JP2005293955A - 同軸形マイクロ波プラズマトーチ - Google Patents
同軸形マイクロ波プラズマトーチ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005293955A JP2005293955A JP2004105472A JP2004105472A JP2005293955A JP 2005293955 A JP2005293955 A JP 2005293955A JP 2004105472 A JP2004105472 A JP 2004105472A JP 2004105472 A JP2004105472 A JP 2004105472A JP 2005293955 A JP2005293955 A JP 2005293955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outer conductor
- discharge tube
- conductor
- coaxial
- antenna
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 146
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/461—Microwave discharges
- H05H1/463—Microwave discharges using antennas or applicators
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/461—Microwave discharges
- H05H1/4637—Microwave discharges using cables
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/461—Microwave discharges
- H05H1/4622—Microwave discharges using waveguides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
【解決手段】 円柱形状を有する外側導体1と、外側導体の一端面4側に形成された軸方向の孔2に挿入され、固定された円筒状の放電管3と、一端が、外側から外側導体の他端面に取り付けられた同軸ケーブル6を備える。同軸ケーブルの一端には、その内部導体8に電気的に接続されたアンテナ9が備えられ、アンテナは、外側導体の他端面5および軸方向の孔の底面の間を軸方向に貫通する貫通孔11を通って放電管内にのび、同軸ケーブルの外部導体7は外側導体に電気的に接続され、外側導体には、放電管内にガスを供給するガス導入管路13が設けられる。
【選択図】 図1
Description
また好ましくは、前記ガス導入管路は、前記トーチ本体の外側から、前記外側導体および前記蓋の両方またはいずれか一方を貫通して前記外側導体および前記放電管の間の円筒状スペース内にのびた後、前記放電管に接続され、前記放電管における前記アンテナの先端近傍領域に開口している。あるいは、前記トーチ本体の前記蓋は、円柱状の誘電体からなる、前記外側導体内に挿入される差込部を少なくとも有し、前記放電管の一端は前記差込部に固定され、前記ガス導入管路は、前記トーチ本体の外側から、前記トーチ本体の前記外側導体を貫通する電気絶縁性をもつ管部分と、前記管部分に接続され、前記蓋の差込部を貫通する第1管路部分と、前記第1管路部分に接続され、前記アンテナ内部を内側にのびた後、そこから前記アンテナ内部をその先端に向かって軸方向にのび、前記先端に開口する第2管路部分とからなっている。
この実施例では、外側導体1は、一端面4側の円柱状の第1部分1aと、他端面5側の円柱状の第2部分1bの2つの部分を接合したものからなっている。また、軸方向の孔2は、外側導体1の中心軸に沿ってのび、放電管3は外側導体1と同軸に配置されている。また、放電管3は、石英管およびアルミナ管等の誘電体から形成されている。
アンテナ9は、高い電気伝導性を有する材料から形成されている。そして、アンテナ9と外側導体1の貫通孔11とは半径方向に間隔をあけて配置され、それによって、アンテナ9および外側導体1は互いに電気的に絶縁されている。アンテナ9には、プラズマ発生時に、プラズマへの不純物の混入を防止すべく、適当な表面コーティングが施されていることが好ましい。アンテナ9は、この実施例では、同軸ケーブル6の内部導体8とは別個のものとして形成されているが、アンテナ9を内部導体8から形成してもよい。
円筒状のスペース14は、伝送インピーダンスの整合をとるために使用される。伝送インピーダンスの整合は、同軸ケーブル6の内部導体8と外部導体7の径の比率と、アンテナ9の外径と外側導体1の内径の比率を一致させることによってなされる。この場合、外側導体1内部における円筒状のスペース14の半径方向の長さによって、外側導体1の内径が決定される。なお、外側導体1および放電管3の間に円筒状のスペース14を設ける必要がない場合もある。
アンテナ28は、高い電気伝導性を有する材料から形成されている。そして、アンテナ28と蓋23の貫通孔29とは半径方向に間隔をあけて配置され、それによって、アンテナ28および蓋23は互いに電気的に絶縁されている。アンテナ28には、プラズマ発生時にプラズマへの不純物の混入を防止すべく、適当な表面コーティングが施されていることが好ましい。この実施例では、アンテナ28は同軸ケーブル24の内部導体25とは別個のものとして形成されているが、アンテナ28を内部導体25から形成してもよい。
図3を参照して、トーチ本体20の40蓋は、円柱状の誘電体からなる、外側導体21内に挿入される差込部42と、差込部42の一端に設けられた導体からなるフランジ部41とから形成されている。そして、放電管22の一端は差込部42に固定されている。
2 軸方向の孔
3 放電管
4 一端面
5 他端面
6 同軸ケーブル
7 外部導体
8 内部導体
9 アンテナ
10 同軸コネクタ
11 貫通孔
12 ボルト
13 ガス導入管路
14 円筒状のスペース
Claims (7)
- 円柱形状を有する外側導体と、
前記外側導体の一端面側に形成された軸方向の孔に挿入され、固定された円筒状の放電管と、
一端が、外側から前記外側導体の他端面に取り付けられた、マイクロ波伝送用の同軸ケーブルと、を備え、
