JP2009266865A - 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】閾値電圧が十分に制御可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極4、ゲート絶縁層3、活性層2、ソース電極5及びドレイン電極6を備える有機薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁層3と活性層2との間に、電子受容性化合物又は電子供与性化合物7を含む層を有する有機薄膜トランジスタ;ゲート電極4、ゲート絶縁層3、活性層2、ソース電極5及びドレイン電極6を備える有機薄膜トランジスタの製造方法であって、前記ゲート絶縁層3と活性層2との間に電子受容性化合物又は電子供与性化合物7を含む層を形成する工程を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法。
【選択図】図1
【解決手段】ゲート電極4、ゲート絶縁層3、活性層2、ソース電極5及びドレイン電極6を備える有機薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁層3と活性層2との間に、電子受容性化合物又は電子供与性化合物7を含む層を有する有機薄膜トランジスタ;ゲート電極4、ゲート絶縁層3、活性層2、ソース電極5及びドレイン電極6を備える有機薄膜トランジスタの製造方法であって、前記ゲート絶縁層3と活性層2との間に電子受容性化合物又は電子供与性化合物7を含む層を形成する工程を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法。
【選択図】図1
Description
本発明は、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。
有機薄膜トランジスタは、アクティブマトリックス駆動方式の液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等の画素駆動スイッチング素子として用いられている。この画素駆動スイッチング素子には、閾値電圧(即ち、有機薄膜トランジスタが作動するゲート電圧)を十分に制御する技術が求められている。
代表的な有機半導体であるペンタセンを活性層に用いた有機薄膜トランジスタの閾値電圧は、通常、マイナス十数ボルトであるが、このように閾値電圧が高いと消費電力が大きくなる。この場合、閾値電圧を+側にシフトさせて0に近づけることが望まれる。
もう一つの代表的な有機半導体であるポリ−3−ヘキシルチオフェン(P3HT)を活性層に用いた有機薄膜トランジスタの閾値電圧は、通常、+側であり、ゲート電圧を印加しない状態であってもソース・ドレイン間に電流が流れる、所謂ノーマリーオン型となることがある。ノーマリーオン型の有機薄膜トランジスタでは、オフ状態にするために、常にゲート電極に電圧を印加する必要がある。この場合、閾値電圧を−側にシフトさせて0に近づけることが望まれる。
代表的な有機半導体であるペンタセンを活性層に用いた有機薄膜トランジスタの閾値電圧は、通常、マイナス十数ボルトであるが、このように閾値電圧が高いと消費電力が大きくなる。この場合、閾値電圧を+側にシフトさせて0に近づけることが望まれる。
もう一つの代表的な有機半導体であるポリ−3−ヘキシルチオフェン(P3HT)を活性層に用いた有機薄膜トランジスタの閾値電圧は、通常、+側であり、ゲート電圧を印加しない状態であってもソース・ドレイン間に電流が流れる、所謂ノーマリーオン型となることがある。ノーマリーオン型の有機薄膜トランジスタでは、オフ状態にするために、常にゲート電極に電圧を印加する必要がある。この場合、閾値電圧を−側にシフトさせて0に近づけることが望まれる。
そこで、本発明の目的は、閾値電圧が十分に制御可能な有機薄膜トランジスタを提供することにある。
本発明は第一に、ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極及びドレイン電極を備える有機薄膜トランジスタであって、前記絶縁層と活性層との間に、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
本発明は第二に、ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極、及び電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を備える有機薄膜トランジスタの製造方法であって、前記絶縁層と前記活性層との間に前記電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を形成する工程を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
本発明は第三に、ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極、及び前記絶縁層と前記活性層との間に設けられた電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を備える有機薄膜トランジスタにおいて、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層の厚さを変化させることを含む、有機薄膜トランジスタの閾値電圧の制御方法を提供する。
本発明は第二に、ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極、及び電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を備える有機薄膜トランジスタの製造方法であって、前記絶縁層と前記活性層との間に前記電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を形成する工程を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
本発明は第三に、ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極、及び前記絶縁層と前記活性層との間に設けられた電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を備える有機薄膜トランジスタにおいて、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層の厚さを変化させることを含む、有機薄膜トランジスタの閾値電圧の制御方法を提供する。
