JP2005284544A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 負の温度係数を有する電圧Vpnを生成して出力する第1の電圧源回路2を構成するn型トランジスタM1及びM2のゲート酸化膜厚をそれぞれ40nm以上にした。更に、正の温度係数を有する電圧Vnnを生成し、該生成した電圧Vnnと前記フィードバック回路3からの電圧V2を加算して前記基準電圧Vrefを生成し出力する第2の電圧源回路4を構成するn型トランジスタM3及びM4のゲート酸化膜厚をそれぞれ40nm以上にした。
【選択図】 図1
Description
図4の基準電圧発生回路において、nチャネル型電界効果トランジスタ(以下、n型トランジスタと呼ぶ)M1〜M4は、基板やチャネルドープの不純物濃度が等しく、n型基板のpウェル内に形成され、各n型トランジスタM1〜M4の基板電位はソース電位と等しい。また、n型トランジスタM1は高濃度n型ゲートを持ち、n型トランジスタM2は高濃度p型ゲートを持ち、n型トランジスタM1及びM2のチャネル幅Wとチャネル長Lとの比S(=W/L)は互いに等しい。
V1=Vpn
V2=R2×Vpn/(R1+R2)
となる。
V3=V2−(−Vnn)
=R2×Vpn/(R1+R2)+Vnn
=Vref
となる。
Vmin=Vpn+Vgs5+Vds1………………(a)
2V以下の低電圧動作を行うことを考慮すると、n型トランジスタM1とM2のゲートの仕事関数差で電圧Vpnを発生させるので、電圧Vpnとn型トランジスタM1のドレイン‐ソース間電圧Vds1は変更することができない。したがって、n型トランジスタM5はデプレッション型トランジスタを使用する必要がある。
Vds2<(Vpn+Vgs5)(=VA)………………(b)
すなわち、第2段目から決まるノードNAの電圧VA(=V1+Vgs5)を、n型トランジスタM2のドレイン‐ソース間電圧Vds2よりも大きくする必要がある。ここで、n型トランジスタM5はデプレッションタイプであることから、プロセス変動や温度変動を考慮に入れると、例えばn型トランジスタM2のしきい値電圧Vth2を0.5Vとし、n型トランジスタM5のしきい値電圧Vth5を−0.5Vとすると、周囲温度Taが100℃では、ドレイン‐ソース間電圧Vds2は約0.6Vに、電圧VAは約0.5Vにそれぞれなり、前記(b)式を満たさなくなる場合があった。
前記(a)式を満たさないことから、n型トランジスタM2のドレイン電圧Vd2は、本来必要な飽和領域のVd2Aから非飽和領域のVd2Bに小さくなる。一方、n型トランジスタM2のドレイン電流id2は、定電流源であるn型トランジスタM1で決まるため一定である。したがって、n型トランジスタM2は、ゲート電圧Vg2をVpnから(Vpn+ΔVpn)に上昇させて一定のドレイン電流id2Aを流す。
V1=Vpn+ΔVpn………………(c)
V2=R2/(R1+R2)×(Vpn+ΔVpn)………………(d)
V3=V2−(−Vnn)
=R2/(R1+R2)×(Vpn+ΔVpn)+Vnn
=Vref………………(e)
また、図4の回路は、n型トランジスタM1及びM4は、それぞれソースとゲートが接続されて定電流源をなしているため、低消費電力化を図るためには、n型トランジスタM1及びM4のゲート長Lをそれぞれ大きくする必要があり、面積の増大を招いていた。
異種導電型のゲートを持つ複数の電界効果トランジスタで構成され、負の温度係数を有する電圧Vpnを生成して出力する第1の電圧源回路部と、
該電圧Vpnに比例した電圧V2を生成して出力する比例電圧生成回路部と、
同一の導電型で不純物濃度の異なるゲートを持つ複数の電界効果トランジスタで構成され、正の温度係数を有する電圧Vnnを生成すると共に該生成した電圧Vnnと前記比例電圧生成回路部からの比例電圧V2を加算して前記所定の基準電圧を生成し出力する第2の電圧源回路部と、
を備え、
前記第1の電圧源回路部の各電界効果トランジスタは、それぞれゲート酸化膜厚が40nm以上であるものである。
更に、第2の電圧源回路部を構成する各電界効果トランジスタのゲート酸化膜厚をそれぞれ40nm以上にしたことから、プロセスの変動や温度変動に対する基準電圧の変動を更に小さくして基準電圧を安定化させることができる。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態における基準電圧発生回路の構成例を示した図である。
図1において、基準電圧発生回路1は、n型基板上に構築されており、負の温度係数を有する電圧Vpnを生成し、正の温度係数を有する電圧Vnnを生成すると共に生成した該電圧Vpnの負の温度係数を、生成した該電圧Vnnの正の温度係数で打ち消すようにして温度係数を持たない所定の基準電圧Vrefを生成して出力する。
次に、第2の電圧源回路4は、n型トランジスタM3及びM4で構成されている。n型トランジスタM3及びM4は、基板やチャネルドープの不純物濃度が等しく、n型基板のpウェル内にそれぞれ形成され、各トランジスタの基板電位がそれぞれのソース電位と等しい。
V1=Vpn………………(1)
V2=R2/(R1+R2)×Vpn………………(2)
V3=V2−(−Vnn)
=R2/(R1+R2)×Vpn+Vnn
=Vref………………(3)
図2において、n型トランジスタM2のゲート酸化膜厚Toxが薄いときは、定電流源であるn型トランジスタM1のゲート酸化膜厚も同様に薄いので、ドレイン電流id2はid2aになり、ドレイン電流id2が飽和するときのドレイン電圧Vd2(以下、このドレイン電圧を飽和電圧と呼ぶ。)はVd2aである。同様に、ゲート酸化膜厚Toxが厚いときは、ドレイン電流id2はid2bになり、飽和電圧はVd2bである。図2から明らかなように、ゲート酸化膜厚Toxを厚くすることで、飽和電圧を小さくすることができる。
Vds2<(Vpn+Vgs5)(=VA)………………(4)
すなわち、ノードNAの電圧VA(=V1+Vgs5)を、n型トランジスタM2のドレイン‐ソース間電圧Vds2よりも大きくする必要がある。
