2010-04-27 2011-11-09 嘉兴江林电子科技有限公司 接触式等离子体放电笔
JP2012094367A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Ihi Corp プラズマ発生装置
KR101830007B1 (ko) * 2016-11-11 2018-02-19 한국기초과학지원연구원 동축 케이블 연결형 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
CN109119314A (zh) * 2017-06-23 2019-01-01 日新离子机器株式会社 等离子体源
JP2019008965A (ja) * 2017-06-23 2019-01-17 日新イオン機器株式会社 プラズマ源
CN109119314B (zh) * 2017-06-23 2020-10-09 日新离子机器株式会社 等离子体源
JP7475084B1 (ja) 2023-01-11 2024-04-26 株式会社アドテックプラズマテクノロジー 同軸型マイクロ波プラズマトーチ
WO2024150740A1 (ja) * 2023-01-11 2024-07-18 株式会社アドテックプラズマテクノロジー 同軸型マイクロ波プラズマトーチ

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