前記同軸ケーブルの一端には、その内部導体に電気的に接続されたアンテナが備えられ、前記外側導体には、その他端面側から前記軸方向の孔に向かって軸方向にのびる貫通孔が形成され、前記アンテナは、前記外側導体から電気的に絶縁された状態で前記貫通孔を通って前記放電管内にのび、前記同軸ケーブルの外部導体は前記外側導体に電気的に接続され、前記外側導体には、前記放電管内にガスを供給するガス導入管路が設けられていることを特徴とする同軸形マイクロ波プラズマトーチ。 - 前記外側導体の軸方向の孔の周面および前記放電管の外周面の間には、円筒状のスペースが形成され、前記円筒状のスペースは、前記外側導体の内部において、半径方向に予め決定された長さだけのび、前記軸方向の孔の底面から軸方向に任意の長さだけのびていることを特徴とする請求項1に記載の同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
- 円筒状の外側導体およびその内側に半径方向に間隔をあけて配置された円筒状の放電管からなる二重管構造を有するトーチ本体を備え、
前記トーチ本体の前記外側導体は、その一端開口を蓋によって閉じられ、前記放電管は、一端が前記蓋に固定され、他端が前記外側導体の他端開口から突出してのび、前記トーチ本体の前記外側導体の蓋には、外側から、マイクロ波伝送用の同軸ケーブルの一端が取り付けられ、前記同軸ケーブルの一端には、その内部導体に電気的に接続されたアンテナが備えられ、前記アンテナは、前記蓋から電気的に絶縁された状態で、前記蓋に形成された貫通孔を通って前記トーチ本体の前記放電管内に軸方向にのび、前記同軸ケーブルの外部導体は前記トーチ本体の前記外側導体に電気的に接続され、前記トーチ本体には、前記トーチ本体の前記放電管内にガスを供給するガス導入管路が設けられていることを特徴とする同軸形マイクロ波プラズマトーチ。 - 前記トーチ本体における前記外側導体および前記放電管の間に形成された円筒状スペース内には、円筒状の補助導体が前記外側導体の他端開口側から嵌め込まれ、前記補助導体は、前記外側導体の内周面との間および前記放電管の外周面との間にマイクロ波の漏れを生じさせることなく、かつ前記トーチ本体の前記外側導体と電気的に接触しつつ前記放電管の軸方向に沿ってスライド運動することによって、マイクロ波の位相を適当に変化させ得るようになっていることを特徴とする請求項3に記載の同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
- 前記ガス導入管路は、前記トーチ本体の外側から、前記外側導体および前記蓋の両方またはいずれか一方を貫通して前記外側導体および前記放電管の間の円筒状スペース内にのびた後、前記放電管に接続され、前記放電管における前記アンテナの先端近傍領域に開口していることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
- 前記トーチ本体の前記蓋は、円柱状の誘電体からなる、前記外側導体内に挿入される差込部を少なくとも有し、前記放電管の一端は前記差込部に固定され、前記ガス導入管路は、前記トーチ本体の外側から、前記トーチ本体の前記外側導体を貫通する電気絶縁性をもつ管部分と、前記管部分に接続され、前記蓋の差込部を貫通する第1管路部分と、前記第1管路部分に接続され、前記アンテナ内部を内側にのびた後、そこから前記アンテナ内部をその先端に向かって軸方向にのび、前記先端に開口する第2管路部分とからなっていることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
- 前記アンテナは、前記同軸ケーブルの内部導体からなっていることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の同軸形マイクロ波プラズマトーチ。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004105472A JP4109213B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 同軸形マイクロ波プラズマトーチ |
CA2561657A CA2561657C (en) | 2004-03-31 | 2005-03-25 | Coaxial microwave plasma torch |
US10/594,746 US7858899B2 (en) | 2004-03-31 | 2005-03-25 | Coaxial microwave plasma torch |
CNA2005800103115A CN1954647A (zh) | 2004-03-31 | 2005-03-25 | 同轴形微波等离子枪 |
KR1020067021870A KR20060134176A (ko) | 2004-03-31 | 2005-03-25 | 동축형 마이크로파 플라즈마 토오치 |
EP05726969.8A EP1734798B1 (en) | 2004-03-31 | 2005-03-25 | Coaxial microwave plasma torch |
PCT/JP2005/005523 WO2005099322A1 (ja) | 2004-03-31 | 2005-03-25 | 同軸形マイクロ波プラズマトーチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004105472A JP4109213B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 同軸形マイクロ波プラズマトーチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005293955A true JP2005293955A (ja) | 2005-10-20 |
JP4109213B2 JP4109213B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=35125482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004105472A Expired - Lifetime JP4109213B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 同軸形マイクロ波プラズマトーチ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7858899B2 (ja) |
EP (1) | EP1734798B1 (ja) |
JP (1) | JP4109213B2 (ja) |
KR (1) | KR20060134176A (ja) |
CN (1) | CN1954647A (ja) |
CA (1) | CA2561657C (ja) |
WO (1) | WO2005099322A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007157535A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Aet Inc | 進行波形マイクロ波プラズマ発生装置 |
