JP2005279536A - 水素透過膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 水素透過膜234は、Vを含む金属ベース層Laと、金属ベース層Laの両面にAgにより形成された2つの第一中間層Lb1,Lb2と、第一中間層のうち金属ベース層が形成されていない面にOsにより形成された2つの第二中間層Lc1,Lc2と、Pdを含む2つの被覆層Ld1,Ld2と、を備えている。
【選択図】 図3
Description
水素を選択的に透過させる水素透過膜であって、
VA族元素を含む金属ベース層と、
Pd(パラジウム)を含む被膜層と、
前記VA族元素および/または前記Pd(パラジウム)との固溶可能量が所定値以下である元素からなる、前記金属ベース層と前記被膜層との間に形成された中間層と
を備えることを特徴とする。
する元素は、1種類である必要はない。つまり、中間層は、VA族元素および/またはPd(パラジウム)との固溶可能量が所定値以下である複数種類の元素から形成されていても良い。
前記中間層を形成する前記元素は、前記VA族元素および/または前記Pd(パラジウム)と、金属間化合物を形成しない元素であるものとしても良い。
前記中間層を形成する前記元素は、Ca(カルシウム)、Gd(ガドリニウム)、Os(オスミウム)、W(タングステン)、Ru(ルテニウム)、Re(レニウム)のうち少なくとも1つであるものとしても良い。
前記金属ベース層はV(バナジウム)であり、
前記中間層を形成する前記元素は、Ag(銀)、Be(ベリリウム)、Ce(セリウム)、Cu(銅)、Er(エルビウム)、Eu(ユウロピウム)、Ge(ゲルマニウム)、Hf(ハフニウム)、Ho(ホルミウム)、La(ランタン)、Lu(ルテチウム)、Nd(ネオジム)、Pm(プロメチウム)、Pr(プラセオジム)、Pu(プルトニウム)、Sc(スカンジウム)、Si(ケイ素)、Sm(サマリウム)、Te(テルル)、Th(トリウム)、U(ウラン)、Y(イットリウム)、Zn(亜鉛)、Zr(ジルコニウム)のうち少なくとも1つであるものとしても良い。
前記中間層は、
前記VA族元素との固溶可能量が第一の所定値以下である元素からなる、前記金属ベース層の2つの面のうちの少なくとも一方に形成された第一中間層と、
前記Pd(パラジウム)との固溶可能量が第二の所定値以下であって、前記第一中間層を形成する元素との固溶可能量が第三の所定値以下である元素からなる、前記第一中間層と前記被膜層との間に形成された第二中間層と
を備えた中間層であるものとしても良い。
第二中間層を形成する元素−第一中間層を形成する元素
として示す。
前記第一中間層を形成する前記元素は、前記第二中間層を形成する前記元素と、金属間化合物を形成しない元素であるものとしても良い。
(a)VA族元素を含む金属ベース層を準備する工程と、
(b)前記VA族元素および/またはPd(パラジウム)との固溶可能量が所定値以下である元素からなる中間層を、前記金属ベース層の2つの面のうちの少なくとも一方に形成する工程と、
(c)前記中間層の2つの面のうち、前記金属ベース層が形成されていない面に、Pd(パラジウム)を含む被膜層を形成する工程と
を備えることを特徴とする。
前記VA族元素との固溶可能量が第一の所定値以下である元素からなる第一中間層と、
前記Pd(パラジウム)との固溶可能量が第二の所定値以下であって、前記第一中間層を形成する元素との固溶可能量が第三の所定値以下である元素からなる第二中間層と
を備え、
前記工程(b)は、
前記第一中間層を、前記金属ベース層の2つの面のうちの少なくとも一方に形成する工程と、
前記第二中間層を、前記第一中間層の2つの面のうち、前記金属ベース層が形成されていない面に形成する工程と
を備えることを特徴とするものとしても良い。
A.燃料電池システム:
B.水素透過膜:
B−1.水素透過膜の構造:
B−2.水素透過膜の製造方法:
B−3.効果:
C.変形例:
次に、本発明の実施の形態を説明する。図2は、本発明の実施形態における燃料電池システムの概略構成を示す説明図である。この燃料電池システムは、燃料電池100と、燃料電池100に水素ガスを含む燃料ガスを供給する燃料ガス供給部200と、燃料電池100に酸素ガスを含む酸化ガスを供給する酸化ガス供給部300と、を備えている。なお、燃料電池100は、比較的小型で発電効率に優れる固体高分子型の燃料電池である。
CO + H2O → CO2 + H2 ...(2)
CH3OH + H2O → CO2 + 3H2 ...(3)
B−1.水素透過膜の構造:
図3は、図2に示す水素透過膜234の断面を模式的に示す説明図である。図示するように、水素透過膜234は、7層構造を有している。具体的には、水素透過膜は、1つの金属ベース層Laと、金属ベース層の両面に形成された第一中間層Lb1,Lb2と、各第一中間層の外面に形成された第二中間層Lc1,Lc2と、各第二中間層の外面に形成された2つの被覆層Ld1,Ld2と、を備えている。金属ベース層と第一中間層と第二中間層と被覆層とは、例えば、約20μm、約0.1μm、約0.1μm、約0.3μmの厚みでそれぞれ形成される。なお、第一中間層と第二中間層は併せて中間層である。