ここで、図3は、n型トランジスタM2におけるゲート酸化膜厚Toxと飽和電圧との関係の実験結果を示している。
2 第1の電圧源回路
3 フィードバック回路
4 第2の電圧源回路
M1〜M5 n型トランジスタ
R1,R2 抵抗
Claims (2)
- 所定の基準電圧を生成して出力する基準電圧発生回路において、
異種導電型のゲートを持つ複数の電界効果トランジスタで構成され、負の温度係数を有する電圧Vpnを生成して出力する第1の電圧源回路部と、
該電圧Vpnに比例した電圧V2を生成して出力する比例電圧生成回路部と、
同一の導電型で不純物濃度の異なるゲートを持つ複数の電界効果トランジスタで構成され、正の温度係数を有する電圧Vnnを生成すると共に該生成した電圧Vnnと前記比例電圧生成回路部からの比例電圧V2を加算して前記所定の基準電圧を生成し出力する第2の電圧源回路部と、
を備え、
前記第1の電圧源回路部の各電界効果トランジスタは、それぞれゲート酸化膜厚が40nm以上であることを特徴とする基準電圧発生回路。 - 前記第2の電圧源回路部の各電界効果トランジスタは、それぞれゲート酸化膜厚が40nm以上であることを特徴とする請求項1記載の基準電圧発生回路。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8174319B2 (en) | 2010-01-12 | 2012-05-08 | Ricoh Company, Ltd. | Amplifier |
EP2846214A1 (en) * | 2013-08-23 | 2015-03-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Bias circuit |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284464A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-10-12 | Ricoh Co Ltd | 電界効果トランジスタを用いた電圧発生回路及び基準電圧源回路 |
JP2002270781A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及び定電圧回路 |
JP2003279420A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Ricoh Co Ltd | 温度検出回路 |
JP2003283258A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Ricoh Co Ltd | 低電圧動作の基準電圧源回路 |
JP2004128052A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005044051A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
JP2005071172A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
-
2004
- 2004-03-29 JP JP2004095555A patent/JP2005284544A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284464A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-10-12 | Ricoh Co Ltd | 電界効果トランジスタを用いた電圧発生回路及び基準電圧源回路 |
JP2002270781A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及び定電圧回路 |
JP2003283258A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Ricoh Co Ltd | 低電圧動作の基準電圧源回路 |
JP2003279420A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Ricoh Co Ltd | 温度検出回路 |
JP2004128052A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005044051A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
JP2005071172A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8174319B2 (en) | 2010-01-12 | 2012-05-08 | Ricoh Company, Ltd. | Amplifier |
EP2846214A1 (en) * | 2013-08-23 | 2015-03-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Bias circuit |
CN104424879A (zh) * | 2013-08-23 | 2015-03-18 | 三星显示有限公司 | 对电源变化不灵敏的恒定跨导偏置电路及其显示器 |
US9294039B2 (en) | 2013-08-23 | 2016-03-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Constant GM bias circuit insensitive to supply variations |
CN104424879B (zh) * | 2013-08-23 | 2018-11-06 | 三星显示有限公司 | 对电源变化不灵敏的恒定跨导偏置电路及其显示器 |
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