JP2009032545A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Md Luminous Kk | マイクロ波プラズマニードル発生装置 |
JP2009070586A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Imagineering Kk | プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ生成装置用キャビティー及び計測装置 |
JP2010056063A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation | 低電力携帯用マイクロ波プラズマ発生器 |
CN102238794A (zh) * | 2010-04-27 | 2011-11-09 | 嘉兴江林电子科技有限公司 | 接触式等离子体放电笔 |
JP2012094367A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Ihi Corp | プラズマ発生装置 |
KR101830007B1 (ko) * | 2016-11-11 | 2018-02-19 | 한국기초과학지원연구원 | 동축 케이블 연결형 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치 |
CN109119314A (zh) * | 2017-06-23 | 2019-01-01 | 日新离子机器株式会社 | 等离子体源 |
JP7475084B1 (ja) | 2023-01-11 | 2024-04-26 | 株式会社アドテックプラズマテクノロジー | 同軸型マイクロ波プラズマトーチ |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8800482B2 (en) * | 2005-12-29 | 2014-08-12 | Exatec Llc | Apparatus and method of dispensing conductive material with active Z-axis control |
WO2008013112A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Tokyo Electron Limited | Source de plasma à micro-ondes et appareil de traitement plasma |
WO2009088864A1 (en) | 2007-12-31 | 2009-07-16 | Exatec, Llc | Apparatus and method for printing three-dimensional articles |
FR2952786B1 (fr) * | 2009-11-17 | 2012-06-08 | Centre Nat Rech Scient | Torche a plasma et procede de stabilisation d'une torche a plasma |
US10477665B2 (en) * | 2012-04-13 | 2019-11-12 | Amastan Technologies Inc. | Microwave plasma torch generating laminar flow for materials processing |
KR101614028B1 (ko) * | 2013-05-27 | 2016-04-20 | 가부시키가이샤 아도테쿠 프라즈마 테쿠노로지 | 마이크로파 플라즈마 발생장치의 공동 공진기 |
PE20141732A1 (es) * | 2013-09-17 | 2014-11-30 | Amador Fernando Enrique Valencia | Reactor de digestion por sumidero de energia |
US10167556B2 (en) * | 2014-03-14 | 2019-01-01 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Apparatus and method for depositing a coating on a substrate at atmospheric pressure |
US9345121B2 (en) * | 2014-03-28 | 2016-05-17 | Agilent Technologies, Inc. | Waveguide-based apparatus for exciting and sustaining a plasma |
CN105136749B (zh) * | 2015-08-20 | 2017-12-22 | 浙江全世科技有限公司 | 一种微波等离子体炬原子发射光谱仪 |
ES2609511B1 (es) * | 2015-10-14 | 2018-01-24 | Universidad de Córdoba | Dispositivo y método para la síntesis de grafeno en polvo a partir de una fuente de carbono |
US10710313B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-07-14 | Iftikhar Ahmad | Near-field microwave heating system and method |
WO2018134502A1 (fr) | 2017-01-23 | 2018-07-26 | Rhodia Operations | Procédé de préparation d'un oxyde mixte |
EP3366647A1 (en) | 2017-02-23 | 2018-08-29 | Rhodia Operations | Plasma synthesis of particles comprising a chalcogenide comprising a rare earth element |
DE202017103165U1 (de) | 2017-05-24 | 2017-06-22 | Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. | Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasma- oder Radikalstrahles |