本発明の有機薄膜トランジスタは、閾値電圧が十分に制御可能な有機薄膜トランジスタである。また、本発明の製造方法は、閾値電圧が十分に制御可能な有機薄膜トランジスタを容易に製造することができる製造方法である。そして、本発明の制御方法は、有機薄膜トランジスタの閾値電圧を十分に制御可能な制御方法である。従って、この有機薄膜トランジスタは、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、電子ペーパー等の表示装置、電子タグ等のスイッチング用素子、液晶表示素子等に有用である。
<有機薄膜トランジスタ>
本発明の実施形態について、以下、図面を使用して説明する。
本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁層と活性層との間に、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を有することを特徴とする。本発明の有機薄膜トランジスタの代表例としては、電界効果型有機薄膜トランジスタが挙げられる。この電界効果型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる活性層、電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、並びに、活性層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましく、ソース電極及びドレイン電極が活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが特に好ましい。
本発明の実施形態について、以下、図面を使用して説明する。
本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁層と活性層との間に、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を有することを特徴とする。本発明の有機薄膜トランジスタの代表例としては、電界効果型有機薄膜トランジスタが挙げられる。この電界効果型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる活性層、電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、並びに、活性層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましく、ソース電極及びドレイン電極が活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが特に好ましい。
以下、本発明の有機薄膜トランジスタの代表例である電界効果型有機薄膜トランジスタについて、図面を参照しつつ、具体的に説明する。
図1は、第1実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタの模式断面図である。この電界効果型有機薄膜トランジスタは、有機半導体を活性層に用いた電界効果型有機薄膜トランジスタの中でも一般的なものである。電界効果型有機薄膜トランジスタ100は、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極4と、ゲート電極4を覆うようにして基板1上に形成された絶縁層3と、絶縁層3上に形成された電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層7と、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層7上に形成された有機半導体(p型有機半導体とn型有機半導体とがある)を含む活性層2(以下、同様であり、単に「活性層2」という)と、ゲート電極4が下方に形成されている活性層2の領域を一部覆うように活性層2上に形成されたソース電極5と、ゲート電極4がその下方に形成されている活性層2の領域を一部覆うようにソース電極5と所定の間隔を持って活性層2上に形成されたドレイン電極6とを備えるものである。
電界効果型有機薄膜トランジスタにおいて、活性層2は、ソース電極5とドレイン電極6との間の電流通路(チャネル)となる。また、ゲート電極4は、電圧を印加することにより活性層2における電流通路(チャネル)を通る電流量を制御する。活性層2にp型半導体を使用した場合、ゲート電極4に負の電圧を印加すると、活性層2の絶縁層3との界面近傍に正孔が誘起される。有機薄膜トランジスタの閾値電圧は、活性層2と絶縁層3との界面に存在するキャリアトラップや、活性層2として機能するp型有機半導体に取り込まれた酸素等の不純物の影響を受けると考えられる。ペンタセンやF8T2(9,9−ジオクチルフルオレンとビチオフェンの共重合体)等の多くのp型有機半導体では、有機薄膜トランジスタの閾値電圧は負になるが、P3HTやティップスペンタセン(6,13−ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン)等の一部のp型有機半導体では、イオン化ポテンシャルが小さいため大気中の酸素が有機半導体内に取り込まれやすく、有機薄膜トランジスタの閾値電圧が正になるものもある。
前記p型有機半導体としてF8T2等を使用した場合、閾値電圧は−側にふれる。これをゼロに近づけたい場合、電子受容性化合物を含む層を絶縁層と活性層との間に配置すればよい。電子受容性化合物を含む層と活性層との界面付近で、活性層の少数キャリアである電子が電子受容性化合物にひきつけられ、相対的に活性層の正孔濃度が増加して閾値電圧が+側にシフトするためである。一方、閾値電圧が正にふれている場合は、電子供与性化合物を含む層を絶縁層と活性層との間に配置すると相対的に正孔濃度が減少し、閾値電圧を−側にシフトしてゼロに近づけることができる。
前記電子受容性化合物は、例えば、テトラシアノキノジメタン(TCNQ)、テトラシアノキノジメタン誘導体、p−ベンゾキノン、p−ベンゾキノン誘導体、1,4−ナフトキン誘導体、ジフェノキノン誘導体、及びフルオレン誘導体からなる群から選ばれる1種以上であり、テトラシアノキノジメタン(TCNQ)、テトラシアノキノジメタン誘導体、p−ベンゾキノン、及びp−ベンゾキノン誘導体からなる群から選ばれる1種以上が好ましい。
前記テトラシアノキノジメタン誘導体としては、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)、トリフルオロメチル−テトラシアノキノジメタン(CF3TCNQ)、2,5−ジフルオロ−テトラシアノキノジメタン(F2TCNQ)、モノフルオロ−テトラシアノキノジメタン(FTCNQ)、テトラシアノエチレン(TCNE)、11,11,12,12−テトラシアノナフト−2,6−キノジメタン(TNAP)等が挙げられる。
