JP2005285978A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】TFT12は、チャネル形成領域を挟むようにソース・ドレイン領域が形成されている半導体層121と、チャネル形成領域に対応するように形成されているゲート絶縁膜124と、ゲート絶縁膜124を介してチャネル形成領域に対応するように形成されているゲート電極125bとを有し、ゲート絶縁膜124とゲート電極125bとの間には、ゲート絶縁膜124を保護する導電性の保護層125aが形成されている。
【選択図】図1
Description
Claims (11)
- 画素領域に画素部が形成されている基板と、
前記基板に形成され、前記画素部に接続しているトランジスタと
を備え、
前記トランジスタは、
チャネル形成領域を挟むように第1および第2のソース・ドレイン領域が形成されている半導体層と、
前記チャネル形成領域に対応するように形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域に対応するように形成されているゲート電極と
を有し、
前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との間には、前記ゲート絶縁膜を保護する導電性の保護層が形成されている
表示装置。 - 前記基板に形成され、前記画素部に接続しているキャパシタ
を備え、
前記キャパシタは、
第1電極と、
前記第1電極に形成された誘電体層と、
前記誘電体層を介して前記第1電極に対向している第2電極と、
を有し、
前記保護層は、前記ゲート絶縁膜よりも前記基板の反対側になるように形成され、
前記誘電体層は、少なくとも一部が前記保護層よりも前記基板の反対側になるよう形成されている
請求項1に記載の表示装置。 - 前記ゲート絶縁膜と前記誘電体層とは、互いに異なる材料で形成されている
請求項2に記載の表示装置。 - 前記誘電体層は、端部が前記保護層に対応するように形成されており、
前記第2電極は、前記誘電体層を被覆するように形成されると共に、端部が前記保護層に対応するように形成されている
請求項2に記載の表示装置。 - 前記トランジスタより前記基板側に形成されている層間絶縁膜と、
前記トランジスタより前記基板側に前記層間絶縁膜を介して形成されている配線層
を有し、
前記配線層は、前記層間絶縁膜に形成されているコンタクトホールに、前記ゲート電極が延在して埋め込まれることによって前記トランジスタに接続しており、
前記保護層は、前記コンタクトホールに延在して形成される前記ゲート電極と前記層間絶縁膜との間に形成されている
請求項1に記載の表示装置。 - 画素領域に画素部が形成されている基板と、前記基板に形成され、前記画素部に接続しているトランジスタと、前記基板に形成され、前記画素部に接続しているキャパシタとを備える表示装置の製造方法であって、
前記トランジスタを形成する工程は、
前記基板に半導体層を形成する第1工程と、
前記半導体層のチャネル形成領域に対応するようにゲート絶縁膜を形成する第2工程と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域に対応するようにゲート電極を形成する第3工程と、
前記チャネル形成領域を挟むように第1および第2のソース・ドレイン領域を前記半導体層に形成する第4工程と
を含み、
前記キャパシタを形成する工程は、
前記基板に第1電極を形成する第5工程と、
前記第1電極に誘電体層を形成する第6工程と、
前記誘電体層を介して前記第1電極に対応するように第2電極を形成する第7工程と
を含み、
前記第2工程の後であって前記第3工程と前記第6工程との前に、前記ゲート絶縁膜を保護する保護層を、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との間に対応するように導電性材料によって形成する第8工程
を有する
表示装置の製造方法。 - 前記第1工程と前記第5工程とにおいては、
前記半導体層と前記第1電極との両方の形成領域を含むように第1導電層を形成した後に、前記第1導電層をパターン加工することにより、前記半導体層と前記第1電極を形成する
請求項6に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第2工程と前記第6工程とにおいては、
前記ゲート絶縁膜と前記誘電体層とを異なる材料によりそれぞれ形成する
請求項6に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第3工程と前記第7工程とにおいては、
前記ゲート電極と前記第2電極との両方の形成領域を含むように第2導電層を形成した後に、前記第2導電層をパターン加工することにより、前記ゲート電極と前記第1電極を形成する
請求項6に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第6工程においては、前記誘電体層の端部を前記保護層に対応するように形成し、
前記第7工程においては、前記誘電体層を被覆するように形成すると共に、前記第2電極の端部を前記保護層に対応するように形成する
請求項6に記載の表示装置の製造方法。 - 前記トランジスタを形成する工程の前に、
前記トランジスタと接続する配線層を前記基板に形成する第9工程と、
前記配線層を被覆する層間絶縁膜を形成する第10工程と、
を有し、
前記第3工程においては、前記配線層と前記トランジスタとを接続させるコンタクトホールを形成した後に、前記コンタクトホールに前記ゲート電極を延在して埋め込むように形成し、前記トランジスタと前記配線層とを接続させ、
前記第8工程においては、前記コンタクトホールに延在して形成される前記ゲート電極と前記層間絶縁膜との間に対応するように前記保護層を形成する
請求項6に記載の表示装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2011049321A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08213626A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-20 | Sony Corp | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
JPH1096956A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Toshiba Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2002122881A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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