第二中間層を形成する元素(αat%)−第一中間層を形成する元素(βat%)
と表記する。この表記は、第二中間層を形成する元素に対して、第一中間層を形成する元素がαat%固溶可能であり、第一中間層を形成する元素に対して、第二中間層を形成する元素がβat%固溶可能であることを示す。
Os(0 at%)−Cu(0 at%)
Os(0 at%)−Pr(0 at%)
Os(0 at%)−Pu(0 at%)
Os(0 at%)−Th(0 at%)
Os(1.0at%)−U (0 at%)
Os(0 at%)−Y (0 at%)
Re(0 at%)−Ag(0 at%)
Re(0 at%)−Cu(0 at%)
Re(0 at%)−Er(0 at%)
Re(0 at%)−La(0 at%)
Re(0 at%)−Pr(0 at%)
Re(0 at%)−Pu(0 at%)
Re(3.0at%)−Sc(0 at%)
Re(0 at%)−Th(0 at%)
Re(2.0at%)−U (0 at%)
Re(0 at%)−Y (0 at%)
Ru(0 at%)−Ag(0 at%)
Ru(0 at%)−Ce(0 at%)
Ru(0 at%)−Cu(0 at%)
Ru(0 at%)−Er(0 at%)
Ru(0 at%)−Ho(0 at%)
Ru(0 at%)−La(0 at%)
Ru(0 at%)−Lu(0 at%)
Ru(0 at%)−Nd(0 at%)
Ru(0 at%)−Pr(0 at%)
Ru(0 at%)−Pu(0 at%)
Ru(0 at%)−Sc(0 at%)
Ru(0 at%)−Sm(0 at%)
Ru(0 at%)−Th(0 at%)
Ru(0 at%)−U (0 at%)
Ru(0 at%)−Y (0 at%)
Ru(0 at%)−Te(0 at%)
を使用しても良い。
Os(0 at%)−Cu(0 at%)
Re(0 at%)−Ag(0 at%)
Re(0 at%)−Cu(0 at%)
Re(0 at%)−La(0 at%)
Re(0 at%)−Pr(0 at%)
Ru(0 at%)−Ag(0 at%)
Ru(0 at%)−Cu(0 at%)
Pd(αat%)−Y(βat%)
と表記した場合は、Y元素がPdとの固溶可能量が所定値以下である元素である。また、Pdに対して、Y元素はαat%固溶可能であり、Y元素に対して、Pdはβat%固溶可能であることを示す。
Pd(10.0at%)−Gd(1.0at%)
Pd( 2.0at%)−Os(2.0at%)
Pd(20.0at%)−W (2.0at%)
Pd( 2.0at%)−Ru(8.0at%)
Pd( 9.0at%)−Re(2.0at%)
V(3.0at%)−Be(7.7at%)
V(0 at%)−Ce(0 at%)
V(2.0at%)−Cu(0 at%)
V(0 at%)−Er(0 at%)
V(0 at%)−Eu(0 at%)
V(3.0at%)−Ge(0 at%)
V(0 at%)−Hf(0 at%)
V(0 at%)−Ho(0 at%)
V(0 at%)−La(0 at%)
V(0 at%)−Lu(0 at%)
V(0 at%)−Nd(0 at%)
V(0 at%)−Pm(0 at%)
V(0 at%)−Pr(0 at%)
V(0 at%)−Pu(0 at%)
V(0 at%)−Sc(0 at%)
V(4.0at%)−Si(0 at%)
V(0 at%)−Sm(0 at%)
V(0 at%)−Te(0 at%)
V(0 at%)−Th(0 at%)
V(2.0at%)−U (0 at%)
V(0 at%)−Y (0 at%)
V(0 at%)−Zn(0 at%)
V(2.0at%)−Zr(2.0at%)
図4は、水素透過膜の作製手順を示すフローチャートである。ステップS101では、Vで構成されるベース層(箔)が準備される。Vベース層は、アルカリ溶液でエッチングされ、表面に形成された酸化膜等の不純物が除去される。このようにすれば、不純物が残存することに起因する水素透過膜の水素透過性能の低下を低減させることができる。
以上説明したように、本実施形態の水素透過膜によれば、水素透過性能劣化の原因となる金属ベース層と被覆層の相互拡散を抑制し、水素透過膜の寿命を延ばすことができる。
なお、この発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
200...燃料ガス供給部
212...原料タンク
214...水タンク
222,224...蒸発器
230...燃料ガス生成部
232...改質部
234...水素透過膜
236...抽出部
240...燃焼部
250...凝縮器
300...酸化ガス供給部
310...ブロワ
La...金属ベース層
Lb1,Lb2...第一中間層
Lc1,Lc2...第二中間層
Ld1,Ld2...被覆層