前記p−ベンゾキノン誘導体としては、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−p−ベンゾキノン(DDQ)、2,3−ジブロモ−5,6−ジシアノ−p−ベンゾキノン(DBDQ)、2,3−ジヨード−5,6−ジシアノ−p−ベンゾキノン(DIDQ)、2,3−ジシアノ−p−ベンゾキノン(Q(CN)2)等が挙げられる。
前記1,4−ナフトキノン誘導体としては、2,3−ジシアノ−5−ニトロ−1,4−ナフトキノン(DCNNQ)、2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン(DCNQ)等が挙げられる。
前記フルオレン誘導体としては、9−ジシアノメチレン−2,4,5,7−テトラニトロ−フルオレン(DTENF)等が挙げられる。
前記電子供与性化合物としては、テトラチアフルバレン(TTF)、及びテトラチアフルバレン誘導体からなる群から選ばれる1種以上が挙げられる。
前記テトラチアフルバレン誘導体としては、ビスエチレンジチオテトラチアフルバレン(BEDT−TTF)、ビス(メチレンジチオ)テトラチアフルバレン(BMDT−TTF)、ビス(トリメチレンジチオ)テトラチアフルバレン(BPDT−TTF)、テトラメチルテトラチアフルバレン(TMTTF)等が挙げられる。
前記電子受容性化合物及び前記電子供与性化合物は、有機溶媒に可溶であり、絶縁層に接して、塗布法により成膜することができる。前記電子受容性化合物及び前記電子供与性化合物は、融点が低いため、融点以上に加熱することにより融解し、均一な薄膜を形成することができる。
電子受容性化合物又は前記電子供与性化合物を含む層7の厚さは、好ましくは0.5nm〜100nmである。
活性層2は、通常、有機半導体(有機化合物)を含有する。この有機半導体としては、高いキャリア輸送性を有する化合物が好ましく、例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾペンタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ナフトペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ナノアセン等のポリアセン化合物;フェナントレン、ピセン、フルミネン、ピレン、アンタンスレン、ペロピレン、コロネン、ベンゾコロネン、ジベンゾコロネン、ヘキサブンゾコロネン、ベンゾジコロネン、ビニルコロネン等のコロネン化合物;ペリレン、テリレン、ジペリレン、クオテリレン等のペリレン化合物;トリナフチン、ヘプタフェン、オバレン、ルビセン、ビオラントロン、イソビオラントロン、クリセン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレン、ビオランテン、イソビオランテン、ビフェニル、トリフェニレン、ターフェニル、クォターフェニル、サーコビフェニル、ケクレン、フタロシアニン、ポルフィリン、フラーレン(C60、C70)、テトラチオフルバレン化合物、キノン化合物、テトラシアノキノジメタン化合物、ポリチオフェンのオリゴマー、ポリピロールのオリゴマー、ポリフェニレンのオリゴマー、ポリフェニレンビニレンのオリゴマー、ポリチエニレンビニレンのオリゴマー、チオフェンとフェニレンとの共重合体オリゴマー、チオフェンとフルオレンとの共重合体オリゴマー、これらの誘導体(例えば、テトラセンのベンゼン環付加誘導体であるルブレン等)、フラーレン類の共役系を拡張したカーボンナノチューブ等の低分子有機半導体化合物;ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリトリフェニルアミン、トリフェニルアミンとフェニレンビニレンとの共重合体;チオフェンとフェニレンとの共重合体;チオフェンとフルオレンとの共重合体、これらの誘導体(例えば、ポリチオフェンのアルキル置換体のポリ(3−ヘキシルチオフェン)等)等の高分子有機半導体化合物が挙げられ、好ましくは、以下の式(1a)〜(1i)で表される高分子有機半導体化合物が挙げられる。なお、これらの高分子有機半導体化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常、1×103〜1×106である。
上記式(1a)〜(1i)中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8及びR9は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、1価の複素環基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。nは1以上の整数である。
活性層2の厚さは、好ましくは1nm〜100μmである。
絶縁層3には、無機絶縁体や有機絶縁体からなる絶縁膜を用いることができる。無機絶縁体としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンが挙げられる。有機絶縁体としては、ポリエチレン、ポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、有機ガラス、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリパラキシレン、ポリアクリロニトリルが挙げられる。なお、無機絶縁体及び有機絶縁体は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。絶縁層3の厚さは、好ましくは50〜1000nmである。
ゲート電極4には、金、白金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、低抵抗ポリシリコン、低抵抗アモルファスシリコン等の金属や錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物(ITO)等の材料を用いることができる。これらの材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。また、ゲート電極4としては、高濃度にドープされたシリコン基板を用いてもよい。高濃度にドープされたシリコン基板は、ゲート電極としての性質と、基板としての性質とを併有する。従って、高濃度にドープされたシリコン基板を用いる場合には、基板1とゲート電極4とが接している有機薄膜トランジスタにおいて、基板1を省略してもよい。ゲート電極4の厚さは、好ましくは0.05〜100μmである。
ソース電極5及びドレイン電極6は、低抵抗の材料から構成されることが好ましく、例えば、金、白金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン等から構成されることが特に好ましい。これらの材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。ソース電極5及びドレイン電極6の厚さは、各々、好ましくは0.05〜1000μmである。
