JP2005277102A - 有機半導体薄膜トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本願発明においては、活性層がp型有機半導体により構成される薄膜トランジスタにあって、その有機半導体の溶液中に、該半導体よりも仕事関数が小さい微粒子を分散させることで、活性層用の半導体材料とした。
【選択図】 図2
Description
<参考例1>
クロロフォルム溶液中にポリ(3−ヘキシルチオフェン)(アルドリッチ製)を重量濃度で5wt%となるように溶解したものを、半導体溶液を調整した。次に、シリコン熱酸化膜300nmを絶縁層として育成したn型シリコン基板を、純水にて希釈した中性洗剤(井内盛栄堂社:ピュアソフト)にて超音波洗浄を行い、その後、純水中、超音波洗浄にて洗剤除去を行った。さらにその後、紫外線照射下オゾン洗浄器にて20分間紫外線照射洗浄を行った。このようにして洗浄した基板上に、先に調整した微粒子を分散させた半導体溶液をドロップキャスティング法により作製した。この時の半導体層の膜厚は約50nmである。この上から、ソースおよびドレイン電極をグラファイトペーストによりディスペンサを用いてトップコンタクト配置で形成した。この際、電極間距離は50μm、それぞれの電極長は200μmとした。このようにして作製したトランジスタ素子の電流特性は、10−4Paの真空度にまで減圧し、遮光下で測定した。図1にソース−ドレイン間電流のゲート電圧依存性を実線で示す。この時、ゲート電圧0Vの時の電流値は、10−6A程度を示した。
<参考例2>
<参考例3>
Claims (8)
- 活性層がp型有機半導体により構成される薄膜トランジスタにおいて、該半導体中に、該半導体の仕事関数より小さい仕事関数を有する微粒子を分散させたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 上記微粒子は、銀、カルシウム、インジウム、アルミニウム、マグネシウム、鉛、セシウム、ルビジウム、カリウム、ナトリウム若しくはリチウム又はこれらを複数組み合わせた材料から選択される金属であることを特徴とする請求項1に記載された薄膜トランジスタ。
- 上記金属の微粒子の粒径は、10nm以上500nm以下であることを特徴とする請求項2に記載された薄膜トランジスタ。
- 上記微粒子は、酸化亜鉛、酸化チタン又は硫化カドミウムの中から選ばれた半導体微粒子であることを特徴とする請求項1に記載された薄膜トランジスタ。
- 上記半導体は、ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリトリアリルアミン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェノール、ポリアニリン、ポリフェニレンチオフェン又はこれらの末端若しくはその側鎖が置換された誘導体のポリマーから選択されることを特徴とする請求項1に記載された薄膜トランジスタ。
- 請求項1乃至5に記載された薄膜トランジスタを用いて作製することを特徴とする表示素子。
- 上記表示素子の表示部は、電界発光素子、液晶素子又は電気泳動素子であることを特徴とする請求項7に記載された表示素子。
- 請求項1乃至5に記載された薄膜トランジスタは、溶液状態の原料を用いて液相プロセスにより作製されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
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2004
- 2004-03-24 JP JP2004088087A patent/JP4304275B2/ja not_active Expired - Lifetime
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