Claims (9)
- 水素を選択的に透過させる水素透過膜であって、
VA族元素を含む金属ベース層と、
Pd(パラジウム)を含む被膜層と、
前記VA族元素および/または前記Pd(パラジウム)との固溶可能量が所定値以下である元素からなる、前記金属ベース層と前記被膜層との間に形成された中間層と
を備えることを特徴とする水素透過膜。 - 請求項1記載の水素透過膜であって、
前記中間層を形成する前記元素は、前記VA族元素および/または前記Pd(パラジウム)と、金属間化合物を形成しない元素である
水素透過膜。 - 請求項1記載の水素透過膜であって、
前記中間層を形成する前記元素は、Ca(カルシウム)、Gd(ガドリニウム)、Os(オスミウム)、W(タングステン)、Ru(ルテニウム)、Re(レニウム)のうち少なくとも1つである
水素透過膜。 - 請求項1記載の水素透過膜であって、
前記金属ベース層はV(バナジウム)であり、
前記中間層を形成する前記元素は、Ag(銀)、Be(ベリリウム)、Ce(セリウム)、Cu(銅)、Er(エルビウム)、Eu(ユウロピウム)、Ge(ゲルマニウム)、Hf(ハフニウム)、Ho(ホルミウム)、La(ランタン)、Lu(ルテチウム)、Nd(ネオジム)、Pm(プロメチウム)、Pr(プラセオジム)、Pu(プルトニウム)、Sc(スカンジウム)、Si(ケイ素)、Sm(サマリウム)、Te(テルル)、Th(トリウム)、U(ウラン)、Y(イットリウム)、Zn(亜鉛)、Zr(ジルコニウム)のうち少なくとも1つである
水素透過膜。 - 請求項1記載の水素透過膜であって、
前記中間層は、
前記VA族元素との固溶可能量が第一の所定値以下である元素からなる、前記金属ベース層の2つの面のうちの少なくとも一方に形成された第一中間層と、
前記Pd(パラジウム)との固溶可能量が第二の所定値以下であって、前記第一中間層を形成する元素との固溶可能量が第三の所定値以下である元素からなる、前記第一中間層と前記被膜層との間に形成された第二中間層と
を備えた中間層であることを特徴とする水素透過膜。 - 請求項5記載の水素透過膜であって、
前記第一中間層を形成する前記元素は、前記第二中間層を形成する前記元素と、金属間化合物を形成しない元素である
水素透過膜。 - 請求項1記載の水素透過膜であって、
前記中間層と前記被膜層は、前記金属ベース層の両面にそれぞれ形成されている
水素透過膜。 - 水素を選択的に透過させる水素透過膜の製造方法であって、
(a)VA族元素を含む金属ベース層を準備する工程と、
(b)前記VA族元素および/またはPd(パラジウム)との固溶可能量が所定値以下である元素からなる中間層を、前記金属ベース層の2つの面のうちの少なくとも一方に形成する工程と、
(c)前記中間層の2つの面のうち、前記金属ベース層が形成されていない面に、Pd(パラジウム)を含む被膜層を形成する工程と
を備えることを特徴とする製造方法。 - 請求項8記載の製造方法であって、
前記中間層は、
前記VA族元素との固溶可能量が第一の所定値以下である元素からなる第一中間層と、
前記Pd(パラジウム)との固溶可能量が第二の所定値以下であって、前記第一中間層を形成する元素との固溶可能量が第三の所定値以下である元素からなる第二中間層と
を備え、
前記工程(b)は、
前記第一中間層を、前記金属ベース層の2つの面のうちの少なくとも一方に形成する工程と、
前記第二中間層を、前記第一中間層の2つの面のうち、前記金属ベース層が形成されていない面に形成する工程と
を備えることを特徴とする製造方法。
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JP2004099717A JP2005279536A (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 水素透過膜 |
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---|---|---|---|---|
JP2008307530A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-12-25 | Ihi Corp | 水素分離膜 |
JP2011512664A (ja) * | 2008-02-14 | 2011-04-21 | バッツキャップ | 超コンデンサの過圧を防ぐための装置 |
JP2011143335A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 水素分離装置及び水素分離装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-03-30 JP JP2004099717A patent/JP2005279536A/ja active Pending
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