DE102017115438A1 (de) * | 2017-06-06 | 2018-12-06 | Fricke Und Mallah Microwave Technology Gmbh | Vorrichtung zum erzeugen eines plasmastrahls im mhz- und ghzbereich mit tem- und hohlleitermoden |
JP6579587B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2019-09-25 | 住友理工株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR101930726B1 (ko) * | 2017-09-27 | 2018-12-19 | 포항공과대학교 산학협력단 | 전력 전달 효율이 향상된 마이크로파 플라즈마 발생기 |
US11330698B2 (en) | 2017-12-04 | 2022-05-10 | Postech Academy-Industry Foundation | Method for expanding sheath and bulk of plasma by using double radio frequency |
CN108449858A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-08-24 | 四川大学 | 基于同轴结构和终端压缩的等离子体射流发生器 |
JP7396508B2 (ja) * | 2020-09-15 | 2023-12-12 | 株式会社島津製作所 | ラジカル発生装置及びイオン分析装置 |
CN112996209B (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-10 | 四川大学 | 一种微波激发常压等离子体射流的结构和阵列结构 |
CN114189973B (zh) * | 2021-12-09 | 2023-12-29 | 浙江大学湖州研究院 | 一种具有双微波谐振腔的微波等离子体炬装置及其使用方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2533397A2 (fr) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Anvar | Perfectionnements aux torches a plasma |
US5053678A (en) * | 1988-03-16 | 1991-10-01 | Hitachi, Ltd. | Microwave ion source |
JPH03222298A (ja) * | 1990-01-26 | 1991-10-01 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ極微量元素分析装置 |
US5389153A (en) * | 1993-02-19 | 1995-02-14 | Texas Instruments Incorporated | Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method |
JPH07321096A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-08 | Daihen Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
EP0727504A3 (en) * | 1995-02-14 | 1996-10-23 | Gen Electric | Plasma coating process for improved adhesive properties of coatings on objects |
DE19814812C2 (de) * | 1998-04-02 | 2000-05-11 | Mut Mikrowellen Umwelt Technol | Plasmabrenner mit einem Mikrowellensender |
KR19990068381A (ko) * | 1999-05-11 | 1999-09-06 | 허방욱 | 마이크로웨이브플라즈마버너 |
JP3687484B2 (ja) * | 1999-06-16 | 2005-08-24 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板の製造方法および未焼成セラミック基板 |
JP3497147B2 (ja) | 2001-09-19 | 2004-02-16 | 株式会社エー・イー・ティー・ジャパン | 超小形マイクロ波電子源 |
JP4746844B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2011-08-10 | 三井化学株式会社 | 放電プラズマ発生方法及び装置 |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004105472A patent/JP4109213B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-25 EP EP05726969.8A patent/EP1734798B1/en active Active
- 2005-03-25 CN CNA2005800103115A patent/CN1954647A/zh active Pending
- 2005-03-25 CA CA2561657A patent/CA2561657C/en active Active
- 2005-03-25 US US10/594,746 patent/US7858899B2/en active Active
- 2005-03-25 KR KR1020067021870A patent/KR20060134176A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-03-25 WO PCT/JP2005/005523 patent/WO2005099322A1/ja active Application Filing
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007157535A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Aet Inc | 進行波形マイクロ波プラズマ発生装置 |
JP2009032545A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Md Luminous Kk | マイクロ波プラズマニードル発生装置 |