基板1としては、ガラス基板、フレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板等が挙げられる。基板1の厚さは、好ましくは10〜2000μmである。
本発明の有機薄膜トランジスタは、ソース電極5及びドレイン電極6と、活性層2との間に、活性層2に含まれる有機半導体とは異なる化合物からなる層を介在させてもよい。このような層を介在させることにより、ソース電極5及びドレイン電極6と活性層2との間の接触抵抗が低減され、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度を更に高めることができることがある。
前記活性層2に含まれる有機半導体とは異なる化合物からなる層としては、電子又はホール輸送性を有する低分子化合物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、これらの金属と有機化合物との錯体;ヨウ素、臭素、塩素、塩化ヨウ素等のハロゲン;硫酸、無水硫酸、二酸化硫黄、硫酸塩等の酸化硫黄化合物;硝酸、二酸化窒素、硝酸塩等の酸化窒素化合物;過塩素酸、次亜塩素酸等のハロゲン化化合物;アルキルチオール化合物、芳香族チオール類、フッ素化アルキル芳香族チオール類等の芳香族チオール化合物等からなる層が挙げられる。
次に、第1実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタ以外の電界効果型有機薄膜トランジスタの代表例について、図面を参照しつつ、説明する。
図2は第2実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタの模式断面図である。図2に示す電界効果型有機薄膜トランジスタ110は、基板1と、基板1上に形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、ソース電極5及びドレイン電極6を覆うようにして基板1上に形成された活性層2と、活性層2上に形成された電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層7と、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層7上に形成された絶縁層3と、絶縁層3上に形成されたゲート電極4、を備えるものである。
図3は第3実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタの模式断面図である。図3に示す電界効果型有機薄膜トランジスタ120は、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極4と、ゲート電極4を覆うようにして基板1上に形成された絶縁層3と、絶縁層3上に形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、絶縁層3上でソース電極とドレイン電極の間の領域を埋めるように形成された電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層7と、ソース電極5及びドレイン電極6を覆うようにして電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層7上に形成された活性層2と、を備えるものである。
図4は第4実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタの模式断面図である。図4に示す電界効果型有機薄膜トランジスタ130は、基板を兼ねるゲート電極4と、ゲート電極4を覆うようにして基板1上に形成された絶縁層3と、絶縁層3上に形成された電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層7と、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層7上に形成された活性層2と、ゲート電極4が下部に形成されている活性層2の領域を一部覆うように形成されたソース電極5とドレイン電極6とを備えるものである。
<有機薄膜トランジスタの製造方法>
本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極、及び電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を備える有機薄膜トランジスタの製造方法であって、前記絶縁層と前記活性層との間に前記電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を形成する工程を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法であり、例えば、特開平5−110069号公報に記載の製造方法である。以下、図1に示される第1実施形態の有機薄膜トランジスタを一例として、その製造方法を説明する。
本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極、及び電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を備える有機薄膜トランジスタの製造方法であって、前記絶縁層と前記活性層との間に前記電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を形成する工程を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法であり、例えば、特開平5−110069号公報に記載の製造方法である。以下、図1に示される第1実施形態の有機薄膜トランジスタを一例として、その製造方法を説明する。
まず、基板1上にゲート電極4を、蒸着、スパッタリング、めっき、CVD等により形成する。なお、ゲート電極4として、高濃度にドープされたn−型シリコン基板を用いてもよい。
次に、ゲート電極4上に絶縁層3を、CVD法、プラズマCVD法、プラズマ重合法、熱蒸着法、熱酸化法、陽極酸化法、クラスタイオンビーム蒸着法、LB法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等により形成する。なお、ゲート電極4として、高濃度にドープされたn−型シリコン基板を用いる場合には、その表面を熱酸化することにより酸化シリコンの膜を形成することができ、この酸化シリコンの膜を絶縁層3として用いてもよい。
その後、絶縁層3上に電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層7を形成する。電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層7は絶縁層3と同様の方法で形成することができるが、製造コストの観点から、真空プロセスを含まない方法が好ましく、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を溶媒に溶解して絶縁層3上に塗布し、加熱融解して均一な薄膜にする方法で形成することができる。
そして、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層7上に活性層2を形成する際には、有機溶媒可溶性の化合物を用いることが製造上好ましい。本発明の有機薄膜トランジスタは、当該化合物を有機溶剤に溶解した溶液を用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等により製造することができる。
最後に、ソース電極5及びドレイン電極6を活性層2上に形成する。ソース電極5及びドレイン電極6と活性層2との間に設けてもよい、活性層2に含まれる有機半導体とは異なる化合物からなる層も、同様の方法で形成することができる。
有機薄膜トランジスタを作製後、素子を保護するために有機薄膜トランジスタ上に保護膜を形成することが好ましい。この保護膜により、有機薄膜トランジスタが、大気から遮断され、有機薄膜トランジスタの特性の低下を抑えることができる。また、保護膜により有機薄膜トランジスタの上に駆動する表示デバイスを形成するときの影響を低減することができる。
保護膜を形成する方法としては、UV硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のSiONx膜等でカバーする方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うために、有機薄膜トランジスタを作製後、保護膜を形成するまでの工程を大気に曝すことなく(例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等)行うことが好ましい。
<有機薄膜トランジスタの閾値電圧の制御方法>
本発明の閾値電圧の制御方法は、ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極、及び前記絶縁層と前記活性層との間に設けられた電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を備える有機薄膜トランジスタにおいて、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層の厚さを変化させることを含む、有機薄膜トランジスタの閾値電圧の制御方法である。この制御方法を用いると、有機薄膜トランジスタの閾値電圧が、より効率的に制御できる点で有用である。例えば、電子受容性化合物を含む層により閾値電圧を+側に動かす場合、単位面積当たりの電子受容性化合物のモル数が多いほど、大きく閾値電圧を動かすことができ、また、電子供与性化合物を含む層により閾値電圧を−側に動かす場合、単位面積あたりの電子供与性化合物のモル数が多いほど、大きく閾値電圧を動かすことができる。また、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層と活性層との接触面積を変化させることにより、閾値電圧を制御することも可能である。
本発明の閾値電圧の制御方法は、ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極、及び前記絶縁層と前記活性層との間に設けられた電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を備える有機薄膜トランジスタにおいて、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層の厚さを変化させることを含む、有機薄膜トランジスタの閾値電圧の制御方法である。この制御方法を用いると、有機薄膜トランジスタの閾値電圧が、より効率的に制御できる点で有用である。例えば、電子受容性化合物を含む層により閾値電圧を+側に動かす場合、単位面積当たりの電子受容性化合物のモル数が多いほど、大きく閾値電圧を動かすことができ、また、電子供与性化合物を含む層により閾値電圧を−側に動かす場合、単位面積あたりの電子供与性化合物のモル数が多いほど、大きく閾値電圧を動かすことができる。また、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層と活性層との接触面積を変化させることにより、閾値電圧を制御することも可能である。
電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層の厚さは、塗布条件により調整でき、例えば、溶液の濃度により調整する方法(溶液濃度が高いほど膜厚を厚くすることができる)により調整できるし、スピンコート法の場合には回転速度により調整できるし、インクジェット法の場合には吐出量により調整できる。
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<実施例1>
ゲート電極となる高濃度にドーピングされたn型シリコン基板の表面を熱酸化し、200nmのシリコン酸化膜(絶縁層)を形成した。得られた基板をアセトンで10分間超音波洗浄した後、オゾンUV(紫外線強度:28mW/cm2)を30分間照射し、基板1を得た。
ゲート電極となる高濃度にドーピングされたn型シリコン基板の表面を熱酸化し、200nmのシリコン酸化膜(絶縁層)を形成した。得られた基板をアセトンで10分間超音波洗浄した後、オゾンUV(紫外線強度:28mW/cm2)を30分間照射し、基板1を得た。
次に、TTFをアセトニトリルに溶解し、0.8重量%の溶液を調製した。この溶液をスピンコート法により、基板1上に塗布した後、窒素雰囲気中で180℃、10分熱処理することによりTTF層(電子供与性化合物を含む層)を形成した。
次に、F8T2(9,9−ジオクチルフルオレン:ビチオフェン=50:50(モル比)の共重合体;ポリスチレン換算の重量平均分子量=69,000)を溶媒であるクロロホルムに溶解して、濃度が0.5重量%である溶液(有機半導体組成物)を作製し、これをメンブランフィルターでろ過して塗布液を調製した。
得られた塗布液を、前記TTF層上にスピンコート法により塗布し、約60nmの厚さを有する活性層を形成し、次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、活性層上に、チャネル長20μm、チャネル幅2mmのソース電極及びドレイン電極(活性層側から、フラーレン、金の順番で積層構造を有する)を形成することにより、電界効果型有機薄膜トランジスタ1を作製した。
(特性評価)
こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタ1について、ゲート電圧Vgを0〜−60V、ソース・ドレイン間電圧Vsdを0〜−60Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ1による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表1に示す。
こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタ1について、ゲート電圧Vgを0〜−60V、ソース・ドレイン間電圧Vsdを0〜−60Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ1による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表1に示す。
<実施例2>
実施例1において、TTFの代わりに、F4TCNQをアセトニトリルに溶解し、0.06重量%の溶液を調製したこと、及びこの溶液をスピンコート法により基板表面に塗布した後、窒素を満たしたグローブボックス中でホットプレートにより180℃、20分熱処理したこと以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタ2を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ2による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表1に示す。
実施例1において、TTFの代わりに、F4TCNQをアセトニトリルに溶解し、0.06重量%の溶液を調製したこと、及びこの溶液をスピンコート法により基板表面に塗布した後、窒素を満たしたグローブボックス中でホットプレートにより180℃、20分熱処理したこと以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタ2を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ2による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表1に示す。
<実施例3>
実施例1において、TTFの代わりに、F4TCNQをアセトニトリルに溶解し、1重量%の溶液を調製したこと、及びこの溶液をスピンコート法により基板表面に塗布した後、窒素を満たしたグローブボックス中でホットプレートにより180℃、20分熱処理したこと以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタ3を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ3による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表1に示す。
実施例1において、TTFの代わりに、F4TCNQをアセトニトリルに溶解し、1重量%の溶液を調製したこと、及びこの溶液をスピンコート法により基板表面に塗布した後、窒素を満たしたグローブボックス中でホットプレートにより180℃、20分熱処理したこと以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタ3を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ3による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表1に示す。
<比較例1>
実施例1において、TTF層を形成しない以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタC1を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタC1による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表1に示す。
実施例1において、TTF層を形成しない以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタC1を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタC1による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表1に示す。
<評価>
絶縁層と活性層との間に、電子受容性化合物であるF4TCNQを含む層を設けた場合、閾値電圧が+側に大きくなり、電子供与性化合物であるTTFを含む層を設けた場合、閾値電圧が−側に大きくなることから、閾値電圧の制御が可能である。また、閾値電圧は、層を形成する時(即ち、塗布時)の電子受容性化合物又は電子供与性化合物の濃度により+側又は−側へのシフトの度合いが異なるため、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層の厚さにより制御が可能である。
絶縁層と活性層との間に、電子受容性化合物であるF4TCNQを含む層を設けた場合、閾値電圧が+側に大きくなり、電子供与性化合物であるTTFを含む層を設けた場合、閾値電圧が−側に大きくなることから、閾値電圧の制御が可能である。また、閾値電圧は、層を形成する時(即ち、塗布時)の電子受容性化合物又は電子供与性化合物の濃度により+側又は−側へのシフトの度合いが異なるため、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層の厚さにより制御が可能である。
<実施例4>
実施例1において、F8T2をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液に代えて、ティップスペンタセン(6,13−ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン)をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液を用いた以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタ4を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ4による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表2に示す。
実施例1において、F8T2をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液に代えて、ティップスペンタセン(6,13−ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン)をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液を用いた以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタ4を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ4による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表2に示す。
<実施例5>
実施例2において、F8T2をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液に代えて、ティップスペンタセン(6,13−ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン)をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液を用いた以外は、実施例2と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタ5を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ5による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表2に示す。
実施例2において、F8T2をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液に代えて、ティップスペンタセン(6,13−ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン)をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液を用いた以外は、実施例2と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタ5を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ5による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表2に示す。
<実施例6>
実施例3において、F8T2をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液に代えて、ティップスペンタセン(6,13−ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン)をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液を用いた以外は、実施例3と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタ6を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ6による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表2に示す。
実施例3において、F8T2をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液に代えて、ティップスペンタセン(6,13−ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン)をクロロホルムに溶解した0.5重量%の塗布液を用いた以外は、実施例3と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタ6を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタ6による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表2に示す。
<比較例2>
実施例4において、TTF層を形成しない以外は、実施例4と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタC2を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタC2による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表2に示す。
実施例4において、TTF層を形成しない以外は、実施例4と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタC2を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した、電界効果型有機薄膜トランジスタC2による電界効果移動度(移動度)、閾値電圧を表2に示す。
<評価>
絶縁層と活性層との間に、電子受容性化合物であるF4TCNQを含む層を設けた場合、閾値電圧が+側に大きくなり、電子供与性化合物であるTTFを含む層を設けた場合、閾値電圧が−側に大きくなることから、閾値電圧の制御が可能である。また、閾値電圧は、層を形成する時(即ち、塗布時)の電子受容性化合物又は電子供与性化合物の濃度により+側又は−側へのシフトの度合いが異なるため、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層の厚さにより制御が可能である。
絶縁層と活性層との間に、電子受容性化合物であるF4TCNQを含む層を設けた場合、閾値電圧が+側に大きくなり、電子供与性化合物であるTTFを含む層を設けた場合、閾値電圧が−側に大きくなることから、閾値電圧の制御が可能である。また、閾値電圧は、層を形成する時(即ち、塗布時)の電子受容性化合物又は電子供与性化合物の濃度により+側又は−側へのシフトの度合いが異なるため、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層の厚さにより制御が可能である。
1 基板
2 活性層
3 絶縁層
4 ゲート電極
5 ソース電極
6 ドレイン電極
7 電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層
100 第1実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタ
110 第2実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタ
120 第3実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタ
130 第4実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタ
2 活性層
3 絶縁層
4 ゲート電極
5 ソース電極
6 ドレイン電極
7 電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層
100 第1実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタ
110 第2実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタ
120 第3実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタ
130 第4実施形態に係る電界効果型有機薄膜トランジスタ
Claims (9)
- ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極及びドレイン電極を備える有機薄膜トランジスタであって、
前記絶縁層と活性層との間に、電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を有する有機薄膜トランジスタ。 - 前記電子受容性化合物が、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノキノジメタン誘導体、p−ベンゾキノン及びp−ベンゾキノン誘導体からなる群から選ばれる1種以上である請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記電子供与性化合物が、テトラチアフルバレン及びテトラチアフルバレン誘導体からなる群から選ばれる1種以上である請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 電界効果型有機薄膜トランジスタである請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタを備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタを備える電子タグ。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタを備える液晶表示素子。
- ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極、及び電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を備える有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記絶縁層と前記活性層との間に前記電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を形成する工程を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法。 - ゲート電極、絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極、及び前記絶縁層と前記活性層との間に設けられた電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層を備える有機薄膜トランジスタにおいて、前記電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む層の厚さを変化させることを含む、有機薄膜トランジスタの閾値電圧の制御方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011181716A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Ricoh Co Ltd | 有機電極を用いた有機薄膜トランジスタとその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004103638A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機トランジスタ素子 |
JP2005123354A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Sony Corp | 電荷移動錯体薄膜、及び、電界効果型トランジスタ |
JP2005228968A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Sharp Corp | 電界効果型トランジスタ、これを用いた画像表示装置及び半導体装置 |
WO2007099690A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Pioneer Corporation | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-04-22 JP JP2008111104A patent/JP2009266865A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004103638A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機トランジスタ素子 |
JP2005123354A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Sony Corp | 電荷移動錯体薄膜、及び、電界効果型トランジスタ |
JP2005228968A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Sharp Corp | 電界効果型トランジスタ、これを用いた画像表示装置及び半導体装置 |
WO2007099690A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Pioneer Corporation | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011181716A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Ricoh Co Ltd | 有機電極を用いた有機薄膜トランジスタとその製造方法 |
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