JP2009070586A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Imagineering Kk | プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ生成装置用キャビティー及び計測装置 |
JP2010056063A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation | 低電力携帯用マイクロ波プラズマ発生器 |
CN102238794A (zh) * | 2010-04-27 | 2011-11-09 | 嘉兴江林电子科技有限公司 | 接触式等离子体放电笔 |
JP2012094367A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Ihi Corp | プラズマ発生装置 |
KR101830007B1 (ko) * | 2016-11-11 | 2018-02-19 | 한국기초과학지원연구원 | 동축 케이블 연결형 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치 |
CN109119314A (zh) * | 2017-06-23 | 2019-01-01 | 日新离子机器株式会社 | 等离子体源 |
JP2019008965A (ja) * | 2017-06-23 | 2019-01-17 | 日新イオン機器株式会社 | プラズマ源 |
CN109119314B (zh) * | 2017-06-23 | 2020-10-09 | 日新离子机器株式会社 | 等离子体源 |
JP7475084B1 (ja) | 2023-01-11 | 2024-04-26 | 株式会社アドテックプラズマテクノロジー | 同軸型マイクロ波プラズマトーチ |
WO2024150740A1 (ja) * | 2023-01-11 | 2024-07-18 | 株式会社アドテックプラズマテクノロジー | 同軸型マイクロ波プラズマトーチ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2561657C (en) | 2014-07-29 |
EP1734798A4 (en) | 2009-07-29 |
EP1734798A1 (en) | 2006-12-20 |
CA2561657A1 (en) | 2005-10-20 |
KR20060134176A (ko) | 2006-12-27 |
EP1734798B1 (en) | 2016-03-09 |
CN1954647A (zh) | 2007-04-25 |
US7858899B2 (en) | 2010-12-28 |
US20070210038A1 (en) | 2007-09-13 |
JP4109213B2 (ja) | 2008-07-02 |
WO2005099322A1 (ja) | 2005-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4109213B2 (ja) | 同軸形マイクロ波プラズマトーチ | |
JP5165678B2 (ja) | ランプ | |
US4906898A (en) | Surface wave launchers to produce plasma columns and means for producing plasma of different shapes | |
JP4577684B2 (ja) | プラズマ発生装置及びその給電効率の最適化方法 | |
JP5443595B2 (ja) | マイクロ波で駆動される光源 | |
RU2552107C2 (ru) | Источник света | |
JP2003249197A (ja) | マイクロ波無電極放電ランプ点灯装置 | |
JPH11354297A (ja) | プラズマを発生させるための装置 | |
JP3149002B2 (ja) | 同軸形のマイクロ波プラズマ発生器 | |
WO2016084772A1 (ja) | 点火ユニット、点火システム、及び内燃機関 | |
WO2002082501A1 (en) | Electrodeless discharge lamps and bulb containing sulfur, selenium or tellurium | |
CN108353492B (zh) | 具有同轴施加器、用于产生等离子体的基本装置 | |
US20100074808A1 (en) | Plasma generating system | |
US5065075A (en) | Launcher suitable for exciting surface waves in a discharge tube | |
JP4440371B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
US20100074810A1 (en) | Plasma generating system having tunable plasma nozzle | |
JP2007157518A (ja) | マイクロ波装置 | |
US6624719B1 (en) | Reconfigurable electromagnetic waveguide | |
JP5493101B2 (ja) | マイクロ波放電ランプ | |
JP2015162267A (ja) | 浮遊電極がシールドされた誘導結合型マイクロプラズマ源 | |
WO2016108283A1 (ja) | 点火システム、及び内燃機関 | |
JP2004207011A (ja) | マイクロ波加熱装置 | |
JP5586137B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5115216B2 (ja) | マイクロ波放電ランプ | |
JP2011097446A (ja) | 同軸ケーブル装置ならびにそれを用いるプラズマ発生装置およびワーク処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070305 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080403 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4109213 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140411 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |